「source element type」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent noise from being generated by the mode hop of a semiconductor light-emitting device and at the same time the internal power of the semiconductor light-emitting device from increasing for causing damage in a laser light source where the semiconductor light-emitting device is directly coupled to a waveguide-type wavelength selection element for selecting the wavelength of light being emitted from the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

半導体発光素子と、この半導体発光素子から発せられた光の波長を選択する導波路型の波長選択素子とが直接結合されてなるレーザー光源において、半導体発光素子のモードホップによるノイズの発生を防止するとともに、半導体発光素子の内部パワーが大きくなって損傷を招くことを防止する。 - 特許庁

To provide an optical element capable of condensing and collimating the incident light from a light source to parallel beams of light by arranging a layer of a specific phase difference between circularly polarized light type reflection polarizers and capable of suppressing the transmission of the light made incident at a large angle with a normal direction, improving front luminance and reducing coloring.例文帳に追加

円偏光型反射偏光子の間に特定位相差の層を配置して、光源からの入射光を集光化、平行光化できる光学素子であって、法線方向に対し大きな角度で入射した光の透過を抑えることができ、正面輝度の向上と色付きを低減させることができる光学素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an explosion proof type solenoid valve arranged in an explosion proof region such as a discharge port of a tank storing, for example, oil, explosive liquid such as chemicals and liquefied gas, and inflammable gas and capable of suppressing heat generation from a heat generation source such as a solenoid part driving a plunger valve element below ignition point of inflammable gas to provide explosion proofing property effectively.例文帳に追加

本発明は防爆型のソレノイドバルブに関し、例えば石油、化学薬品等の爆発性の液体や液化ガス、可燃性ガス等を貯蔵するタンクの排気口等の防爆領域に設置され、プランジャ弁体を駆動させるソレノイド部等の熱発生源からの発熱を可燃性ガス等の発火点以下に抑えて有効に防爆性を発揮させる。 - 特許庁

Further, the method may also have a step of forming a collector region 32 positioned at the offset region 31 of a bipolar transistor by introducing the first-conductivity-type impurities to the semiconductor layer 20 with an element isolation film 25, a gate electrode 44, and a mask film as masks, and for forming a source and a drain 42a, 45 of a MOS transistor.例文帳に追加

さらに、素子分離膜２５、ゲート電極４４、及びマスク膜をマスクとして半導体層２０に第１導電型の不純物を導入することにより、バイポーラトランジスタのオフセット領域３１に位置するコレクタ領域３２を形成するとともに、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン４２ａ，４５を形成する工程とを具備してもよい。 - 特許庁

In this thin film type electron emissive display element, materials capable of transmitting visible light are used for all of electron sources and related materials, and at the same time, in order to prevent outside light from being reflected by a phosphor, display light is taken out from a substrate on which an electron source facing a substrate having a phosphor applied is disposed.例文帳に追加

本発明の薄膜型電子放出表示素子において、電子源および関連材料をすべて可視光を透過し得るものとし、同時に蛍光体による外光反射を防止するために、蛍光体が塗布された基板に対向する電子源を配置した基板から表示光を取出すことにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a laser type gas analyzer which, at a light emission side, eliminates insertion loss at the light emission side by radiating light from a laser source of equal to or more than a plurality of wavelengths with different wavelengths into a space without using a fiber coupler, and which enhances the intensity of an absorption signal of measurement gas by efficiently transmitting the power of the light to a light receiving element.例文帳に追加

発光側において、異なる複数波長以上のレーザ光源から出た光を、ファイバカプラを使用せずに空間に放射することによって、発光側での挿入損失を無くし、光のパワーを効率よく受光素子まで伝送することで、測定ガスの吸収信号の強度を高める多成分用レーザ式ガス分析計を提供する。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

This head mounted type display 10 is constituted of a picture display part 11 for displaying a picture presented to the user, a transmitted light beam selecting element 12 having property that a light beam in specified wavelength or a specified band is transmitted and concurrently a light beam in a visible area is reflected, and transmitted light source 13a and 13b emitting light beams having a continuous or discrete wavelength band.例文帳に追加

ヘッドマウントディスプレイ１０を、利用者に提示する画像を表示する画面表示部１１と、特定の波長あるいは特定の帯域の光線を透過させると同時に可視領域の光線を反射させる性質を有する透過光線選択素子１２と、連続もしくは離散的な波長帯域を持つ光線を放出する透過光源１３ａ，１３ｂと、から構成する。 - 特許庁

The optical element is a diffraction type transmission lens (14) for connecting a light source to a light transmission medium and has a diffraction face (160) demarcaded by a face function including a 1st phase function having symmetry about angles and a 2nd phase function having symmetry in a dynamic diameter direction and a cusp area and the cusp area has a discontinuous inclination.例文帳に追加

本発明の光学素子は、光源を光伝送媒体に結合する回折型伝達レンズ（140）であって、角度に対して対称性を有する第１の位相関数と、動径方向の対称性及びカスプ領域を有する第２の位相関数とを含む面関数によって画定されている回折面（160）を有し、カスプ領域が不連続な傾斜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The laser light source device provided with a semiconductor laser 1, an optical waveguide type wavelength conversion element 3 for leading light from the laser 1 and outputting visible rays and a DC power supply 5 for supplying power to the laser 5 is also provided with a high frequency superposition circuit 6 for superposing a high frequency component of about 300 MHz to a DC component outputted from the DC power supply 5.例文帳に追加

半導体レーザー１と、半導体レーザー１からの光を導入し可視光を出力する光導波路型の波長変換素子３と、半導体レーザー１に電源を供給する直流電源５とを備えたレーザー光源装置であって、直流電源５からの直流成分に３００ＭＨｚ程度の高周波成分を重畳する高周波重畳回路６を備えた。 - 特許庁

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。 - 特許庁

A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.例文帳に追加

密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁

The polysilicon film formed like an island as a semiconductor layer 1a constituting a TFT 30 as a switching element is heated by means of a sheet-fed semiconductor manufacturing device using a resistance-heating-type heater as a heat source under temperature conditions for releasing film stress occurring in oxidative reaction on the surface of the polysilicon film to form a gate insulation film 2 made of the silicon oxide film.例文帳に追加

スイッチング素子としてのＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとして島状に形成されたポリシリコン膜に、抵抗加熱式のヒータを熱源とする枚葉式の半導体製造装置を用い、ポリシリコン膜の表面に酸化反応時に発生する膜応力を解放する温度条件で加熱を行ってシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a both-surface display type liquid crystal display device that performs both-surface display by using one liquid crystal display element and reduces the occupation area, and displays an image observed on one surface side and an image observed on the other surface side by using illumination light from a surface light source or displays them by using external light as light in outer environment.例文帳に追加

１つの液晶表示素子を用いて両面表示し、しかも占有面積を小さくするとともに、一方の面側から観察される画像と他方の面側から観察される画像をそれぞれ、前記面光源からの照明光を利用する表示と、外部環境の光である外光を利用する表示とにより表示することができる両面表示型の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The projection display device includes a light source, an illumination means, a single-plate type liquid crystal panel 44, and a projection lens 48, and includes first and second wavelength selective optical axis shift elements 46 and 47 including a wavelength selective polarized light rotating element that shifts optical axes of color light beams of red and blue and a double refraction plate between the liquid crystal panel 44 and the projection lens 48.例文帳に追加

光源と、照明手段と、単板方式の液晶パネル４４と、投写レンズ４８とを備えた投写型表示装置であって、液晶パネル４４と投写レンズ４８との間に、赤、青の色光の光軸をシフトさせる波長選択性偏光回転素子と複屈折板とで構成した第１および第２の波長選択性光軸シフト素子４６、４７を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In the portable electronic equipment constituted of an upper case and a lower case connected via a first hinge portion, the upper case comprises a light source for detecting biometrics information and the lower case comprises a detection means for detecting the biometrics information using transmission light, thereby accurately assembling a transmissive type biometrics authentication element of high detection precision at a low cost.例文帳に追加

第１のヒンジ部を介して連結された上側筐体と下側筐体とからなる携帯電子機器において、上側筐体にバイオメトリクス情報を検出するための光源を備え、下側筐体に透過光によりバイオメトリクス情報を検出するための検出手段を備えことにより低コストで検出精度の高い透過型バイオメトリクス認証素子を精度よく組み付けた携帯電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided display type liquid crystal display device which attains a double-sided display by using one liquid crystal display element, reduces occupied area, and displays an image observed from the one surface side and that observed from another surface side respectively with display using illumination light from a surface light source and with that using external light which is light from external surroundings.例文帳に追加

１つの液晶表示素子を用いて両面表示し、しかも占有面積を小さくするとともに、一方の面側から観察される画像と他方の面側から観察される画像をそれぞれ、前記面光源からの照明光を利用する表示と、外部環境の光である外光を利用する表示とにより表示することができる両面表示型の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The reticle having a first pattern hole corresponding to the opening of a resist film 102 for forming a source/drain region 115 included in an element region 11 by ion implanting and a second pattern hole corresponding to the opening of the resist film 102 for forming a diffused region 117 on a dummy region 113 on a p-type silicon substrate 101 by ion implanting is used.例文帳に追加

イオン注入により素子領域１１２に含まれるソース／ドレイン領域１１５をｐ型シリコン基板１０１上に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第１のパターン孔と、イオン注入により拡散領域１１７をｐ型シリコン基板１０１上のダミー領域１１３に形成するためのレジスト膜１０２の開口部に対応する第２のパターン孔とを備えるレチクルを用いる。 - 特許庁

The aberration correction liquid crystal element is provided with a first electrode arranged on the laser light source side and having a first electrode pattern for correcting aberration concerning a first optical disk, a second electrode arranged on the optical disk side and having a second electrode pattern for correcting aberration concerning a second optical disk of a type different from the first optical disk, and a liquid crystal held between the first electrode and the second electrode.例文帳に追加

収差補正用液晶素子は、レーザ光源側に配置され、第１の光ディスクに関する収差を補正する第１の電極パターンを有する第１電極と、光ディスク側に配置され、第１の光ディスクとは種類の異なる第２の光ディスクに関する収差を補正する第２の電極パターンを有する第２電極と、第１電極と第２電極との間に狭持された液晶とを備えている。 - 特許庁

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 10A which has an array substrate AR having an inverted stagger type a-SiTFT formed as a switching element on a transparent substrate 11 is characterized in that a refracting means of refracting light from a backlight source not to reach a thin film transistor is formed on the surface of the transparent substrate 11 on the opposite side from the surface where the TFT is formed to overlap with the TFT in plan view.例文帳に追加

透明基板１１上にスイッチング素子として逆スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴが形成されたアレイ基板ＡＲを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記透明基板１１のＴＦＴが形成されている面とは反対側の面に、平面視で前記ＴＦＴと重複する位置に、バックライト光源からの光を前記薄膜トランジスタから反らすように屈折させる屈折手段を形成したことを特徴とする。 - 特許庁