「source element type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the p-type source-drain regions 20 is composed of a mixed crystal layer of silicon and a group IV element, and the mixed crystal layer has a projection 20a which is formed by protruding the side face of the mixed crystal layer on a gate electrode side in a gate-length direction toward a gate electrode side.例文帳に追加

ｐ型ソースドレイン領域２０は、シリコンとIV族元素との混晶層からなり、混晶層は、ゲート長方向におけるゲート電極側の側面がゲート電極側に突き出す凸部２０ａを有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic source substrate in which the number of process are few by means of ink-jet liquid droplet application system and in which a surface conduction type electron emitting element is formed stably at a low cost with high yield.例文帳に追加

インクジェット液滴付与方式によって、工程数も少なく、安定的に歩留まり良くかつ低コストで表面伝導型電子放出素子を形成する電子源基板製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane element and an immersion-type flat membrane filter which allow cleaning of the filter membrane through synergetic effects comprising sufficient oscillation of the filter membrane with the gas-liquid multi-phase flow as a drive source and air scrubbing.例文帳に追加

気液混相流を駆動源としてろ過膜を十分に揺動させてエアースクラビングとの相乗によってろ過膜の洗浄を行なうことができる膜エレメントおよび浸漬型平膜ろ過装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photographic element for transmission type display providing the improved transmissivity of white light and forming the diffusion of more effective light so as to make an observer impossible to clearly recognize light source elements at the same time.例文帳に追加

白色光の改良された透過率を備え、同時に、光源の素子が見る者にはっきりとわからないように、より有効な光の拡散を提供する透過型ディスプレー材料に対する要求が存在する。 - 特許庁

To provide a reflecting film for surface light source used in the backlight mechanism of the liquid crystal display of a notebook-type personal computer or word processor using a liquid crystal element.例文帳に追加

本発明は、面光源用反射フィルムに関し、詳しくはノートブック型のコンピューターやワードプロセッサー等の液晶素子を用いた液晶表示装置のバックライト機構に使用される面光源用反射フィルムを提供する。 - 特許庁

Therefore, this allows the light source 11, the concave mirror 12 and the reflection type display element 20 to be collectively arranged in compactness adjacent to the eyepiece optical system 30 without increasing the power of an illumination optical system 10.例文帳に追加

したがって、照明光学系１０のパワーを大きくすることなく、光源１１、凹面ミラー１２および反射型表示素子２０を、接眼光学系３０の近傍にまとめてコンパクトに配置することができる。 - 特許庁

This surface lighting system, arranged so as to cover the surface of a reflection type liquid crystal element 2, is formed of a transparent board 4 made of the translucent material and a light source part 6 arranged along one side surface 5 of the transparent board 4.例文帳に追加

反射型液晶素子２の表面を覆うように配置される面状照明装置１は、透光性材料からなる透明基板４とその一側面５に沿って配置される光源部６から構成される。 - 特許庁

To provide an image reader, having a simple configuration, without the need for providing current adjustment means by modes of a light-emitting element for each original lighting, in the case of reading a black-and-white original with a color image sensor of a light source changeover type.例文帳に追加

光源切り替え型のカラーイメージセンサで白黒原稿を読み取る場合に、各原稿照明用の発光素子のモード別の電流調整手段を設けることなく、簡単な構成で装置の高寿命化を図る。 - 特許庁

As compared with normally-off type, the high side semiconductor switching element 15 can be turned off easily by simply adding the constant voltage diode 35 and a negative voltage source 25, and a normally-on power converter can be constituted easily.例文帳に追加

ノーマリオフ型に比べて、定電圧ダイオード３５と負電圧源２５を追加するだけでハイサイド半導体スイッチング素子１５を容易にオフにでき、ノーマリオン型の電力変換器を容易に構成することができる。 - 特許庁

When the electron beam is applied on a screen center part, a voltage exceeding a threshold value is applied between cathode electrodes Ca5-Ca11 and extraction electrodes Ex5-Ex11 in this field emission type electron source element 10.例文帳に追加

スクリーン中央部に電子ビームを照射する場合には、電界放出型電子源素子１０における、カソード電極Ｃａ５〜Ｃａ１１と、引出し電極Ｅｘ５〜Ｅｘ１１との間で閾値を超える電圧を印加する。 - 特許庁

To provide an illumination optical device whose light quantity is very large and whose illuminance irregularity is small in using a light emitting element array such as an LED array as a light source, and to provide a projection type display device using the same.例文帳に追加

ＬＥＤアレイ等の発光素子アレイを光源として用いる場合に、光量が十分大きく、照度ムラが小さい照明光学装置およびこれを用いた投影型表示装置を提供すること。 - 特許庁

In LDD regions 207, 215, 211, 219, 223a, 223b, and 229 overlapping with the gate electrode of a TFT, concentration inclination where the concentration of an N- or a P-type impurity element is increased is provided while the LDD regions approach source drain regions 208, 212, 216, 220, 226, 209, 213, 217, 221, 225, and 227.例文帳に追加

ＴＦＴのゲート電極と重なるＬＤＤ領域２０７，２１５，２１１，２１９，２２３ａ，２２３ｂ，２２９，をソース・ドレイン領域２０８，２１２，２１６，２２０，２２６，２０９，２１３，２１７，２２１，２２５，２２７に近づくにつれて徐々にＮ又はＰ型不純物元素の濃度が高くなるような濃度勾配を持たせる。 - 特許庁

To provide an image display apparatus, such as a liquid crystal display device, which uses a photodetection type optical modulating element, the image display device being capable of desired gradation display at respectively pixel positions irrelevantly to a light distribution of a back light source, the position relation between the light source and pixels, and the quantity of light emission of each light source.例文帳に追加

本発明は、液晶表示装置等の受光型光変調素子を用いた画像表示装置において、バックライト光源の配光分布、光源と画素との位置関係や各光源の発光量に関わらず、各画素位置において所望の階調表示を行うこと可能が画像表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an optical element which can collect and make parallel incident light from a light source by utilizing two or more circular polarization type reflective polarizers and which can reduce the coloring of the light which are made incident on the element at larger angles with respect to the direction of a normal line.例文帳に追加

円偏光型反射偏光子を２枚以上利用して、光源からの入射光を集光化、平行光化できる光学素子であって、法線方向に対し大きな角度で入射した光の色付きを低減させることができる光学素子を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode 7 is made via a gate insulating film 6 on the element formation region of the main surface of a p-type semiconductor substrate 1, and then semiconductor regions to serve as the source and the drain are made, self-alignedly to the gate electrode, in the element-forming regions of the substrate.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１主面の素子形成領域上にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７を形成した後、基板の素子形成領域にソース及びドレイン領域となる半導体領域１４，１５をゲート電極に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

The optical pointing device 30 uses a cover part 24 serving as a light guide type optical member and has on the back face of the cover part 24 a stray light prevention prism 19A that varies the path of light emitted from a light source 16 and impinging on an imaging element 15 without passing through an image-forming element 14.例文帳に追加

導光型光学部材としてのカバー部２４を用いた光ポインティング装置３０において、カバー部２４の裏面に、光源１６から出射された光が結像素子１４を経ずに撮像素子１５に入射する光の経路を変える迷光防止プリズム１９Ａを備える。 - 特許庁

To provide a compact projection type display which has bright and high color rendering properties by using a planar ultraviolet emitting element for a light source and arranging a planar phosphor for converting ultraviolet rays emitted from the ultraviolet emitting element into fluorescence of a prescribed color and emitting the fluorescence.例文帳に追加

光源に面状の紫外発光素子を用い、該紫外発光素子から射出された紫外光を所定色の蛍光に変換して射出する面状蛍光体を備えることにより、明るく演色性に優れた小型の投射型表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, source cells SC and drain cells DC are allotted respectively and alternately to the transversal rows and lateral rows of the lattices divided into the shape of the lattice in respective element regions EA, whereby a horizontal type diffusion MOS (LDMOS) transistor is formed in the element region EA.例文帳に追加

そして、それら素子領域ＥＡ内に格子状に区画された各領域に、同格子の縦列および横列についてそれぞれ交互に、ソースセルＳＣとドレインセルＤＣとを割り当てることによって、同素子領域ＥＡ内に横型拡散ＭＯＳ（ＬＤＭＯＳ）トランジスタが形成される。 - 特許庁

When the circuit device is operated, a predetermined constant current i is supplied to the resistive element group 13 from a constant current source 19, voltage is generated between both ends of the restive element group 13, the voltage is read by a voltage detecting analog-to-digital converter 21, and the vehicle type is discriminated.例文帳に追加

回路装置を動作させると、定電流源１９から所定の一定電流ｉが抵抗素子群１３に供給され、抵抗素子群１３の両端に電圧が発生し、電圧を検出するアナログディジタル変換器２１でその電圧を読取り車種を判別する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a gate electrode 112 that is formed on an element region 101 of a semiconductor substrate via a gate insulating film 111; and source-drain regions 122 that are formed both sides of the gate electrode 112 in the element region 101 and contain an n-type impurity and carbon.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の素子領域１０１の上にゲート絶縁膜１１１を介在させて形成されたゲート電極１１２と、素子領域１０１におけるゲート電極１１２の両側方に形成され、ｎ型不純物及び炭素を含むソースドレイン領域１２２とを備えている。 - 特許庁

The coherent light source comprises the semiconductor laser 1 having a first wavelength, an optical waveguide type QPM-SHG device 2 as a wavelength conversion element for reducing the wavelength of the semiconductor laser 1 to half, a wavelength splitting function 7, a diffraction grating 8, and a light-receiving element 9.例文帳に追加

コヒーレント光源を、第１の波長を有する半導体レーザ１と、半導体レーザ１の波長を半分にするための波長変換素子としての光導波路型ＱＰＭ−ＳＨＧデバイス２と、波長分離機能７と、回折格子８と、受光素子９とにより構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which requires only one voltage generation and control circuit, can form a source/drain region of self-alignment type, can contract a cell area and a chip area and can raise process yield and the reliability of an element and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

一つの電圧発生及び制御回路だけが必要で自己整合方式のソース／ドレイン領域の形成が可能であり、セル面積及びチップ面積が縮小して工程収率及び素子の信頼性を向上させることができる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。 - 特許庁

Implantation of dopant element such as Phosphorus is performed by using the gate electrode 20 as a mask, a heavily doped n^+-type region 22a as a source/drain region, a lightly doped n^--type region 22b and a channel region 24 which are shown in Fig. (B) are formed finally.例文帳に追加

該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ^+型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 - 特許庁

The electronic element includes a carbon nanotube 1 having the characteristics of a P-type semiconductor and provided with a source electrode 6 and a drain electrode 7 each having the characteristics of an N-type semiconductor, on both ends; and a bias electrode 2 and a control electrode 3 provided so as to oppose each other with the carbon nanotube 1 sandwiched.例文帳に追加

Ｎ型半導体の特性を有するソース電極６及びドレイン電極７が両端に設けられた、Ｐ型半導体の特性を有するカーボンナノチューブ１と、カーボンナノチューブ１を挟んで対向するように設けられるバイアス電極２及び制御電極３と、を備える電子素子である。 - 特許庁

To control the on/off of a depletion type transistor arranged as the shutdown transistor of an output transistor between the gate of an output transistor with a source follower configuration and an output terminal to which a load is connected by using the depletion type transistor having a comparatively low withstand voltage (that is, a small element area).例文帳に追加

ソースフォロア構成の出力トランジスタのゲートと負荷が接続される出力端子との間に、出力トランジスタのシャットダウンとして設けられたデプレーション型トランジスタに、比較的低耐圧（すなわち、小素子面積）のものを用いて、そのオン、オフを制御できるようにする。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

A transmission type grating is disposed between the secondary harmonic generator and a light source to make light, which travels along an optical axis to be incident on a wavelength converting element, incident on the secondary harmonic generator at an incidence angle increasing with the wavelength by using diffracting operation of the transmission type grating.例文帳に追加

透過型グレーティングを二次高調波発生素子と光源との間に配置することにより、光軸に沿って進み波長変換素子に入射する光を透過型グレーティングの回折作用を利用して波長に応じて増大する入射角で二次高調波発生素子に入射させる。 - 特許庁

A projection type display unit includes an illuminating optical system 2 for forming an illuminating light from light emitted from a light source 1, the reflection type light valve 6 for reflecting the illuminating light and outputting a modulation light that forms an optical image, a projection lens 7 for projecting the formed optical image, and a positive-power lens element 5.例文帳に追加

光源１の光から照明光を形成する照明光学系２と、照明光を反射して光学像を形成する変調光を出射する反射型ライトバルブ６と、形成された光学像を投影する投写レンズ７と、正パワーのレンズ素子５とを有する。 - 特許庁

The reflection type LEF has a light source 1 of a light emitting element 2 mounted on the bottom of a concave reflection mirror 3c and hence the mirror 3c reflects also lights horizontally emitted from a light emitting surface of the element 2 to converge the lights emitted from the element 2 within a specified range from an axis normal to the light emitting surface.例文帳に追加

反射型ＬＥＤの光源１においては、凹状の反射鏡３ｃの底面に発光素子２がマウントされているために発光素子２の発光面から水平方向に出る光も反射鏡３ｃで反射されて、発光素子２から出る光は発光面に垂直な軸から所定範囲内に集中して照射される。 - 特許庁

This display device has an optical path modulation means consisting of a polarized light modulation element 106 and an optical path polarization optical element 107 functioning to modulate the optical path for either polarized light of illuminating light from a light source 101, and a reflection type picture display element 105 provided in the emitting optical path of the optical path modulation means.例文帳に追加

表示装置は、光源１０１からの照明光の一方の偏光に対して光路を変調するように機能する偏光変調素子１０６及び光路偏光光学素子１０７よりなる光路変調手段と、その光路変調手段の出射光路中に設けられた反射型画像表示素子１０５とを有する。 - 特許庁

A light energy reuse type display device, a light-emitting device, and an illuminating device with a small power consumption that can convert radiation light from a light source (including light emission from a light-emitting element) into power with efficiency can be achieved by holding a photoelectric conversion element between a pair of substrates and functioning the photoelectric conversion element as a color filter (a colored layer).例文帳に追加

一対の基板間に光電変換素子を挟持し、該光電変換素子をカラーフィルタ（有色層）として機能させることで、光源（発光素子からの発光を含む）からの放射光を効率よく電力に変換し、消費電力が小さい光エネルギー再利用型の表示装置、発光装置、及び照明装置を実現できる。 - 特許庁

The projection type display unit comprises an illuminating optical system 2 for collecting light emitted from a light source 1 to form an illuminating light, the reflection type light valve 6 for reflecting the illuminating light and outputting a modulation light that forms an optical image, a projection lens 7 for projecting the optical image formed by the reflection type light valve, and a positive-power lens element 5.例文帳に追加

光源１の放射する光を集めて照明光を形成する照明光学系２と、照明光を反射して、光学像を形成する変調光を出射する反射型ライトバルブ６と、反射型ライトバルブの形成した光学像を投影する投写レンズ７と、正パワーのレンズ素子５とで投写型表示装置を構成する。 - 特許庁

The image evaluation apparatus is configured such that a position detection type photodetector 22 receives the light of an image and picks up the image when the image using a finite element for a light source is formed and the image is projected onto the position detection type photodetector 22 and an image evaluation section 25 evaluates the blur amount of the image picked up by the position detection type photodetector 22.例文帳に追加

有限要素を光源とする画像を形成して、その画像を位置検出型光検出器２２に投射すると、その位置検出型光検出器２２が当該画像を受光して撮像し、画像評価部２５が位置検出型光検出器２２により撮像された画像のボケ量を評価するように構成した。 - 特許庁

To stably form a conductive thin film of an element part with good yield by using an ink jet droplet supplying device without depending on a vacuum film formation method or photolithography etching method, for the manufacture of an electron source base plate having a surface conduction type electron emitting element with a large area, and to manufacture an image forming apparatus using the electron source base plate at low cost.例文帳に追加

特に大面積の表面伝導型電子放出素子を有する電子源基板の製造において、素子部の導電性薄膜をインクジェット液滴付与装置を用い、真空成膜法とフォトリソグラフィ・エッチング法によらずに、安定的に歩留まり良く形成することができるようにし、またそれによって電子源基板を有する画像形成装置を低価格で製造できるようにする。 - 特許庁

The projection type video display device 100 includes a housing 200 housing a light source 114, an optical modulation element 500 modulating light emitted from the light source, and a projection unit 150 projecting light emitted from the optical modulation element onto the projection surface, and is arranged along a first arrangement surface 420 nearly parallel with the projection surface 300.例文帳に追加

本発明の投写型映像表示装置１００は、光源１１４と、光源から出射される光を変調する光変調素子５００と、光変調素子から出射される光を投写面上に投写する投写ユニット１５０とを収容する筐体２００を備えており、投写面３００と略平行な第１配置面４２０に沿って配置可能なものである。 - 特許庁

The display element is mounted in a transmission-type display having a light source, and the display element includes: a cell having the liquid lens inside, transmits incident light from a light source and emits the light; an absorber which is formed, at a position at which the liquid lens focuses the incident light and absorbs the light; and a diffusion part which diffuses the light emitted from the cell.例文帳に追加

本発明の表示素子は、光源を有する透過型の表示装置に備えられる表示素子であって、内部に液体レンズを有し、光源からの入射光を透過させて出射するセルと、液体レンズが入射光を焦点させる位置に形成され、光を吸収する吸収体と、セルから出射する光を拡散させる拡散部とを備えている。 - 特許庁

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4.例文帳に追加

絶縁性基板１上に多結晶ＩＶ族半導体層２を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にＩＶ族元素或いは希ガス元素３のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したＩＶ族半導体層４のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純物５をイオン注入する。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

A projection-type video display device includes: a light source part 24 driven at a driving frequency corresponding to a frame rate of an input video signal; a light modulation element 18 for modulating light emitted from the light source part 24 based on ac input video signal; a projection lens 22 for projecting the light modulated by the light modulation element 18; and a control part 100.例文帳に追加

投写型映像表示装置は、入力された映像信号のフレームレートに対応した駆動周波数で駆動される光源部２４と、入力された映像信号に基づいて光源部２４から出射された光を変調するための光変調素子１８と、光変調素子１８により変調された光を投写するための投写レンズ２２と、制御部１００とを備える。 - 特許庁

To provide an electron emitting element of field emission type which realizes electron emission that carries out beam convergence by low electric field and can emit electrons with high efficiency at a low voltage and of which manufacturing process is easy, an electron source, and an image display device.例文帳に追加

低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。 - 特許庁

Similarly, a source 42SB and a gate 44B of the active layer 42 are connected to a second power supply line 102 on the other N-channel type thin film transistor TRB, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45B.例文帳に追加

同様に、他方のＮチャネル型薄膜トランジスタＴＲＢでは、能動層４２のソース４２ＳＢとゲート４４Ｂが第２の電源線１０２に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ｂの一方の端に接続されている。 - 特許庁

The 74HCT type CMOS gate element 10 is operated to switch in both of 3 V system input (2.7 V to 3.3 V) and 5 V system input (4.5 V to 5.5 V), and a 5 V system voltage or a 3 V system voltage is output corresponding to a power source voltage to be supplied from an output destination circuit.例文帳に追加

74HCTタイプCMOSゲート素子10は3V系入力（2.7V〜3.3V）であっても5V系入力（4.5V〜5.5V）であってもスイッチング動作し、出力先回路から供給される電源電圧に応じて5V系電圧または3V系電圧が出力される。 - 特許庁

Then, Hall currents IH components crossing the N-type layer 1 in the neighborhood of the source wiring layer 8a, in the trench 20 in which the high magnetic flux density B is generated, are increased so that the Hall-voltage VH generated in a Hall-element H can be increased.例文帳に追加

この高い磁束密度Ｂが発生しているトレンチ２０内のソース配線層８ａ近傍のＮ型層１を横切るホール電流ＩＨ成分を増やし、ホール素子Ｈに発生するホール電圧ＶＨを高くする。 - 特許庁