| 例文 |
source element typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 476件
A p-type well region 22 is formed on a substrate 21, and a gate electrode 28, a source region 26, and drain region 27 are formed in the surface of the p-type well region 22 to form an analog type MOSFET element (input transistor) 29.例文帳に追加
基板21上にP型ウェル領域22を形成し、その表面にゲート電極28、ソース領域26、及びドレイン領域27を形成してアナログ型のMOSFET素子(入力トランジスタ)29を形成する。 - 特許庁
A P-type drift layer 10 expands in an N-type epitaxial layer 3 under an N-type body layer under a source layer 17 through a lower part of an element isolation insulating film 9 from a lower part of a drain layer 18.例文帳に追加
ドレイン層18の下方から、素子分離絶縁膜9の下方を経由して、ソース層17の下部のN型ボディ層の下方のN型エピタキシャル層3中に拡がったP型ドリフト層10が形成されている。 - 特許庁
In a MOS type semiconductor device which makes an element separation by a trench element isolation region, in a pMOS, the length of the source/drain region in the channel direction is set to 1 μm or less.例文帳に追加
トレンチ型の素子分離領域によって素子分離がなされたMOS型半導体装置において、pMOSにおいては、チャネル方向のソース・ドレイン領域の長さを1μm以下とする。 - 特許庁
To provide an image display element which uses an MEM (mechanical electromodulator) element of a transmission type having a light source at its back, and is small in size, little in electric power consumption, high in image quality and low in manufacturing cost.例文帳に追加
背面に光源を有した透過型のMEM素子を使用した小型で消費電力が少なく、かつ高画質で製造コストの安い画像表示素子を提供する。 - 特許庁
Signals the start of an element in namespace mode. The name parameter contains the name of the element type as a(uri, localname) tuple, the qname parameter contains the raw XML 1.0 name used in the source document, and the attrs parameter holds an instance of the例文帳に追加
名前空間モードで要素の開始を通知します。 name パラーメータには要素型を (uri,localname) のタプルとして、qname パラメータにはソース・ドキュメントで用いられている raw XML 1.0名、attrs には要素の属性を保持する - Python
The equivalent circuit 10 of the electrostatic discharge element has an n-type MOSFET 11, an npn-type parasitic BJT 12, a current source 13, a substrate resistance 14, and a parasitic diode 15.例文帳に追加
ESD保護素子の等価回路10は、n型MOSFET11、npn型寄生BJT12、電流源13、基板抵抗14及び寄生ダイオード15とを有している。 - 特許庁
To provide a driving circuit for a semiconductor type light source without measuring, classifying and ranking Vf characteristics of a bare-chip-state light emitting element.例文帳に追加
ベアチップの状態の発光素子のVf特性を測定して選別ランク分けすることなく半導体型光源の駆動回路を提供する。 - 特許庁
To ensure the safety of an operator when producing an electron source substrate of an image display device using a surface conduction type electron- emitting element.例文帳に追加
表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置の電子源基板の製作時における作業者の安全性を確保する。 - 特許庁
By the subsequent heat treatment, the P-type impurities are introduced from the solid diffusion source film 5 at the boundary part of the pixel part with an element isolation insulating film 9.例文帳に追加
その後の熱処理により、素子分離絶縁膜9と画素部の境界部に固体拡散源膜5からP型不純物を導入する。 - 特許庁
To provide a field emission type light source reducing production cost while avoiding the degradation of electron emission characteristics of an electron emission element.例文帳に追加
電子放出素子の電子放出特性を劣化させることを避けつつ、生産コストを低減させた電界放出型光源を提供する。 - 特許庁
This projection type display device is constituted of a lamp 1 (light source), an illumination means 8, a reflecting mirror 9 (reflection means), a DMD 10 (reflection type optical modulation element), a plane-convex lens 11 (lens element) and a projection lens 12 (projection means).例文帳に追加
ランプ1(光源)と、照明手段8と、折り返しミラー9(反射手段)と、DMD10(反射型光変調素子)と、平凸レンズ11(レンズ素子)と、投写レンズ12(投写手段)とから、投写型表示装置が構成される。 - 特許庁
The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed over a surface of a substrate (102), an n-type drain-side diffusion region 112 and an n-type source-side diffusion region 114 formed over a surface of the p-type low concentration region 110, an element isolation insulating layer 132, and an element isolation insulating layer 134.例文帳に追加
電界効果トランジスタ(142)は、基板(102)表面に形成されたp型低濃度領域110と、p型低濃度領域110表面に設けられたn型ドレイン側拡散領域112およびn型ソース側拡散領域114と、素子分離絶縁膜132および素子分離絶縁膜134とを含む。 - 特許庁
The field-effect transistor (142) includes a p-type low concentration region 110 formed on a surface of a substrate (102), an n-type drain side diffusion region 112 and an n-type source side diffusion region 114 arranged on a surface of the p-type low concentration region 110, and an element isolation insulating film 132 and an element isolation insulating film 134.例文帳に追加
電界効果トランジスタ(142)は、基板(102)表面に形成されたp型低濃度領域110と、p型低濃度領域110表面に設けられたn型ドレイン側拡散領域112およびn型ソース側拡散領域114と、素子分離絶縁膜132および素子分離絶縁膜134とを含む。 - 特許庁
To obtain a projection type image display apparatus achieving temperature control of a light source element having a semiconductor laser element array as a light source with simple constitution, thereby always achieving very accurate color reproduction over a long term and keeping the service life of the semiconductor laser element array long in spite of change of ambient temperature and structural change with lapse of time of the light source element itself.例文帳に追加
投写型映像表示装置において半導体レーザ素子アレイを光源とする光源エレメントを簡素な構成で温度制御が可能となるようにし、環境温度の変化および光源エレメント自体の構造的経年変化に拘わらず、長期に亘り常に高い精度の色再現が可能となり、半導体レーザ素子アレイの寿命が長く保てるようにする。 - 特許庁
The luminescence type photomagnetic sensor includes a light source, a photomagnetic element 1 forming the magnetic semiconductor film having a photoluminescence effect, and a photodetector for measuring intensity of light from the light source amplified by the photoluminescence effect of the photomagnetic element 1.例文帳に追加
光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子1と、この光磁気素子1のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサ。 - 特許庁
The display device has an interrupting circuit Tr3 which is provided between a current driven type optical element OLED (organic light emitting diode) 1 and a power source Vdd and a potential changing circuit C2 for pulling down the potential of one end nearer to the power source of the optical element OLED 1.例文帳に追加
表示装置は、電流駆動型の光学素子OLED1と電源Vddとの間に設けられた遮断回路Tr3と、光学素子OLED1の電源に近い方の一端の電位を引下げる電位変動回路C2とを有する。 - 特許庁
To provide a passive type timer element for management having an unrestricted management object without requiring a power source or a special phenomenon by a simple constitution, concerning a timer element for management and an article having the element attached thereto.例文帳に追加
管理用タイマー素子及び管理用タイマー素子を付着した物品に関し、簡単な構成により電源や特別な現象を必要とすることなく、管理対象が限られないパッシブ型の管理用タイマー素子を実現する。 - 特許庁
To provide a uniform surface conduction type electron emitting element in which element electrodes having a uniform film thickness are formed on a large area easily at a low cost, an electron source board fitted with such electron emitting element, an image forming device, and methods for manufacturing them.例文帳に追加
低コストで且つ容易に大面積に膜厚の一様な素子電極を形成し均一な表面伝導型電子放出素子及びそれを有する電子源基板、画像形成装置、及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
At the time of standby, both ends of a variable resistance type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by each pre-charge circuit 402 of a bit line and a source line.例文帳に追加
スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子403の両端、即ち、ビット線BLとソース線SLとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路402によりプリチャージ電位Vpに設定される。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor storage device using a trench type element separation wherein the word line interval sandwiching a source line is minimized to cause no such problem as the resistance rise of the source line.例文帳に追加
ソース線を挟んだワード線間隔を最小サイズにすることができ、ソース線の抵抗上昇などの問題が生じないトレンチ型素子分離を用いた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
At standby time, both ends of a resistance variation type memory element 403, that is, a bit line BL and a source line SL are set to a pre-charge potential Vp by respective pre-charge circuits 402 of the bit line and the source line.例文帳に追加
スタンバイ時には、抵抗変化型メモリ素子403の両端、即ち、ビット線BLとソース線SLとはビット線及びソース線の各プリチャージ回路402によりプリチャージ電位Vpに設定される。 - 特許庁
The lamp unit 10 is made of a plurality of light source element trains wherein a plurality of light source elements organized by short arc type discharge lamps and reflectors are stored in a honeycomb structure 16 by lining them up in one direction.例文帳に追加
ショートアーク型の放電ランプとリフレクタよりなる複数の光源素子を、ハニカム構造体16に一方向に並べて収納し、複数列の光源素子列からなるランプユニット10を構成する。 - 特許庁
A reflection type polarized light modulation element 41 is illuminated with light outgoing from a light source 10 by an integrator optical system constituted of a pair of fly-eye lenses 21 and 22.例文帳に追加
光源10を出た光は、一対のフライアイレンズ21、22から構成されるインテグレータ光学系により反射型偏光変調素子41を照明する。 - 特許庁
This device comprises an X-ray source 4, a spectral element 6, a detector 8 that is the gas flow type proportional counter, an amplifier 16, a pulse height analyzer 13, and a counting means 14.例文帳に追加
X線源4 、分光素子6 、ガスフロー型比例計数管である検出器8、増幅器16、波高分析器13および計数手段14を備える。 - 特許庁
A capacitance sensor 1a is constituted of a capacitance type detection element 1, a circuit board 6 on which a detection circuit is mounted, and a power source part 7.例文帳に追加
静電容量センサ1aは、静電容量型の検出素子2と、検出回路が実装された回路基板6と、電源部7とで構成されている。 - 特許庁
To provide a hybrid type working machine using in common a motor for assisting an engine and a motor used as a drive source of a working element.例文帳に追加
エンジンのアシスト用の電動機と、作業要素の駆動源としての電動機を共通化したハイブリッド型作業機械を提供することを課題とする。 - 特許庁
To solve a problem that the utilization efficiency of light from a light source part is bad in the case of exposing a printing plate by using 1st- order diffracted light from a diffraction grating type modulation element.例文帳に追加
回折格子型の変調素子からの1次回折光を用いて刷版を露光する際に光源部からの光の利用効率が悪い。 - 特許庁
A concave mirror 12 is provided to an opposite side to the light source 11 with respect to the optical path of light directed from the reflection type display element 20 to an eyepiece optical system 30.例文帳に追加
反射型表示素子20から接眼光学系30に向かう光の光路に対して、光源11とは反対側に凹面ミラー12を設ける。 - 特許庁
The semiconductor device 1 comprises a MOSFET type ESD protective element provided with a drain region 4, a source region 6, and a gate electrode 7; and a heat diffuser.例文帳に追加
半導体装置1は、ドレイン領域4、ソース領域6及びゲート電極7を備えるMOSFET型のESD保護素子と、熱拡散部とを有する。 - 特許庁
In the source (left) pane of the BPEL Mapper, expand the Variables LoanRequestorOperationIn requestLoanMessage nodes.A node is shown for each local element in the processApplicType complex type in the schema you created earlier.例文帳に追加
BPEL マッパーのソース (左側) 区画で、「変数」「LoanRequestorOperationIn」「requestLoanMessage」ノードを展開します。 スキーマの processApplicType 複合型に、以前に作成した各局所要素のノードが表示されます。 - NetBeans
Then, by connecting an emitter electrode (7) and the n-type source region on the trench side wall, the element is micronized and the ON resistance is reduced as well.例文帳に追加
そして、エミッタ電極(7)とn型ソース領域との接続を、トレンチ側壁で行うことにより、素子の微細化も実現でき、オン抵抗の低減も可能となる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor element whose productivity can be ensured when a p-type source/drain is formed by using implantation of BF_2/B mixed ions.例文帳に追加
BF_2/B混合イオン注入を利用したp型ソース/ドレイン形成の際に、生産性を確保し得る半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To propose an optical axis adjusting element which adjusts the optical axis of light of each wavelength of a two-wavelength light source type optical pickup unit and has high diffraction efficiency.例文帳に追加
2波長光源型の光ピックアップ装置における各波長の光の光軸を調整する回折効率の高い光軸調整素子を提案すること。 - 特許庁
A diffraction type optical element 20 generates a first light spot and a second light spot from the light with the specific wavelength which has been emitted from the light source 10.例文帳に追加
回折型光学素子20は、光源10から出射された特定の波長の光から、第1光スポットおよび第2光スポットを生じさせる。 - 特許庁
The Peltier element 23 is driven so that a temperature of the heating fluid introduced to the adsorption type heat pump 10 becomes higher than a surface temperature of the exhaust heat source 2.例文帳に追加
ペルチェ素子23は、吸着式ヒートポンプ10に導入される加熱流体の温度が排熱源2の表面温度より高くなるように駆動される。 - 特許庁
Further, a light source of the laser beam made incident to the optical waveguide element 10 uses a surface emitting type monolithic semiconductor laser 224 having a plurality of light emitting points 125.例文帳に追加
さらに、光導波路素子10に入射するレーザビーム光源は複数の発光点125を有する面発光型のモノリシック半導体レーザ224とする。 - 特許庁
To make a light distribution pattern for high beam superior in long-range visibility in a projector type lighting fixture unit with a light emitting element as a light source.例文帳に追加
発光素子を光源とするプロジェクタ型の灯具ユニットにおいて、これにより形成されるハイビーム用配光パターンを遠方視認性に優れたものとする。 - 特許庁
In a transmission liquid crystal display of direct vision type, the element substrate includes a gate wire 311, a source wire 302, a pixel part having a pixel TFT, and a driving circuit having an n-channel type TFT and p-channel type TFT.例文帳に追加
直視型の透過型の液晶表示装置において、素子基板は、ゲート配線311と、ソース配線302と、画素TFTを有する画素部と、nチャネル型TFTやpチャネル型TFTを有する駆動回路とを含む。 - 特許庁
To provide a method for facilitating handover of a user device between a configuration element of a source base station in a first communication network of a first network type and a configuration element of a target base station in a second communication network of a second network type.例文帳に追加
第1のネットワークタイプの第1の通信ネットワーク内のソース基地局構成要素と、第2のネットワークタイプの第2の通信ネットワーク内のターゲット基地局構成要素との間のユーザ装置のハンドオーバを容易にする方法を提供すること。 - 特許庁
The sensor includes an electromagnet adapted to generate a magnetic field, when a monitoring power source is turned on, a Faraday element type optical switch installed near the electromagnet and an optical fiber connected to the Faraday element type optical switch and a signal detector.例文帳に追加
監視対象電源をONにすると磁界を発生する電磁石と、該電磁石の近傍に設置するファラデー素子型光スイッチと、該ファラデー素子型光スイッチ及び信号検出器に接続する光ファイバとを具備して構成したことにある。 - 特許庁
To provide an electron source and its manufacturing method in which a flat surface imaging element of a photoconduction type reduced in shading and deterioration of resolution can be realized, and to provide a flat surface imaging element.例文帳に追加
シェーディングや解像度の低下が軽減された光導電型の平面撮像素子を実現することができる電子源およびその製造方法ならびに平面撮像素子を提供する。 - 特許庁
METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT OF IMAGE DISPLAY DEVICE, METHOD OF DRIVING SURFACE TYPE LIGHT SOURCE DEVICE, AND METHOD OF DRIVING LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加
GaN系半導体発光素子の駆動方法、画像表示装置におけるGaN系半導体発光素子の駆動方法、面状光源装置の駆動方法、及び、発光装置の駆動方法 - 特許庁
To provide a transistor type strain detecting element having a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, the strain detecting element having detection sensitivity much superior to that of a metallic strain gauge.例文帳に追加
ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極を備えたトランジスタ型の歪み検出素子であって、金属製歪みゲージよりも格段に優れた検出感度を有する歪み検出素子の提供。 - 特許庁
Then, in the illumination device using the element and a laser beam source, the diffraction type lens element 6 is rotated by a rotating means in order to obtain uniform illumination light from which the speckles are eliminated.例文帳に追加
そして、当該素子及びレーザー光源を用いた照明装置において、スペックルが除去された均一な照明光を得るために、回折型レンズ素子6を回転手段により回転させる。 - 特許庁
The light source device 10 is equipped with the light emitting element 16 and a reflection type polarizing plate 12 composed of a stripe-shaped metallic film 14 on the light emitting side of the light emitting element 16.例文帳に追加
光源装置10は、発光素子16と、該発光素子16の光出射側にストライプ状の金属膜14にて構成された反射型偏光板12とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a short wavelength laser beam source which carries out a high-output and stable operation by preventing transmission of heat generated from a semiconductor laser element to an optical waveguide type wavelength conversion element.例文帳に追加
半導体レーザー素子から発生する熱を光導波路型波長変換素子に極力伝わらないようにし、高出力かつ安定な動作をする短波長レーザー光源を提供する。 - 特許庁
When the reverse voltage (including 0V) of a prescribed value or more is applied to the drain-source of the dual gate type switching element (11) by turning off the gate of the dual gate type switching element (11), the control part (20) turns on a gate corresponding to the drain-source regardless of the on/off control signal (CS).例文帳に追加
そして、デュアルゲート型スイッチング素子(11)のゲートをオフにすることによって該デュアルゲート型スイッチング素子(11)のドレイン・ソース間に所定以上の逆電圧(0Vを含む)が印加されることとなる場合には、オンオフ制御信号(CS)にかかわらず、制御部(20)によって、そのドレイン・ソースに対応したゲートをオンにする。 - 特許庁
The electronic cooling element 50 comprises an n-type silicon substrate 51, a natural oxidation film 52, a metal film 53, a power source for applying a voltage to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53, and a supply line.例文帳に追加
電子冷却素子50は、N型シリコン基板51、自然酸化膜52、金属膜53、N型シリコン基板51と金属膜53とに電圧を印加する電源、及び、電源線を備えている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for an electron source and a manufacturing method for an image forming apparatus, capable of simplifying a manufacturing process for an electron source having a plurality of surface conductive type electron emitting element, and improving the electron emission characteristics of each element.例文帳に追加
表面伝導型の電子放出素子を複数備えた電子源の製造工程を簡略化でき、それぞれの素子の電子放出特性を改善することもできる電子源の製造方法、並びに画像形成装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
This optical fiber type ring laser gyro has a constitution comprising a sensing part 1 comprising the rare earth element doped fiber, an excitation light introduction part 5 having a light source 4 for excitation on the sensing part 1, and a detection part 16 having a light receiving element 15 and a light source 13 for detection.例文帳に追加
本発明による光ファイバ型リングレーザジャイロは、希土類元素ドープファイバからなるセンシング部(1)と、このセンシング部(1)に励起用光源(4)を有する励起光導入部(5)と受光素子(15)及び検出用光源(13)を有する検出部(16)とからなる構成である。 - 特許庁
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