| 例文 |
spin gapの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 26件
A spin torque magnetoresistance sensor has a very narrow gap thickness.例文帳に追加
非常に狭いギャップ厚を有するスピントルク磁気抵抗センサ。 - 特許庁
A spin-valve layer 7 is formed on the lower gap layer 1 that is subjected to rugged processing.例文帳に追加
この凹凸加工を施した下部ギャップ層1上にスピンバルブ膜7を形成する。 - 特許庁
IN SITU OXIDE FILM FOR USE AS CAP LAYER OR GAP LAYER IN SPIN VALVE SENSOR AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加
スピンバルブ・センサにおいてキャップ層及びギャップ層として使用するためのインサイチュ酸化膜及びそれの製造方法 - 特許庁
To reduce the film thickness of a magnetoresistance effect element, to facilitate narrowing the shield gap, and to reduce the noise due to the spin injection effect.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。 - 特許庁
A liquid drainage pathway 70 is formed in a way of being communicatively connected to a gap between the seal member 58 and the upper face of the spin base 31.例文帳に追加
このシール部材58とスピンベース31の上面との間の隙間に連通するように、液排出通路70が形成されている。 - 特許庁
The UV resin flowing from a gap of an engaging part 7 is collected in the resin pool 2a and discharged to the outside of the spin tray 2 from the spill port 2b.例文帳に追加
嵌合部7の隙間から流れたUVレジンは、レジン溜まり2aに溜まり、逃げ孔2bから、スピントレー2の外部に排出される。 - 特許庁
An inorganic or inorganic/organic hybrid transparent SOG (Spin-On-Glass) material film (for example, a transparent nanoporous SOG material film 50) is arranged in the gap.例文帳に追加
前記隙間には、無機系または無機・有機ハイブリッドの透明SOG材料膜(例えば透明ナノポーラスSOG材料膜50)を配置する。 - 特許庁
In a spin valve sensor 300, a three-ply seed layer structure 302 is disposed between a 1st reproduction gap layer 216 and a ferromagnetic free layer 202.例文帳に追加
スピン・バルブ・センサ300において、第1の再生ギャップ層216と強磁性のフリー層202との間に3層シード層構造体302を設ける。 - 特許庁
The spin valve thin film element MR1 consists of an antiferromagnetic layer 122, fixed magnetic layer 123, nonmagnetic electrically conductive layer 124 and free magnetic layer 125, and is formed between a lower gap layer 129 on the substrate and an upper gap layer 127.例文帳に追加
また、このスピンバルブ型薄膜素子を備え、再生シールド間隔を厚くすることなく、前記スピンバルブ型薄膜素子と上部シールド層および下部シールド層との絶縁が確保しやすい薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
To provide a resonance frequency control mechanism of a loop gap resonator which controls the resonance frequency in a wider frequency range with improving the detection sensitivity of the loop gap resonance used in an electron spin resonance(ESR) apparatus.例文帳に追加
電子スピン共鳴(ESR)装置に用いられるループギヤップ共振器の検出感度を向上させながら、しかも、より広い周波数範囲で共振周波数を制御することのできるループギャップ共振器の共振周波数調整機構を提供する。 - 特許庁
To provide a spin valve sensor using one or a plurality of in situ oxide film as a cap layer or a gap layer in order to increase the GMR coefficient and to improve temperature stability.例文帳に追加
GMR係数の増加及び温度安定度の改良を得るために1つ又は複数のインサイチュ酸化膜をキャップ層又はギャップ層として使用するスピンバルブ・センサを提供する。 - 特許庁
In readout operation, electrons are made to flow from the first ferromagnetic layer to the second ferromagnetic layer, and a ferromagnetic body used for the first ferromagnetic layer has two minority spin bands on a high-energy side and a low-energy side and a Fermi level on an energy side higher than the center of the gap of the two minority spin bands.例文帳に追加
読み出し動作時に第1強磁性層から第2強磁性層へ電子を流し、かつ、第1強磁性層に用いる強磁性体は、高エネルギー側と低エネルギー側に二つのマイノリティースピンバンドを有し、二つのマイノリティースピンバンドのギャップの中央よりも高エネルギー側にフェルミ準位を有する。 - 特許庁
An element substrate 1, on which a movable member 6 is formed, is spin coated with negative photosensitive resin 100 to fill the gap between the movable member 6 and the element substrate 1 until the movable member 6 is covered.例文帳に追加
可動部材6が形成された素子基板1の上に、ネガ型の感光性エポキシ樹脂100を、可動部材6と素子基板1との間隙を埋め、かつ可動部材6を被覆するまでスピンコートによって塗布する。 - 特許庁
The sensor 400 consists of a first spin valve sensor (an SV sensor) 410, a second SV sensor 412 and a metal gap layer 414 disposed between the sensors 410 and 420.例文帳に追加
差動CPP型GMRセンサ400は第1のスピン・バルブ・センサ(SVセンサ)410、第2のSVセンサ412並びに第1及び第2のSVセンサの間に配置された金属ギャップ層414から構成される。 - 特許庁
Then, an upper part gap layer and an upper part shield layer are formed on the surface of the lower part insulation layer on which the spin valve layer and the electrode layer are formed, further, the prescribed layer is formed and a magnetoresistive head is manufactured by cutting it at a prescribed position.例文帳に追加
そして、スピンバルブ膜,電極層が形成された下部絶縁層の上面に上部ギャップ層,上部シールド層を形成し、更に所定層を形成して、所定位置で切断することにより、磁気抵抗型ヘッドを製造する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a magnetic head, capable of finely and highly accurately controlling a read core width and a read gap and stably obtaining an element shape, regarding a method for fabricating a magnetic head of a CPP structure using a spin valve film.例文帳に追加
スピンバルブ膜を用いたCPP構造の磁気ヘッドの製造方法に関し、リードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御可能であり、安定して素子形状を得ることができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
The spin coating apparatus 1 prevents the coating liquid from intruding into the gap 24 using the gas 20, thereby more securely preventing the wafer rear surface 23 of the wafer 7 from being contaminated with the coating liquid.例文帳に追加
このようなスピン塗布装置1は、気体20を用いてその塗布液が隙間24に侵入することを防止することにより、ウェハ7のウェハ裏面23がその塗布液により汚染されることをより確実に防止することができる。 - 特許庁
Thus, by vertically moving the head 71, a gap between the opposing surface 5b of a spin base 5 and the other main surface W2 of the substrate W is adjusted optionally and equally through the whole periphery of the substrate W.例文帳に追加
このため、基板支持ヘッド71を昇降させることで、スピンベース5の対向面5bと基板Wの他方主面W2の周縁部とのギャップを任意に、しかも基板Wの全周にわたって均一に調整することができる。 - 特許庁
A metal plate 30a conducted to a metallic barrel plate part 3a and a metal plate 30b conducted to the spin-drying shaft 32 of the driving device 20 of a washing tub are abutted and arranged so as to provide a gap G for discharging at the voltage of the static electricity charged to the laundry.例文帳に追加
金属製の胴板部3aに導通する金属板30aと洗濯槽の駆動装置20の脱水軸32に導通する金属板30bとを、洗濯物に帯電した静電気の電圧で放電可能な間隙Gを有するようつき合わせて配置する。 - 特許庁
To provide a mobile unit detection device, in which the detection output does not depend on the change in the gap between a magnetic material mobile unit and a magnetosensitive element, using a magnetic field vector detection type spin-valve GMR element which detects magnetic field components parallel and antiparallel to the pin-layer magnetization direction, as the magnetosensitive element.例文帳に追加
感磁素子として、ピン層磁化方向に順平行、反平行の磁界成分を検知する磁界ベクトル検知型のスピンバルブ型GMR素子を用いることで、検出出力が磁性材移動体−感磁素子間のギャップ変化に依存しないようにした移動体検出装置を提供する。 - 特許庁
To provide a process for spin-on deposition of a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates such as silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加
記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁
When a wafer W is processed, a downflow of clean air is formed in a processing chamber 2, and further, under an environment where inside of an exhaust liquid groove 37 is forcibly exhausted, the downflow of clean air taken in the downflow guide path 31 via an air gap 47 is guided to a side of the wafer W held by the spin chuck 3.例文帳に追加
ウエハWの処理時には、処理室2内にクリーンエアのダウンフローが形成されるとともに、排気液溝37内が強制的に排気されている環境下において、空隙47を介してダウンフロー導路31に取り込まれたクリーンエアのダウンフローは、スピンチャック3に保持されたウエハWの側方に導かれる。 - 特許庁
To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加
記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁
This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.例文帳に追加
この方法は、間隙(60)によって分離された複数の導電部材(54)を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第1誘電層(58)をスピンオンプロセスにより形成し、同第1誘電層によって少なくとも1つの間隙を架橋して少なくとも1つのエア領域(60)を形成する工程とを備える。 - 特許庁
The conditioning of the film thickness of the over-coat film 20 is achieved by e.g. adjusting an interval of a gap in an opposite side direction and an orthogonal direction between a plurality of adjacent micro lenses, lowering viscosity of the over-coat film comprising the same material as a micro lens material to have fluidity and applying it by spin coating.例文帳に追加
オーバーコート膜20の膜厚の調整は、例えば、隣接する複数のマイクロレンズ間の、対辺方向や対角方向における隙間の間隔を調整すると共に、マイクロレンズ材料と同じ材料成分からなるオーバーコート膜の粘性を低下させて流動性をもたせ、これをスピンコートによって塗布することによって実現する。 - 特許庁
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