「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

Fe-Co-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13.例文帳に追加

スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。 - 特許庁

To provide a sputtering target that deposits a thin film with an uniformed in-plane film thickness and also performs a sputtering with good use efficiency.例文帳に追加

均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。 - 特許庁

When an AlGaN or an AlN layer as a first III nitride compound semiconductor layer is formed on a sapphire substrate through a sputtering method, the initial voltage of a sputtering apparatus is set to 110% of a sputtering voltage or lower.例文帳に追加

サファイア基板上へ第１のIII族窒化物系化合物半導体層として、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮ層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の１１０％以下とする。 - 特許庁

SPUTTERING FILM DEPOSITION APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF SEALING FILM, AND ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加

スパッタリング成膜装置、封止膜の製造方法及び有機ＥＬ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF CNT-CONTAINING WIRING MATERIAL AND TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING例文帳に追加

ＣＮＴ入り配線材の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材 - 特許庁

The sputtering cathode group is desirably a first sputtering cathode array comprising a plurality of the sputtering cathodes arranged at prescribed intervals in the direction perpendicular to the moving direction of the large-sized substrate moving in the prescribed direction.例文帳に追加

また、前記スパッタカソード群は、所定の方向に移動する大型基板の移動方向に対して垂直方向に所定の間隔で配置された複数のスパッタカソードからなる第１のスパッタカソード列であることが望ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target by which a large-size sputtering target free from problems of arcing, etc., can be manufactured relatively easily and inexpensively.例文帳に追加

アーキング等の問題のない大型スパッタリングターゲットを比較的容易に且つ安価に製造できるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

TARGET CONSTITUTION, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE, AND MAGNETRON SPUTTERING SUPPLY SOURCE例文帳に追加

ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target which has a high production yield of a filming step even when sputtering film formation is performed by using a long cylindrical sputtering target composed of a plurality of cylindrical target materials.例文帳に追加

複数の円筒形ターゲット材からなる長尺の円筒形スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜した場合においても、成膜工程の製造歩留まりの高い円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCING METHOD, SPUTTERING TARGET AND ELECTRODE例文帳に追加

酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 - 特許庁

SPUTTERING TARGET CONSISTING OF OXIDE SINTERED BODY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

Cr-W ALLOY BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

Ｃｒ−Ｗ合金系スパッタリングタ−ゲット材およびその製造方法 - 特許庁

A magnetron particularly advantageous for low pressure plasma sputtering or continuous self-sputtering in which a target coverage is sufficient though the area is small is provided.例文帳に追加

面積は小さいがターゲットカバレージが十分である低圧プラズマスパッタリング又は持続自己スパッタリングに特に有利なマグネトロンを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY VANADIUM, HIGH- PURITY VANADIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE HIGH- PURITY VANADIUM, AND THIN FILM DEPOSITED USING THE SPUTTERING TARGET例文帳に追加

高純度バナジウムの製造方法、高純度バナジウム、同高純度バナジウムからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁

The damage due to the sputtering method can be suppressed by the molybdenum oxide.例文帳に追加

スパッタリング法によるダメージをモリブデン酸化物によって抑制できる。 - 特許庁

W SPUTTERING TARGET HARDLY CAUSING PARTICLE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パーティクル発生の少ないＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

The manufacturing cost is therefore made lower than by vacuum vapor deposition and sputtering.例文帳に追加

このため、真空蒸着やスパッタに比べて製造コストが安価になる。 - 特許庁

Cu ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE WIRING, AND ELEMENT STRUCTURE例文帳に追加

電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造 - 特許庁

INORGANIC EL ELEMENT, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING INORGANIC EL LUMINESCENT LAYER例文帳に追加

無機ＥＬ素子および無機ＥＬ発光層形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

An Mo/Si multilayer film is formed on a substrate 5 by a sputtering method.例文帳に追加

基板５の上にスパッタリング法でＭｏ／Ｓｉ多層膜を成膜した。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING IRIDIUM SPUTTERING TARGET, AND TARGET OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

イリジウムスパッタリングターゲットの製造方法及びその方法で得られたターゲット - 特許庁

The above-mentioned covering layer is a silicon layer and formed by ion beam sputtering.例文帳に追加

前記被覆層はシリコン層であり、イオンビームスパッタリングで形成される。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH DIELECTRIC THIN FILM AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

HIGH PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF HIGH PURITY METAL, THIN FILM FORMED BY SPUTTERING, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH PURITY METAL例文帳に追加

高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜並びに高純度金属の製造方法 - 特許庁

A base layer 3 is formed on a disk substrate 2 by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により、ディスク基板２上に下地層３を形成する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHODS FOR MANUFACTURING THESE例文帳に追加

スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法 - 特許庁

MAGNETIC ANISOTROPY FERROMAGNETIC MAGNETRON SPUTTERING TARGET AND PRODUCING METHOD THEREFOR例文帳に追加

磁気異方性強磁性体マグネトロンスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁

To provide an electromagnet unit suitably used for a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING OPTICAL RECORDING PROTECTIVE FILM, MINIMAL IN GENERATION OF PARTICLE例文帳に追加

パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus for depositing a thin film of high quality to the last by effectively utilizing a target.例文帳に追加

ターゲットの有効利用をはかり、最後まで高品質の薄膜形成を行うことの可能なスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁

A conventional sputtering cathode 3c having an auxiliary material targets 1p, 1n each formed from an auxiliary material containing a component serving as an addition material is arranged between a plurality of magnetron sputtering cathodes 3m having a main material target 1i for a thin film to be deposited, and a sputtering power to be applied to the magnetron sputtering cathodes 3m and the conventional sputtering cathode 3c is independently controlled.例文帳に追加

形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 - 特許庁

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁

Further, the sputtering target material for depositing the Ag alloy film with the above composition is provided.例文帳に追加

また、上記組成のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The substrate cleaning step, the carbon particle sputtering step and the diamond-like carbon layer depositing step can be carried out continuously in one and the same magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程及びダイヤモンドライクカーボン層形成工程は、同一のマグネトロンスパッタ装置において連続して実行できる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET, AND BOX USED THEREFOR例文帳に追加

スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法およびこれに用いる箱体 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND WRITE-ONCE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加

スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに追記型光記録媒体 - 特許庁

METHOD FOR COATING BASE MATERIAL WITH FILM, AND SPUTTERING EQUIPMENT USED THEREFOR例文帳に追加

基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁

With this construction, the thicknesses of sputtering films 101, 102 and 103 are reduced uniformly, while the directivities of sputtering particles are maintained.例文帳に追加

このことによって、スパッタ粒子の指向性を落とすことなく遮蔽板１、２、３に付着するスパッタ膜１０１、１０２、１０３の膜厚が均等に薄くなる。 - 特許庁

SPUTTERING SYSTEM, TARGET FIXING STRUCTURE THEREOF AND PRODUCTION DEVICE OF LIQUID CRYSTAL APPARATUS例文帳に追加

スパッタ装置とそのターゲット固定構造及び液晶装置の製造装置 - 特許庁

This sputtering target few in particle generation, is characterized by connecting a metallic foil or sheet controlled in the roughness of its surface, to the side face of a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの側面に、表面粗さを調節した金属箔又は板を接合したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a plasma sputtering device capable of obtaining a uniform formed film.例文帳に追加

均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁