「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極４２の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極４２の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the translucent reflective film for optical recording media forms the film by sputter using a sputtering target that comprises a silver alloy having a composition consisting of: greater then 1 mass% and not more than 3 mass% of Mg; 0.05 to 1 mass% of Eu; and the balance of Ag and unavoidable impurities.例文帳に追加

この光記録媒体用半透明反射膜の製造方法は、Ｍｇを、１質量％を超え３質量％以下含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 - 特許庁

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。 - 特許庁

In this forming method of the multilayered film, a plurality of materials made of different components are laminated and mounted on one electrode for sputtering, a separating plate is provided above a boundary between a plurality of the materials, and a substrate is moved on a target while performing discharge to form a multilayered film on the substrate.例文帳に追加

一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 - 特許庁

In the optical disk on which information is recorded or reproduced by irradiation of proximity field light spot, a projected part 11a constituting a land 21 on an optical disk substrate 11 and a recessed part 11b constituting a groove 22 are formed and an aluminum reflecting film 12 consisting essentially of aluminum is adhered on the substrate 11 by sputtering.例文帳に追加

近接場光スポットの照射を受けて情報が記録あるいは再生される光ディスクにおいて、光ディスク基板１１上にランド２１を構成する凸部１１ａとグルーブ２２を構成する凹部１１ｂを形成し、この基板１１上にＡｌを主体とするＡｌ反射膜１２をスパッタ法により被着する。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent discharge lamp of high quality and high reliability, by shortening discharge starting time of the lamp through reduction of a volume of a sputtering phenomenon, and by improving on high luminance, long life as well as darkness starting characteristic through maintenance of stable discharge over a long period of time, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スパッタ現象の発生量を低減させて冷陰極蛍光放電ランプにおける放電開始時間を短縮させ、且つ安定した放電が長時間に亘って維持させることによって高輝度、長寿命と共に暗黒始動特性を向上させ、品質及び信頼性の高い冷陰極蛍光放電ランプ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is alternately changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

This magnetic recording medium is a magnetic recording medium having at least one layer of base layers adhered between a substrate and a cobalt-based magnetic layer, at least one layer of the base layers comprising an amorphous sputtering film consisting essentially of one or more kind of group Va elements, group VIa elements and group VIII elements and of silicon.例文帳に追加

基板とＣｏ系磁性層との間に少なくとも１層以上の下地層が被着されている磁気記録媒体であって、前記下地層のうち少なくとも１層は、Ｖａ族元素、VIa族元素、VIII族元素のいずれか１種または２種以上とシリコンとを主体としたアモルファスのスパッタリング膜である磁気記録媒体である。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical information recording medium comprises a process for forming an intermediate layer 6d thicker than the depth of the track guide grooves 3 of a track guide layer 4 on the substrate 2 on which the track guide layer 4 is formed and further alternately and continuously depositing the recording layers and the intermediate layers thereon by a vacuum deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

トラックガイド層４を形成した基板２上に、前記トラックガイド層４のトラックガイド溝３の深さより厚い中間層６ｄを形成し、さらに記録層と中間層を真空蒸着プロセス、またはスパッタリングプロセスにより交互に連続形成する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The carbon oxide thin film, the carbon oxynitride thin film and the diamond-like carbon oxide thin film are manufactured by plasma-decomposing gaseous starting materials including CO in an inert gaseous atmosphere, sputtering a carbonaceous material with at least part of ions in the generated plasma-forming components, and depositing the reaction product of at least part of the plasma-forming components and sputtered carbon atoms on a substrate.例文帳に追加

不活性ガス雰囲気において、一酸化炭素を含む原料ガスをプラズマ分解し、発生したプラズマ生成成分のうちのイオンの少なくとも一部で炭素原料をスパッタし、プラズマの生成成分の少なくとも一部とスパッタされた炭素原子との反応物を基板上に堆積させることで、酸化炭素薄膜、酸化窒化炭素薄膜および酸化ダイヤモンド状炭素薄膜を製造する。 - 特許庁

To prevent a sheet from being shifted downward by a simple structure even when the sheet can travel in the forward and reverse directions in a surface treatment apparatus for performing surface reforming treatment by plasma or the like and surface treatment including film deposition by a sputtering method, a plasma CVD method, etc., while continuously transporting the strip- like sheet so that the width direction thereof is perpendicular.例文帳に追加

帯状シート材をその幅方向が鉛直方向となるように連続走行させつつ、プラズマ等による表面改質処理やスパッタ法、プラズマＣＶＤ法等による成膜処理などの表面処理を行なう表面処理装置において、シート材を正逆走行可能に構成した場合でも、簡易な構造でシート材の下方へのズレを防止する。 - 特許庁

To stably produce a target for depositing a phase transition type optical recording medium protective film provided with fine crystal grains, and having a high density of ≥97% at a low cost, and to increase a product yield by preventing or suppressing discoloration such as color irregularity in the target, and to improve the quality of the optical recording medium by performing sputtering using the target.例文帳に追加

微細結晶粒を備え９７％以上の高密度を有する相変化型光記録媒体保護膜形成用ターゲットを安定して低コストで製造できるようにするとともに、該ターゲットの色むら等の変色を防止又は抑制することにより製品歩留りを上げ、かつ該ターゲットを用いてスパッタリングすることによって光記録媒体の品質を向上させる。 - 特許庁

In this discharge type surge absorption element 1, recessed parts 13 are formed in end faces of electrodes 3 arranged facing each other with a discharge gap, the recessed parts are coated with an electrode coating material having a sputtering prevention effect and ribs 14 for a partition in a "+" shape are projected from upper surfaces of the recessed parts to control the movement of the electrode coating material.例文帳に追加

放電型サージ吸収素子１は、放電間隙を設けて相対向して配置してなる電極３の端面に凹部１３を形成し、該凹部にスパッタリング防止効果を有する電極塗布材を塗布するとともに、この凹部上面には「＋」形状の仕切り用リブ１４を突設させ、上記電極塗布材の移動を規制する。 - 特許庁

This is the method of manufacturing the transparent conductive film in which in a state that the base material film having a cyclic olefin based polymer of a glass transition temperature of 130°C or more is heated to 100°C or more and the temperature obtained by subtracting 20°C from the glass transition temperature or less, the transparent conductive layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス転移温度が１３０℃以上の環状オレフィン系重合体を有する基材フィルムを、１００℃以上、上記ガラス転移温度−２０℃以下の温度に加熱した状態で、スパッタリングにより透明導電層を形成することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

A sewing machine 1 includes nitriding compound layer made of a porous layer and a dense layer formed on the surface of a base material composed of low-carbon steel and low-carbon alloy steel not applied with hardening treatment, on which an intermediate layer made of a metal layer such as Cr or W is interposed by a sputtering coating method and formed with a DLC layer over the intermediate layer.例文帳に追加

ミシン１において、硬化処理を行っていない低炭素鋼及び低炭素合金鋼からなる母材の表面にポーラス層と緻密層からなる窒化化合物層を生成し、その上にスパッタリングコーティング方式によりＣｒ又はＷ等の金属層からなる中間層を介在させ、さらにその上にＤＬＣ層を形成した。 - 特許庁

The method for forming electric wiring or the electrode for the liquid crystal display, which does not have the thermal defect and is superior in adhesiveness, includes: using a copper target having a composition comprising 0.04 to 1 mass% oxygen and the balance Cu with unavoidable impurities; and sputtering the target in an inert gas atmosphere or in an inert gas atmosphere containing 3 vol% or less oxygen.例文帳に追加

酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the thermoelectric transducer 1 has the super-lattice structure 20 includes a step of alternately laminating the first layers 11 and the second layers 12 at -100°C to 400°C, by the ion beam sputtering method after adjusting two or more ion beams for irradiating two or more kinds of targets.例文帳に追加

超格子構造２０を有する熱電変換素子１の製造方法であって、イオンビームスパッタ法により、２種類以上のターゲットに照射する２以上のイオンビームを調整して、−１００℃以上４００℃以下において、Ｓｉを含む第１の層１１と、ＧｅおよびＡｕを含む第２の層１２とを交互に積層する工程を含む熱電変換素子の製造方法。 - 特許庁

Deviation of composition from the sputtering target has a film composition of 10 atom.% or less.例文帳に追加

10〜98原子％のＭｎを含み、残部が実質的にＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＲｅから選ばれる少なくとも1種のＲ元素からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子％以下の膜組成を有している。 - 特許庁

A plurality of heating resistors, a protective film for the heating resistors, and electrodes for supplying power selectively to the heaters are formed on a substrate using sputtering and photolithographic processes and the plurality of heating resistors being connected with the selection electrodes are formed while being split thus obtaining a thermal head where the protective film has a protruding and recessed surface.例文帳に追加

本発明は、基板上に、スパッタリングおよびフォトリソ工程等をもちいて複数の発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体を保護する保護膜と、発熱体に選択的に電力を供給する選択電極を設け、前記選択電極に対して接続する発熱抵抗体を複数に分割して形成することにより、保護膜面が凹凸形状になることを特徴とするサーマルヘッドにある。 - 特許庁

The sputtering target for forming the thin film of a Mo alloy on the substrate has a composition comprising 2-50 atom.% of one or two selected from V and Nb, and the balance Mo with unavoidable impurities, has relative density of 95% or higher, and preferably has deflection strength of 300 MPa or higher.例文帳に追加

基板上にＭｏ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、ＶとＮｂから選ばれる１種以上を合計で２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなり、相対密度が９５％以上、好ましくは、抗折力が３００ＭＰａ以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

As a means for periodically repeating the film deposition process and the sputtering process, firstly, the voltage applied to the substrate WA with respect to a vacuum container 10, secondly, the current supplied between a plasma gun 30 and the hearth liner 53, and thirdly, the atmospheric pressure in a vacuum container 10 are periodically changed.例文帳に追加

成膜工程とスパッタリング工程とを周期的に繰り返すための手段として、第１に真空容器１０に対する基板ＷＡの電圧と、第２にプラズマガン３０とハースライナー５３との間に供給する電流と、第３に真空容器１０中の雰囲気圧とをそれぞれ周期的に変化させる。 - 特許庁

The MoSiON film 12 having a prescribed transmissivity is obtained by polishing and cleaning SiO2 (synthetic quartz glass) to become the substrate, forming the MoSiON film 12 of an oxide film thereon by vacuum deposition or sputtering, forming a W thin film on the formed MoSiON film and heat treating to allow the W thin film to cause the sucking action.例文帳に追加

基板になるＳｉＯ_２（合成石英ガラス）１１を研磨・洗浄し、その上に真空蒸着やスパッタリング法で酸化膜であるＭｏＳｉＯＮ膜１２の被膜形成を行い、その形成されたＭｏＳｉＯＮ膜１２の上にＷ薄膜１３を形成し、熱処理を施すことによりＷ薄膜１３に吸出し作用を起こさせて所望の透過率を有するＭｏＳｉＯＮ膜１２を得る。 - 特許庁

The magnetic particles 1 whose average particle diameter D including the hair-like projections 3 is within the range from 100 nm to 300 nm are excellently obtained as iron particles formed by a gas flow sputtering method, and are used as magnetic particles for destructing tumor cells by a converted magnetic field given inside the tumor cells from outside by phagocytosis or endocytosis.例文帳に追加

このとき、ヒゲ状突起３を含む粒子径Ｄの平均が１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である磁性微粒子１は、ガスフロースパッタ法で形成された鉄微粒子として好ましく得ることができ、腫瘍細胞内に貪食又はエンドサイトーシスされて外部から加わる変換磁場により該腫瘍細胞を破壊する磁性微粒子として利用できる。 - 特許庁

While the substrate stage 13 sucks and heats the substrate S and the rotary section 18 turns the substrate stage 13, the sputtering apparatus 10 sputters the GeTe target 22a and Sb_2Te_3 target 22b at different timings from each other to stack two metallic chalcogenide films having mutually different compositions on the substrate S.例文帳に追加

こうしたスパッタ装置１０は、基板ステージ１３が基板Ｓを吸着且つ加熱した状態で、回転部１８が基板ステージ１３を回転させつつ、ＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板Ｓ上に積層する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for manufacturing a half-tone type phase-shift masking and a blank, being provided with a region transparent to an exposure light and a region of a translucent film having a controlled phase and transmittance on a glass substrate, which can cope with a shortening of exposure wavelength and the formation of a highly transmittant film.例文帳に追加

ガラス基板上に露光光に対して透明な領域と、位相および透過率が制御された半透明膜領域を設けたハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクを製造するためのスパッタリングターゲットに於いて、ハーフトーンマスク及びブランクが露光波長の短波長化や高透過率化に対応できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by a powder metallurgy method and has a plate-like shape, and is characterized in that the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the lower surface side in the target is higher than the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the upper surface side in the target.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The sputtering system which includes the magnetic circuit fastened with the permanent magnet at a yoke and is arranged to be supplied with a refrigerant 21 to the magnetic circuit is furnished with at least, film consisting of a first layer of an epoxy resin and a second layer of a fluororesin in the segment of the magnetic circuit, which segment comes into contact with the refrigerant 21.例文帳に追加

ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにしたスパッタリング装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層と、フッ素樹脂の第2層から成る膜が具備されているスパッタリング装置。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal-clad plastic substrate, having a metal layer formed by sputtering on a polyimide film surface comprises treating the surface of the polyimide film surface with an alkali water solution of 0.001-10 mol/L concentration, prior to forming the metal layer, and then treating it with a polar organic solvent held at 20-40°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって金属層を形成して金属被覆プラスチック基板を製造する方法において、前記金属層を形成するに先だって、ポリイミドフィルム表面を濃度０．００１〜１０ｍｏｌ／Ｌのアルカリ水溶液で処理した後、その後２０〜４０℃の温度に保持した極性有機溶媒で処理することを特徴とする。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

The method for depositing a conductive thin film having the texture structure further includes a step of depositing the conductive thin film formed of Ag containing aluminum oxide by using a vacuum film deposition process such as sputtering and vacuum vapor deposition, and a step of laminating a plurality of conductive thin films of different composition, and the mean surface roughness and the shape of the texture structure can be controlled.例文帳に追加

スパッタまたは真空蒸着などの真空成膜プロセスを使用して、酸化アルミニウムを含有したＡｇからなる導電性薄膜を形成すること、および異なる組成の導電性薄膜を複数積層する工程をさらに含み、テクスチャー構造の平均表面粗さおよび形状を制御することを特徴とするテクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus comprises manifolds 9 and 10, which have symmetrical configurations with respect to each orthogonal center axis inside the face of the target 8, and are arranged to surround the circumference of the target 8, and comprises openings 9a and 10a for feeding process gas, which are dispersively arranged in the whole manifolds 9 and 10 in order to feed process gas to the target 8.例文帳に追加

マニホールド９，１０がターゲット８の面内において互いに直交する中心軸のそれぞれに対称な形状を有してターゲット８の全周を囲むように配置され、プロセスガス放出口９ａ，１０ａがターゲット８にプロセスガスを放出するためにマニホールド９，１０全体に分散して設けられている。 - 特許庁

To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。 - 特許庁

(1) With the both-side breaking electromagnetic relay 10 equipped with two contact point pairs of a fixed contact point 11 and a movable contact point 12 arrayed in series, the both contact point pairs are to have a contact point opposing the side of the contact point emitting electrons at arc generation out of the fixed and the movable contact points of a material A strong at sputtering.例文帳に追加

（１）固定接点１１と可動接点１２とからなる接点対を２対直列に有する両切りの電磁継電器１０において、２対の接点対とも、固定接点と可動接点のうちアーク発生時に電子を放出する側の接点の相手側の接点の材料をスパッタリングに強い材料Ａとした。 - 特許庁

To provide a glass substrate for a magnetic disk wherein the increase of frictional force and adhesion force between a magnetic recording medium and a head in a dynamic pressure floating head type is prevented without reducing an S/N ratio and a magnetic film can be easily formed by a sputtering method, to provide a manufacturing method therefor and to provide a magnetic recording medium using the substrate.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比を低下させることなく、動圧浮動ヘッド方式における磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力の増加や吸着力の増大を防ぎ、さらに、スパッタ法により磁性膜の形成が容易な磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、ならびに該基板を用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To prevent a rotatably driven side part including a cutting blade from sputtering small stones, cans, etc., presenting in a working place during bush-cutting works by a worker and also performing the bush-cutting work by smoothly swinging the cutting blade installed at the tip end part of a handle shaft in left and right directions by bringing a guide part in contact with the ground.例文帳に追加

作業者は、草刈作業中に刈払刃を含む被回動駆動側部が作業場所にある小石や缶等を跳ね飛ばすことを防止すると共に、ガイド部を地面に接触させて、ハンドルシャフトの先端部に設けられている刈払刃を左右に滑らかに揺動させて草刈作業ができるようにすること。 - 特許庁

A thin film of a metal selected from titanium oxide, aluminum oxide and copper oxide is formed with a thickness of ≤2 nm on the surface of an oriented polypropylene (OPP) film by a film forming method achieving high adhesion, e.g. the sputtering method, and a gas-barrier thin film, e.g. a film of aluminum oxide or silicon oxide, is then formed.例文帳に追加

延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルムの表面に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化銅のうち何れかの金属の薄膜をスパッタ法などの密着力が強い成膜方法にて２ｎｍ以下形成した後、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、その他のガスバリア性薄膜を形成することによって密着強度が弱いという問題を解決した。 - 特許庁

The glow discharge analysis apparatus 1 analyzes components in a depth direction of the sample S by sputtering to a surface of the sample S using a glow discharge, and has a display 35 for displaying a depth component ratio graph 36 for indicating so as to correspond an average of the component ratio of each layer classified by the component ratio of each region of the sample to a location in the depth direction.例文帳に追加

グロー放電による試料Ｓ表面へのスパッタリングを用いて試料Ｓの深さ方向の成分分析を行なうグロー放電分析装置１であって、試料の各部の成分比によって層に分類した各層の成分比の平均を、深さ方向の位置に対応させて表わす深さ成分比グラフ３６の表示部３５を有する。 - 特許庁

In the sputtering target composed of chromium for chromium alloy, the total number of insulating oxides of ≥30 μm maximum length existing in the target, particularly particles of Al_2O_3, ZrO_2, TiO_2, SiO_2, CaO, and MgO, is ≤20 pieces/g and the average particle size of the chromium or chromium matrix phases constituting the target is ≤50 μm.例文帳に追加

ターゲット中に存在する最大長さが３０μｍ以上の絶縁性の酸化物、特に、Ａｌ_2Ｏ_3、ＺｒＯ_2、ＴｉＯ_2、ＳｉＯ_2、ＣａＯおよびＭｇＯの粒子の総数が２０個／ｇ以下であると共に、前記ターゲットを構成するクロムまたはクロムマトリクス相の平均粒径が５０μｍ以下であるクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。 - 特許庁

To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films.例文帳に追加

熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。 - 特許庁