「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the cylindrical sputtering target by joining a cylindrical base material 10 and a plurality of cylindrical target materials 20 to one another by using a joining material, spacers capable of fixing the cylindrical target materials are inserted between adjacent cylindrical target materials so that outer peripheral surfaces of the adjacent cylindrical target materials are made coincident with each other when the cylindrical target materials are disposed with the cylindrical base material as a reference.例文帳に追加

円筒形基材１０と複数の円筒形ターゲット材２０とを接合材を用いて接合し、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、円筒形基材を基準として円筒形ターゲット材を配置する際に、隣り合う円筒形ターゲット材の間に、隣り合う円筒形ターゲット材の外周面が一致するように円筒形ターゲット材を固定することができるスペーサーを挿入して製造する。 - 特許庁

Under the magnetic recording layer, a multilayer underlayer is provided which has a nonmagnetic template layer composed of ruthenium and silicon disposed between a first nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere, and is composed of ruthenium or a first ruthenium alloy and a second nonmagnetic underlayer which has been sputtered in an inert gas atmosphere with pressure higher than that in sputtering the first nonmagnetic underlayer, and composed of one of ruthenium and a second ruthenium alloy.例文帳に追加

磁気記録層の下に、不活性ガス雰囲気でスパッタされた、ルテニウムまたは第１のルテニウム合金からなる第１非磁性下地層と、不活性ガス雰囲気で、第１非磁性下地層をスパッタするときの圧力よりも高い圧力でスパッタされた、ルテニウム、及び第２のルテニウム合金のうち一方からなる第２非磁性下地層との間に、ルテニウムとシリコンからなる非磁性テンプレート層が設けられた構造を有する多層下地層を設ける。 - 特許庁

Sheet plasma 27 is guided so as to pass a space between the substrate 34B and the target 35B in the sputtering chamber 30, and when an Al material sputtered from the target 35B by charged particles in the sheet plasma 27 is deposited on the aperture of the substrate 34B, the coverage property of a deposited film made of the Al material is adjusted based on plasma discharge current ID and substrate bias voltage VA.例文帳に追加

シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 - 特許庁

The sputtering system includes a substrate 2 that is rotatably set, and a target 3.例文帳に追加

回転可能にセットされた基板２と、ターゲット３とを備えたスパッタリング装置において、前記基板２の法線に対する前記ターゲット３の中心軸線Ａのなす角度をθ、前記ターゲット３の中心軸線Ａと前記基板２の表面を含む平面との交点Ｐと基板２の回転軸線Ｂとの距離をＦ、前記交点Ｐと前記ターゲット３の中心との距離をＬとした時に、前記ターゲット３を、以下の条件を満たすと共に、前記基板２の表面を含む平面への前記ターゲット３の投影面が前記基板２の外側となる位置に設けたスパッタリング装置とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a tungsten sputtering target having high density and fine crystal structure so far impossible to attain by the conventional pressure sintering method alone and also having greatly improved transverse rupture strength by the improvement of the sintering characteristics and manufacturing conditions of tungsten powder to be used, hereby suppressing the occurrence of particle defect on a sputter-deposited film, and stably manufacturing the tungsten target at a low cost.例文帳に追加

使用するタングステン粉末の焼結特性及び製造条件を改善することによって、従来の加圧焼結法だけでは達成できなかった高密度かつ微細結晶組織を有し、抗折力を飛躍的に高めたスパッタリング用タングステンターゲットを作成し、これによってスパッタリングによる成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、同タングステンターゲットを低コストかつ安定して製造できる方法を得る。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered body substantially consisting of In, Sn, Mg and O, which compacts a mixture of powders of indium oxide and tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, or a mixture of a composite oxide powder of indium oxide-tin oxide, and powders of magnesium indate and/or magnesium stanate, and then sintering the compact.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物、又は、酸化インジウム−酸化スズ複合酸化物粉末と、インジウム酸マグネシウム粉末及び／又はスズ酸マグネシウム粉末とを混合した混合物を成形した後、焼結して得られる実質的にＩｎ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＯからなる焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。 - 特許庁

The blank 20 having an additional film forming region 22 where a transparent electrically conductive thin film is additionally formed by sputtering or vapor deposition in the region where no film is formed of the photomask blank by using a substrate holder 10 for additional film forming is formed.例文帳に追加

成膜用基板ホルダーに透明基板をセットし、スパッター又は蒸着にて透明基板上にクロムまたは酸化クロム膜を下方から成膜して成膜部及び非成膜部を有する従来のフォトマスク用ブランクスを作製し、追加成膜用基板ホルダーを用いて上記従来のフォトマスク用ブランクスの非成膜部にスパッター又は蒸着にて透明導電性薄膜を追加成膜して追加成膜部２２を有する本発明のフォトマスク用ブランクス２０を作製する。 - 特許庁

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating.例文帳に追加

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びＣＶＤ法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び／又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

The sputtering target comprises a fine homogeneous dispersion mixed phase of an alloy phase consisting of at least one kind of metal elements of chromium, nickel, tantalum, and platinum and the balance a cobalt alloy, and a ceramic phase consisting of a compound of at least one kind of elements of oxygen, nitrogen and carbon, and at least one kind of elements of silicon, aluminum, boron, titanium and zirconium which have affinity to these elements.例文帳に追加

クロム、ニッケル、タンタルおよびプラチナの金属元素のうち１種以上と残部がコバルトとの合金からなる合金相と、酸素、窒素および炭素のうち少なくとも１種の元素と、これらの元素に対して親和力のあるシリコン、アルミニウム、ホウ素、チタン、およびジルコニウムのうち少なくとも１種の元素との化合物からなるセラミックス相の微細均質分散混合相からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6.例文帳に追加

気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。 - 特許庁

An oxide semiconductor thin film having the same composition as the atomic ratios and deposited by sputtering using the oxide sintered compact as a target is also provided.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ及びＴｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなる酸化物焼結体であって、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．８、０．１≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５、及び０．１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．５を満たす酸化物焼結体、及び、該酸化物焼結体をターゲットとするスパッタリングによって成膜された、前記原子数比と同一組成をもつ酸化物半導体膜。 - 特許庁

In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁

This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加

実質的にＺｎＳと、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ、Ｌｉ、Ｎａ及びＣｌからなる群から選択される少なくとも１種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの２５℃における電気抵抗率が１×１０^−４〜１．５×１０^４Ω・ｃｍであることを特徴とする、ＤＣスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁

The sputtering target including a mixture of oxides of indium, zinc and gallium contains at least one ternary mixed oxide of indium, zinc, and gallium, in which the ratio of the ternary mixed oxide of indium, zinc and gallium is at least 50 mass% relative to the total mass of the mixture, and the ratio of an amorphous phase is at least 20 mass% relative to the total mass of the mixture.例文帳に追加

この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 - 特許庁

In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon.例文帳に追加

本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。 - 特許庁

In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.例文帳に追加

該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁

This method for producing the target which is used for forming an inorganic film with a sputtering technique comprises the steps of: (a) preparing a metal substrate and a powder of the target material; and (b) producing an aerosol by dispersing the powders of the target material into a gas and depositing the target material on the substrate by spouting the produced aerosol onto the substrate from a nozzle.例文帳に追加

このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。 - 特許庁

The cobalt-iron alloy sputtering target material is produced by a melt casting method, and composed of cobalt, iron and an additional metal(s), wherein the cobalt is contained in amount containing the increased leakage flux (PTF), and the additional metal is contained in amount of 8-20 atom% and includes at least one metal selected from tantalum, zirconium, niobium, hafnium, aluminum and chromium.例文帳に追加

本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 - 特許庁

This target for magnetron sputtering having a ferromagnetic metal element includes a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element, a plurality of non-magnetic phases 14, 16 containing the ferromagnetic metal element and different in constituent elements or content ratios thereof, and an oxide phase 18, wherein the respective phases comprising the magnetic phase 12 and the plurality of non-magnetic phases 14, 16 are separated from one another by the oxide phase 18.例文帳に追加

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記磁性相１２および前記複数の非磁性相１４、１６からなる各相は、お互いに前記酸化物相１８により仕切られている。 - 特許庁

The composite material thin film is constituted by dispersing crystalline hydroxyapatite in a titanium oxide matrix and manufactured by forming a precursor thin film of a composite material, wherein hydroxyapatite is dispersed in the titanium oxide matrix, by simultaneously sputtering titanium oxide and hydroxyapatite in an argon atmosphere of 1-100 mTorr and further annealing the precursor thin film at 400-1,000°C to form crystalline hydroxyapatite in the titanium oxide matrix.例文帳に追加

酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜、及び酸化チタンとハイドロキシアパタイトを１〜１００ｍＴｏｒｒのアルゴン雰囲気中で同時スパッタリングして、酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散する複合材料の前駆体薄膜を形成し、さらにこの前駆体薄膜を４００〜１０００°Ｃでアニールし、酸化チタンマトリックス中に結晶性ハイドロキシアパタイトを形成する酸化チタンマトリックス中にハイドロキシアパタイトが分散した複合材料薄膜の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the group III nitride semiconductor layer, a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, and a gas for forming a plasma is introduced into the chamber, for forming the group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant on the substrate, by a reactive sputtering process, wherein a silicon hydride is added into the gas for forming the plasma.例文帳に追加

チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造する方法であって、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法。 - 特許庁

A manufacturing method of a stamper for embossing data on an optical disk has a process for forming a print layer by printing data to be embossed directly on a glass master, a process for sputtering metal or an alloy to the print layer, a process for forming a metal or alloy layer on the sputtered layer and a process for separating the metal or alloy layer from the glass to form the stamper.例文帳に追加

エンボス加工されるデータをガラスのマスターに直接プリントしてプリント層を形成する工程と、このプリント層に金属又は合金をスパッタリングする工程と、このスパッタリングされた層に金属又は合金の層を形成する工程と、この金属又は合金の層をガラスから分離し、スタンパーを形成する工程とを有する光ディスクにデータをエンボス加工するためのスタンパーを製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

The electrolyte membrane for the direct methanol fuel cell has stacked structure of a proton conductive polymer membrane 1 and a carbon thin membrane 6, and the carbon thin membrane 6 is formed on the proton conductive polymer membrane 1 by an electron cyclotron resonance sputtering method, and has structure mixed with graphite structure crystalline carbon 7 and amorphous carbon 8.例文帳に追加

プロトン伝導性高分子膜１とカーボン薄膜６との積層構造を有する直接メタノール型燃料電池用電解質膜であって、カーボン薄膜６は、電子サイクロトン共鳴スパッタ法を用いてプロトン伝導性高分子膜１上に成膜され、グラファイト構造の結晶性カーボン７とアモルファスカーボン８が混在した構造を有することを特徴とする直接メタノール型燃料電池用電解質膜を構成する。 - 特許庁