「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

The method does not disrupt the coverage of the deposited trench diffusion barrier in a line opening that is located atop the via opening, and/or does not introduce damages caused by creating a gouging feature at the bottom of the via opening by sputtering into the interconnect dielectric material that includes the via and line openings.例文帳に追加

本発明の方法は、ビア開口部の上に配置されるライン開口部内の堆積されたトレンチ拡散バリアの被覆率に影響を与えず、及び／又は、ビア開口部及びライン開口部を含む相互接続誘電体材料内にスパッタリングを行なうことによりビア開口部の底部にガウジング構造部を生成することに起因する損傷を生じさせない。 - 特許庁

To provide a sputtering target having high strength and capable of forming a sputtered film having a stable amorphous property, high transmittance in a blue wavelength region and high refractive index in order to enhance characteristics of an optical information recording medium and to improve and stabilize quality of a thin film and to provide the thin film for the optical information recording medium.例文帳に追加

光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive thin film 4 is produced by introducing argon at a flow rate of 18.0 cm^3/min into a vacuum chamber with a glass substrate 2 and a target containing Zn as a component are arranged in the vacuum chamber and sputtering the target while introducing oxygen at a flow rate of 1.0 cm^3/min or more and 2.0 cm^3/min or less.例文帳に追加

透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 - 特許庁

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same.例文帳に追加

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide sputtering target contains ZnO and Cr_2O_3, and further contains SiO_2, wherein by atomic ratio to the component quantity of all metals other than inevitable impurities, Zn:p%, Cr:q% and Si:100-p-q% are satisfied, and their component compositions satisfy the relations of 33≤p≤90, 8≤q≤65 and 85≤(p+q)≤99.例文帳に追加

ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

In the optical recording medium, a recording layer (2) is formed by a solution coating method using a coating solution containing at least one selected from a metal chelate dye, a polymethine dye, a squarylium dye and an azaannulene dye on a substrate (1) with a guide groove to which reverse sputtering treatment is applied by using an inert gas such as a He gas under reduced pressure.例文帳に追加

予め減圧下でＨｅガス等の不活性ガスにより逆スパッタ処理が施された案内溝付基板(1)上に、金属キレート色素、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、アザアヌレン色素から選ばれる少なくとも一種を含有する塗工液を用いて溶液塗布法により記録層(2)が形成された構成の光記録媒体とする。 - 特許庁

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss.例文帳に追加

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

A sputtering apparatus in which a raw material sputter- evaporated from a target is deposited on the substrate on a revolving substrate holder has a tool 1103 which is installed between the target and the substrate, has an aperture of the same shape as that of an erosion area 1102 of the target 1101, and unifies the raw material reaching the substrate from the target on the substrate.例文帳に追加

ターゲットからスパッタ蒸発した原料物質を、公転する基板ホルダー上の基板に成膜するスパッタ装置において、ターゲットと基板との間に設置され、ターゲット１１０１のエロージョン領域１１０２の形状と同じ形状の開口部を有し、ターゲットから基板に到達する原料物質を、基板上で均一にする治具１１０３を備えた。 - 特許庁

To provide a composite film deposition system where a thin film for optical use with a multilayer constitution having high quality and excellent optical properties can be produced at a low cost, a magnesium fluoride film part used mainly in the final layer which can not relatively easily be worked by a sputtering film deposition device can be worked by a vacuum deposition device, and also, continuous film deposition is made possible.例文帳に追加

高品質で光学特性の優れた多層構成の光学用薄膜をローコストで作成でき、スパッタリング成膜装置では、比較的安易には加工できない主に最終層で用いられるフッ化マグネシウム膜部分を真空蒸着装置で加工することができ、尚かつ連続成膜が可能な複合成膜装置の提供。 - 特許庁

The sputtering target for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.9 × 10^-3 to 10 × 10^-3 Ωcm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains a silicon oxide, in which the relative density is ≥100% and the Fc density is confined to ≤15 ppm.例文帳に追加

抵抗率が０．９×１０^−３〜１０×１０^−３Ω・ｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度を１５ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

The coating composition comprises a combination of a polymer containing a carboxylic group or an acid anhydride and a compound containing an epoxy group or a polymer containing a carboxylic group and an epoxy group, an organic solvent and a specific imidazole compound, and realizes a protective film excellent in sputtering resistance while maintaining preservation stability equal or superior to conventional compositions.例文帳に追加

カルボキシル基または酸無水物を含むポリマーとエポキシ基を含む化合物との組み合わせ、あるいはカルボキシル基およびエポキシ基を含むポリマー、有機溶剤、および特定のイミダゾール化合物を含んでなるコーティング組成物は、従来品と同等以上の保存安定性、を維持したままでスパッタ耐性に優れた保護膜を実現する。 - 特許庁

The sputtering device 10 includes a substrate 20, at least one cathode 40, and at least one target 50 arranged near the cathode inside a chamber, and has a separation plate 60 for partitioning a space partially surrounded by the substrate and the target and the other space inside the chamber, and a heating means 70 for heating the separation plate.例文帳に追加

スパッタリング装置１０が基板２０と、少なくとも一つの陰極４０と、当該陰極の近傍に配置する少なくとも一つのターゲット５０をチャンバー内に備え、チャンバー内において、基板とターゲットによりその一部が囲まれる空間と他の空間を仕切るための分離板６０と、当該分離板を加熱する加熱手段７０を備える。 - 特許庁

As a target 1 using a metal target 5 for circuit formation consisting of metal for circuit formation, and a metal target 6 with high adhesiveness composed of metal whose adhesion property to the substrate 3 is higher than that of the metal for circuit formation, the conductive film 4 composed of both the metals is formed on the substrate 3 by simultaneously sputtering the metals from respective targets 5 and 6.例文帳に追加

ターゲット１として、回路形成用の金属からなる回路形成用金属ターゲット５と、回路形成用金属よりも基板３に対する密着性の高い金属からなる高密着性金属ターゲット６を用い、各ターゲット５，６から同時に金属をスパッタさせて両金属からなる導体膜４を基板３に形成する。 - 特許庁

In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.例文帳に追加

基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor structure includes: providing a stack, which comprises a high dielectric constant (k) dielectric 14 and an interfacial layer 12, on a surface of a substrate 10; and forming a TiC film 16 on the stack by sputtering with a Ti target in an atmosphere comprising Ar and a carbon (C) source that is diluted with He.例文帳に追加

高誘電率（ｋ）の誘電体１４および界面層１２を含む積層体を基板１０の表面上に設けるステップと、Ｈｅによって希釈された炭素（Ｃ）源およびＡｒを含む雰囲気において、Ｔｉターゲットをスパッタすることにより、前記積層体上にＴｉＣ膜１６を形成するステップとを含む、半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

To provide an Ag alloy-based reflective film improving adhesion and patterning to a substrate, by making a reflectance a constant value in a visible range after maintaining a high reflectance and providing thermal resistance and corrosive resistance, and to provide a sputtering target material for forming the Ag alloy-based reflective film, and a high quality and low power consumption planar display unit.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、耐熱性、耐食性を兼ね備え、さらに基板への密着性とパタニング性を改善したＡｇ合金系反射膜とそのＡｇ合金系反射膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびより高品位かつ低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

A method includes: forming an insulation film 13 composed of SiO_2 film or SiN film according to a sputtering method on the common electrode 12; and forming the patterned pixel electrode 14 on the insulation film 13, whereby liquid crystal 8 is arranged on the pixel electrode 14 and the alignment of the liquid crystal 8 is changed by parallel electric field formed in the liquid crystal 8 to display letters and images.例文帳に追加

共通電極１２上に、スパッタリング法によってＳｉＯ_2膜又はＳｉＮ膜から成る絶縁膜１３を形成し、その絶縁膜１３上にパターニングした画素電極１４を形成し、画素電極１４上に液晶８を配置し、液晶８中に形成する平行電界によって液晶８の配向を変え、文字や画像を表示する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a holding jig including an elastic member 6A provided with an adhesive part 7A and a non-adhesive part 8A on the surface thereof, a metal thin film 11 is formed on the surface by vapor deposition or sputtering, and laser 12 is irradiated on an area in which the adhesive part 7A is provided to remove the metal thin film 11.例文帳に追加

表面に粘着部７Ａと非粘着部８Ａとが配置された弾性部材６Ａを備えて成る保持治具を製造する方法であって、蒸着又はスパッタリングで表面に金属薄膜１１を形成し、粘着部７Ａが配置される領域にレーザー１２を照射して金属薄膜１１を除去する保持治具の製造方法。 - 特許庁

To provide a zinc oxide laminated thin film body capable of affording a zinc oxide thin film layer having sufficiently low resistance in the film thickness direction in a zinc oxide laminated thin film body in which a zinc oxide thin film is laminated on a substrate by a sputtering method, and a thicker zinc oxide thin film is laminated thereon by an electrodeposition method and to provide a production method therefor.例文帳に追加

基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A step of manufacturing the semiconductor device 100 includes a step of forming a pair of electrode groups 24 and 16 which are connected with a main electrode on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element region 100a, and a step of forming a sputter layer 12 on the surface of the semiconductor multilayer portion 11 in the element isolation region 100b by using a sputtering method.例文帳に追加

半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 - 特許庁

A mask (not shown) used for the sputtering has a stepped part or inclination part in a shape similar to that of a formation region (left linear stepped region) of the thin film wiring 6 formed with the wiring board 3 and three semiconductor chips 4 which are stacked shifting to the right, and also has a slit for thin film wiring formation at the stepped part or inclination part.例文帳に追加

スパッタに用いるマスク（図示せず）は、右方にそれぞれずらして積層した配線板３および３個の半導体チップ４により生じた薄膜配線６の形成領域（左方の直線階段領域）と同様の形状の階段部または傾斜部を有しており、その階段部または傾斜部に薄膜配線形成用のスリットを有する。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing method for a semiconductor device having a device isolating embedded oxide film, after an isolating trench is formed in a silicon semiconductor substrate, the embedded oxide film is embedded using the same plasma CVD apparatus in the isolating trench, by executing successive film formation processings altering processing conditions (deposition/ sputtering ratio) plurality of times.例文帳に追加

素子分離埋め込み酸化膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン半導体基板に分離溝を形成した後に、同一のプラズマＣＶＤ装置を用いて、処理条件（デポジション／スパッタリング比）を変更した複数回の連続した成膜処理を実行することにより、前記分離溝に埋め込み酸化膜を埋設する。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁

The sputtering system 300 comprises: a substrate holding part 301 holding a substrate; opposing magnetic cathodes 302A and 302B arranged at the positions off-axis to the substrate holding part 301; a cathode box 303 storing the magnetic cathode 302A and 302B; and sticking prevention plates 311 and 312 arranged around the magnetic cathodes 302A and 302B.例文帳に追加

スパッタリング装置３００は、基板を保持する基板保持部３０１と、基板保持部３０１とオフアクシスな位置に配置された対向するマグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂと、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂを収容するカソードボックス３０３と、マグネティックカソード３０２Ａおよび３０２Ｂの周囲に配置された防着板３１１および３１２とを備える。 - 特許庁

A direction controller 391 is provided to launch part of sputter particles 300 on the surface of the substrate 9 as much as possible, the part of which is emitted from the target 30 by sputtering and travels toward the surface of the substrate 9 in a selected slanting direction Ds having the direction component of a direction Dr to increase coercive force.例文帳に追加

スパッタによりターゲット３０から放出されるスパッタ粒子３００のうち、保磁力を強くする方向Ｄｒに方向成分を持つとともに基板９の表面に対して斜めの選択方向Ｄｓに飛行するスパッタ粒子３００を多く基板９の表面に入射させる方向規制具３９１が設けられている。 - 特許庁

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film.例文帳に追加

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the high-purity nickel target for magnetron sputtering with superior film thickness uniformity comprises steps of hot-forging the high-purity nickel, then cold-rolling it at a rolling reduction of 30% or higher, and further heat-treating it at 250°C or a higher temperature; and repeating the above cold-rolling and heat treatment at least twice.例文帳に追加

高純度ニッケルを熱間鍛造した後、３０％以上の圧延率で冷間圧延し、これをさらに２５０°Ｃ以上の温度で熱処理する工程からなり、前記冷間圧延と熱処理を少なくとも２回以上繰り返すことを特徴とする膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法。 - 特許庁

A transparent conductive substrate 11b with a surface electrode, where a zinc oxide based crystal transparent conductive film (an uneven film 22) having an uneven structure 2a formed on the surface is formed as a surface electrode 2 on a translucent glass substrate 1 by sputtering, is heat treated at 400-550°C in a hydrogen gas atmosphere of 0.1-100 Pa.例文帳に追加

透光性ガラス基板１上に、スパッタリング法により、表面に凹凸構造２ａが形成された酸化亜鉛系の結晶質透明導電膜（凹凸膜２２）が表面電極２として形成された表面電極付透明導電基板１１ｂを、０．１〜１００Ｐａの水素ガス雰囲気で、４００〜５５０℃で熱処理を施す。 - 特許庁

In the sputtering target (80), particularly for sputter depositing a target material onto large rectangular panels, a plurality of target tiles (32) are bonded to a backing plate (34) in a two-dimensional non-rectangular array such that the tiles meet at interstices (84) of no more than three tile, thus locking the tiles against excessive misalignment during bonding and repeated thermal cycling.例文帳に追加

特に、ターゲット材料を大きな長方形パネルにスパッタ堆積するためのスパッタリングターゲット(80)において、複数のターゲットタイル(32)が二次元の非長方形アレイにおいてバッキングプレート(34)に接合され、タイルは３つ以下のタイルの間隙(84)で合流し、従って、接合中及び繰り返しの熱サイクル中に過剰な不整列に対してタイルをロックする。 - 特許庁

This ZnS-SiO_2 sputtering target of ≥90% in relative density is sintered by using the powder prepared by uniformly dispersing and mixing 1 to 50 mol% SiO_2 base glass powder contg. 0.01 to 20 wt.% in total ≥1 kind selected from metal elements, boron, phosphorus, arsenic and their oxides as additives and the balance ZnS powder.例文帳に追加

添加物として金属元素、硼素、燐、砒素又はこれらの酸化物から選択した１種以上を総量で０．０１〜２０ｗｔ％含有するＳｉＯ_２系ガラス粉末１〜５０ｍｏｌ％と残部ＺｎＳ粉末とを均一に分散混合した粉を使用して焼結したことを特徴とする相対密度９０％以上のＺｎＳ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a reactive-gas introduction device for reactive sputtering, which can uniformly supply a reactive gas across the width of a base material in order to continuously form a transparent electroconductive film on a long base material, which is homogeneous lengthwise as well as widthwise on the base material, with the reactive sputter method.例文帳に追加

長尺基材上に反応性スパッタ法にて基材長手方向に加えて基材幅方向にも均質な透明導電性膜を連続的に製膜するため、上記反応性スパッタにおける反応性ガス導入装置として、基材幅方向に均等に反応性ガスを供給できるような反応性ガス導入装置を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing the conductive catalyst particles comprises arranging the conductive powder 1 and balls 3, etc., as vibration amplifying means on a vibration surface 20 and simultaneously vibrating both in depositing a catalyst material 18, such as Pt, by a physical vapor deposition method, such as sputtering, to the surface of the conductive powder while vibrating the conductive powder 1, such as carbon.例文帳に追加

カーボン等の導電性粉体１を振動させながら、この導電性粉体１の表面に、スパッタ等の物理蒸着法によりＰｔ等の触媒物質１８を付着させる際、導電性粉体１と、振動増幅手段としてのボール３等とを振動面２０上に配置し、これらを同時に振動させる、導電性触媒粒子の製造方法。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material.例文帳に追加

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。 - 特許庁

The manufacturing method of the secondary lithium battery comprises a process of forming the activator layer on a current collector 42a, using a sputtering method, and a process of keeping an electrode (negative electrode) 42, which comprises the current collector having the activator layer formed thereon, at least either in an inactive atmosphere or in a vacuum atmosphere until the battery is manufactured.例文帳に追加

このリチウム二次電池の製造方法は、集電体４２ａ上に、スパッタ法を用いて活物質層を形成する工程と、活物質層が形成された集電体からなる電極（負極）４２を、電池を作製するまでの間、不活性雰囲気下および真空雰囲気下の少なくともいずれかで保持する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming the lower electrode 20 having a step of depositing Co on the surface of a capacitive element storage hole 18 by a sputtering method at a substrate temperature of 400°C to form a Co film 19 having an uneven surface, and a step of forming the lower electrode 20 made of titanium nitride over the Co film 19.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、下部電極２０を形成する工程が、容量素子収容孔１８の表面に４００℃の基板温度でスパッタ法によってＣｏを堆積し、表面に凹凸を有するＣｏ膜１９を形成する工程と、Ｃｏ膜１９を覆って窒化チタンから成る下部電極２０を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

To provide an Ag alloy reflection film for optical recording medium which can maintain environmental resistance such as excellent moisture and heat resistance and light resistance for long term even when a metal reflection film and the resin layer directly have contact with each other, an optical information recording medium comprising the reflection film, and a sputtering target for making the reflection film.例文帳に追加

金属反射膜と前記樹脂層とが直接接触する場合でも、優れた耐湿熱性や耐光性などの耐環境性を長期に亙って維持できる、光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、この反射膜を備えた光情報記録媒体、及び、この反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the metal foil with the electric resistance layer includes a step of forming the electric resistance layer by vapor growth method while applying oxygen as an atmosphere gas, on the metal foil having a surface where the average roughness of ten points measured by an optical method is adjusted to 4.0 to 6.0 μm, using a sputtering target containing nickel, chromium, and silicon.例文帳に追加

光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has smooth surface properties and an undercoat film by which deterioration of surface properties and a crack are not generated and which has no fear to cause blocking, even when a ferromagnetic metal thin film is formed by a sputtering method, a deposition method and the like obliged to heat a substrate, and can be easily manufactured at low cost.例文帳に追加

非常に平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ法や蒸着法等で強磁性金属薄膜を作製した場合でも、表面性の劣化やクラックの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない下塗り膜を有し、低コストで容易に製造することのできる磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

This method for producing a spinel ferrite thin film with (100) the preferred orientation on a substrate includes: a sputter deposition step of forming a spinel ferrite thin film or a thin film serving as a precursor thereof on the substrate by means of a sputtering method; and a vacuum heating step of heating the substrate in a vacuum.例文帳に追加

基板上に（１００）優先配向のスピネルフェライト薄膜を製造する方法であって、前記製造方法は、スパッタリング法でスピネルフェライト薄膜もしくはその前駆体となる薄膜を基板上に形成するスパッタ成膜ステップと、その基板を真空中で加熱する真空加熱ステップとを有することを特徴とするスピネルフェライト薄膜の製造方法。 - 特許庁