「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加

Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by a powder metallurgy method and has a plate-like shape, and is characterized in that the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the lower surface side in the target is higher than the ratio occupied by pinholes present in the vicinity of the upper surface side in the target.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。 - 特許庁

The pair of sputtering evaporation sources 2, 2 are constituted to arrange the respective cylindrical targets 13 oppositely each other in parallel, and the respective magnetic field generating members 14, 14 generate a magnetic field of forming magnetic field lines passing respective surfaces of the cylindrical targets 13, 13 and having a direction attractive each other.例文帳に追加

前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 - 特許庁

The film is deposited on an object to be deposited by sputtering the target of the Heusler's alloy of Co_2MnAl, Co_2MnSi, CeCrAl, NiMnSb, SrLaMnO, PtMjSb, Mn_2VAl, Fe_2VAl, Co_2FeSi, Co_2MnGe, and Co_2FexCr(1-x)Al, using xenon as a discharge gas.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノンを用いて、Ｃｏ_2ＭｎＡｌ、Ｃｏ_2ＭｎＳｉ、ＣｏＣｒＡｌ、ＮｉＭｎＳｂ、ＳｒＬａＭｎＯ、ＰｔＭｎＳｂ、Ｍｎ_2ＶＡｌ、Ｆｅ_2ＶＡｌ、Ｃｏ_2ＦｅＳｉ、Ｃｏ_2ＭｎＧｅ、Ｃｏ_2ＦｅｘＣｒ(1-x)Ａｌなどのホイスラー合金のターゲットをスパッタリングして被成膜体に成膜する。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The oxide transparent conductive film which contains In-O, Sn-O or Zn-O as basic oxides, is formed on a substrate 14 by the reactive sputtering method with using the metalic target material 10 which contains In, Sn or Zn in a vacuum as basic elements.例文帳に追加

本発明では、真空中においてＩｎ、Ｓｎ又はＺｎを基本構成元素とする金属からなるターゲット材１０を用い反応性スパッタ法によって基板１４上にＩｎ−Ｏ、Ｓｎ−Ｏ又はＺｎ−Ｏを基本構成元素とする酸化物透明導電膜を形成する。 - 特許庁

A silicon nitride film is formed on a transparent resin film substrate by the sputtering of a silicon target in a nitrogen-containing atmosphere to form the silicon nitride film to form a barrier transparent laminated film with a steam permeability of 0.05 g/m^2/day and parallel light transmissivity of 80% or more.例文帳に追加

透明樹脂フィルム基板上に、ケイ素単体ターゲットの窒素含有雰囲気中スパッタリングにより、窒化ケイ素膜を形成して、水蒸気透過度が０．０５ｇ／ｍ^２／日以下且つ平行光線透過率が８０％以上であるバリア性透明積層フィルムを形成する。 - 特許庁

The cylindrical sputtering target can be obtained by joining a plurality of cylindrical target materials comprising cylindrical ceramic sintered compacts onto the outside surface of a cylindrical base material, wherein a prescribed gap is provided at each joining part between the cylindrical target materials.例文帳に追加

円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp which has superior sputtering-resistant characteristics, even when a tube current of high current is applied and which restrains the formation of amalgams and has a light environmental load, and can easily, effectively and inexpensively manufacture electrodes of long service life of practical level.例文帳に追加

高電流の管電流が印加された場合でも優れた耐スパッタリング性を有し、アマルガムの形成を抑制し、環境に対する負荷が小さく、長寿命の実用レベルの電極を、容易に安価に、且つ、効率よく製造することができる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

The cylindrical sputtering target is manufactured by electrolytically reducing an inner circumferential surface of a cylindrical ceramics target material 21 to form an underlayer 31 formed of a reduced metal of the target material, and then bonding the cylindrical ceramics target material to the outer circumferential surface of a cylindrical support base material 11.例文帳に追加

円筒形セラミックスターゲット材２１の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層３１を形成し、次いで円筒形支持基材１１の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film in which a reflectance in a visible light range takes a fixed value while keeping a high reflectance and which has low electric resistance and combines heat resistance and corrosion resistance and also to provide a sputtering target material for depositing the Ag alloy film and a flat panel display device having low power consumption.例文帳に追加

高い反射率を維持した上で、可視光範囲での反射率が一定値になり、かつ低い電気抵抗を有し、さらに耐熱性、耐食性を兼ね備えたＡｇ合金膜とそのＡｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材および低消費電力な平面表示装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering target comprises 0.1-20 mass% of at least one kind of an intermetallic compound forming element that forms Al and an intermetallic compound, 5 mass% or less (not including 0 mass%) of at least one kind of an element selected from Ar and Kr, and the balance substantially being Al.例文帳に追加

スパッタリングターゲットは、Ａｌと金属間化合物を形成する少なくとも１種の金属間化合物形成元素を０．１〜２０質量％と、ＡｒおよびＫｒから選ばれる少なくとも１種の元素を５質量％以下（ただし０質量％を含まず）とを含有し、残部が実質的にＡｌからなる。 - 特許庁

This transparent conductive thin film lamination comprises a substrate on which ITO(indium/tin oxide) is formed by sputtering, featuring that the thin films are amorphous in crystal structure and the specific resistance of the films is 5×10-4 Ωcm or less.例文帳に追加

基材上にＩＴＯ（酸化インジウム／酸化スズ）薄膜が積層された透明導電性薄膜積層体おいて、該薄膜の結晶形態が無定型であり、且つ該薄膜の比抵抗値が５×１０^−４Ωcm以下であることを特徴とする、スパッタリング法によって形成された透明導電性薄膜積層体。 - 特許庁

After an imidazole ring-containing silane compound layer 2 is formed on a silicon wafer 1, copper is laminated thereon by sputtering to form a copper substrate layer 3 and therefore the surface thereof is subjected to nickel plating to form a nickel plating layer 4a, by which the plating structure having an improved contact property as shown in Figure 1 is formed.例文帳に追加

シリコンウェハ１上に含イミダゾール環シラン化合物層２を形成した後、銅をスパッタリングにより積層し、銅下地層３aを形成するようにしたので、その上にニッケル鍍金を行ない、ニッケル鍍金層４aを形成することにより図１に示すような密着性の向上した鍍金構造を形成することができる。 - 特許庁

In a laminate obtained by laminating a zinc oxide film and a silver film to a glass substrate, in order to make the zinc oxide film include 1-10 wt.% of a transparent oxide having a band-gap energy higher than 3.5 eV, a target obtained by adding a metal to provide the transparent oxide to metal zinc is used and the zinc oxide film is formed by using a reaction sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板上に、酸化亜鉛膜及び銀膜を積層してなる積層体において、該酸化亜鉛膜は、バンドギャップエネルギーが３.５eVより大きい透明酸化物を１〜１０重量％含むように、金属亜鉛に該透明酸化物となる金属が添加されたターゲットを用いて、反応スパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in a deposited film can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of commercially available powder is used, i.e., the tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be stably manufactured at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.例文帳に追加

その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display unit, and a display unit, wherein particles arising due to a sputtering target of an oxide conductor are reduced to assure excellent conducting characteristics between a metal and an oxide conductor when a first electrode is of a laminated structure of the metal and the oxide conductor.例文帳に追加

第１電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。 - 特許庁

In a sputtering system of a Carrousel type or in a vacuum evaporation film deposition, substrates to be film-deposited are set in a position horizontal (front) to target faces similarly to the case in normal film deposition so that plural wedge films can be worked by using a film thickness compensation mechanism.例文帳に追加

その構成としては、カルーセルタイプ等のスパッタ装置上あるいは真空蒸着による真空蒸着成膜上に於いて、成膜基板を通常成膜時と同様にターゲット面に対して水平（正面）位置に設置することによって、膜厚補正機構を用いて複数個のウエッジ膜を加工可能とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a high-strength sputtering target for forming the phase-change memory film comprises pulverizing an alloy ingot for forming the phase-change memory film to produce an alloy powder, holding the obtained alloy powder at a crystallization temperature to crystallization-heat-treating it, pulverizing the crystallization-heat-treated alloy powder and then hot-pressing the resultant powder.例文帳に追加

相変化メモリ膜形成用合金インゴットを粉砕して合金粉末を作製し、得られた合金粉末を結晶化温度に保持して結晶化熱処理し、この結晶化熱処理した合金粉末を解砕したのちホットプレスすることを特徴とする相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

A metal very high in adhesion to the insulating film is formed so as to cover the edge of the insulating film 4, the guard ring 3, and the certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering, and an anode electrode layer 6 formed of metal superior in wettability by solder or gold is provided thereon.例文帳に追加

絶縁被膜４との接着強度が非常に強い金属を絶縁被膜４の縁部とガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に覆うように蒸着，スパッタリング等の手段で形成した後、その上にはんだや金とのぬれ性が良い金属でアノード電極層６を構成している。 - 特許庁

Further, a Pd alloy powder comprising 1-60 at%, in total, of at least one selected from among V, Nb, and Ta with the balance comprising Pd and unavoidable impurities is made by an atomization method, and the obtained Pd alloy powder is heated and molded under pressure to produce the Pd alloy sputtering target.例文帳に追加

また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

An optical fiber coil 10 formed by spirally winding a primary coated optical fiber having a carbon thin film formed by heat-treating an optical fiber with a polyimide coating in an inert atmosphere and fixing the winding shape by metal sputtering and high-temperature soldering, is sandwiched between a case lower lid 130 and a case upper lid 131, and sealed with a ceramic resin 140.例文帳に追加

ポリイミド被覆を形成した光ファイバを不活性雰囲気中で熱処理して炭素薄膜を形成した光ファイバ素線を渦巻き形状に巻き、その形状を金属スパッタ及び高温半田で固定した光ファイバコイル（１０）を、ケース下蓋（１３０）とケース上蓋（１３１）とで挟み、セラミック樹脂（１４０）で封止する。 - 特許庁

The film capacitor is obtained by forming a metal electrode on both surfaces of a polyimide benzoxazole film using a sputtering method, deposition method, electric plating method or the like, the polyimide benzoxazole film being prepared using diamines with a benzoxazole skeleton and aromatic tetracarboxylic dianhydride as starting materials, and having an absolute value of a linear expansion coefficient of 5 ppm/°C or less.例文帳に追加

ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数の絶対値が５ｐｐｍ／℃以下のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの両面に、スパッタリング法、蒸着法、電気めっき法などにより金属電極を形成し、主題のコンデンサを得る。 - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming a conductive film, which is capable of suppressing splashing, even when a high electric power is applied to a large target due to the size increase of the target, and is capable of forming a film that is excellent in corrosion resistance and heat resistance and has a low electrical resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-density printed circuit board by applying a strippable adhesive layer on a reinforced substrate (rigid substrate or carrier film) used as a base substrate, forming a metal foil on the adhesive layer by means of plating, lamination, or sputtering, and forming a high-density circuit on the metal foil serving as a seed layer by means of pattern plating.例文帳に追加

ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prepare a high-reflection and low-resistance thin film which is useful as a reflection film, reflection electrodes, electrode, wiring, or the like, of a flat panel display(FPD), has high reflectivity, is stable, is low in electric resistance and is, in addition, excellent in film adhesion property and durability as well and a sputtering target usable for deposition of this thin film.例文帳に追加

ＦＰＤの反射膜、反射電極、電極および配線等として有用で、反射率が高く安定し、電気抵抗が低いことに加えて、膜密着性、耐久性にも優れた高反射低抵抗薄膜と、その薄膜を成膜するために用いることができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To increase the thickness uniformity of a thin film independently of its position, whether it is on the both ends or on the central part of a substrate in performing sputtering while allowing a magnet for applying a magnetic field which intersects an electric field between a target and a susceptor to perform a reciprocating motion in a direction parallel to the target to deposit a thin film onto the substrate placed on the susceptor.例文帳に追加

ターゲットとサセプタとの間の電界に対して交差する磁界を印加するマグネットをターゲットと平行な方向に往復移動させつつスパッタリングを行いサセプタ上に載置した基板に薄膜を形成する際に、基板の両端部と中央部とに関わらず膜厚均一性を高くする。 - 特許庁

To provide a discharge electrode and a discharge method, wherein a uniform parallel magnetic field distribution is formed on a target regardless of whether the target is a magnetic body or a nonmagnetic body, uniform erosion can be obtained, and effects for widening the target, enhancing a sputtering thin film forming speed, or enhancing a CVD film forming speed can be obtained.例文帳に追加

ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering composite target 1 comprises an oxide base component 2 including indium oxide and carbon base components 3a to 3d, and in the case the oxide base component 2 and the carbon base components 3a to 3d are different substances, respectively, the carbon base components 3a to 3d are stacked on at least a part of the surface of the oxide base component 2, so as to be used.例文帳に追加

スパッタリング複合ターゲット１は、酸化インジウムを含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a metal oxide expressed by the chemical formula of MO_x, wherein the MO_x is a metal oxide in which oxygen is more depleted than the stoichiometric composition, M is Nb, the range of x satisfies 2<x<2.5, and also, the value of specific resistance at room temperature is ≤0.45 Ωcm.例文帳に追加

化学式ＭＯ_ｘで表される金属酸化物からなるスパッタリングターゲットにおいて、ＭＯｘは化学量論的組成より酸素が不足している金属酸化物であって、ＭがＮｂであって、ｘの範囲が２＜ｘ＜２．５であり、かつ、室温での比抵抗値が０．４５Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To solve a problem that a target made by a prior art leaves its peripheral part unsputtered and consequently uneroded, when sputtered after having been mounted on a sputtering apparatus and surrounded by an earth shield, because when plasma is generated, an electric current passes to the earth shield from the target and the plasma is not formed on the surface of the peripheral part of the target.例文帳に追加

従来技術にかかるターゲットをスパッタリング装置に装着し、ターゲットの周囲にアースシールドを設けると、プラズマを発生させた際に、ターゲットからアースシールドへと電流が流れるため、ターゲットの外周縁部の表面ではプラズマが形成されず、ターゲットの外周縁部がスパッタされない非侵食領域として残る。 - 特許庁

The manufacturing method of the GaN-based LED element includes the steps of forming a first TCO film on a surface of a p-type GaN-based semiconductor layer by a vapor deposition method; and forming a second TCO film continuously from on the surface of the p-type GaN-based semiconductor layer to on a surface of the first TCO film by a sputtering method.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a high-precision and high-performance liquid crystal display device having high luminance, by controlling the angle or the density of the fine structure of a particulate columnar laminate of an inorganic alignment layer, such as a SiOx film formed by oblique vapor deposition or directional sputtering, by arranging the alignment of liquid crystal in the order, and by reducing color unevenness.例文帳に追加

斜方蒸着或いは指向性スパッタリングにより形成するＳｉＯｘ膜等の無機系配向膜の微粒子の柱状積層の微細構造の角度や密度をコントロールし、液晶配向を揃え、色ムラを低減して高輝度、高精細、高性能の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical recording layer for an optical information recording medium and the optical information recording medium, which are excellent in writing/reading characteristics, C/N characteristics, jitter characteristics, recording sensitivity characteristics, reflectivity characteristics and environment-resisting characteristics and can be applied to a next-generation type optical disk, and a sputtering target useful for forming the recording layer.例文帳に追加

書込み・読み取り特性、Ｃ／Ｎ特性、ジッター特性、記録感度特性、反射率特性、耐環境特性に優れており、次世代型の光ディスクに適用可能な光情報記録媒体用光記録層と光情報記録媒体、並びに該記録層の形成に有用なスパッタリング・ターゲットを提供する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

A mask pattern 11a obtained by performing a photo-processing of a resist film is formed on a substrate 1, and then, a metal mask 20 having an opening part 22 formed slightly larger than a deposition area on the substrate is arranged on the mask pattern, then, for example, optical interference filters 2 and 2a are formed by introducing a vapor-deposition method and a sputtering method, etc.例文帳に追加

基板１上に、たとえばレジスト膜のフォトプロセスによって形成されたマスクパターン１１ａを形成し、その上に基板上の成膜領域よりも僅かに大きく形成された開口部２２を有するメタルマスク２０を配置して、たとえば蒸着法やスパッタリング法などによって光干渉フィルタ２、２ａを形成する。 - 特許庁

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁

This sputtering target can be manufactured by selecting CoO powder and at least one or more kinds among powder of Si oxide, such as SiO2 and SiO, powder of Ti oxide, such as TiO2, Ti2O3 and TiO3, powder of Ca oxide, such as CaO and CaO2, and powder of zinc oxide such as ZnO and subjecting these powders to ball mill kneading, drying, compacting and sintering.例文帳に追加

ＣｏＯ粉末と、ＳｉＯ_2，ＳｉＯ等のＳｉの酸化物粉末、ＴｉＯ_2，Ｔｉ_2Ｏ_3，ＴｉＯ_3等のＴｉの酸化物粉末、ＣａＯ，ＣａＯ_2 などのＣａの酸化物粉末，亜鉛の酸化物ＺｎＯ粉末のうち、少なくとも一つ以上を選び、ボールミル混練，乾燥，成形，焼結することにより製造される。 - 特許庁

To obtain a sputtering target comprising a composite of a chalcogenide and a silicate, which ensures suppression of generation of a nodule, high uniformity of film-deposition and high manufacturing efficiency and is useful for forming a protective film of a phase transition type optical disk; and to provide an optical recording medium with the protective film of the phase transition type optical disk formed by using the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

In the manufacturing method of an organic electroluminescent element for forming the protective film on the organic electroluminescent element formed on a substrate, the protective film is formed in the sputtering method by plasma emission monitoring for controlling the amount of introduction of reactive gas by monitoring plasma light emitting intensity.例文帳に追加

基板上に形成した有機エレクトロルミネッセンス素子上に保護膜を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、プラズマ発光強度をモニターして、反応性ガスの導入量を制御するプラズマエミッションモニタリングによるスパッタリング法で、前記保護膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

An intermediate layer (a base film 2) consisting of at least one material selected from a group consisting of chromium, titanium and vanadium is formed on a base 1 consisting of aluminum, an aluminum alloy, titanium or a titanium alloy, and a boron carbide film 3 is formed by sputtering on the base film 2.例文帳に追加

アルミニウム若しくはアルミニウム合金又はチタン若しくはチタン合金からなる基材１の上に、クロム、チタン及びバナジウムからなる群から選択された少なくとも１種からなる中間層（下地膜２）を形成し、この下地膜２の上にスパッタリングにより炭化ホウ素膜３をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁

To provide a dispersing agent which satisfactorily disperses the powder of a metal oxide including indium oxide powder, and to provide a method for efficiently producing a sputtering target comprising indium oxide and having high density at high productive efficiently without depending on the change of the production environment caused by the variation of the seasons.例文帳に追加

酸化インジウム粉を含む金属酸化物の粉末を水に良好に分散させる分散剤を提供するとともに、酸化インジウムを含有し、かつ、密度の高いスパッタリングターゲットを、季節変動による製造環境の変化に左右されずに、高い生産効率で、効率的に製造する方法を提供する。 - 特許庁