「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

To provide a copper alloy sputtering target which can form a stable and uniform seed layer free of flocculation particularly in copper electroplating on a wiring material of a semiconductor element and has an excellent sputter deposition characteristic and semiconductor element wiring formed by using the target.例文帳に追加

半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.例文帳に追加

ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a sputtering target by subjecting a melt-cast Ta ingot or billet to forging, annealing, rolling, etc., the ingot or billet is subjected to recrystallization annealing at 1,373K-1,673K after subjected to the forging.例文帳に追加

溶解鋳造したＴａインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に１３７３Ｋ〜１６７３Ｋの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするＴａスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

In the dual magnetron sputtering apparatus for depositing a film containing a target component to a substrate disposed in a vacuum chamber, by applying an AC voltage to two cathodes, an earth shield is disposed around each target, and the periphery of a cathode in the chamber is electrically insulated.例文帳に追加

２つのカソードに交流電圧を印加し、真空槽内に配置された基板にターゲット成分を含む膜を付着するデュアルマグネトロンスパッタリング装置において、各ターゲットの周囲にはアースシールドが設けられ、かつ、チャンバー内のカソードの周辺をアースと電気的に絶縁した。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

The plasma image screen has a protection layer 5, made of the material with low electron affinity and high sputtering resistance, chosen from crystalline diamond, AlN, AlGaN, BN, or tetrahedral amorphous carbon, and a sealed gas contains more than 7 volume % xenon.例文帳に追加

プラズマ画像スクリーンが、結晶質ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＢＮ及び四面体非結晶質炭素の群から選択された、電子親和力が低く且つ耐スパッタリング性が高い材料から成る保護層５を有し、封入ガスが７容量％よりも多くの相対量のキセノンを含有すること。 - 特許庁

After forming a copper layer of 50-500 nm thick by sputtering on the surface of a metal layer formed on a polyimide film surface, a substrate having a copper film formed by electroplating on the copper layer is heat treated at temperatures of 120-200°C.例文帳に追加

ポリイミドフィルム表面に形成された金属層表面にスパッタリング法により５０〜５００ｎｍの厚さを有する銅層を形成した後、該銅層上に電気めっきにより銅被膜を形成してなる基板を、１２０〜２００℃の温度下で熱処理に付すことを特徴とする。 - 特許庁

The sputtering system concerning to the embodiment has a conversion mechanism where, when a target unit 21 is subjected to attachment/detachment operations to a space part 19, a target 31 confronted with a rib 18 can be converted from a first state where it is confronted with the rib 18 to a second state where it is not confronted with the rib 18.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。 - 特許庁

The Mo-based sputtering target is formed of a sintered body comprising NaF powder having a mean grain size of ≤15 μm and Mo powder having a mean grain size of ≥20 μm, contains 0.1-8 mass% NaF and has a relative density of ≥90% and a transverse rupture strength of ≥150 N/mm^2.例文帳に追加

平均粒径１５μｍ以下のＮａＦ粉末と平均粒径２０μｍ以上のＭｏ粉末との焼結体からなり、ＮａＦを０．１〜８質量％含有し、相対密度９０％以上かつ抗折力が１５０N／ｍｍ^2以上であるＭｏ系スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

Targets which have a same shape and are made of different materials are respectively arranged on a plurality of sputtering cathodes 203a, 203b, 204a, and 204b, and targets made of a same material are mounted on the cathodes 203a, 203b, 204a, and 204b which are positioned on the section symmetrical about the rotational center of a substrate 8 to be sputtered.例文帳に追加

同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板８の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに搭載する。 - 特許庁

In a step of manufacturing the optical element having a multilayered film in which a low refractive index film and a high refractive index film are alternately laminated, by means of a sputtering film forming apparatus using a target unit 100, a porous film composed of a low refractive index material with a filling rate ≤0.84 is formed on a substrate 101.例文帳に追加

低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層した多層膜を有する光学素子の製造工程において、ターゲットユニット１００を用いたスパッタ成膜装置により、基体１０１上に充填率０．８４以下の低屈折率材料からなる多孔質膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a tool capable of securing positioning accuracy while absorbing the warp of an organic sensor substrate and securing horizontal accuracy, being commonly used from coating to drying in order to form a functional material at a prescribed position and capable of applying vacuum process such as plasma treatment, vapor deposition and sputtering and having high throughput.例文帳に追加

有機センサ基板の反りを吸収し、水平精度を確保しつつ、位置精度も確保し、所定の位置に機能材料を形成するために、塗布から乾燥まで共通して使用でき、さらには、プラズマ処理や蒸着、スパッタといった真空プロセスを施せるスループットの高い治工具を提供する。 - 特許庁

In the connection terminal of the sputtering apparatus, a recessed part having a prescribed tapered angle in its depth direction is formed and the bottom part of the recessed part has such a space that the tip part of the feeding terminal can not come in contact with the bottom part when the feeding terminal 22 advances to the recessed part and electrically connected.例文帳に追加

スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target for a reflection layer of an optical medium includes a process for firing raw material powder having a composition that is mainly composed of Al and contains 1-10 at% of one or two species of elements selected from the group consisting of Ta and Nb, and 0.1-10 at% of Ag.例文帳に追加

光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 - 特許庁

Consequently, when the first metal layer 5 coming into contact with the thin-film resistance R is formed, the first metal layer 5 is formed under a condition wherein a nitriding radical is basically not present in the sputtering device, so no nitride is formed at an exposed part of the thin-film resistance R.例文帳に追加

これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film used for a liquid crystal display device, for an electroluminescent display device or the like, and particularly suitable for use in a solar battery, and to provide the solar battery using the transparent conductive film, and further a sputtering target suitable for forming the transparent conductive film.例文帳に追加

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置等に用いられ、特に、太陽電池に用いられるのに好適な透明導電膜を提供するとともに、この透明導電膜を用いた太陽電池さらにはこの透明導電膜を形成するのに適したスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate.例文帳に追加

タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium is suitably manufactured by sputtering and depositing at least the seed layer, the orientation control layer, and the magnetic layer composed of the material containing a FePt alloy as the main component in this order on the substrate, and depositing the magnetic layer at a predetermined temperature of 500°C or less.例文帳に追加

この垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも、上記シード層、上記配向制御層及びＦｅＰｔ合金を主成分とする材料からなる磁性層をこの順にスパッタ成膜し、前記磁性層を５００℃以下の所定温度で成膜することによって好適に製造される。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

To provide an ITO sputtering target in which the amount of nodule produced on the surface of an ITO target caused by a solder material is reduced, and simultaneously, the reduction in the yield of a product caused by sticking of a melted solder material to the film face of a flat panel display or the like can be prevented.例文帳に追加

半田材起因で発生するＩＴＯターゲット表面に発生するノジュール量を低減すると同時に、溶融した半田材がフラットパネルディスプレイ等の膜面に付着することによる製品の歩留まりの低下を防止できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a high resistance transparent conductive film at a low cost which can be suitably used as a transparent electrode for resistance-type touch panels, has few defects, has specific resistance in the range of 0.9 to 1.8×10^-3 Ωcm, and is produced by the DC sputtering method or the ion plating method which have been widely used industrially.例文帳に追加

工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する - 特許庁

The sputtering apparatus includes a vacuum chamber, a substrate holder for holding a substrate that is arranged in the vacuum chamber, a shield fixed to the substrate holder and a thermal conduction bar, wherein one end of the thermal conduction bar is connected to the substrate holder and the other end of the thermal conduction bar is connected to a cooling panel of a refrigerator.例文帳に追加

真空チャンバと、真空チャンバ内に配置した基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに固定されたシールドと、熱伝導棒とを有し、前記基板ホルダには、前記熱伝導棒の一方の端が接続されており、該熱伝導棒の他端は冷凍機の冷却パネルと接続する。 - 特許庁

A film-deposition device of the embodiment, that a rotational belt type mask 26 is moved to be synchronized with feeding operation of the substrate 7, and a sputtering film-deposition device of the embodiment, that a cylindrical rotational mask 36 is rotated to be synchronized with feeding operation of the substrate 7, are provided.例文帳に追加

加えて、本発明においては、基板７の給送動作に同期化させて回転ベルト式マスク２６を移動させる態様の成膜装置や、基板７の給送動作に同期化させて円筒状回転マスク３６を回転させる態様のスパッタリング成膜装置が提供される。 - 特許庁

This is a terminal having a barrier portion against solder rising 13, in which the percentages of detection intensities of Ni, Au and O on the surface of the barrier portion by the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) satisfies the relationship of 30%≤Ni/Au≤60% and 50%≤O/Au at a sputtering time=0.例文帳に追加

半田吸い上がりバリア部１３を有する端子であって、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）による該バリア部表面のＮｉ、Ａｕ及びＯの検出強度百分率がスパッタリング時間＝０のところで３０％≦Ｎｉ／Ａｕ≦６０％、及び５０％≦Ｏ／Ａｕを満足する端子。 - 特許庁

The film-forming method also includes: supplying only the sputtering gas into the chamber and applying a predetermined current or electric power to the metal target in this state; then, measuring the voltage of the metal target and starting the detection of the electric discharge; and moving the magnet so that the electric discharge occurs at the predetermined voltage.例文帳に追加

チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 - 特許庁

After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁

The gate electrode 5 can be formed by the steps containing the step of forming the metal film to form the gate electrode; the step of sputtering Al and Si simultaneously, thereby forming an Al post self-systematically; and the step of etching the Al post and the metal film just under the Al post.例文帳に追加

ゲート電極５は、ゲート電極となる金属膜を形成する工程、ＡｌとＳｉを同時にスパッタすることによりＡｌ柱を自己組織的に形成する工程、Ａｌ柱およびＡｌ柱直下の金属膜をエッチングする工程を含む工程によって形成され得る。 - 特許庁

To provide a plasma addressed display device, which is stable in the whole screen and durable, in a DC discharge type simple in driving and construction and capable of cost reduction by suppressing sputtering of electrodes and preventing reduction of transmissivity and a change in electric discharge characteristics due to splashing of metal or the like.例文帳に追加

電極のスパッタを抑制し、金属などの飛散による透過率低下及び放電特性変化を防止し、画面全域が安定で長寿命なプラズマアドレス表示装置を、駆動上・構造上簡易で低コスト化が可能なＤＣ放電タイプで提供することを目的とする。 - 特許庁

In the optical recording medium configured by stacking a plurality of recording layers 3 and 5 with an intermediate layer 4 inbetween, the intermediate layer 4 has a layered structure of a first intermediate layer 6 formed at least by sputtering and a second intermediate layer 7 formed by spin coating.例文帳に追加

複数の記録層３，５が中間層４を挟んで積層されてなる光記録媒体において、上記中間層４は、少なくともスパッタリング法により形成された第１の中間層６とスピンコート法により形成された第２の中間層７との積層構造を有する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device which uses the single-chamber and multi-film-deposition-site type sputtering film deposition device is characterized by changing over and using both magnetic and nonmagnetic targets at least at one film deposition site to form both the magnetic and nonmagnetic films.例文帳に追加

本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 - 特許庁

A wiring board plasma-processing device includes, in the same plasma processing chamber 109, a plasma source, a surface processing unit 106 for performing a pretreatment of the board 102 to be processed, and a plurality of sputtering film deposition units 107, 108 for forming a seed layer formed of a plurality of films.例文帳に追加

同一のプラズマ処理室１０９内に、プラズマ源を備え、被処理基板１０２の前処理を行なう表面処理部１０６と、複数の膜によって形成されたシード層を形成する複数のスパッタ成膜部１０７、１０８を備えた配線基板プラズマ処理装置とする。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a transparent conductive amorphous film without using a high vacuum container, and also to provide the transparent conductive amorphous film having conductivity, transparency and surface smoothness equal to or higher than a film produced in a conventional sputtering method.例文帳に追加

高真空容器を使用しない簡便な方法によって透明導電性非晶質膜を製造する方法、および導電性、透明性、及び表面平滑性が従来のスパッタリング法によって得られる膜と同等以上である透明導電性非晶質膜の提供。 - 特許庁

The sputtering apparatus has a conveying device in which a supply chamber 5, a vacuum film deposition chamber 4 and a delivery chamber 6 are connected to each other in one row via gate valves GV7, GV8, and substrates 2a, 2b, 2c, 2d, 2e are continuously conveyed among the supply chamber 5, the vacuum film deposition chamber 4, and the delivery chamber 6.例文帳に追加

スパッタリング装置は、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６がゲートバルブＧＶ７，ＧＶ８を介して一列に連結され、仕込み室５と真空成膜室４と取り出し室６の間で基板２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅを連続して搬送可能な搬送装置を備えている。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device having a magnet assembled body capable of easily assembling plural magnet units at a prescribed pitch and a magnetron cathode electrode part provided with the assembly and capable of forming a homogeneous film of a uniform film thickness distribution on a large substrate with high efficiency.例文帳に追加

複数の磁石ユニットを所定のピッチで組立の容易な磁石組立体およびその組立体を具備したマグネトロンカソード電極部を有し、大型基板に対して、均一な膜厚分布、均質な、かつ効率よく成膜が行えるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the seamless pipe for the fixing device in which the heat resistant resin film tube body 2, a metal layer 3 which is other than copper, a copper layer 4 and a surface release layer 5 are sequentially formed on the outer peripheral surface of the heat resistant resin film tube body, the metal is formed by a sputtering method.例文帳に追加

耐熱性樹脂フィルム管状体２と、この耐熱性樹脂フィルム管状体の外周表面に銅以外の金属層３と銅層４と表面離型層５とが順に形成されてなる定着装置用シームレスパイプであって、上記金属がスパッタリング法によって形成される。 - 特許庁

To provide an Ag reflector which has optical characteristics that show high reflectance from a visible region to an infrared region, has adhesiveness that can suppress peeling even when being bent, has high resistance, and can simplify a facility for film formation by sputtering, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an electron beam exciting plasma system provided with a discharge chamber 1 and a process chamber 2 adjacent thereto via a bottleneck and installed with an accelerating electrode 21 and a sample stand 3, target 4 is arranged at the process chamber 2, reaction plasma is acted, and sputtering is performed.例文帳に追加

放電室１とこれと隘路を介して隣接し加速電極２１と試料台３が設置されたプロセス室２とを備える電子ビーム励起プラズマ装置において、プロセス室２にターゲット４を配置して反応プラズマを作用させてスパッタリングするようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

Furthermore, the sputter particles or the sputter film produced in a sputtering process is prevented from infiltrating into a contact part 12, by employing such a structure as the root part of the eaves part 11 is lower by one stage than the forward end part thereof, thus preventing adhesion of a clamp ring 1 and a wafer 2 at the contact part 12.例文帳に追加

また、ひさし部分１１の根元部分を先端部分よりも１段低くした構造とすることにより、スパッタリング工程で生じるスパッタ粒子やスパッタ膜が接触部分１２に回り込むことを阻止し、接触部分１２におけるクランプリング１とウェハ２との癒着を防止する。 - 特許庁

With this, a contact between the peripheral wall of the burring hole 15c existing at the center part side and the conductive end edge part of the electrode is well maintained, and a contact resistance at that part can be made smaller than at the outer periphery side, so that occurrence of welding sputtering at that part is to be prevented.例文帳に追加

これにより、中心部側に存在するバーリング孔１５ｃの周壁と極板の導電端縁との接触部での接触が良好となり、該部での接触抵抗を外周部側よりも小さくすることが可能となって、該部での溶接スパッタの発生を防止できるようになる。 - 特許庁

In the method of forming the laminated film wherein the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 are formed by laminating the base 1 with a sputtering process, the layer 4 of the oxide is formed by exposing the metal thin film 3 to an oxygen gas atmosphere after this film is formed.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板１上に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４を形成する。 - 特許庁

TARGET FORMED OF SINTERING-RESISTANT MATERIAL OF HIGH-MELTING POINT METAL ALLOY, HIGH-MELTING POINT METAL SILICIDE, HIGH-MELTING POINT METAL CARBIDE, HIGH-MELTING POINT METAL NITRIDE, OR HIGH-MELTING POINT METAL BORIDE, PROCESS FOR PRODUCING THE TARGET, ASSEMBLY OF THE SPUTTERING TARGET-BACKING PLATE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及びその製造方法 - 特許庁

The target 16 used in a sputtering apparatus 10 having a magnetron unit 30 mainly consists of a magnetic material such as cobalt, and comprises at least a first part 16a and a second part 16b thicker than the first part.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンユニット３０を有するスパッタリング装置１０において用いられるターゲット１６であって、コバルトのような磁性体材料を主成分として構成され、少なくとも、第１部分１６ａと、この第１部分よりも厚い第２部分１６ｂとを有したことを特徴としている。 - 特許庁

Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.例文帳に追加

前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁

In the case of forming the fluoride optical thin film on the quartz substrate by the reactive DC magnetron sputtering, especially a 1st layer of a multilayer optical thin film is formed by a filming process with priority given to adhesiveness rather than to absorbong characteristics.例文帳に追加

本発明は、反応性ＤＣマグネトロンスパッタにおいて、フッ化物光学薄膜を石英基板に成膜する際、多層光学薄膜の特に第１層目の成膜プロセスを、膜の吸収特性よりも密着性を優先したものとして成膜を行うことを特徴とする。 - 特許庁