「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(114ページ目) - Weblio英語例文検索

The antistatic packing material 1 is characterized by that it comprises a base material sheet 2 having resiliency or flexibility and a sputter layer 3 having conductivity formed by sputtering metal, an alloy or metallic oxide on a front face 21 of the base material sheet 2.例文帳に追加

弾力性又は柔軟性を有する基材シート２と，基材シート２の表側面２１に金属，合金，又は金属酸化物をスパッタリングすることにより形成した導電性を有するスパッタ層３とからなることを特徴とする帯電防止パッキン材１。 - 特許庁

The method of depositing a silicon oxide film using a sputtering sets a substrate on which a target material and a silicon oxide film are deposited in a chamber for forming a gas plasma state and uses introduction gas containing ozone gas as gas which is introduced into the chamber.例文帳に追加

ガスプラズマ状態を形成するチャンバー内にターゲット材料とシリコン酸化膜を堆積する基板を設置し、該チャンバーに導入するガスとしてオゾンガスを含む導入ガスを用いることを特徴とするスパッタによるシリコン酸化膜の堆積方法である。 - 特許庁

To provide a Co-Fe-based alloy for a soft magnetic film which is used for a vertical magnetic recording medium and the like, keeps its soft magnetic characteristics high, further is superior in weatherability and is an amorphous film, and to provide a sputtering target material of the Co-Fe-based alloy for forming the soft magnetic film.例文帳に追加

軟磁気特性を高く維持した上で、耐候性に優れた非晶質膜である垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金および軟磁性膜形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

A coil is conductively coupled with the metallic plate at a connecting position configured to generate such a peak-to-peak voltage that optimally reduces the sputtering of the internal surface of the window and substantially simultaneously prevents deposition of by-products of etching on the internal surface of the window.例文帳に追加

コイルは、窓の内面がスパッタリングされるのを最適に低減し、それと実質同時に、窓の内面上にエッチング副産物が堆積されるの防ぐような、ピークトゥピーク電圧を生成するように構成された接続位置において、金属板に導電結合される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pure copper plate which has a fine crystal structure and has suitable hardness, and imparts a high special grain boundary length ratio, and a pure copper plate for a target for sputtering, an anode for plating or the like, produced by the manufacturing method.例文帳に追加

微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。 - 特許庁

In the sputtering apparatus, a plurality of grounded electroconductive rods are arranged so as to be diagonal to the direction to the bottom side from the top side of the target and the substrate to be treated, respectively, and the electroconductive rods become shorter than a width from the top side to the bottom side of the target and the both ends of the electroconductive rods are fixed.例文帳に追加

接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。 - 特許庁

The power supply comprises a power source configured to bias the target with a sputtering voltage relative to the substrate support and configured to bias the target with a reverse voltage about 10 or more times for a period of about one second after an arc is detected inside the physical vapor deposition chamber.例文帳に追加

基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約１秒間に約１０回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。 - 特許庁

This sputtering target includes a matrix mainly made of silica, and bismuth oxide particles dispersed in the matrix, where the average particle diameter of the bismuth oxide particles is set at 3-7 μm, and the molar fraction of silica to the total of silica and bismuth oxide is set at 40-70%.例文帳に追加

シリカを主成分とするマトリクス、及び、マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備えたスパッタリングターゲットで、酸化ビスマス粒子の平均粒径が３〜７μｍとし、シリカと、酸化ビスマスと、の合計に対するシリカのモル分率が、４０〜７０％とする。 - 特許庁

To provide a new gallium oxide powder capable of most densely filling the powder than a conventional one when the powder is subjected to compression molding by mixing with other powder, for example indium oxide powder, so as to be suitable as a raw material for a sputtering target such as IGZO.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体、例えば酸化インジウム粉末などと混合して圧縮成形した際に、従来よりも最密に充填することができる、新たな酸化ガリウム粉末を提供せんとする。 - 特許庁

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for reducing generation of an insulating property defect by preventing a foreign substance from mixing into a film in forming an insulating layer without degrading an insulating property of the insulating layer nor impairing productivity, in sputtering by an insulator target formed of a plurality of oxides.例文帳に追加

複数酸化物からなる絶縁体ターゲットによるスパッタにおいて、絶縁層の絶縁性の低下や生産性を損なうことなく、絶縁層成膜時の膜中への異物混入を防止し、絶縁性不良の発生を低減しうる方法を提供する。 - 特許庁

To prevent destruction of a mother substrate due to expansion of air in the mother substrate when sputtering an ITO film on a surface of the mother substrate after forming a plurality of liquid crystal cells on the mother substrate in a method for manufacturing an IPS liquid crystal display device.例文帳に追加

ＩＰＳ方式の液晶表示装置の製造方法において、マザー基板に複数の液晶セルを形成した後、マザー基板の表面にＩＴＯ膜をスパッタリングするときに、マザー基板内部の空気が膨張してマザー基板が破壊することを防止する。 - 特許庁

A TiN film is formed through a PVD method where a Ti reactive sputtering is carried out in a nitrogen atmosphere, and the TiN film is high in density and impurity to protect the TiN-type layer 102 of lower density against fluorine contamination while a W metal layer is deposited through a CVD method.例文帳に追加

窒素雰囲気内でのＴｉ反応性スパッタリングによって作られたＰＶＤによるＴｉＮ被膜は、高い密度及び純度を持ち、ＣＶＤによるタングステン・デポジッションの間、弗素汚染に対して密度が一層低いＴｉＮ形層を保護する。 - 特許庁

The magnetron sputtering source is adjusted such that, when the plasma channel 8 moves over the surface region of the target 4, the entire duration of exposure of the surface region to the plasma is reduced by an increase in the relative velocity v between the magnet arrangement 7 and the target 4.例文帳に追加

プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 - 特許庁

To inhibit formation of particles by inhibiting occurrence of abnormal discharge in a vacuum chamber in a sputtering apparatus, to improve a manufacturing yield of a product formed on a semiconductor wafer, and to increase an operating efficiency of an apparatus by improving consumption efficiency of a target.例文帳に追加

スパッタ装置において、真空室内での異常放電の発生を抑制してパーティクルの発生を無くし、半導体ウエハ上に形成される製品の製造歩留りの向上を図り、かつターゲットの消費効率を向上させて装置の稼働率向上を図る。 - 特許庁

When the target 1 is evaporated and worn due to the sputtering, the target or the permanent magnets 3 are mounted while changing their relative positions, and thus an area to be evaporated and worn of the target 1 is changed to prolong the service time of a solid evaporation raw material.例文帳に追加

スパッタリングに伴ってターゲット１蒸発減耗すると、ターゲットまたは永久磁石３を、それらの相対位置を変えて取り付けることにより、ターゲット１の蒸発減耗する領域を変更して、固体蒸発原料の使用時間を延長する。 - 特許庁

This sputtering apparatus tilts a sheet-shaped plasma 12 in an early stage in which the plasma is deformed by a pair of bar magnets 11A and 11B, while considering a transport center P1 as the axis, and makes the sheet-shaped plasma 12 to be parallel to a target 14 and others, at a position corresponding to the target 14 and the others.例文帳に追加

対の棒磁石１１Ａ、１１Ｂで変形初期のシート状プラズマ１２を、輸送中心Ｐ１を軸として傾け、ターゲット１４等に対応する位置でのシート状プラズマ１２が当該ターゲット１４等と平行状態となるようにする。 - 特許庁

The negative inorganic resist material is obtained by using an argon-oxygen mixed gas having a flow ratio of 75:25 as a film-deposition gas when film-depositing an inorganic resist material composed of oxides of transition metals e.g. tungsten W and molybdenum Mo by sputtering.例文帳に追加

遷移金属、例えばタングステンＷならびにモリブデンＭｏの酸化物からなる無機レジスト材料において、同レジスト材料のスパッタ成膜時の成膜ガスを流量比７５：２５のアルゴン・酸素混合ガスとすることにより、ネガ型の無機レジスト材料を得る。 - 特許庁

In this production method of the substrate for the optical disk, a barrier layer is formed on the surface of a glass substrate by a sputtering method using plasma generated by applying an alternating voltage having a pulse waveform to a pair of electrodes arranged while facing each other.例文帳に追加

相互に対向状に配設された一対の電極にパルス波形を有する交番電圧を印加して発生させたプラスマを用いたスパッタリング法によってガラス基板表面にバリアー層を形成することを特徴とする光ディスク用基板の製造方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a group III nitride compound semiconductor, having a simple structure and capable of easily controlling the density of a dopant element in crystals of a group III nitride compound semiconductor at an optimum value, and efficiently forming films by using a sputtering method.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素の濃度を容易に最適値に制御でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができる、構成の簡便なＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a uniform film exhibiting good step coverage can be deposited by forming the carbon layer 5 for reducing a reverse bias current by sputtering, and since an upper heterojunction layer (mixture layer 3) can be formed easily, the diode can be formed stably.例文帳に追加

さらに、逆バイアス電流低減のためのカーボン層５をスパッタリング法によって形成することでステップカバレッジの良い均一な膜を形成することができ、上部へのヘテロ接合層（混合層３）の形成が容易になることから安定したダイオード形成が可能になる。 - 特許庁

To provide a copper alloy sputtering target which can form a stable and uniform seed layer free of flocculation particularly in copper electroplating on a wiring material of a semiconductor element and has an excellent sputter deposition characteristic and semiconductor element wiring formed by using the target.例文帳に追加

半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。 - 特許庁

The sputtering target includes: a target material; a backing plate; at least one shock absorbing plate installed between the target material and the backing plate; and a bonding material integrally bonding the target material, the backing plate and the shock absorbing plate.例文帳に追加

ターゲット材と、バッキングプレートと、前記ターゲット材と前記バッキングプレートとの間に設置された少なくとも１枚の緩衝板と、前記ターゲット材、バッキングプレートおよび緩衝板を一体的に接合するボンディング材とを有してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A copper alloy film 106 made of Cu-Sn alloy, Cu-Mg alloy, or Cu-Zr alloy is deposited on the TiN/Ti film 105 by the sputtering method, and a copper film 107 is deposited on the copper alloy film 106 by the CVD method or the plating method.例文帳に追加

ＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５の上にスパッタ法により、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金又はＣｕ−Ｚｒ合金からなる銅合金膜１０６を堆積した後、該銅合金膜１０６の上にＣＶＤ法又はメッキ法により銅膜１０７を堆積する。 - 特許庁

The graphite layer 3 is formed like a sheet by pressing the expanding graphite with the roller, and the dissipation layer 5 is formed as a silica layer with a thickness of approximately 100 nm by sputtering the silica on the surface of the graphite layer 3 in the oxygen ambient atmosphere.例文帳に追加

グラファイト層３は、膨張黒鉛をローラでプレス圧延することによりシート状に形成され、放熱層５は、グラファイト層３の表面に酸素雰囲気中でケイ素をスパッタリングすることにより、厚さ約１００ｎｍの二酸化ケイ素の層として形成されている。 - 特許庁

An oxide semiconductor film serving as a channel formation region of a transistor is formed by a sputtering method over 200°C, whereby the number of water molecules desorbed from the oxide semiconductor film can be 0.5 molecules/nm^3 or less according to temperature-programmed desorption analysis.例文帳に追加

トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。 - 特許庁

The indium oxide sputtering gate for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.8-10×10^-3Ω-cm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains an insulating oxide.例文帳に追加

抵抗率が０．８〜１０×１０^-3Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the target member 1 for sputtering includes the steps of: making the projecting part 2A of the target 2 to be sputtered having the projecting part 2A engage with the recessed part of the retaining member 3 for the target 2 having the recessed part 3A; and making the target 2 pressure-contact the retaining member.例文帳に追加

このスパッタリング用ターゲット部材１の製造法は、凸部２Ａを有するスパッタリング用のターゲット２の凸部２Ａを、凹部３Ａを有するターゲット２の保持部材３の凹部に嵌合させる工程と、ターゲット２を保持部材と圧接させる工程と、を有している。 - 特許庁

To provide a ZnO-based target with which a ZnO-based thin film having a thin film thickness (200 nm or less) and a low resistivity is obtained through a stable DC sputtering, and to provide a ZnO-based transparent conductive film having a low resistance, which is formed by using the same.例文帳に追加

薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。 - 特許庁

The space between a metallic target T and a substrate W in a reaction chamber 10 is separated into a plasma space S1 and a reaction space S2 by a cored partition board 15, then, the plasma space S1 is fed with sputtering gas, and the reaction space S2 is fed with gaseous fluorine as reaction gas, respectively.例文帳に追加

反応室１０の金属ターゲットＴと基板Ｗの間の空間を有孔仕切板１５によってプラズマ空間Ｓ_1 と反応空間Ｓ_2 に分離し、プラズマ空間Ｓ_1 にスパッタガスを、反応空間Ｓ_2 に反応ガスとしてフッ素ガスをそれぞれ供給する。 - 特許庁

The SnO_2-based sputtering target is formed of a sintered compact which includes more than 10 ppm but less than 1 mass% of Sb_2O_3, 20 mass% or less in total of Ta_2O_5 and/or Nb_2O_5, and the balance SnO_2 with unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明のＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットは、１０ｐｐｍを越え１質量％未満のＳｂ_２Ｏ_３と、合計質量が２０質量％以下であるＴａ_２Ｏ_５および／またはＮｂ_２Ｏ_５と、残部としてのＳｎＯ_２および不可避不純物とからなる焼結体からなる。 - 特許庁

In this mold 1, an alumina layer 3 using sputtering is formed on an Al_2O_3-TiC substrate 2 or an alumina substrate 2; a tantalum layer 5 is formed on the polished surface of the alumina layer 3; and a required mold pattern is formed on the surface of the tantalum layer 5.例文帳に追加

本発明に係る金型１は、アルチック基板２またはアルミナ基板２上にスパッタによるアルミナ層３が形成され、アルミナ層３の研磨表面にタンタル層５が形成され、このタンタル層５の表面に所用の金型パターンが形成された構成とする。 - 特許庁

In the ITO sputtering target consisting essentially of indium, tin and oxygen, the surface roughness (Ra) at the surface to be sputtered of the target is regulated to ≤0.1 μm and also the brittle fracture region per unit area is regulated to ≤10%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、前記ターゲットの被スパッタリング面における表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下でかつ単位面積当たりの脆性破壊領域が１０％以下であるＩＴＯスパッタリングターゲット - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: attaching the substrate (for instance, an optical lens and a transparent substrate for a display unit) to be film-formed by sputtering on the outer surface of a drum 2; reducing a pressure inside a chamber 1 to a predetermined vacuum degree; and operating a film-forming section 4 while rotating the drum 2.例文帳に追加

スパッタリングにより薄膜を形成すべき基材（例えば光学レンズや、ディスプレイ用透明基板など）をドラム２の外周面に取り付け、チャンバ１内を所定の真空度に減圧し、ドラム２を回転させながら成膜部４を作動させる。 - 特許庁

The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.例文帳に追加

保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁

A via hole 121a is formed by a first process to form an aperture to an insulating resin film 122 by the irradiation of a laser, a second process to form the aperture to the insulating resin film 122 by dry etching, and a third process to conduct inverse sputtering.例文帳に追加

ビアホール１２１ａは、レーザを照射して絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第一の工程と、ドライエッチングにより絶縁樹脂膜１２２に開口を形成する第二の工程と、プラズマ雰囲気下で、逆スパッタリングを行う第三の工程とにより形成される。 - 特許庁

To provide a target exchange timing judging method capable of judging an exchange timing with excellent accuracy even when a plurality of sputtering of different conditions is achieved and reducing the cost, and a computer-readable recording medium with its program recorded therein.例文帳に追加

条件が相違する複数のスパッタリングを行う場合であっても高い精度で交換時期を判定することができ、コストを低減することができるターゲット交換時期判定方法及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an amorphous transparent conductive thin film having small resistivity, a low absolute value of internal stress in the film and high light transmission in the visible region, and an oxide sintered compact for producing the transparent conductive thin film, and a sputtering target obtained therefrom.例文帳に追加

比抵抗が小さく、膜の内部応力の絶対値が低く、可視光領域の透過率が高い非晶質の透明導電性薄膜、および、該透明導電性薄膜を製造するための酸化物焼結体と、それから得られるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The ECR (electron cyclotron resonance) sputtering system 100 is provided with: a plasma generation chamber 10 for generating ECR plasma on an irradiation magnetic field space; and a treatment chamber 20 storing a target 21 sputtered by ions in the ECR plasma and a substrate holder 22 for holding a substrate S.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタリング装置１００は、発散磁場空間にＥＣＲプラズマを生成させるプラズマ生成室１０と、ＥＣＲプラズマ中のイオンによりスパッタされるターゲット２１と基板Ｓを保持する基板ホルダー２２とを収納する処理室２０とを備える。 - 特許庁

After a gate electrode 28 is formed by vacuum deposition or sputtering on a supporting substrate 26, an i-type amorphous silicon film 30 is deposited by thermal CVD of 650°C of silane and in this stage, the structure body is immersed in high pressure water of 110°C for 15 hours.例文帳に追加

支持基板２６の上に真空蒸着あるいはスパッタ法によりゲート電極２８を形成した後、シランの６５０℃の熱ＣＶＤによりｉ型アモルファスシリコン膜３０を堆積し、この段階でこの構造体を１１０℃の高圧水に１５時間浸漬する。 - 特許庁

The upper electrode 15 of the nonlinear resistance element 16 is formed by sputtering into a second metal film of the same kind as a first metal film as the lower electrode 13, on an insulating film 14 formed by anodically oxidizing the surface of the first metal film, and then patterned by wet etching.例文帳に追加

非線形抵抗素子１６の上部電極１５は、下部電極１３となる第１の金属膜の表面を陽極酸化して形成する絶縁膜１４の上に同種の第２の金属膜をスパッタリング法で形成し、ウエットエッチング法でパターニングして形成する。 - 特許庁

The single cell for the solid oxide fuel battery made by pinching an electrolyte layer by a fuel electrode layer and an air electrode layer, and with the electrolyte layer coated on a base plate equipped in a gap between itself and the fuel electrode layer or the air electrode layer by a sputtering method.例文帳に追加

電解質層を燃料極層及び空気極層で挟持して成り、電解質層が電解質層と燃料極層又は空気極層との間隙に設けた基板部にスパッタ法を用いて被覆されて成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming an alignment layer, by which an alignment layer for a liquid crystal can be formed in a single step of simultaneously carrying out a film forming step and an aligning step by using an ion beam sputtering method and the size of a substrate is not much limited.例文帳に追加

イオンビームスパッタリング法を用い、製膜工程と配向工程とを同時に行う単一の工程で液晶用配向膜を形成することが可能で、かつ、基板のサイズが大きく制限されない配向膜形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.例文帳に追加

しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層７を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層７を形成することができる。 - 特許庁