「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁

There are provided a process where a lower electrode 3 of a capacitor is formed above a semiconductor substrate 1, a process where a ferroelectrics film 4 is formed on the lower electrode 3, and a process where an upper electrode 5 is formed on the ferroelectrics film 4 by sputtering using DC pulse discharge.例文帳に追加

半導体基板１の上方にキャパシタの下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に強誘電体膜４を形成する工程と、ＤＣパルス放電のスパッタにより上部電極５を強誘電体膜４の上に形成する工程とを含む。 - 特許庁

To reutilize a target material and a backing plate in a sputtering target assembled body in which the target material and the backing plate are firmly joined via an inert material by solid phase diffusion joining, by separating the target material and the backing plate by a simple and secure method.例文帳に追加

ターゲット材２とバッキングプレート３とがインサート材４を介して固相拡散接合により強固に接合されてなるスパッタリングターゲット組立体１において簡便且つ確実な方法にてターゲット材２とバッキングプレート３とを分離することにより、ターゲット材２とバッキングプレート３とを再利用する。 - 特許庁

This electronic circuit board 10 has an insulation board 1 and a circuit wiring 6 comprising a plurality of thin film foundation layers 2 and 3 made of different metals and formed on the insulation board 1 by sputtering, and a conductive layer 5 formed on the foundation layer 3 by plating.例文帳に追加

本発明の電子回路基板１０は、絶縁基板１上にスパッタによる異なる金属の複数の薄膜下地導電層２、３と、その薄膜下地導電層３の上にメッキによる導電層５が被着、積層された構造の回路配線６が形成されている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of hard carbon containing at least carbon and hydrogen, on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing carbon as a target.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、少なくとも炭素と水素を含む硬質炭素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、炭素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with a method of supplying high-frequency power for biasing to an electrode of a mounting table to mount a workpiece, capable of suppressing vibration of plasma potential, generating stable plasma, and preventing contamination from occurring due to sputtering of metal counter electrodes.例文帳に追加

被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a sputtering process for forming a metal coating film on a surface of a polyimide film and an electroplating process for forming a metal conductor on the acquired metal coating film by using a continuous plating device, and satisfies following requirements of (1) and (2).例文帳に追加

ポリイミドフィルムの表面に金属被膜を形成するスパッタリング工程、及び得られた金属被膜上に、連続めっき装置を用いて、金属導電体を形成する電気めっき工程を含む製造方法であって、 下記の（１）及び（２）の要件を満足することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a fine particle low valence niobium oxide composition which is suitable for producing a low valence niobium oxide-doped zinc oxide target not generating abnormal discharge at the sputtering time, and to provide a production method capable of producing the fine particle low valence niobium oxide composition extremely inexpensively.例文帳に追加

スパッタ時に異常放電が発生することがない低原子価酸化ニオブドープ酸化亜鉛ターゲットを作製するのに好適な微粒子低原子価酸化ニオブ組成物、および該微粒子低原子価酸化ニオブ組成物を極めて安価に作製することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

In the sputtering target for depositing the optical recording medium protective film consisting of the composite of zinc sulfide and silicate, the total of at least one or more kinds selected from halides and halogen elements contained in the target is ≤30 ppm expressed in terms of halogen element.例文帳に追加

硫化亜鉛とケイ酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲットにおいて、該ターゲットに含まれるハロゲン化物又はハロゲン元素の少なくとも１種類以上の総量が、ハロゲン元素換算で３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a resistor by which high dimensional accuracy can be achieved for end-face electrodes with a small size by suppressing the displacement of a mask disposed on the underside of a sheet insulating substrate when forming the end-face electrodes by sputtering.例文帳に追加

本発明は、スパッタ工法により端面電極を形成する場合、シート状の絶縁基板の裏面に設置されるマスクの位置ずれを抑制することができ、これにより、微小サイズでの端面電極の寸法精度が優れている抵抗器の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash discharge lamp that causes little sputtering for the emitter material when producing electrodes and using the lamp, and that can withstand such high operating voltage and extremely frequent discharges as about, 1500 V and 2 million shots by consolidating fixation of electrodes and electrode mandrels.例文帳に追加

電極と電極芯棒の固定を強固なものとし、電極製造時およびランプ使用時にエミッタ材料の飛散が少なく、使用電圧約１５００Ｖで２００万ショットというような、高電圧で極多回数の放電にも耐えうる閃光放電ランプを提供すること。 - 特許庁

Further, the surface states of the tin oxide thin membranes which can be changed by the membrane forming conditions of the sputtering unit is the membrane stress variable thin membranes formed to the state on the way of the crystal growth or the state that the crystals after the growth draw each other.例文帳に追加

また、スパッタ装置の成膜条件により変化させることができる酸化スズ薄膜の表面状態を、結晶成長途中の状態もしくは結晶成長後の結晶同士が相互に引き合う状態とするように形成した膜応力可変薄膜であること。 - 特許庁

The sputtering target for optical disk protective film is constituted of a sintered compact composed essentially of powder prepared by coating one or more ceramic powders selected from those of oxide, nitride, carbide, boride, sulfide and silicide with metal or alloy or mixing this metal or alloy on the above one or more ceramic powders.例文帳に追加

酸化物、窒化物、炭化物、ほう化物、硫化物、けい化物から選択した少なくも１以上のセラミックス粉末に金属又は合金をコーティング又は混合した粉末を主成分とする焼結体からなることを特徴とする光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell containing Cu, at least one kind of element selected from a group of In, Ga, and Al, and Se includes a step for depositing an In-Cu alloy film by sputtering.例文帳に追加

Ｃｕと；Ｉｎ、Ｇａ、およびＡｌよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ｓｅを含む化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法であって、スパッタリングによってＩｎ−Ｃｕ合金膜を成膜する工程を含むところに特徴がある。 - 特許庁

To provide a sputtering device and a thin film forming method, wherein a multilayer film having a clean interface can be formed at a substrate temperature optimal for each film quality, and a predetermined surface treatment can be continuously carried out on a deposited film surface.例文帳に追加

本発明は、清浄な界面を有する多層膜をぞれぞれの膜質に最適な基板温度で形成することができ、また、堆積した膜表面に所定の表面処理を連続的に施すことができるスパッタリング装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sheet capacitor includes: an etched aluminum foil 1 with an enlarged surface area; an acrylic-based polymer dielectric material consisting of an acrylic-based polymer electrodeposited on the top face of the etched aluminum foil; and an opposite electrode formed on the acrylic-based polymer dielectric material by the sputtering method or ion plating method.例文帳に追加

表面積を拡大させたエッチドアルミニウム箔１と、該エッチドアルミニウム箔の表面に、アクリル系ポリマーを電着形成してなるアクリル系ポリマー誘電体と、前記アクリル系ポリマー誘電体上にスパッタリング法またはイオンプレーティング法により形成した対向電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The production method for the tantalum sputtering target includes forging and recrystallization-annealing a tantalum ingot or a billet obtained by melting and casting, and rolling it to form a crystal structure in which an orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of a target thickness.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造及び再結晶焼鈍した後圧延し、ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を形成するタンタルスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

To provide paint for protection of electrodes, used for forming a paint film for protection on electrodes of a fluorescent lamp, excellent in adhesion to the electrodes as well as mechanical strength, and providing the electrodes with sputtering resistance for a long period of time, and also to provide a paint film using the above paint.例文帳に追加

蛍光ランプの電極に保護用の塗膜を形成するために用いられ、電極に対する密着性および機械的強度に優れ、長期に渡って電極に耐スパッタリング性を付与することができる電極保護用の塗料およびそれを用いた塗膜を提供する。 - 特許庁

In addition, a manufacturing method of this sputtering target has a step in which a mixed powder of at least one of SbPt alloy powder and SnPt alloy powder, FePt alloy powder, Pt powder, and graphite powder or carbon black powder is hot-pressed in a vacuum or inert gas atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＳｂＰｔ合金粉およびＳｎＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

Each of the low reflecting films or the transparent conductive film is obtained by generating ECR plasma on the side opposed to the plastic material W of a magnetron cathode and on the side opposed to the magnetron cathode of the plastic material W and performing sputtering in a high density low temperature plasma atmosphere.例文帳に追加

この低反射膜または透明導電膜は、マグネトロンカソードのプラスチック材Ｗと対向する側と、プラスチック材Ｗのマグネトロンカソードと対向する側の夫々にＥＣＲプラズマを発生せしめ、高密度で低温のプラズマ雰囲気でスパッタリングすることで得られる。 - 特許庁

A recording region 10a of a disk substrate 11 is sputtered while a shielding member 50A whose shape is formed based on film thickness distribution of the thin film to be formed on the disk substrate is disposed between the disk substrate 11 which is rotated and a sputtering target 25.例文帳に追加

回転するディスク基板１１とスパッタターゲット２５との間に、ディスク基板に形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいてその形状が形成された遮蔽部材５０Ａを配置した状態で、ディスク基板１１の記録領域１０ａに対するスパッタリングを行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the electrically conductive titanium dioxide (TiO_2) sputtering target with an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, comprises mixing starting materials consisting of titanium dioxide with a doping agent or a mixture of doping agents, cold compacting it, and subsequently sintering it.例文帳に追加

５Ωｃｍ未満の比電気抵抗を有する二酸化チタン（ＴｉＯ_２）からなる導電性スパッタターゲットを製造する方法の場合に、二酸化チタンからなる出発物質をドーピング剤またはドーピング剤混合物と混合し、その後に冷間圧縮し、引続き焼結させる。 - 特許庁

The base material for immobilizing the biological substance can be manufactured by the steps of forming the sputtered SiO_2 film by sputtering SiO_2 on the surface of the glass base material containing the alkaline component, and treating the surface of the sputtered SiO_2 film obtained with a silane-coupling agent.例文帳に追加

当該生体物質固定用基材は、アルカリ成分を含有するガラス基材の表面にＳｉＯ_2をスパッタリングして、ＳｉＯ_2スパッタ膜を形成する工程、および得られたＳｉＯ_2スパッタ膜の表面をシランカップリング剤で処理する工程を実施して製造することができる。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

After that, a via hole reaching the tantalum nitride film is formed by wet etching on the second interlayer dielectric formed on the first interlayer dielectric, a metal film is deposited by second sputtering to form the metal film in the via hole, and a via connected to the tantalum nitride film is formed.例文帳に追加

その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp which has excellent sputtering-resistant characteristics, even when tube current of high current is applied and can restrain formation of amalgams and has small environmental load, can easily manufacture at low cost and has an electrode with a long service life at a practical level.例文帳に追加

高電流の管電流が印加された場合でも耐スパッタリング性に優れた電極を備え、アマルガムの形成を抑制し、環境負荷が小さく、容易に安価に製造することができ、長寿命の実用レベルの電極を有する冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

This medium is a magneto-optical recording medium 10 in which at least a dielectric layer 2 and a magnetic layer 11 consisting of a perpendicular magnetic recording film are formed on a light transmittable substrate 1, the magnetic layer 11 is formed by sputtering using Kr gas as process gas.例文帳に追加

光透過性の基板１上に、少なくとも誘電体層２、垂直磁気記録膜よりなる磁性層１１が形成されてなる光磁気記録媒体１０であって、その磁性層１１を、プロセスガスとしてＫｒガスを用いてスパッタリングにより形成される構成とする。 - 特許庁

To suppress unevenness in the thickness of a metal wiring film thickness constituted by laminating a substrate film prepared by sputtering and an Au plating layer formed by a low temperature film forming process on the substrate film on the surface of a sealing substrate to form connection with a driving circuit for driving an actuator substrate in a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

液滴吐出ヘッドにおいて、アクチュエータ基板を駆動する駆動回路と接続するために封止基板表面に、スパッタによる下地膜と、その上に低温成膜プロセスであるＡｕめっきを重ねて構成される金属配線の膜厚ムラの発生を抑制する。 - 特許庁

In the ITO sputtering target constituted by joining an ITO sintered compact to a backing plate by a bonding agent, at least one among planes connecting the surface to be sputtered of the ITO sintered compact to a joining surface intersects the joining surface at an angle of >90° with respect to the joining surface.例文帳に追加

ＩＴＯ焼結体を、バッキングプレートに接合剤により接合してなるＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて、ＩＴＯ焼結体の被スパッタリング面と接合面とを連結している面の少なくとも一つが、接合面に対して９０度を超える角度をなして交差している。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic component comprises an electrode film forming process for forming the electrode film consisting of the α phase tungsten on a substrate at the substrate temperature of 100-300°C by a sputtering method; a process for working the electrode film into a desired shape; and a process for heat-treating the electrode film.例文帳に追加

基板上に、α相タングステンからなる電極膜を１００〜３００℃の基板温度でスパッタリング法により形成する電極膜形成工程と、該電極膜を所望の形状に加工する工程と、電極膜を熱処理する工程とを備える、電子部品の製造方法。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide an original plate of a ceramic printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an adhesion layer and a thick electric conductive layer of high density on a ceramic board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

セラミック基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により接着層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有するセラミック印刷回路基板の原板及びその原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a gas barrier type transparent thin film layer which has a refractive index smaller than the refractive index of the compound semiconductor element and larger than the refractive index of the light-transmissive sealing material is formed on the compound semiconductor element and electrode by using vacuum thin-film formation technique such as sputtering, CVD, etc.例文帳に追加

その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。 - 特許庁

To provide a plasma processor in which a sputtering of a porous shielding plate can be prevented even if a surface is not protected with quartz and the like while a microwave field and electrically charged particles are shielded and a stable processing by activated neutral particles is performed, and to provide a plasma processing method.例文帳に追加

マイクロ波電界及び荷電粒子を遮蔽して活性化された中性粒子による安定した処理を行いつつ、石英等で表面を保護しなくても多孔遮蔽板のスパッタを防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

By the above, as the complex body with a regulated relation between the sputtering resistant property and the electron emission property is adopted, and the second layer is made to serve as the main discharging surface, the discharge electrode hardly exfoliates and scatters compared with an emitter sintered on a base body.例文帳に追加

上記より、２層間の耐スパッタリング性能と電子放射性能の関係が規定された複合体を放電電極に採用し、第２の層を主な放電面とするから、その構成上、基体に焼結定着したエミッタに比べて剥離や飛散しがたい放電電極となる。 - 特許庁

The solar cell 10 is formed of a transparent polymer base material 1, a transparent conductive film 2 provided on this polymer base material 1, a p-type layer 3 and an n-type layer 4 formed on the transparent conductive film 2 with the sputtering, and a metal electrode 5 provided on this n-type layer 4.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明な高分子基材１と、この高分子基材１上に設けられた透明導電膜２と、この透明導電膜２上にスパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、このｎ層４上に設けられた金属電極５とからなる。 - 特許庁

The laser beam processing head opposed to the work of an object to be processed at the distal end of a laser beam processing apparatus comprises: a laser processing nozzle for emitting a laser from the head toward the work; an assistant gas supply port for injecting an assistant gas; and a sputtering adhesion preventing nozzle to be supplied with a fluid.例文帳に追加

レーザ加工装置の先端部に具備されていて加工対象であるワークに対面するレーザ加工ヘッドは、レーザがそこから前記ワークに向かって発射されるレーザ加工ノズルと、アシストガスが噴射されるアシストガス供給口と、流体が供給されるスパッタ付着防止ノズルとを具備する。 - 特許庁

Then, sputtering is performed to the side end face of the strip-like divided piece 34 exposed in the dividing process, an end face electrode 26 is formed on the side end face and also a side part end face electrode 27 is formed on the inner wall surface of the bisected slit 33 facing the side end face.例文帳に追加

そして、この分割工程で露出する短冊状分割片３４の側端面に対してスパッタリングを行って、該側端面に端面電極２６を形成すると共に、該側端面に臨出する二分割されたスリット３３の内壁面に側部端面電極２７を形成する。 - 特許庁

To efficiently produce a net which can be used for a bird control net, an insect control net or for the other purposes, and in which at least one side is provided with a vapor deposition film composed of a metal, an alloy, a metallic compound or the like by physical deposition such as sputtering without wasting the film material.例文帳に追加

防鳥ネットまたは防虫ネットその他の目的に使用可能なネットであって、少なくとも片面に金属や合金、金属化合物等からなる蒸着膜を備えたネットを、スパッタリング等の物理蒸着により、被膜材料の無駄がなく、効率的に生産できるようにする。 - 特許庁

The sputtering target 1 comprises a body 1A formed of MgF_2 in a disk shape of 100 mm in diameter and 3 mm in thickness, and projecting parts 1B projected in a columnar shape of 3 mm in height and 2 mm in diameter outwardly in the axial direction from the surface of the body 1A.例文帳に追加

スパッタリングターゲット１は、例えば、直径１００ｍｍ、厚さ３ｍｍの円盤状でＭｇＦ_２からなる本体１Ａと、本体１Ａの表面から軸方向外方に高さ３ｍｍ、直径２ｍｍの円柱状に突出して形成された凸部１Ｂとを備えている。 - 特許庁

This glass is formed by depositing a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate is not subjected to bending and/or tempering after the deposition.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁

Thereafter, on the surfaces of a metal support substrate 2, a base insulating layer 3 and the conductor pattern 4, a semiconductive layer 5 composed of an oxidized metal is formed by sputtering from the upper part in the thickness direction of the conductor pattern 4 so as to form a cut 10 at the side etching part 9.例文帳に追加

その後、金属支持基板２の表面、ベース絶縁層３の表面および導体パターン４の表面に、導体パターン４の厚み方向上方からのスパッタリングにより、酸化金属からなる半導電性層５を、サイドエッチング部分９に切り目１０が形成されるように、形成する。 - 特許庁

The substrate for growing a GaN-based crystal is obtained by depositing a mask layer 2 comprising a compound material (especially, a nitride of silicon) on which the GaN-based crystal does not grow substantially by reactive sputtering and then fabricating a necessary pattern.例文帳に追加

ＧａＮ系結晶が成長可能な結晶基板１の該基板面に、ＧａＮ系結晶が実質的に成長し得ない化合物材料（特に、シリコン窒化物）からなるマスク層２を反応性スパッタリングによって成膜し、必要なパターンとしてＧａＮ系結晶成長用基板を得る。 - 特許庁

To provide a target for stably manufacturing a transparent electroconductive thin-film, of which the transmittance decreases very little in an infrared wavelength region, and which has an low resistance equal to that of a transparent electroconductive thin-film obtained by ITO based target, by a sputtering method with an adequate reproducibility.例文帳に追加

本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもＩＴＯ係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁