「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a copper alloy film which can attain resistance reduction in a process temperature region of a wiring film of a flat panel display apparatus or the like, can suppress a hillock and a void produced in a copper-based film and has heat resistance and to provide a sputtering target material for forming the copper alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

In this case, the ratio of the distance between the substrate S and the inner wall opposing to the substrate S in the chemical film deposition chamber 11b, to the distance between the substrate S and the target arranged opposed to the substrate S in the sputtering chamber 11a, is set to be within a range of 0.07 to 0.3.例文帳に追加

この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 - 特許庁

In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.例文帳に追加

基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy reflective film of which the reflective film surface reproduces a groove, a pit, etc. formed on a substrate with high accuracy so as to reduce the noise of the optical information recording medium and which has high reflectance, and to provide a sputtering target which is useful for forming such a reflective film.例文帳に追加

反射膜表面が基板に形成されたグルーブやピット等を精度よく再現して光情報記録媒体のノイズの低減を図れると共に、高い反射率を有するＡｌ基合金反射膜、およびこうした反射膜を形成するために有用なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.例文帳に追加

メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having a uniform thickness on an adhered substrate including a rotating elliptical body shape even when a film formation method wherein film formation particles come flying only in a specific direction like a film formation method by various kinds of deposition methods or sputtering methods is used.例文帳に追加

各種蒸着法やスパッタリング法による成膜方法のように特定方向からのみ成膜粒子が飛来する成膜方法を用いても、回転楕円体形状を含む被着体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できる薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a low permeability Fe-Co-based alloy target material having satisfactory sputtering properties, the target material being used for forming an amorphous or microcrystal soft magnetic film of an Fe-Co-based alloy for use in a perpendicular magnetic recording medium or the like.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ基合金の非晶質もしくは微結晶軟磁性膜を成膜するためのＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ基合金ターゲット材を提供する。 - 特許庁

The upper layer dielectric film 6 of the layered films composing the information signal layer 7 is successively deposited two times by using a fifth vacuum chamber and a sixth vacuum chamber in a sputtering system, and a first upper layer dielectric film 6a and a second upper layer dielectric film 6b.例文帳に追加

情報信号層７を構成する積層膜の上層誘電体膜６を、２回に分け、スパッタリング装置における第５の真空チャンバと第６の真空チャンバとを用いて、第１の上層誘電体膜６ａと第２の上層誘電体膜６ｂとを用いて順次成膜する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a target wherein, in a sputtering process of forming a transparent electrode film, a sintered body target hardly generating a nodule at high density is efficiently manufactured, thereby degradation of productivity and degradation of quality caused by the generation of a nodule are prevented, and contamination from fractured media can be neglected.例文帳に追加

透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染（コンタミ）を無視できるターゲットを提供する。 - 特許庁

Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: at least one of AuPt alloy powder and CuPt alloy powder; AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

To provide a recording layer for an optical information recording medium and the optical information recording medium in which signal quality is sufficiently high, and further which can obtain satisfactory recording characteristics to provide an optical information recording medium, and to provide a sputtering target for forming a recording layer of the optical information recording medium.例文帳に追加

信号品質が十分に高い上に、更に良好な記録特性を得ることができる光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体、ならびに光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus provided with anti-deposition plates for particularly preventing deposition of an insulator or the like to the wall surface of a vacuum vessel for ensuring formation of the film of a desired composition without inclusion of a foreign matter, and maintaining productivity by preventing change in the condition of plasma by aging.例文帳に追加

スパッタリング装置に係り、特にその真空容器の壁面に絶縁物などが付着することを防ぐ防着板を具備したスパッタリング装置に関するものであり、異物が混入しない所望の組成の成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In the process for depositing the Co containing oxide film, magnetron sputtering is performed by using of a metallic target where the magnetic flux density in the inner part is ≤0.2 T and the total content of Co and Fe is ≥80 atomic % to the whole metal when an external magnetic field is applied at 7.96 kA/m intensity.例文帳に追加

外部磁界を７．９６ｋＡ／ｍの強度で印加したときの内部の磁束密度が０．２Ｔ以下であり、ＣｏおよびＦｅの合計含有量が全金属に対して８０ａｔ％以上である金属ターゲットを用いて、マグネトロンスパッタリングを行うＣｏ含有酸化物膜の成膜方法。 - 特許庁

The sputtering target of a sintered compact consisting of Zn, S, Si, and O, is characterized in that the distribution of density in the sintered body is a predetermined value or less, in other words, an absolute value of difference of relative density between arbitrary two points in the sintered compact is 3% or less.例文帳に追加

Ｚｎ、Ｓ、Ｓｉ及びＯからなる焼結体であって、焼結体内の密度のばらつきを所定値以下とした焼結体、すなわち、焼結体の任意の２点における相対密度の差の絶対値が３％以内である焼結体を用いてスパッタリングターゲットを構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.例文帳に追加

Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling.例文帳に追加

ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus, which can form a film superior in film thickness distribution on a rectangular substrate with a smaller target than before, by improving uniformity of erosion over the whole surface of the rectangular target, and by realizing a magnetron cathode for efficiently utilizing a target.例文帳に追加

本発明は、矩形ターゲットの全面にわたりエロージョンの均一性を向上させ、ターゲット利用率の高いマグネトロンカソードを実現することにより、より小型のターゲットで矩形基板上に膜厚分布に優れた成膜が可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A laminated film consists of a film comprising a resin showing optical anisotropy at a time of melting and a sputtering film wherein a metal or a metal compd. is formed on the surface of the film and a TAB tape, a printed circuit board, a magnetic recording medium wallpaper or decorative paper is obtained from the laminated film.例文帳に追加

溶融時に光学的異方性を示す樹脂よりなるフィルム、および該フィルム表面に形成された金属または金属化合物のスパッタリング膜からなる積層フィルム、並びに、該積層フィルムからなるＴＡＢテープ、プリント回路基板、磁気記録媒体、壁紙または化粧紙。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which can further enhance coercive force Hc or a reverse magnetic domain nucleation magnetic field Hn considering influence of a magnetic field utilized in magnetron sputtering on film-deposition of the magnetic recording medium.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a BaAl_2S_4-based sputtering target containing thioaluminate as a component, which is used for manufacturing an inorganic electroluminescent device provided with a luminescent layer of high quality and high brightness by forming a uniform thin film having a narrow range of variation in luminescent properties, and further causes little cracking when machined or sputtered.例文帳に追加

発光特性のばらつきが小さい均一な薄膜の成膜により、高品質および高輝度の発光層を備える無機ＥＬ素子を製造可能とし、さらに、加工時やスパッタリング時に、割れが生じにくい、チオアルミネートを成分とするＢａＡｌ_2Ｓ_4系のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A plurality of work chambers (2A and 2B) having a first aperture (4) and a second aperture (5) are successively carried between a load lock space (3A) and a sputtering space (3B), a work (1) is taken in/taken out through the first aperture, and the vacuum destruction and exhaust are appropriately performed via the second aperture.例文帳に追加

第１の開口（４）と第２の開口（５）を有する複数のワークチャンバ（２Ａ、２Ｂ）をロードロックスペース（３Ａ）とスパッタ処理スペース（３Ｂ）との間で順次搬送し、第１の開口を介して被処理物（１）の出し入れを行い、第２の開口を介して真空破壊や排気を適宜行う。 - 特許庁

In the insulation film according to a CVD method, the pixel electrode 14 and common electrode 12 are short-circuited, while in the insulation film according to the sputtering method, hydrogen does not generate and the insulation film can be formed while keeping the substrate at a temperature less than 100°C, and hence metal does not diffuse and the short circuit does not occur.例文帳に追加

ＣＶＤ法による絶縁膜の場合は画素電極１４と共通電極１２の間が短絡してしまうが、スパッタリング法の場合、水素の発生が無く、また、基板を１００℃未満の温度にして絶縁膜を形成できるので、金属の拡散が無く、短絡が生じない。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The conductive layers include conductive materials, such as metals, metal oxides or carbon, formed on the film by a technique, such as vapor deposition or ion sputtering and the conductive resins, such as resins containing the conductive materials and conductive high polymers, formed as multilayers.例文帳に追加

また導電層としては、金属や金属酸化物あるいはカーボンなどの導電性材料を蒸着、イオンスパッタリングなどの手法によりフィルム上に形成したもの、導電性材料を含有する樹脂、導電性高分子などの導電性樹脂を多層化したものなどが挙げられる。 - 特許庁

Peeling of the electrode of a metal layer formed on a nickel silicide in the post-process is suppressed by forming a layer containing titanium and nickel on an SiC semiconductor, forming a nickel silicide layer containing titanium carbide by heating, and then removing a carbon layer deposited by reverse sputtering.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体上へチタン及びニッケルを含む層を形成して、加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させ、析出した炭素層を逆スパッタにより除去することにより、後工程でニッケルシリサイド上に形成される金属層の電極が剥離することを抑制する。 - 特許庁

The indium oxide sputtering gate for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.8-10×10^-3 Ω cm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains an insulating oxide.例文帳に追加

抵抗率が０．８〜１０×１０^−３Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 - 特許庁

This method and apparatus comprise discharging all electrodes simultaneously in a state in which each shutter closes a circuit between each of several sputtering electrodes and a substrate, and selectively opening only a shutter between a used target out of targets and the substrate, to form a thin film on the substrate.例文帳に追加

複数のスパッタリング電極のそれぞれと基板との間をそれぞれのシャッターにより閉じた状態で、電極の全てを同時に放電させ、ターゲットのうち使用するターゲットと基板との間のシャッターのみを選択的に開くことにより、基板上に薄膜が形成される。 - 特許庁

When the catalyst component is dispersed and deposited on the surface of the oxide, a solution containing the catalyst component or the precursor of the catalyst component is brought into contact with the oxide or the catalyst component is brought into contact with the oxide by any one method of sputtering, ion plating, and vacuum deposition.例文帳に追加

酸化物の表面に触媒成分を分散担持させるに際しては、触媒成分または触媒成分の前駆体を含む溶液を酸化物と接触させ、または、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着のいずれかにより触媒成分を酸化物と接触させている。 - 特許庁

To provide a multilayer antireflection film with single layer film properties of MgF2 capable of both side processing using only a sputtering method in the case of processing a lens which needs multilayer antireflection film properties at one side and single layer film properties of MgF2 at the other side.例文帳に追加

一方の片面が多層反射防止膜特性、他の片面がＭｇＦ２の単層膜特性を必要とするレンズを加工する場合、スパッタ法のみを用いて両面加工が可能な、ＭｇＦ２の単層膜特性を有する多層反射防止膜を提供することにある。 - 特許庁

The ions to be irradiated are generated in the argon-ion sputtering ion source 2 and the ions thus generated are pulled out of the ion source 2 by the pullout electrodes 3 and then passed through the magnetic field of the electromagnet 4 for mass separation so that only ions of the same mass are taken out.例文帳に追加

照射されるイオンは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２より発生させ、発生したイオンは引き出し電極３によりイオン源２から引き出され、その後質量分離用電磁石４の磁場を通過することにより、同一質量のイオンのみが取り出される。 - 特許庁

The material for forming wiring, sputtering target and wiring thin film have a composition containing 0.1 to 20 wt.% of at least one kind of element selected from chromium, tungsten, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium and platinum, and the balance molybdenum with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の配線形成用材料，スパッタリングターゲット及び配線薄膜はクロム，タングステン，コバルト，ロジウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム及び白金から選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重量％含有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a target capable of forming a magnetic layer which has superior electromagnetic conversion characteristics and can respond to higher recording density by miniaturizing magnetic grains to be formed and increasing a grain boundary width of the magnetic grains in forming a perpendicular magnetic layer having a granular structure by a sputtering method.例文帳に追加

グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。 - 特許庁

By setting the bias voltage applied to the silicon substrate side during sputtering to 0 V or ground potential, a change with the passage of time in the film stress of the Al alloy interconnection film can be reduced, and a change with the passage of time can be reduced in the output (offset) of the semiconductor device.例文帳に追加

このように、スパッタリング時のシリコン基板側に印加するバイアス電圧を０Ｖもしくは接地電位とすることにより、Ａｌ合金配線膜の膜応力の経時変化量を小さくすることができ、半導体装置の出力（オフセット）の経時変化を小さくすることができる。 - 特許庁

A baffle plate is installed between a film-formed panel outer surface for CRT and a sputter target, and a surface treatment film is applied, by a sputtering method, to the outer surface so that the overall permeability distribution and the reflectance distribution in the effective screen surface on the panel outer surface can meet the requirements of the specified expression.例文帳に追加

成膜されるＣＲＴ用パネル外側面とスパッタターゲットとの間にジャマ板を設置し、スパッタリング法により該パネル外側面上の有効画面面内の総合透過率分布、反射率分布が特定の数式を満たすように該外側面上に表面処理膜を施すこと。 - 特許庁

The film deposition apparatus includes: a sputtering treatment chamber 5 for forming an atmosphere in which a thin film is deposited on a film deposition object; a load measurement object 15 which is arranged in the atmosphere; and sensors 16-1 to 16-3 for measuring the load applied to a support member 14 from the load measurement object 15.例文帳に追加

成膜対象に薄膜が成膜される雰囲気を生成するスパッタ処理室５と、その雰囲気に配置されている荷重測定対象１５と、荷重測定対象１５から支持部材１４に印加される荷重を測定するセンサ１６−１〜１６−３とを備えている。 - 特許庁

Then, a second Zr oxide film 33, which is an intermediate layer part or upper layer part of the gate insulating film, is formed on the first Zr oxide film 32 through reactive-sputtering, using the Zr target 20 in an atmosphere of the mixture gas comprising the Ar gas and O2 gas within the chamber.例文帳に追加

次に、チャンバー内をＡｒガスとＯ_2 ガスとの混合ガスの雰囲気にしながら、Ｚｒターゲット１０を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、第１のＺｒ酸化物膜３２上にゲート絶縁膜の中層部又は上層部となる第２のＺｒ酸化物膜３３を形成する。 - 特許庁

After a transparent electrode film 18 is formed on a substrate 22, and a first metal thin film 31 is formed on a surface of the transparent electrode film 18, a second metal thin film 32 is formed on a surface of the first metal thin film 31 by a sputtering method, and thus a lower electrode layer 30 is provided.例文帳に追加

基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。 - 特許庁

In a step of forming the tunnel barrier layer 12 on the free layer 11, an Al layer used for the formation of the layer 12 is formed on the layer 11 through, for example, sputtering, and then, the layer 12 is formed by causing the Al layer to oxidize.例文帳に追加

フリー層１１の上にトンネルバリア層１２を形成する工程では、基板１０を冷却しながら、フリー層１１の上に、トンネルバリア層１２の形成のために用いられるＡｌ層を、例えばスパッタリングによって形成し、このＡｌ層を酸化させてトンネルバリア層１２とする。 - 特許庁

The method for producing a film comprises: a stage where a substrate having first and second regions in which at least either is made of oxide, and also, which are made of mutually different materials is prepared; and a stage where a film is selectively deposited on either the first region or the second region by a bias sputtering process.例文帳に追加

少なくとも一方が酸化物であり、且つ互いに異なる材料からなる第１及び第２の領域を有する基板を用意する工程、及びバイアススパッタリング法により、該第１及び第２の領域のいずれか一方に選択的に成膜する工程を有する膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.例文帳に追加

基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123.例文帳に追加

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。 - 特許庁

To provide a flash discharge lamp that causes little sputtering of the emitter material, when producing electrodes and using the lamp, and that can withstand a high operating voltage and extremely frequent discharges such as about 1,500 V and 2 million shots by consolidating fixation of the electrode and its stem.例文帳に追加

電極と電極芯棒の固定を強固なものとし、電極製造時およびランプ使用時にエミッタ材料の飛散が少なく、使用電圧約１５００Ｖで２００万ショットというような、高電圧で極多回数の放電にも耐えうる閃光放電ランプを提供すること。 - 特許庁

The method for forming a transparent conductive film is characterized in that plasma charged particles leaked out from a grid installed between a target and a substrate are coupled with electrons released from the tip of a filament (electron gun) inserted from the side face of a vacuum sputtering chamber, thus the polarity of the particles is neutralized.例文帳に追加

ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。 - 特許庁