「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an alternating current power-supply unit suitable for inhibiting arc from forming in a process of particularly sputtering or the like, which is used in a manufacturing apparatus field for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or the like, and minimizing generated arc energy, and to provide a process for inhibiting the arc in the unit.例文帳に追加

特にスパッタなどのプロセスを用いて半導体や液晶基板などを製造する製造装置分野において、プロセスの過程で発生するアークを抑制し、発生したアークエネルギを最小限に抑えるのに適した交流型の電源装置およびその装置におけるアーク抑制方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shape memory alloy microactuator capable of being attached to a finer and more delicate thin line or capillary to constitute a lighter, finer, and more delicate active thin line or active capillary, and a sputtering system to be used in processes of laminating thin films onto the thin line.例文帳に追加

より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

In this method, the setting parameter for changing the beam diameter of ion beam of the rare gas at the time of colliding with each electrode face of the lead out electrode system 3 is adjusted, and by converging the ion beam of the rare gas within an effective setting range of beam diameter that has a high strength of sputtering the insulating film, the insulating film is uniformly removed.例文帳に追加

本発明の方法では、引出電極系３の各電極面に衝突する際の希ガスのイオンビームにおけるビーム径を変化させる設定パラメータを調整し、絶縁膜をスパッタする強度が高いビーム径の有効設定範囲に希ガスのイオンビームを集束させて、絶縁膜を均一に除去する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor.例文帳に追加

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the transparent thin film with a sputtering method using a reactive gas, is characterized by employing a compound and/or a mixture including two or more elements having different transition regions as a target, where transition of a film forming mode between a metal mode and a compound mode occurs as the concentration of the reactive gas changes.例文帳に追加

反応性ガスの使用によるスパッタリング法にて透明薄膜を成膜する方法において、反応性ガスの濃度変化に伴い成膜形態に金属モードと化合物モードとの間で移行を生ずる遷移領域が異なる２種以上の元素を含む化合物および／または混合物をターゲットとして用いる。 - 特許庁

The protective film for a thin film device formed on an upper part of a substrate comprises at least a first layer as a hydrogen diffusion protecting layer formed on the side of the thin film device, and a second layer formed by a CVD method or sputtering to which hydrogen is introduced in depositing the film.例文帳に追加

基板上部に形成される薄膜素子のための保護膜であって、薄膜素子側に位置する水素拡散防止層としての第一層と、前記第一層の上部にＣＶＤ法または成膜時に水素を導入したスパッタ法により形成された第二層とを少なくとも有することを特徴とする保護膜。 - 特許庁

In the method of depositing a low tribomicroplasma generation film, sputtering is performed in a gaseous argon atmosphere comprising ≤30 vol.% nitrogen, so that the low tribomicroplasma generation film consisting of diamond like carbon comprising ≤30 at%, particularly, 20 to 26 at% nitrogen is deposited on sliding parts.例文帳に追加

３０ｖｏｌ％以下の窒素を含有するアルゴンガス雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする摺動部品に３０ａｔ％以下の窒素、特に２０〜２６ａｔ％の窒素を含有するダイヤモンド状カーボンからなる低トライボマイクロプラズマ発生膜を形成することを特徴とする低トライボマイクロプラズマ発生膜の形成方法。 - 特許庁

The method of depositing a film by a sputtering method or the like where raw material particles are flown onto a substrate to deposit a film is provided with, in particular, a means of controlling/managing a film thickness in the process of film deposition, and a means of stopping the working so that the working is ended when the controlled deposition film obtains a prescribed objective film thickness.例文帳に追加

本発明は、基板上に原料粒子を飛翔させて膜を製造する、スパッタリング法などによる膜の製造方法に関し、特に、成膜中の膜厚を制御・管理する手段と、その制御された堆積膜を所定の目標膜厚で正確に加工終了させるように停止させる手段に関する。 - 特許庁

This transparent conductive film satisfies resistivity of less than 250 μΩ.cm, the maximum vertical interval of surface unevenness/film thickness of less than 10% and this conductive film can be made, for example, by sputtering a target consisted of In, Sn, Ge, and O with sputter power in which a radio frequency current is superimposed on a direct current.例文帳に追加

抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下で表面凹凸の最大高低差／膜厚が１０％以下を満足する透明導電膜であり、この導電膜は、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、ＧｅおよびＯからなるスパッタリングターゲットを、ｄｃにｒｆを重畳したスパッタ電力でスパッタすることにより得られる。 - 特許庁

The sputtering target for forming a magnetic recording film is composed of a Co-based sintered alloy having a composition comprising, by mass, 2 to 15% silica, 0.01 to 0.5% chromium oxide, 3 to 20% Cr, and 15 to 45% Pt, and the balance Co, and having a structure where the silica and chromium oxide are uniformly dispersed into grain boundaries.例文帳に追加

シリカ：２〜１５質量％、酸化クロム：０．０１〜０．５質量％、Ｃｒ：３〜２０質量％、Ｐｔ：１５〜４５質量％を含有し、残部：Ｃｏからなる組成を有し、前記シリカおよび酸化クロムは粒界に均一分散している組織を有するＣｏ基焼結合金からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tungsten sputtering target by which the occurrence of particle defect in film deposition can be suppressed even if powder having a particle size of a level identical with that of now generally distributed and commercially available powder is used, i.e., a tungsten target having high density, fine grain size and low oxygen content can be easily manufactured with stability at a low cost.例文帳に追加

現在一般的に市販・流通されている粒径の粉末を使用しても、成膜上のパーティクル欠陥の発生を抑え、すなわち、高密度・結晶粒径が微細、且つ酸素含有量が低いタングステンターゲットを低いコストで且つ安定して容易に製造できるスパッタリング用タングステンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Upon production of a cylindrical sputtering target, when a joining material is filled into a space formed by the inside face of the cylindrical target and the outside face of a cylindrical base material by a pressure difference between the space and the joining material, the joining material can be densely filled, and further, the occurrence of cracking and chipping upon production can be remarkably reduced.例文帳に追加

円筒形スパッタリングターゲットの製造時に、円筒形ターゲット内側面、及び円筒形基材外側面によって形成される空間と接合材との圧力差により接合材を前記空間に充填した場合に、接合材を密に充填できるとともに、製造時の割れ、欠けの発生が著しく低減できる。 - 特許庁

The sputtering apparatus 1 includes: a deposition chamber 2 housing a substrate W; and a sputtered particle ejecting unit 3, which is detachably disposed in the deposition chamber 2, and which produces sputtered particles 5P from a pair of targets 5a, 5b opposing to each other by plasma Pz and ejects the sputtered particles 5P toward the substrate W in the deposition chamber 2.例文帳に追加

基板Ｗを収容する成膜室２と、成膜室２に着脱可能に設けられ、対向する一対のターゲット５ａ，５ｂからプラズマＰｚによりスパッタ粒子５Ｐを生じさせ、スパッタ粒子５Ｐを成膜室２内の基板Ｗに向けて放出するスパッタ粒子放出ユニット３と、を備えるスパッタリング装置１である。 - 特許庁

A site other than sites that oppose the junction site of the silicon wafer 2 is metallized by metal using sputtering or the like to form a metal film 8 within a surface at the opposite side of a junction surface 13 of the silicon wafer 2 in the glass pedestal 7, and a site that opposes the junction site is subjected to mirror surface finishing to form a mirror surface 9.例文帳に追加

ガラス台座７におけるシリコンウェハ２との接合面１３と反対側の面内で、シリコンウェハ２との接合部位と対向する部位以外の部位は、蒸着又はスパッタなどにより金属でメタライズされて金属膜８が形成され、接合部位と対向する部位は鏡面仕上げが施され鏡面９が形成される。 - 特許庁

A second recessed part 5 is formed at the insulating film 4 through etching, while the etching stopper film 2 on the side peripheral of the first recessed part 3 is exposed in the second recessed part 5, and by making the etching stopper film 2 sputtered so that a sputtering object 6 is deposited as to cover the first recessed part 3, thus allowing etching to stop spontaneously.例文帳に追加

続いてエッチングにより絶縁膜４に第２の凹部５を形成するとともに第２の凹部５内に第１の凹部３の側周のエッチングストッパ膜２を露出させ、エッチングストッパ膜２をスパッタリングすることにより第１の凹部３上を覆う状態にスパッタ物６を堆積させてエッチングを自発的に停止させる。 - 特許庁

In the deposition of the transparent conductive film, the transparent conductive film is deposited using a manufacturing condition of the sputtering where the magnetic force of the outside magnetic pole in the magnetic circuit part of the sputter cathode is higher than the magnetic force of the center magnetic pole to form a non-equilibrium state even in the non-heat or low temperature method.例文帳に追加

透明導電膜の成膜時、無加熱、又は低温法であって、スパッタカソードの磁気回路部の外部磁極の磁力が中心磁極の磁力より大きく非平衡としたスパッタリングの製造条件を用いて透明導電膜を形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

A process of manufacturing heat absorbing substrate wherein a large number of holes can be produced employing gas phase etching medium in equal proportion of O2, Ar and CCl2F2, and exposing the medium to the substrate, the substrate is placed near the sputterable component, and …effect sputtering, and complete etching are conducted. 例文帳に追加

多数の空孔を生成するように、ガス状エッチング媒体として等比率のO2、Ar、及びCCl2F2を使用し、該ガス状エッチング媒体に基板をさらすことからなる基板の製造方法において、基板をスパッタ可能な組成の近くに置きスパッタをさせ、エッチングすることを特徴とする熱吸収基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a diffusedly joined target assemblage of a high purity cobalt target with a backing plate with which a high purity cobalt ferromagnetic target can effectively be sputtered, and the occurrence of warpage and peeling can be prevented even at the time of being joined with the backing plate and in the severe conditions of high power sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

高純度コバルト強磁性体ターゲットの実効あるスパッタリングが可能であり、またバッキングプレートとの接合時及びハイパワースパッタの過酷な条件下でも、反りや剥れの発生が防止できる高純度コバルトターゲットとバッキングプレートとの拡散接合ターゲット組立体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the translucent reflective film for optical recording media forms the film by sputter using a sputtering target that comprises a silver alloy having a composition consisting of: greater then 1 mass% and not more than 3 mass% of Mg; 0.05 to 1 mass% of Eu; and the balance of Ag and unavoidable impurities.例文帳に追加

この光記録媒体用半透明反射膜の製造方法は、Ｍｇを、１質量％を超え３質量％以下含有し、さらにＥｕを、０．０５〜１質量％含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 - 特許庁

In sputtering a silicon target by using, as a reactive gas, a gas containing oxygen and nitrogen in a vacuum system in which reduced pressure atmosphere can be regulated, the amounts of oxygen and nitrogen to be introduced into the vacuum system during deposition are altered to deposit a single-layer film having refractive index distribution due to changes in composition in a thickness direction.例文帳に追加

減圧した雰囲気が調整できる真空装置内でシリコンターゲットを反応性ガスとしての酸素と窒素を含むガスでスパッタリングするに際し、被覆中に真空装置内に導入する酸素と窒素の量を変更し、厚み方向に組成変化により生じる屈折率分布を有する単層膜を被膜する。 - 特許庁

In this forming method of the multilayered film, a plurality of materials made of different components are laminated and mounted on one electrode for sputtering, a separating plate is provided above a boundary between a plurality of the materials, and a substrate is moved on a target while performing discharge to form a multilayered film on the substrate.例文帳に追加

一つのスパッタリング用電極上に、異種成分からなる複数の素材を張り合わせて取り付け、前記複数の素材同士の境界の上方に分離板を設けておき、放電行いながら基板を前記ターゲット上を移動させて該基板上に多層膜を形成すること特徴とする多層膜の形成方法。 - 特許庁

In the optical disk on which information is recorded or reproduced by irradiation of proximity field light spot, a projected part 11a constituting a land 21 on an optical disk substrate 11 and a recessed part 11b constituting a groove 22 are formed and an aluminum reflecting film 12 consisting essentially of aluminum is adhered on the substrate 11 by sputtering.例文帳に追加

近接場光スポットの照射を受けて情報が記録あるいは再生される光ディスクにおいて、光ディスク基板１１上にランド２１を構成する凸部１１ａとグルーブ２２を構成する凹部１１ｂを形成し、この基板１１上にＡｌを主体とするＡｌ反射膜１２をスパッタ法により被着する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a vertical magnetic recording medium that forms a plurality of layers on a disk substrate 110 by sputtering, at least two consecutive layers among the plurality of layers are formed in the same chamber using the same target in a single process time while varying sputter conditions.例文帳に追加

ディスク基体１１０上に複数の層をスパッタリングによって成膜する垂直磁気記録媒体の製造方法において、複数の層のうち、少なくとも２つの連続する層を、同一チャンバーにおいて同一のターゲットを用いて１つのプロセスタイム内でスパッタ条件を異ならせて成膜することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

In the case a rutile type titanium oxide thin film 12 is deposited on the surface of an object 11 to be film-deposited by sputtering and this surface is irradiated with a laser beam 88, a titanium oxide crystal system is converted from the rutile type into an anatase type, by which an anatase type titanium oxide thin film 13 high in photocatalytic activity can be obtained.例文帳に追加

成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、酸化チタン結晶系はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。 - 特許庁

The termination method of the diamond electrode includes a rare gas terminating process for sputtering the surface of the diamond electrode 42, which is terminated by hydrogen, by a rare gas to terminate the diamond electrode 42 by the rare gas and a target substance terminating process for replacing the rare gas on the surface of the diamond electrode 42 with a target substance to terminate the diamond electrode 42.例文帳に追加

水素終端化されているダイヤモンド電極４２の表面を、希ガスをスパッタリングすることにより、当該希ガスで終端化する希ガス終端化工程と、そのダイヤモンド電極４２の表面の希ガスを、目的物質で置き換えて終端化する目的物質終端化工程とを備えるようにした。 - 特許庁

The bonding underlayer preferably has a thickness of less than 50 μm and is made by using physical vapor deposition, e.g. by cathode sputtering, to deposit a plurality of individual layers alternately of aluminum and of a metal from the platinum group, and by causing the metals in the resulting layers to react together exothermally.例文帳に追加

結合下地層は、好ましくは５０μｍよりも薄い厚さを有しており、陰極スパッタリング等の物理的蒸着法を使用して、複数のアルミニウム層とプラチナ系金属層とを交互に堆積させるとともに、それによって得られた層中の金属間で発熱反応を引き起こすことによって形成される。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and intermittently applying negative voltage to the target is characterized in that the application of negative voltage is performed at the frequency of <1 MHz while feeding electrons to the surface of the target.例文帳に追加

比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を間欠的に印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、該ターゲット表面に電子を供給しつつ、負電圧の印加を１ＭＨｚ未満の周波数で行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

A sputtering apparatus has a substrate-holding means for holding a substrate, a gas introduction path which has a plurality of gas exhaust nozzles arranged in a shape of a closed curve at a plurality of positions surrounding the circumference of the substrate, and gas-introduction connection ports provided in at least two positions of approximately opposing to each other on the closed curve.例文帳に追加

本発明に従ったスパッタ装置は、基板を保持する基板保持手段、及び基板の周囲を囲む複数の位置に閉曲線状に配置された複数のガス噴出口を有するガス導入経路を有し、閉曲線上の略対向する少なくとも２つの位置にガス導入接続口が設けられている。 - 特許庁

The method for room temperature joining is used for joining a plurality of substrates 4 via an intermediate material at room temperature, and includes a step of forming intermediate materials on the to-be-joined surfaces of the substrates by subjecting a plurality of targets 7 to physical sputtering, and a step of activating the to-be-joined surfaces with ion beams.例文帳に追加

複数の基板４を中間材を介して常温で接合する方法において、複数のターゲット７を物理スパッタリングすることによって、前記基板の被接合面上に前記中間材を形成する工程と、被接合面をイオンビームにて活性化する工程と、を含む常温接合方法である。 - 特許庁

Therefore, in the case of continuously performing a film formation on many objective materials with the sputtering, the sheet thickness of the target part 22 is thinner as the film is formed but since the sheet thickness for sputter is thicker by the thickness available by having no circulating path, the same target 22 can be used at longer time in comparison with the conventional target.例文帳に追加

従って、スパッタリングによって多数の成膜対象物の成膜を連続して行う場合、成膜を重ねる毎にターゲット部２２の板厚が薄くなるが、循環路が形成されていない分スパッタリング可能な板厚が大きいので、従来に比べて同じターゲット部２２を長く使用することができる。 - 特許庁

A noble gas having an atomic weight above Kr is introduced, and a metal oxide target containing a metal element which is heavier than the introduced noble gas is used to form, by sputtering, the metal oxide insulating film containing a metal element of La, Hf, etc., heavier than the introduced noble gas like LaHfO, LaAlO, and ZrAlO.例文帳に追加

Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 - 特許庁

Two targets 14 and 15 are set to the inside of a process chamber 2, voltage for sputtering is made selectively applicable from a cathode electrode 11 common to both, and moreover, a substrate 17 introduced into the process chamber 2 via a load lock chamber 3 is made capable of being carried to the respectively confronted film forming positions of the targets 14 and 15.例文帳に追加

プロセスチャンバ２内に２つのターゲット１４・１５を設置し、それぞれに共通のカソード電極１１からスパッタリング用の電圧を選択的に印加可能とし、また、ロードロック室３を介してプロセスチャンバ２内に導入した基板１７をターゲット１４・１５のそれぞれと対向する成膜位置に搬送可能とする。 - 特許庁

To provide a sputtering system for depositing transparent conductive films on substrates of a large size, where uniformity of a film thickness distribution is secured by suppressing bending of a bar-shaped electrode owing to its self weight and its further bending owing to the stress of transparent conductive films deposited on the electrode in accordance with the increase of the number of the substrates.例文帳に追加

大サイズの基板に透明導電膜を成膜するスパッタ装置において、棒状電極がその自重による撓み及び基板の枚数増加に伴いう電極に堆積する透明導電膜の応力による撓みを抑制して膜厚分布の均一性を確保するスパッタ装置の提供にある。 - 特許庁

To provide a sputtering composite target forming a transparent conductive film into which a stable fixed amount of oxygen defect can be introduced, and which has satisfactory light transmission, low electric resistance and satisfactory conductivity, to provide a method for producing a transparent conductive film using the same, and to provide a transparent conductive film-fitted base material.例文帳に追加

安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材を提供する。 - 特許庁

When sputtering targets are produced from the Al-Cu alloy, the Al-Cu alloy (slab) is charged into a heat treatment furnace, is subjected to the homogenizing treatment, and is subjected to rolling treatment (cold rolling) using a rolling mill provided with a pair of rolling rollers 10, 10 so as to be worked into a rolled sheet.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。 - 特許庁

The method of manufacturing the magnetic head element having a soft magnetic layer, is characterized in that the method has the steps of: depositing a plating base layer of the soft magnetic layer by sputtering; and applying a magnetic field to the direction parallel with an orientation flat of a wafer in which the head element is formed during the deposition step.例文帳に追加

軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3.例文帳に追加

ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target by firing a raw mixture powder containing an indium oxide powder and an stannic oxide powder comprises the steps of: calcining at least indium oxide at 1,100°C to 1,300°C; preparing the raw mixture powder by using the calcined powder; and firing the mixture powder at a temperature 150°C or higher than the calcination temperature.例文帳に追加

酸化インジウム粉末及び酸化錫粉末を含む混合粉末からなる原料粉末を焼成してスパッタリングターゲットを製造する際に、少なくとも酸化インジウムを１１００℃〜１３００℃で仮焼して原料の混合粉末とし、この混合粉末を前記仮焼した温度から１５０℃以上高い温度で焼成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the perpendicular magnetic recording medium includes: a step of using a NiCr alloy target or a Cr target and a Ni target, and forming a seed layer by sputtering; a step of forming a non-magnetic primary layer on the seed layer; and a step of a magnetic layer on the non-magnetic primary layer.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体の製造方法は、ＮｉＣｒ合金ターゲット又はＣｒターゲット及びＮｉターゲットを用い、スパッタ法によりシード層を形成する工程と、前記シード層の上に非磁性下地層を形成する工程と、前記非磁性下地層上に磁性層を形成する工程とを含んでいる。 - 特許庁

To obtain a sputtering target consisting of the composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a phase change type optical disk protective film with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and an optical recording medium with the phase change type optical disk protective film formed thereon by using this target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming an insulating film becoming a gate insulating film on a semiconductor substrate, and a step for forming a metal film becoming a metal gate electrode on the insulating film wherein the metal film is formed by sputtering a metal target composed of the same metal as that of the metal film in an atmosphere containing carbon elements.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜となる絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に金属ゲート電極となる金属膜を形成する工程とを備え、金属膜は、炭素元素を含有した雰囲気中で金属膜と同じ金属からなる金属ターゲットをスパッタすることにより形成する。 - 特許庁

A silicon film is formed at the upper part of a substrate, a metal film is formed by sputtering on the silicon film, one part of the metal film is allowed to react with one part of the silicon film by first heat treatment for forming metal silicide, the metal film that does not react is removed, and the silicon film is crystallized by second heat treatment.例文帳に追加

基板の上方にシリコン膜を形成し、前記シリコン膜上にスパッタリングによって金属膜を形成し、第１の熱処理によって前記金属膜の一部と前記シリコン膜の一部を反応させて金属珪化物を形成し、未反応の前記金属膜を除去し、第２の熱処理によって前記シリコン膜を結晶化する。 - 特許庁

The nano/micro projection body is formed and grown, on a plate made of a noble metal having threshold energy of Ar ion sputtering of 25 eV or less and having activation energy of surface diffusion of 1.6 eV or less, by irradiating the plate with a high energy beam in low vacuum to induce surface diffusion of sputtered metal atoms in a direction toward the energy source.例文帳に追加

Ａｒイオンスパッタリングの閾値エネルギーが２５ｅV以下で、表面拡散の活性化エネルギーが１．６ｅＶ以下の貴金属からなる板に、低真空下で高エネルギービームを照射して、スパッタされた金属原子のエネルギー源方向への表面拡散により形成・成長されたことを特徴とするナノ・マイクロ突起体。 - 特許庁