「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target has a component composition comprising 0.5 to 15 mol% non-magnetic oxide, 4 to 20 mol% Cr, 5 to 25 mol% Pt, 0.5 to 8 mol% B, and the balance Co with unavoidable impurities; and has such a structure that Co-Cr-B ternary alloy phases are uniformly dispersed in a matrix.例文帳に追加

非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium of the ferro-magnetic thin film type in which the magnetic thin film made of a metal or an alloy of ferromagnetism is formed on a substrate as a magnetic recording layer by a sputtering method, the magnetic thin film has a magnetization inversion mechanism being akin to a simultaneous rotation model and noise of the magnetic recording medium is lowered.例文帳に追加

基板上に、磁気記録層として強磁性金属もしくは合金からなる磁性薄膜をスパッタ法で形成した、強磁性薄膜型の磁気記録媒体であって、磁性薄膜が一斉回転モデルに近い磁化反転機構を有し、磁気記録媒体ノイズを低減させた磁気記録媒体とする。 - 特許庁

A target used for forming a Co series magnetic layer of a magnetic recording medium by a sputtering method contains 5 mol% or more of Cr or Cr alloy, 5 mol% or more of CoO, and 3 mol% to 20 mol% of oxides having a melting point of 800°C or less in total, and the porosity thereof is 7% or less.例文帳に追加

磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。 - 特許庁

The stannic-oxide based, transparent electroconductive film containing gallium and indium, includes gallium of 0.1-30 mol% as Ga2O3 and indium of 0.1-30 mol% as In2O3 against the total volume of Ga2O3, In2O3, and SnO2, and a manufacturing method, and a sputtering target are also provided.例文帳に追加

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ｇａ_2 Ｏ_3 とＩｎ_2 Ｏ_3 とＳｎＯ_2 との総量に対して、ガリウムをＧａ_2 Ｏ_3換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ_2 Ｏ_3 換算で０．１〜３０モル％含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。 - 特許庁

By the titanium silicide target for thin film deposition having a target composition expressed by TiSi_x (wherein, x=2.0 to 2.7), having a W content of <50 ppm, and also comprising no precipitates of W compounds, a TiSi_x film having reduced generation of particles is obtained by sputtering.例文帳に追加

薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。 - 特許庁

To provide a composition, which can form a cured film having high flatness on a substrate having low surface flatness, and which is for forming an optical device protective film having high transparency and surface hardness, and various excellent resistive characteristics such as heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance, and etching resistance.例文帳に追加

表面の平坦性が低い基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、耐エッチング性などの各種の耐性に優れた光デバイス用保護膜を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the organic electroluminescence element manufacturing device is arranged by forming an angle of 30 to 70 ° relative to the upper face of the organic electroluminescence element in which a protective layer should be formed on the upper part, and has a sputtering device provided with two targets of a protective layer constituent material impressed with alternating current power, respectively.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置は、上部に保護層を形成すべき有機エレクトロルミネッセンス素子の上面に対して３０〜７０度の角度を成して配置され、各々交流電力の印加される保護層構成材質の二つのターゲットを備えたスパッタリング装置を有する。 - 特許庁

Then, the bar-shaped semiconductor laser is installed inside an ECR sputtering device provided with a silicon target, the inside of the device is evacuated, then a cleaning gas for which an argon gas and a nitrogen gas are mixed is introduced to a plasma chamber to generate ECR plasma, one of the cleavage planes is exposed to the plasma for prescribed time and cleaning is executed.例文帳に追加

次に、シリコンターゲットが設けられたＥＣＲスパッタ装置内にバー状半導体レーザを設置し、装置内を真空引きした後、プラズマ室にアルゴンガスと窒素ガスとを混合したクリーニングガスを導入してＥＣＲプラズマを生成させ、所定の時間だけ前記劈開面の一方をプラズマに曝してクリーニングを行う。 - 特許庁

In this case, when forming the ohmic contact layer, the low-resistance ohmic contact layers 13, 14 can be formed without variations due to zinc oxide that does not contain n-type impurities, since there is only one target and the target is made only of zinc, when reactive sputtering using an oxygen gas is performed with zinc as the target.例文帳に追加

この場合、オーミックコンタクト層形成用膜の成膜は、亜鉛をターゲットとして、酸素ガスを用いた反応性スパッタリングにより行うと、ターゲットが１つで亜鉛のみからなるので、低抵抗のオーミックコンタクト層１３、１４をｎ型不純物を含まない酸化亜鉛によってバラツキが生じないように形成することができる。 - 特許庁

To provide a fine pattern forming material in which an alloy layer provided for forming a fine pattern on the surface side of a substrate can be made of only one layer, and further, fine pattern holes can be surely formed at an extremely narrow period to several hundreds nm period, and to provide a stacked structure and a sputtering target.例文帳に追加

基板の表面側に微細パターンを形成するために設ける合金層を一層だけとすることができる上に、数百ｎｍ周期までの極めて狭い周期で微細パターン穴を確実に形成することができる微細パターン形成材料、および積層構造体、ならびにスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 - 特許庁

The method for manufacturing the alloy sputtering target material having the fine and uniformed structure, the method having the casting process of the alloy, is performed as the followings, that is, in the casting process, when the cast block is obtained by pouring molten alloy into a mold and solidifying the alloy, the solidification speed of the poured molten metal is adjusted into the range of 1-10 mm/sec.例文帳に追加

合金の鋳造工程を有し、該鋳造工程において、鋳型に合金の溶湯を注湯し、凝固させて鋳塊を得る際に、注湯された溶湯の凝固速度を１〜１０ｍｍ／ｓｅｃの範囲に調整することを特徴とする、微細均一化された組織を有する合金スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the sputtering target formed of a high-purity base material having the purity of 99.999% or higher, wherein the content of oxygen is 10 ppm or lower, the content of sulfur is 1 ppm or lower and the content of iron is 1 ppm or lower in the target.例文帳に追加

純度が９９．９９９％以上の高純度銅基材から形成されるスパッタリングターゲットの製造方法であり、ターゲットの酸素含有量を１０ｐｐｍ以下とし、硫黄含有量を１ｐｐｍ以下とし、鉄含有量を１ｐｐｍ以下とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法である。 - 特許庁

The sputtering target is obtained by molding and sintering a conductive inorganic oxide powder having an average primary particle diameter of 3-40 nm, which is provided with conductivity by being doped with one or more components selected from aluminum, gallium and indium in an amount of 0.1-20.0 wt.% in terms of oxides.例文帳に追加

この目的を達成するため、アルミニウム、ガリウム及びインジウムから選択される１種又は２種以上の成分を酸化物換算で０．１ｗｔ％〜２０．０ｗｔ％ドーピングして導電性を付与した、平均１次粒子径が３ｎｍ〜４０ｎｍの導電性無機酸化物粉を成形して焼結したスパッタリングターゲットとする。 - 特許庁

To provide a glow starter essentially improving the sputtering of an electrode activator, reducing the required lighting time in order to improve startup characteristics in dark conditions, and controlling a decrease in re- operating voltage during its lifetime to ensure stable operation throughout its lifetime, and a luminaire using the same.例文帳に追加

電極活性剤のスパッタリングを本質的に改善するとともに、点灯所要時間を短縮して暗所条件下における始動特性を改善するとともに、寿命中の再動作電圧の低下を抑制し、寿命を通して安定動作するグロースタータおよびこれを使用した照明器具を提供する。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

In the magnetron cathode of the sputtering apparatus comprising the target, and a magnet unit disposed on a back side of the target and comprising a center magnet and an outer circumferential magnet, the target has a part inclined in the direction of a substrate and the outer circumferential magnet is higher than the center magnet on an outer circumferential part side of the target.例文帳に追加

ターゲットと、該ターゲットの裏側に配置され中心磁石及び外周磁石からなる磁石ユニットと、から構成されるスパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記ターゲットは基板方向に傾斜する部分を有し、前記ターゲットの外周部側で前記外周磁石を中心磁石より高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16.例文帳に追加

籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target with a uniform forged structure of 5N (99.999 wt.%) or higher purity, and in addition, a method for easily and stably manufacturing the above target by employing ruthenium powder of comparatively low purity like 3N (99.9 wt.%).例文帳に追加

５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを得、さらに３Ｎ（９９．９ｗｔ％）レベルの比較的低純度のルテニウム粉末を使用して５レベル以上の均一な鍛造組織を有する高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを簡便にかつ安定して製造する方法を得る。 - 特許庁

To provide a sputtering cathode in which the target has a particularly high service life or the high availability the target material to be used is made possible, moreover, the magnet is not surrounded by a cooling medium for the cathode and suitable for a coating method having a high film forming rate.例文帳に追加

スパッタリングカソードのターゲットが特に高い耐用寿命を有しもしくは使用されるターゲット材料の高い活用性を可能にし、しかもスパッタリングカソードの磁石がカソードのための冷却媒体によって取り囲まれることがなく、高い成膜速度を有する被覆法に適しているようなスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁

The conductive film 131 consisting of an ITO film is formed on the surface of a lower-side planar member 130 by a sputtering method and in order to separate a wiring pattern part and a planar pattern part for position detection electrically, the conductive film at the boundary is separated linearly by laser work.例文帳に追加

下側面状部材１３０の表面にスパッタ法によりＩＴＯ膜からなる導電膜１３１を形成し、配線パターン該当部と位置検出用の面状パターン部とを電気的に分離するため、当該境界にある導電膜をレーザ加工により線状に剥離して絶縁部１３１１〜１３１４を形成する。 - 特許庁

To provide an inexpensive target capable of reducing particles produced during the sputtering that is a problem in a multi-fraction target applied to cope with the jumboizing of the target for thin film deposition used in manufacturing products of flat panel displays such as semi-conductor, magnetic disk and liquid crystal at low cost.例文帳に追加

半導体、磁気ディスク、液晶等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）等の製品の製造に用いられている薄膜形成用のターゲットの大型化に対応するために適用されている多分割ターゲットで問題となっている、スパッタリング時に発生するパーティクルを抑制するための低コストなターゲットを提供する。 - 特許庁

In a first stage, as catalyst metal, platinum, iridium, osmium, ruthenium, rhodium, palladium or their alloy(s) is added to the surface of the object to be plated by sputtering, and, in a second stage, surface treatment for controlling the catalytic capacity of the catalyst metal added to the surface of the object to be plated in the first stage is performed.例文帳に追加

第１工程で白金、イリジウム、オスミウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウムあるいはそれらの合金をスパッタにより被めっき物の表面に触媒金属として付与し、上記第１工程で被めっき物の表面に付与された触媒金属の触媒能を制御するための表面処理を第２工程で行う。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

To completely remove a creeping transparent conductive thin film creeping to the side surface of a transparent substrate and onto a colored filter layer when at least the colored filter layer is formed on one surface of the transparent substrate and then a transparent conductive film is formed by sputtering on the other surface of a the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板の一方の面に少なくとも着色フィルタ層を形成した後透明基板の他方の面にスパッタリングで透明導電膜を形成する際、透明基板の側面及び着色フィルタ層上に廻りこんだ廻り込み透明導電薄膜を完全に除去したカラーフィルタ基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of efficiently removing the cobalt, chromium, copper, iron, nickel, silicon, etc., included into scrap, such as mills end, swarf and grinding chips, produced in production process steps, etc., for platinum and platinum-containing targets for sputtering and recovering the high-purity platinum and palladium recyclable to the palladium and platinum-containing targets at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング用白金及び白金含有ターゲットの製造工程等に発生する端材、切削屑、平研屑等のスクラップに混入するコバルト、クロム、銅、鉄、ニッケル、シリコン等を効率良く除去し、白金及び白金含有ターゲットに再使用できる高純度白金、パラジウムを低コストで回収する方法を提供する。 - 特許庁

When a thin-film resistor is formed by sputtering method, one kind or two or more kinds among Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta and W are added to combine whose main component is NiCr, and a TCR value of the thin-film resistor is controlled by the kind and the amount of the additives.例文帳に追加

スパッタリング法によって薄膜抵抗体を形成するに際して、ＮｉＣｒを主成分とする合金に、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ又はＷを単独又は２種以上の組み合わせで添加し、添加物の種類及び量によって薄膜抵抗体のＴＣＲ値を制御するようにした。 - 特許庁

The method is a low-temperature process for manufacturing the thin film of alumina crystalline and particularly for manufacturing the thin film of α phase alumina, which is the most stable and has the most superior characteristic in alumina crystalline phases, includes forming a thin film of chromium oxide crystalline on a substrate or a base material by a sputtering method beforehand and forming an alumina thin film on it.例文帳に追加

スパッタ法により酸化クロム結晶質薄膜をあらかじめ基板や母材に形成し、その上にアルミナ薄膜を形成するアルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、特にアルミナ結晶相の中で、最も安定で、且つ特性の最も優れたα相アルミナ薄膜の低温製法である。 - 特許庁

To realize the stable maintenance of plasma discharge, and to prevent the inclusion of the impurity into the film due to etching of the constituent disposed within the discharge space induced by the collapse of the stability of the plasma discharge, in an apparatus for forming a thin film, in particular an insulated film, on a substrate, using sputtering phenomenon.例文帳に追加

スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy sputtering target in which the advantages of nickel silicide (NiSi) by a salicide process are made the most of, and simultaneously, the cause of its phase transition into an NiSi_2 phase is investigated, and the phase transition can effectively be suppressed, and which is particularly useful as a gate electrode material, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ゲート電極材料としてサリサイドプロセスによるニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）の利点を生かすと同時に、ＮｉＳｉ_２相に相転移させる原因を究明し、これを効果的に抑制できる、特にゲート電極材料として有用な高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first reflection layer 32 and the second reflection layer 34 are formed by vacuum vapor deposition or sputtering, the light made incident from the translucent window 31 repeats total reflection on the first reflection layer 32, the second reflection layer 34 and the total reflection surface, illumination distribution is equalized and the light is emitted from the translucent pattern 33.例文帳に追加

第１反射層３２及び第２反射層３４は真空蒸着あるいはスパッタによって成膜され、前記透光窓３１から入射した光が、第１反射層３２、第２反射層３４及び全反射面で全反射を繰り返し、照度分布が均一化されて透光パターン３３より出射される。 - 特許庁

On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.例文帳に追加

透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide a film having photocatalytic function imparted to the surface thereof by a sputtering method, preventing fogging or the adhesion of waterdrops by the super-hydrophilic function imparted to the surface of the film by the photocatalytic function to obtain a clear visual field, having durability, easy in maintenance and keeping these effects over a long period of time.例文帳に追加

この発明は、フィルムの表面に、スパッタリング法で光触媒機能を付与し、その超親水性機能により、曇りや水滴の付着を防止して、明瞭な視界を得ようとするもので、耐久性があり、メンテナンスも容易で、しかも長期間効果が持続するフィルムを提供しようとするものである。 - 特許庁

The method for manufacturing an electroless nickel plating film includes the steps of: forming an aluminum layer having a purity of 99.99% or more and a film thickness of 2.5 μm or more on a substrate by using a sputtering; and forming the electroless nickel plating film on the aluminum layer by using an electroless plating.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。 - 特許庁

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas.例文帳に追加

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。 - 特許庁

The composition of a silicon oxynitride film can be easily controlled by changing power to be applied to a target or changing a flow rate ratio of nitrogen gas to argon gas as reactive gas in sputtering using a target material 13c composed of silicon monoxide and target materials 13a, 13b composed of silicon dioxide.例文帳に追加

一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 - 特許庁

The face to be deposited compoed of PES, PMMA, Teflon (R), epoxy or polyimide is deposited with a coating film of carbon or essentially consisting of carbon having a self-bias on a degree in which damage caused by sputtering is not given thereto, having an SP3 hybrid orbital and havihng an amorphous or semiamorphous structure, and high frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the coating film.例文帳に追加

PES、PMMA、テフロン、エポキシまたはポリイミドからなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで、ＳＰ^３混成軌道を有し、アモルファスまたはセミアモルファス構造を持った炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

Or, the silicon material is produced by forming amorphous silicon by ion beam sputtering at ≤450°C on a compd. clathrate crystal expressed by BaxRySi46-y (wherein x is 1 to 8, y is 1 to 6, and R is Ag or Au) and heating the amorphous silicon in vacuum or inert atmosphere at a temp. over 450°C and ≤1300°C to epitaxially grow.例文帳に追加

(3)Ｂａ_xＲ_yＳｉ_46-y（ここで、ｘ＝1〜8、ｙ＝1〜6、ＲはＡｇまたはＡｕ）の化合物クラスレート結晶の上に、450℃以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450℃超1300℃以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。 - 特許庁

Since a dense film with low absorption and tight adhesion cannot be obtained in the case the object 9 to be treated lies under no-heating or low temperature, the object 9 to be treated in the process of the film deposition is irradiated with neutral grains and negative ions generated by magnetron sputtering in which high frequency is applied on a target 4 as assists.例文帳に追加

被処理物９が無加熱あるいは低温であると、低吸収かつ緻密で密着性の良い膜を得ることができないため、ターゲット４に高周波を印加するマグネトロンスパッタリングによって発生した中性粒子および負イオンをアシストとして成膜中の被処理物９に照射する。 - 特許庁

The method is a method of forming a thin film of the metal oxide on a substrate 1 by a sputtering method, wherein the number of times of collision against the atoms of plasma is increased when the thin film-constituting atoms head toward the substrate 1 and the flying speed of the substrate direction components of the thin film-constituting atoms is efficiently decelerated by the collision.例文帳に追加

スパッタ法により基板１に金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、薄膜構成原子が前記基板１に向かう際にプラズマガスの原子との衝突回数を増大させ、またその衝突により薄膜構成原子の基板方向成分の飛行速度を効率的に減速させる。 - 特許庁

A first dielectric layer 12 is formed on one side of a recording layer 13 while a portion of particles emitted from a sputtering target including a metal oxide such as ZnS-SiO_2 toward a disk substrate 11 which is rotated is shielded by a shielding member 50A formed based on a prescribed film thickness distribution.例文帳に追加

、ＺｎＳ−ＳｉＯ２などの金属酸化物を含むスパッタターゲットから回転するディスク基板１１に向けて射出された粒子を、所定の膜厚分布に基づいて形成された遮蔽部材５０Ａによって一部遮蔽した状態で、記録層１３の一側に第１誘電体層１２を形成する。 - 特許庁

A composite material, which is prepared by developing a solution of a polymer B having a molecular structure different from that of a solid polymer A on the polymer A to dry the developed solution, is used on the main body of the electrode 3 as a target and a polymer film 4 is formed on the main body of the electrode 3 by high frequency sputtering.例文帳に追加

電極本体上に、固体の高分子Ａの上に、前記高分子Ａと異なる分子構造を有する高分子Ｂ溶液を展開し乾燥させた複合材料をターゲットとして用い、高周波スパッタで前記電極３本体上に高分子膜４を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method includes the step (1) of acquiring a surface-modified workpiece by modifying the surface of a workpiece having a predetermined specification with the use of a vacuum sputtering device, and the step (2) of coating or painting the surface-modified workpiece to finish it into the metallic product.例文帳に追加

バキューム・スパッタリング・デバイスによって所定の仕様のワーク・ピースの表面に表面改質を実施することによって改質されたワーク・ピースを取得するステップ（１）と、改質されたワーク・ピースに対しコーティング加工やペインティング加工などを実施することによって金属製品を製造し出すステップ（２）とを包含している。 - 特許庁

First, a silica thin film incorporating a columnar metal-containing layer oriented almost vertically to the main face of the substrate is formed by sputtering with a mixture of metal oxide or the like and silica as a target, the metal-containing layer is removed, and then, the solid electrolyte layer is buried in the openings thus the electrolyte film is obtained.例文帳に追加

まず、金属酸化物などとシリカの混合物をターゲットとするスパッタリングにより、基板の主面に対して略垂直に配向した柱状の金属含有層を内蔵するシリカ薄膜を形成し、金属含有層を除去し、得られた開口部に固体電解質層を埋め込んで形成する。 - 特許庁