「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a tantalum sputtering target having a high deposition speed and excellent uniformity of film, producing less arcings and particles and having excellent film forming properties, and to provide the method capable of stably manufacturing the target by improving and devising plastic working steps such as forging and rolling, and the heat treatment step.例文帳に追加

鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition suitable for forming a protective film for an optical device, which film is forming a highly flat cured film even on a substrate of a low flatness surface, and is excellent in transparency, surface hardness, heat resistance, pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance and storage stability.例文帳に追加

表面の平坦性が低い基体であっても、当該基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、保存安定性等に優れた光デバイス用保護膜を形成するために好適な組成物を提供すること。 - 特許庁

In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which can inhibit a magnetic layer from being oxidized even when an oxide is formed on the magnetic layer that includes nonoxide with a sputtering technique suitable for a high-volume production; and to provide an apparatus for forming the thin film, and a laminated film having thereby controlled low RA value.例文帳に追加

量産に適したスパッタ法において非酸化物からなる磁性層上に酸化物をスパッタ成膜する場合でも、磁性層が酸化されることを抑制することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置を提供するとともに、それによって、ＲＡ値が低く抑えられた積層膜を提供する。 - 特許庁

The sputtering target has a composition which contains chromium as a main component and also contains 10 to 50 atomic % of at least one element selected from the group consisting of aluminum, silicon, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, niobium, tantalum, tungsten, molybdenum and boron and in which the total content of oxygen, carbon, sulfur and hydrogen is made to ≤3,000 ppm.例文帳に追加

クロムを主成分とし、アルミニウム、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデンおよびボロンからなる群より選択される少なくとも一種の元素を１０〜５０原子％含み、酸素、炭素、硫黄および水素の合計含有量が３０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。 - 特許庁

While a piezoelectric actuator 60 is constituted by forming a PZT piezoelectric film 64 on a ZrO_2 substrate 62 which becomes a diaphragm by the aerosol deposition method, a stress buffer layer 66 composed of platinum (Pt) having a required thickness is interposed between the ZrO_2 substrate 62 and PZT piezoelectric film 64 by the sputtering method etc.例文帳に追加

この圧電アクチュエータ６０は、振動板となるZrO2基板６２上にエアロゾルデポジション法によりＰＺＴ圧電膜６４を成膜して構成されるが、このZrO2基板６２とＰＺＴ圧電膜６４との間にスパッタ法等により所要の厚みをもった白金(Pt)からなる応力バッファ層６６を介在させる。 - 特許庁

A film forming device is used to attain high directivity sputtering using a titanium target for forming the barrier metal layer, and includes a substrate bias mechanism for applying a high frequency voltage as a bias voltage to a semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to attract sputter particles from the titanium target, thereby allowing the titanium nitride film 11 to include an amorphous metallic film.例文帳に追加

このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 - 特許庁

This high frequency magnetron sputtering apparatus comprises a vessel 11 with the inside evacuated by an exhaust mechanism 22, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25 for feeding gas into the vessel, a high frequency feed mechanism 18 for feeding the high frequency to the target, and a electrostatic adsorption mechanism built in the substrate holder.例文帳に追加

この高周波マグネトロンスパッタリング装置は、排気機構２２により内部が減圧された容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、容器内にガスを供給するガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板ホルダに内蔵される静電吸着機構を備える。 - 特許庁

The magnetic recording medium provided with the FePt magnetic thin film having ≥40 KOe coercive force is obtained by film-depositing the FePt magnetic thin film having an L1_0 structure by a sputtering method on a substrate having 650 to 850°C surface temperature and applying 4 to 10 KOe magnetic field to the FePt magnetic thin film.例文帳に追加

表面温度が６５０℃〜８５０℃である基板上に、スパッタ法によりＬ１_0構造を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を成膜し、前記ＦｅＰｔ磁性薄膜に４ＫＯｅ〜１０ＫＯｅの磁場を印加して４０ＫＯｅ以上の保磁力を有するＦｅＰｔ磁性薄膜を備えた磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical disk constituted by sticking two sheets of disk halves, a cooling stage 20 is disposed after an injection molding stage 10 of the disk halves and a sputtering stage 30, a buffer stage 40 and a sticking stage 50 are successively disposed in this order.例文帳に追加

２枚のディスクハーフを貼り合わせることにより構成される光ディスクの製造方法において、ディスクハーフの射出成形工程１０の後に冷却工程２０を配置し、冷却工程２０の後にスパッタリング工程３０、スパッタリング工程３０の後にバッファ工程４０、その後貼合わせ工程５０を配置する。 - 特許庁

To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for masking capable of performing application work efficiently, and preventing bleed of a bonding material caused by the use of the adhesive tape for masking (the bleed from gaps because of overlapping of the tape, and the bleed from puckering and lifting of the tape), when used for producing sputtering targets.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの製造に用いた際に、貼付作業を効率よく行うことができ、マスキング用粘着テープの使用に起因するボンディング材の流出（粘着テープの重なりによる隙間、粘着テープのシワおよび粘着テープの浮きからのボンディング材の流出）を防止できるマスキング用粘着シートを提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to manufacture an optical recording medium which has at least a recording layer and a reflection layer on its base, and is featured in that the reflection layer is made by sputtering while adjusting its thickness to maintain the sheet resistance constant.例文帳に追加

基板上に少なくとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録用媒体を量産する製造方法であって、該反射層がスパッタリングによって形成され、該スパッタリングの際に、該反射層の面積抵抗率をほぼ一定に保つように該反射層の膜厚を調整することを特徴とする。 - 特許庁

The film-forming apparatus is directed at forming the film on a substrate by using a sputtering technique, and has: an irradiating means for irradiating the substrate with a laser beam having a smaller beam diameter than the external diameter of the substrate; and a scanning means for scanning the whole area of the substrate with the laser beam.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて基板に膜を成膜する成膜装置であって、前記基板に前記基板の外径よりも小さいビーム径を有するレーザー光を照射する照射手段と、前記レーザー光を前記基板の全面に走査させる走査手段とを有することを特徴とする成膜装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the transparent conductive film, by using a magnetron sputtering in which a gas having carbon dioxide 50 vol% or less added in hydrogen or argon is used as a carrier gas, a carbon film of which the refractive index is controlled to 1.35-1.85 is formed on a transparent conductive oxide layer having zinc oxide as a main component on the transparent substrate.例文帳に追加

水素またはアルゴンに二酸化炭素を５０体積％以下添加したガスをキャリアガスとして使用するマグネトロンスパッタにより、透明基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物層の表面に屈折率を１．３５〜１．８５に制御したカーボン膜を形成することが可能となる。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated.例文帳に追加

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 特許庁

Metal particles 4 having catalyst activity and additive particles 3 for improving the catalyst activity of the metal particles are deposited and supported on a surface of conductive powder 2 by physical deposition, for instance, sputtering; and the metal particles 4 and the additive particles 3 are gradually deposited and supported by another process.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを、物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、金属粒子４と添加物粒子３とを別工程によって段階的に析出担持させる。 - 特許庁

Then another insulating film is formed on the insulating film by the sputtering method so that the film may contain a region having a hydrogen concentration of ≤0.2 atomic % when the hydrogen concentration of the film is measured by the HFS analysis method.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を形成する際、絶縁膜を、HFS分析（水素前方散乱分析）により膜中水素濃度を測定したとき０．４〜１．６atomic％である領域が存在するようスパッタ法で形成し、その上に絶縁膜を、HFS分析により膜中水素濃度を測定したとき、０．２atomic％以下である領域が存在するようスパッタ法で形成する。 - 特許庁

A method for forming the sputtering target comprises: (a) providing a target surface component; (b) providing a core backing component; (c) providing at least one surface area feature which increases the effective surface area of the core backing plate; and (d) coupling the surface target material to the coupling surface of the core backing material.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの形成方法は、ａ）ターゲット表面要素を提供することと、ｂ）芯裏打要素を提供することと、ｃ）芯裏打板の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を提供することと、ｄ）表面ターゲット材料を芯裏打材料の連結面に連結することを備えている。 - 特許庁

To provide a film deposition method in which the film deposition rate by the sputtering is reduced, a metal thin film with excellent coatability is formed on an inner wall surface and an inner bottom surface of a hole or a groove with the aspect ratio being ≥3 formed in a surface of a workpiece, and the self-hold discharge in a target is generated even with small power.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode structure which can be formed accurately and simply, without defects in a fine concavo-convex structure of the electrode structure, even when sputtering is applied to the structure, and to provide a solar cell which is without defects, and which has fine concavo-convex structures formed in the electrode structure.例文帳に追加

スパッタリングを利用した場合でも、電極構造体に、微細な凹凸構造を欠点なく正確に、かつ簡便に形成することのできる電極構造体の製造方法、ならびに電極構造体に欠点のない微細な凹凸構造が正確に形成されてなる太陽電池を提供する。 - 特許庁

In a method of forming a conductive thin film on a substrate using a sputtering phenomenon, at least one of deposition parameters including sputter electric power, sputter gas, and reactive gas is shifted to two values and its time division ratio is controlled during the thin film deposition.例文帳に追加

スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus in which insertion of a generated foreign matter between contact surfaces of a feeding terminal and a connection terminal can be reduced even if the feeding terminal repeats touch to and separation from the connection terminal and as a result, temperature increase due to increase in contact resistance can be avoided.例文帳に追加

給電端子がそれぞれの接続端子への接触と離間を繰り返したとしても、給電端子と接続端子の接触面に発生した異物を挟んでしまうことを低減させることができ、その結果、接触抵抗の増加による温度上昇を回避することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a simple method of manufacturing a pure copper plate in which cold forging, cold rolling and a subsequent heat treatment after hot forging or hot rolling are unnecessary and the pure copper plate obtained by the manufacturing method, which is fine and uniform, small in residual stress, excellent in workability, particularly suitable for a copper target base material for sputtering.例文帳に追加

熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。 - 特許庁

In the film deposition method of a piezoelectric film composed of a lead-containing perovskite type oxide, the electric potential of a substrate is changed from a first substrate electric potential Vsub1 to a second substrate electric potential Vsub2 to obtain the desired lead composition of the piezoelectric film in the film deposition by the sputtering method.例文帳に追加

本発明の鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜の成膜方法は、スパッタリング法による成膜において、成膜途中で、前記基板の電位を第1の基板電位Ｖｓｕｂ１から、前記圧電体膜の鉛組成を所望の組成とするように第２の基板電位Ｖｓｕｂ２に変更する。 - 特許庁

In a method for manufacturing an indium metal target, a metal ingot or a slab is prepared by melting and casting an indium metal raw material, and then a target is obtained by cold rolling the ingot or the slab in a sheet-shape, wherein the sputtering surface of the target is made to be mainly oriented in the (101) plane by the cold rolling.例文帳に追加

インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、前記冷間圧延により、ターゲットのスパッタ面を１０１主配向とすることを特徴とするインジウムメタルターゲットの製造方法。 - 特許庁

There is provided a method of manufacturing the light emitting device for depositing a semiconductor layer by using a the target material representative of a semiconductor material and the sputtering apparatus having parts covered with the thermal spraying material with the same material as the target material, and applying high-frequency power by using the target material in an atmosphere containing rare gases.例文帳に追加

半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a processing method that takes measures against the following problems: when a via hole is formed in a semiconductor substrate using a CO2YAG laser, resin residues are produced at a via hole bottom part; and then film formation by sputtering is incomplete owing to unevenness of the via hole formed by laser processing, so that metal is diffused in a resin.例文帳に追加

半導体用サブストレートにおいて、ＣＯ２ＹＡＧレーザを用いてビアホールを形成すると、ビアホール底部で樹脂残渣が生じ、レーザ加工によるビアホール内の凹凸によりスパッタが完全に皮膜形成されず、樹脂中に金属が拡散するため、これらの問題点を対策した加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a glass substrate regenerating apparatus for efficiently regenerating a color filter without using acid treatment for transparent electrode treatment in a regenerating process of a glass substrate which is produced in the manufacturing step of a color filter substrate but does not meet quality standards or a dummy substrate of a sputtering device, and to provide a regenerating method using the regenerating apparatus.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の製造工程で発生した品質基準を満足しないガラス基板、あるいはスパッタリング装置のダミー基板の再生プロセスにおいて、透明電極処理に酸処理を用いずに、カラーフィルタを効率的に再生処理するガラス基板の再生装置及びこれを用いた再生方法を提供する。 - 特許庁

When the piezoelectric layer 24b is formed by a sputtering method in manufacturing, the piezoelectric thin film is heteroepitaxially grown on one surface side of the substrate 20a for element formation while the substrate 20a for element formation is held at a specified temperature of ≥500°C, and then the substrate 20a for element formation is rapidly cooled from the specified temperature.例文帳に追加

製造時、圧電層２４ｂをスパッタ法により形成する際は、素子形成用基板２０ａの温度を５００℃以上の規定温度として素子形成用基板２０ａの一表面側に圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、素子形成用基板２０ａを規定温度から急速冷却する。 - 特許庁

In the method for depositing a MgO film on a base metal by the ion beam assist sputtering method, a four-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of <0.001 Pa, and a three-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of ≥0.001 Pa.例文帳に追加

イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 - 特許庁

An AlN thin film 22 and a metallic thin film 23 are formed within the same sputtering device by using a gaseous mixture of Ar and nitrogen, and the time required for the switching of the gas is saved to produce an AlN thin film 10 having increased C-axis orientation properties by a buffer thin film made of the AlN thin film and the metallic thin film in a short time.例文帳に追加

ＡｌＮ薄膜２２、ならびに、金属薄膜２３を、Ａｒと窒素との混合ガスを用いることにより、同一スパッタリング装置内で形成し、ガス切り替えに要する時間を省き、ＡｌＮ薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によるＣ軸配向性を高めたＡｌＮ薄膜１０を短時間で製造する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus for preventing warping of a tray to hold a substrate to be treated or heat radiation from the substrate to the tray and ensuring the temperature uniformity on the substrate in a process for sputtering a ferroelectric film or the like while maintaining the heat uniformity of 600°C±5°C.例文帳に追加

６００℃±５℃の均熱性を保持しながら強誘電体膜などをスパッタリングするプロセスにおいて、被処理基板を保持するトレーの反りや被処理基板からトレーへの放熱を防止し、処理被処理基板上での温度均一性を確保することが可能な成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The Mn alloy magnetic thin film can be obtained by using a sputtering target formed of an Mn alloy material for a magnetic material having a composition containing ≤100 ppm oxygen and ≤20 ppm S, and in which the total content of impurities (elements other than Mn and the alloy components) is preferably ≤500 ppm.例文帳に追加

酸素含有量が１００ｐｐｍ以下、Ｓ含有量が２０ｐｐｍ以下、好ましくはさらに不純物（Ｍｎおよび合金成分以外の元素）含有量が合計で５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする磁性材用Ｍｎ合金材料から形成したスパッタリングターゲットを用いることによって得られる。 - 特許庁

To provide an improved process for the production of sputtering targets comprising sub-stoichiometric TiO_2 which does not involve the hot-pressing and sintering route and which can be used to produce such targets which have a high enough electrical conductivity to be used as large size targets with complex shapes at high power levels.例文帳に追加

ホットプレスと焼結操作が不用で、そして高電力レベルでも複雑な形状を有する大型のターゲットとして使用可能となるように高い導電性を有するターゲットの製造に適用可能な、半化学量論的ＴｉＯ_２からなるスパッタリングターゲットの改良された製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic shield layers 60a, 60b can be formed efficiently, by sputtering method by the use of soft magnetic metal partially in common with a target element for forming each layer of the MRAM device 10.例文帳に追加

さらに、磁気シールド層６０ａ，６０ｂに軟磁性金属を用いることによりスパッタ法で形成可能になり、この軟磁性金属をＭＲＡＭ素子１０各層を形成するターゲットの元素と一部共通にすれば、磁気シールド層６０ａ，６０ｂをＭＲＡＭ素子１０各層と同一スパッタ装置で効率的に形成することが可能になる。 - 特許庁

To obtain a sputtering target composed of a composite of a chalcogenide and silicate advantageous for forming a protective film of phase change type optical disk with which production efficiency can be enhanced by suppressing the occurrence of nodules and enhancing the uniformity of deposition, and to provide an optical recording medium with the protective film of phase change type optical disk formed thereon by the target.例文帳に追加

ノジュールの発生を抑制し、成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、相変化型光ディスク保護膜形成に有用であるカルコゲン化物と珪酸化物の複合体からなるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.例文帳に追加

マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The objective method for manufacturing the rolling element includes applying positive bias voltage to a rolling element, when coating molybdenum disulfide or tungsten disulfide as a solid lubricant film by a sputtering method, on the surface of the rolling element comprising two faces facing each other, which supports a rolling movement of parts such as a roller, a ball, an inner wheel, and an outer wheel.例文帳に追加

本発明の転動要素の製造方法は、ローラ、ボール、内輪、外輪など、転がり運動を支え相対する２面を構成する転動要素の表面にスパッタ法により二硫化モリブデンまたは二硫化タングステンを固体潤滑膜として被覆する際、転動要素にプラスのバイアス電圧を印加するものである。 - 特許庁

In this method for manufacturing the capacitor, the capacitor is manufactured by forming the internal electrodes on the organic high polymer substrate which is provided with external electrode by vapor deposition or sputtering so that the internal electrodes come into contact with the external electrodes, and the dielectric film is formed by evaporating and polymerizing at least one or more kinds of monomers.例文帳に追加

また、本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、外部電極付き有機高分子基板上に外部電極とコンタクトが取れるように内部電極を蒸着法、スパッタ法により形成し、誘電体膜を少なくとも一種類以上のモノマ−を蒸発させ、重合させることによりコンデンサ素を製造する。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

This device is composed of a cathode chamber 100 to be deposited with a cathode rotary body 24 provided with a cathode 25 on each of the plural side faces, a substrate chamber 200 to be deposited with a substrate rotary body 28 holding a substrate 29 on each of the plural side faces and one sputtering chamber provided on the space between the cathode chamber and a substrate carrying chamber.例文帳に追加

複数の側面の各々にカソード２５を備えたカソード回転体２４が配置されるカソードチャンバ１００と、複数の側面の各々に基板２９を保持した基板回転体２８が配置される基板チャンバ２００と、カソードチャンバと基板搬送チャンバの間に設けられた１つのスパッタチャンバから構成される。 - 特許庁

In manufacturing an organic LED element by forming a first electrode, an organic LED layer having at least one luminous layer, and a second electrode in turn on a substrate, the second electrode is intermittently formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上に、第１電極、少なくとも１層の発光層を有する有機ＬＥＤ層および第２電極を順次形成して有機ＬＥＤ素子を製造するにあたり、第２電極をスパッタ法により間欠的に形成することを特徴とする有機ＬＥＤ素子の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment.例文帳に追加

プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。 - 特許庁