「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

When reactive sputtering is performed by using a base material 1 composed of silicon and having a (111)-oriented surface 1a for film deposition, a target formed from Ta, and a process gas comprising Ar and N_2, at least a (100)-oriented tantalum nitride film is formed on the surface 1a for film deposition of the base material 1.例文帳に追加

被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording film suitable for forming a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium of a hard disk and the like, especially a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium and having high leakage magnetic flux density and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a target material of a Co-Zr-based alloy, which is used when a soft magnetism film of a Co-Zr-based alloy to be used for a vertical magnetic recording medium is formed, and has superior sputtering characteristics and low magnetic permeability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

To provide a thermally conductive metal sheet 20 interposed between a target material and a back plate in a sputtering system, which has satisfactory thermal conductivity and, in which, even if the target material is heated and a metal layer 27 in the thermally conductive metal sheet 20 is melted, the outflow of the metal layer 27 can be prevented.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット材と裏板との間に介在される熱伝導性金属シート２０について、熱伝導性が良くかつターゲット材が加熱されて熱伝導性金属シート２０の金属層が２７溶融しても、金属層２７の流出を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering device for manufacturing a thin film solid battery and a method for manufacturing the thin film solid battery, in which, according to planar directional sizes of an active material layer and a solid electrolyte layer to be molded, the molding of the active material layer and solid electrolyte layer can be simplified.例文帳に追加

成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細な組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.例文帳に追加

超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁

The sputtering target is formed using a Cu alloy including: 1.5 to 5.0 atom% of Mn; Mg having a ratio of 0.3 to 2.1, the ratio being represented by (atom% of Mg)/(atom% of Mn); 10 wtppm or less of C; and 2 wtppm or less of O_2.例文帳に追加

実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 - 特許庁

In the sputtering target, Al-enriched particles having an absolute maximum length within the range of 0.1-50 μm are dispersed in a base material having a composition containing, by atomic percentage, 5-20% of Si and 5.5-25% of Cr, with the remainder composed of Al and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％で、Ｓｉ：５〜２０％、Ｃｒ：５．５〜２５％を含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長：０．１〜５０μｍの範囲内にあるＡｌリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 - 特許庁

A cylindrical sputtering system 4 is constituted so that as one electrode, a tubular material 1 in which the length in the axial direction is longer than the diameter by ≥2 times is used, and, as the other electrode, the long-length material 2 to be treated such as a cable, a belt and a columnar material it self is used.例文帳に追加

直径よりも軸方向長さの方が２倍以上長い管状材１を一方の電極とし、もう片方の電極を管状材１中を通過するケーブル、帯、柱状材などの長尺の被処理材２そのものとする筒状スパッタ装置４を構成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity ruthenium sputtering target which does not allow cracks to occur in recrystallization or in welding and suppresses the film thickness distribution from becoming large in film formation for forming e.g. an electrode for a capacitor of a semiconductor memory, and to provide a target obtained thereby.例文帳に追加

再結晶化や熔接の際にクラックが発生せず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する成膜時において膜厚分布が大きくなることを抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲットの提供。 - 特許庁

To form a laminated film of low resistance excellent in electrical conductivity and useful as a transparent electrically conductive thin film and a heat ray reflection film arranged in front of PDP by alternately laminating metallic oxide thin films and metallic thin films on a substrate into a multilayer by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを交互に多層に積層することにより、ＰＤＰの前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低抵抗で導電性に優れた積層膜を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that does not need to substantially change a design of a conventional apparatus, suppresses a manufacturing cost of the apparatus, can tilt a sheet-shaped electron beam which can be in a parallel state to the target, in a wide angle range, and does not decrease a width of a region in which the electron beam is deformed into a sheet shape.例文帳に追加

既存装置の大幅な設計変更を必要とせず、同装置の製造コストが抑えられ、それと共に平行状態にできるシート状の電子ビームの傾き角度の範囲が大きく、且つシート状への変形領域の幅が小さくならないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To uniformize of induced voltage caused by the material difference between a glass substrate and a fixture in sputtering, and to provide a method for manufacturing a glass optical element capable of forming a dielectric multilayered film having uniform film thickness and the fixture for manufacturing the glass optical element.例文帳に追加

スパッタ作用時にガラス基材と固定治具の材質の違いに起因した誘起電位の不均一さを解消して、膜厚が均一な誘電体多層膜の形成を可能にするガラス製光学素子の製造方法及びガラス製光学素子の製造用固定治具を提供する。 - 特許庁

To provide a solar cell whose structure layer is a (Zn, In, Al)O based transparent electrode layer having low volume resistivity and thereby contributing to the improvement of photoelectric conversion efficiency, and a ZnO-In_2O_3-Al based sputtering target used for forming the (Zn, In, Al)O based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｉｎ_２Ｏ_３−Ａｌ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition system in which, as for film deposition on a film depositing substrate, the film thickness is correctly controlled in continuous film deposition without stopping the film deposition one or more times in the process of the film deposition, and actual film deposition working is performed so as to obtain an objective film thickness.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜途上で成膜基板への成膜を一度或いは復数ともに停止させることなく生産性を落とさずに連続成膜の内に正確に膜厚を管理して、目標とする膜厚に実成膜加工を施すスパッタリング成膜装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。 - 特許庁

The sputtering target capable of regulating the refractive index of the film essentially consisting of the zinc sulfide and further containing a conductive oxide to a range of 2.0 to 2.6 and the optical recording medium formed with the phase transition optical disk protective film essentially consisting of the zinc sulfide by using this target.例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 - 特許庁

By adopting this recording medium cartridge 1, the manufacturing cost of the recording medium cartridge 1 furnished with the antistatic function is satisfactorily reduced since the cartridge is manufactured by the comparatively inexpensive manufacturing equipment such as a screen printer without using expensive and large scaled equipment such as a sputtering device.例文帳に追加

この記録媒体用カートリッジ１によれば、スパッタ装置等の高価で大掛かりな設備を用いずにスクリーン印刷装置等の比較的安価な製造設備で製造することができるため、帯電防止機能を備えた記録媒体用カートリッジ１の製造コストを十分に低減することができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

Since the electrodes 3, 3' are respectively formed of a nearly triangle pole having an opening, the hollow cathode effect can be utilized, and while an electrode surface area can be formed large, and the electrode consumption due to the sputtering can be restrained more, and lifetime of the fluorescent lamp is improved.例文帳に追加

電極３，３'が開口を有するほぼ三角柱形状で構成されるので、ホローカソード効果を利用することができるとともに電極表面積を大きくでき、スパッタリングによる電極消耗を一層抑制し、蛍光ランプを長寿命化することができる。 - 特許庁

A magnetic layer 3 is formed by introducing Ar and Kr gases in a process chamber and performing sputtering so as to increase the ratio of Ar gas flow against Kr gas flow (Ar gas flow/Kr gas flow) according to the increase of the integrated power of the target.例文帳に追加

ターゲットの積算電力の増加に応じてＫｒガス流量に対するＡｒガス流量の比（Ａｒガス流量／Ｋｒガス流量）が増加するようにして、ＡｒおよびＫｒガスをプロセスチャンバ内に導入してスパッタリングを行うことにより磁性層３を形成する。 - 特許庁

In this sputtering target substantially consisting of niobium oxide, the volume resistivity at room temperature is in a range of 0.01 mΩcm and 100 Ωcm, the specific gravity is ≥ 4.4, and the dispersion in specific gravity of the entire target is ≤ 30%.例文帳に追加

実質的にニオブ酸化物から成るスパッタリングターゲットにおいて、室温での体積抵抗値が０．０１ｍΩｃｍ〜１００Ωｃｍの範囲にあり、比重が４．４以上であり、ターゲット全体での比重のばらつきが３０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The target contains a receiving board 302 having a center part 308 and a flange part 314 fittable to the physical vapor deposition chamber, a part 304 elongating from the center part of the receiving board and capable of sputtering and an annular rising part 332 arranged on the surface of the flange part.例文帳に追加

ターゲットは中央部分３０８と前記物理蒸着チャンバーに取付可能なフランジ部分３１４とを有する受板３０２と、該受板の中央部分から延びるスパッタ可能な部分３０４と、前記フランジ部分の表面に配置された環状の隆起部３３２とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can form a coating with uniform film thickness and film quality all over a substrate, by uniformly feeding process gas all over the target, along with eliminating an effect of gas components discharged from an organic substance coated on the surface of a color filter substrate.例文帳に追加

カラーフィルタ基板の表面に被覆された有機物から放出されるガス成分の影響を排除しつつ、ターゲット全面にわたって均一にプロセスガスを供給することにより、基板全面に膜厚及び膜質が均一な被膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

The transparent conductive film is composed of a transparent base material film 2, and a first conductive layer 31 made of ITO (tin-doped indium oxide), a second conductive layer 32 made of silver, a third conductive layer 33 made of ITO, which are laminated in order by sputtering.例文帳に追加

本発明は、透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成された、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）からなる第１導電層３１、Ａｇ（銀）からなる第２導電層３２、ＩＴＯからなる第３導電層３３とを有する。 - 特許庁

To provide a solar cell whose structure layer is a (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer having low volume resistivity and thereby contributing to the improvement of photoelectric conversion efficiency, and a ZnO-Ga_2O_3-Al based sputtering target used for forming the (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３−Ａｌ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A dielectric thin film, that forms a thin film capacitor is formed of oxide dielectric which is represented by a general formula, ABO3 as the chemical formula, the oxide dielectric is manufactured through an ECR sputtering method, and the dielectric thin film has a composition that satisfies the expression 0.82≤A/B≤0.97.例文帳に追加

薄膜キャパシタを構成する誘電体薄膜を、一般式ＡＢＯ_3の化学式で表される酸化物誘電体で構成し、かつこの酸化物誘電体をＥＣＲスパッタリング法を用いて作製し、かつこの誘電体薄膜は０．８２≦Ａ／Ｂ≦０．９７を満たす膜組成を有している。 - 特許庁

In the rolling bearing reduced in torque by lubrication with lubricating oil, at least one of the lip of the seal and the outer circumferential surface of the inner ring or the inner circumferential surface of the outer ring which faces the lip is subjected to surface roughing by sputtering etching, and an oil repellent film is formed on the roughed surface.例文帳に追加

潤滑油による潤滑により低トルク化した転がり軸受において、シールのリップ部と、前記リップ部と対向する内輪の外周面または外輪の内周面の少なくとも一方がスパッタエッチングによる粗面化が施され、粗面化された面に撥油膜を形成する。 - 特許庁

The target assembly A for the rotary cylinder type magnetron sputtering cathode is configured by respectively joining bulk-form rectangular target material pieces 2 to each outer side face 1a of 6 or more polygonal cylindrical support 1 and working the outer peripheral surfaces of the target material pieces 2 to a cylindrical form.例文帳に追加

回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体Ａは、６面以上の多面筒状支持体１の各外側面１aにバルク状の短冊形ターゲット材料片２をそれぞれ接合して、このターゲット材料片２の外周面を円筒状に加工して構成される。 - 特許庁

A high fusing point metal film 8 is deposited by anisotropic sputtering, such that while suppressing the high fusing point metal 8 from being stuck on sidewalls 6a and 6b, the high fusing point metal film 8 is formed on source/drain diffusion areas 7a and 7b and on a polycrystal silicon gate 4.例文帳に追加

高融点金属膜８を異方性スパッタにより積層することにより、サイドウォール６ａ、６ｂ側壁への高融点金属膜８の付着を抑制しつつ、ソース／ドレイン拡散領域７ａ、７ｂ上および多結晶シリコンゲート４上に高融点金属膜８を形成する。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering, that a glass substrate, on which a black matrix and a colored picture element are formed, can be posisioned to and superimposed on its rear face while correctly keeping the front-rear relation and vertical relation between the mask and the glass substrate.例文帳に追加

スパッタ用メタルマスクの裏面に、ブラックマトリックス及び着色画素が形成されたガラス基板を位置を合わせて重ねる際に、スパッタ用メタルマスクに対するガラス基板の表裏関係及び上下関係を正しく保って重ね合わせることのできるスパッタ用メタルマスクを提供すること。 - 特許庁

This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method comprises arranging one or more microwave antennas along a traveling direction of the substrate to be thin-film-deposited and/or the opposite direction, in a plasma sputtering apparatus using a magnetron, and forming assisted plasma in the proximity of the surface of the substrate by irradiating the surface of the substrate with a microwave.例文帳に追加

マグネトロンを用いたプラズマスパッタリング装置内に、薄膜を堆積する基板の進行方向及び／又はその反対方向に向って一つ又はそれ以上のマイクロ波アンテナを配置して、基板表面上にマイクロ波を放射して基板表面近傍に支援プラズマを形成する。 - 特許庁

The metal particles 4 having catalyst activity and an additive particles 3 for improving catalyst activity of the metal particles are precipitated and carried by a physical deposition, for example, sputtering on the surface of a conductive powder 2, and furthermore, are heated, that is, annealed simultaneously with, before or after the precipitation and carrying.例文帳に追加

導電性粉体２の表面に、触媒活性を有する金属粒子４と、この金属粒子の触媒活性を向上させる添加物粒子３とを物理蒸着例えばスパッタリングによって析出担持させ、更に析出担持と同時に或いは前後して加熱すなわちアニール処理を施す。 - 特許庁

A sputtering apparatus 10 of an example of the vacuum treatment apparatus has a deposition shield 11 having a double structure which comprises an inner deposition shield 12 and an outer deposition shield 13 respectively having permeable pores 12c and 13c that are uniformly distributed but formed at positions staggered from pores in each other shield.例文帳に追加

本発明の真空処理装置の一例のスパッタリング装置１０は、均一に分布配置され、かつ、互いにずれた位置に設けられた通気孔１０２ｃ，１０３ｃ、を有する内側防着板１２と外側防着板１３とからなるニ重構造の防着板１１を備えた。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thermoelectric material in which a pure β phase having a small composition deviation is formed on a substrate as compared with a sputtering method using an alloy target of Fe and Si or a conventional thick film manufacturing method when a β phase thick film is manufactured on the substrate.例文帳に追加

β相の厚膜を基板上に作製する際に、ＦｅとＳｉの合金ターゲットを用いたスパッタ法等や従来の厚膜作製法と比較して、組成ずれが少ない純粋なβ相を基板上に形成した熱電材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。 - 特許庁

To produce high purity titanium used for a target or the like capable of suppressing contaminated materials caused by the mutual diffusion of materials composing a laminated thin film, and of limiting an abnormal discharging phenomenon and particles as much as possible in the case of film formation by sputtering and to provide a method for producing it.例文帳に追加

積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度チタン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing a perpendicular magnetic recording medium film having a low relative magnetic permeability which is used for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium in a hard disk, particularly applied to a perpendicular magnetic recording medium, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By the use of a load locked type sputtering device with a front chamber and a film-forming chamber, with niobium as the target in the formation of the first superconductive material and with magnesium oxide as the target in the formation of the second dielectric layer, the above formations can be continuously laminated under the same vacuum.例文帳に追加

前室と成膜室とを備えるロードロック式スパッタリング装置を用い、第一超伝導体層の形成にはニオブをターゲットとし、引き続き、第二誘電体層の形成には酸化マグネシウムをターゲットとして、同一真空下で連続的に成層するようにしてもよい。 - 特許庁