「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

A sputtering cathode includes the plurality of magnet units 7 arranged at positions opposite to the rear surface of the target 1 and a distance adjusting mechanism for separately adjusting a distance between the target 1 and the magnet unit 7 for each magnet unit 7.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。 - 特許庁

A conductive film is thereafter formed at about 50 nm on the master disk formed with such fine rugged patterns by electroless nickel plating or nickel sputtering, etc., without undergoing a developing process and the stamper is so manufactured by nickel electroplating as to attain a thickness of about 300 μm.例文帳に追加

その後、現像過程を経ずに、この微細凹凸パターンが形成された原盤上に、無電解ニッケルメッキまたはニッケルスパッタリング等により導電膜を約５０ｎｍ形成し、電柱ニッケルメッキにて約３００μｍの厚みになるようにスタンパを作製する。 - 特許庁

Otherwise, this method includes a step of coating catalytic metal particles 23 and carbon particles 22 concurrently on a hydrogen ion-exchanged polymer membrane by the sputtering method to form a catalytic layer 21 of nanoparticles, followed by a step of bonding this membrane with the pole.例文帳に追加

または、水素イオン交換高分子膜上に触媒の金属粒子２３と炭素粒子２２とを同時にスパッタリングしてコーティングしナノ粒子の触媒層２１を形成する段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。 - 特許庁

Alternatively, an alkali (earth) metal supply layer is film-formed by a reactive sputtering method in the presence of oxygen and/or nitrogen using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals.例文帳に追加

若しくは、アルカリ（土類）金属供給層の成膜を、酸素及び／又は窒素の存在下で、１種又は２種以上のアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を含む半導電性又は導電性のターゲットを用いた反応性スパッタ法により実施する。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured either by bubbling molten Al alloy material containing the intermetallic compound forming element by Ar or Kr gas, or by sintering powder of the Al alloy material in an Ar or Kr atmosphere.例文帳に追加

このようなスパッタリングターゲットは、金属間化合物形成元素を含むＡｌ合金原料の溶湯をＡｒガスまたはＫｒガスでバブリングしたり、あるいはＡｌ合金原料の粉末をＡｒまたはＫｒを含む雰囲気中で焼結することにより作製される。 - 特許庁

Since the gadolinium oxide films obtained by baking solutions of gadolinium octylate, gadolinium propionate or of their mixture are denser than gadolinium oxide powder films, they have higher preventing ability against sputtering of the discharge medium gas 4 toward the spot of the glass container immediately under the electrodes.例文帳に追加

オクチル酸ガドリニウム、プロピオン酸ガドリニウム又はそれらの混合液の焼成によって得られる酸化ガドリニウム膜は、粉体の酸化ガドリニウム膜より緻密であるので、ガラス容器の電極直下の部分に対する放電媒体気体４のイオンのスパッタ阻止能力が高い。 - 特許庁

In a white light emitting element, an Si(100) or GaAs (100) surface is used as a substrate, and two layers or multiple layers of hydrogenated carbon nitride thin films are grown using a sputtering apparatus and a plasma CVD apparatus on the substrate while nitrogen content is increased in the film thickness increase direction.例文帳に追加

基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode for a lithium secondary battery capable of preventing reduction of the charging/discharging capacity and degradation of the charging/discharging cycle characteristics, when a positive pole active material layer is formed on a collector by a vapor- deposition method or a sputtering method.例文帳に追加

蒸着法やスパッタ法などを用いて集電体上に正極活物質層を形成する場合における充放電容量の減少と充放電サイクル特性の悪化とを防止することが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

Sticking preventing shields 261, 262, 263 and 264 for preventing the sticking of a material released from a substrate 9 to a specific place are provided to be changeable in a pretreatment etching chamber 2, where the surface of the substrate 9 is etched before the film deposition by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理に先立ち基板９の表面をエッチングする前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料が特定の場所に付着するのを防止する防着シールド２６１，２６２，２６３，２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

After this, a metal film is formed over the entire surface by a sputtering method, and the mask is removed to cause the metal film to remain only over the first conductive layer, thereby forming an embedded wiring layer formed with a stack of the first conductive layer containing Ag and the second conductive layer (metal film).例文帳に追加

その後、スパッタ法により全面に金属膜を成膜した後、マスクを除去して第１導電層上にのみ金属膜を残存させて、Ａｇを含む第１導電層と第２導電層（金属膜）の積層からなる埋め込み配線層を形成する。 - 特許庁

A through hole 11 is formed on a board 10, a first conductor layer 12 is formed by plating, a through hole insulating layer 14 is formed by sputtering or vapor deposition, a second conductor layer 16 is formed by plating, and a wiring board which has a coaxial through hole conductor is manufactured.例文帳に追加

基板１０に、スルーホール１１を設け、第１導体層１２をメッキにより形成し、スルーホール絶縁層１４をスパッタまたは蒸着により形成し、第２導体層１６をメッキにより形成して、同軸スルーホール導体を備えた配線用基板を製造する。 - 特許庁

The transparent block 2 is formed by depositing a transparent conductive film 21 by sputtering or the like on the back side of flat transparent quartz glass 20, and the whole surface of the transparent quartz glass 20 can be uniformly heated in a short time with excellent controllability and high accuracy.例文帳に追加

透明体ブロック２は、平板状の透明石英ガラス２０の背面側にスパッタリング等によって透明導電膜２１を成膜したもので、透明石英ガラス２０の全面を制御性が良く短時間で均一に高精度で加熱することができる。 - 特許庁

To provide high purity zinc oxide powder and a production method thereof in which impurities, particularly C, Cl, S and Pb impurities, are removed efficiently at a low cost and to provide a target obtained by firing the high purity zinc oxide and a high purity zinc oxide thin film obtained by sputtering the target.例文帳に追加

低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。 - 特許庁

The composition ratio is controlled by using compound targets of different compositions for two facing targets 5, 6 of a facing target type sputtering apparatus, and arranging a substrate holder 4 at a diversified angle to the right or to the left from the vertical direction to the parallel direction with respect to the targets.例文帳に追加

対向ターゲット式スパッタ装置の相対する２個のターゲット５，６に組成の異なる化合物ターゲット用い、かつ基板ホルダー４をターゲットに対して垂直から平行まで左または右に様々な角度をつけることによって組成比を制御する。 - 特許庁

When sputtering gas is introduced from the vicinities of the targets 51 to 53, reactive gas is introduced from the vicinity of the substrate 12, and evacuation is executed from the vicinity of the substrate 12, reactive gas does not introduce into the sides of the targets 51 to 53, so that the alternation of the surfaces of the targets 51 to 53 can be prevented.例文帳に追加

スパッタリングガスをターゲット５_1〜５_3付近から導入し、反応性ガスを基板１２付近から導入し、基板１２付近から真空排気すると、ターゲット５_1〜５_3側には反応性ガスが進入しないので、ターゲット５_1〜５_3表面の変質を防止できる。 - 特許庁

The IC chips 1 with the rear-surface metal 2 are manufactured inexpensively without warping the chips 1 by forming separating grooves 23 into a wafer 7 from the rear surface of the wafer 7 along IC chip separating lines drawn on the rear surface, and precipitating the rear-surface metal 2 by the sputtering method, vapor deposition method, or electroless plating method.例文帳に追加

予め、ＩＣチップ１切断面にウエハ７裏面よりハーフダイシングにより分離溝２３を形成し、次にスパッタ法、蒸着法又は無電解メッキ法により裏面金属２を析出させることで、反ることのない安価な製造法を提供できた。 - 特許庁

A ZnO thin film (an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, a p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10) whose main component is ZnO is successively deposited on the zinc polar plane 1a of the ZnO substrate 1 through an ECR sputtering method or the like.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１の亜鉛極性面１ａ上にＺｎＯを主成分とするＺｎＯ系薄膜（ｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、ｐ形コンタクト層１０）をＥＣＲスパッタ法等で順次成膜する。 - 特許庁

For preventing the intrusion of the reaction gas into the reaction space S2, the side direction of the plasma space S1 is covered with a side face partition board 16, and moreover, for making a trace amount of reaction gas nevertheless intruding into the plasma space S1 inert, gaseous hydrogen is added to the sputtering gas.例文帳に追加

反応空間Ｓ_2 に反応ガスが侵入するのを防ぐためにプラズマ空間Ｓ_1 の側方を側面仕切板１６によって覆うとともに、それでもプラズマ空間Ｓ_1に侵入する微量な反応ガスを不活性化するために、スパッタガスに水素ガスを添加する。 - 特許庁

The sputtering target discharging a metallic component by collision of an accelerated particle, includes a metal substrate and the target material formed into a film-like shape by thermal spraying a metal silicon mixed with a metal whose atomic number is ≤11 on the surface of the substrate.例文帳に追加

加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。 - 特許庁

Moreover, for forming a thin film contg. plural components in desired rations from the point directly after the start of use, as for each component in the 1st region part, setting is executed in such a manner that the content of the one lower in the sputtering rate is made relatively large compared to the desired ratio of the thin film.例文帳に追加

さらに、使用開始直後から複数の成分を上記所望の割合で含む薄膜が形成されるように、第１領域部中の各成分をスパッタ率の低いものほど上記薄膜の所望の割合に比較して多くなるように設定した。 - 特許庁

To suppress the warpage of a joined body of a target material for sputtering and a backing plate material at the time of joining both materials, moreover to reduce the residual strain of the joined body generated by the application of mechanical stress to the joined body and to obtain the same joined body.例文帳に追加

スパッタリング用のターゲット材とバッキングプレート材を接合するときに、両材の接合体の反りを抑制し、さらに接合体に機械的な応力を加えることによって発生する接合体の残留歪を低減すること及びそのような接合体を得ること。 - 特許庁

The method includes a first step of depositing the LiNbO_3 film of an amorphous state on the quartz substrate or SiO_2 film by a sputtering method and a second step of forming the thin crystalline film of the C-axis oriented LiNbO_3 by heating the LiNbO_3 film deposited in the first step.例文帳に追加

石英基板またはＳｉＯ_２膜上にアモルファス状態のＬｉＮｂＯ_３膜をスパッタ法により堆積する第１の工程と、第１の工程で堆積したＬｉＮｂＯ_３膜を加熱して、Ｃ軸配向したＬｉＮｂＯ_３結晶薄膜を形成する第２の工程とを含む。 - 特許庁

The use of such a sputtering target material for forming the thin film solves the problems in a prior art, and realizes a technology having various superior characteristics as the components of the various electronic components, electronic devices, optoelectronic components and optical recording media, while utilizing the advantages of Ag.例文帳に追加

このような薄膜形成用スパッタリングターゲット材を用いることにより、従来技術の課題を解決し、Ａｇの保有する優位性を活かして各種電子部品や電子機器、電子光学部品、光学記録媒体の構成要素として諸特性に優れた技術を実現しようとするものである。 - 特許庁

The barrier film includes: a base material 11 formed of a plastic film; a base layer 12 composed of an ultraviolet curable resin formed on the base material 11; and a barrier layer 13 composed of a Si-Cr-Zr-based oxide formed by a sputtering method on the base layer 12.例文帳に追加

上記バリアフィルムは、プラスチックフィルムで形成された基材１１と、基材１１の上に形成された紫外線硬化樹脂からなる下地層１２と、下地層１２の上にスパッタ法で形成されたＳｉ−Ｃｒ−Ｚｒ系酸化物からなるバリア層１３とを具備する。 - 特許庁

A sputtering cathode on which multiple sub-targets 1s, mainly composed of silicon similarly to a main target 1m mainly composed of silicon and having an area smaller than that of the main target, are arranged is subjected to magnetron discharge, and a thin film is formed on a substrate 8 mounted on a substrate holder 7.例文帳に追加

シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 - 特許庁

This system has a vacuum chamber 30 provided with an exhaust system, a target 31 arranged at the inside thereof, an electrode 32 for generating sputter discharge for sputtering the target 31 and a substrate holder 22 allowing the substrate 21 to be treated to confront with the target 31 and parallelly hold the same.例文帳に追加

排気系を備えた真空チャンバー３０と、その内部に配置されたターゲット３１と、ターゲット３１をスパッタするためのスパッタ放電を発生させる電極３２と、被処理基板２１をターゲット３１と対向させ平行に保持する基板ホルダー２２とを具備する構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing coverage failures caused by the cohesion of an Al film in an early stage of a second step while preventing an increase or variation in the electric resistance of a metallic wire when forming the metallic wire by two-step sputtering, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

金属配線を２ステップスパッタにより形成する場合、金属配線の電気抵抗の上昇や、ばらつきを抑制しつつ、２ｎｄステップの初期段階におけるＡｌ膜の凝集によるカバレッジ不良を抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The target for magnetron sputtering has the ferromagnetic metal element and includes: a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element; a plurality of non-magnetic phases 14 and 16 that contain the ferromagnetic metal element but are different from each other in constituent element or in how much of the constituent element the non-magnetic phase contains; and an oxide phase 18.例文帳に追加

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有している。 - 特許庁

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

After the thickness of the film exceeds a specified thickness, the temperature is raised to a temperature for generating reflow, and an Al wiring film 3 is formed by high- temperature sputtering for eliminating irregular reaction between Ti and Al.例文帳に追加

本発明は、半導体基板１上にＴｉ膜２を形成し、室温程度に冷却させた後、Ａｌ膜を成膜し、所定膜厚を越えた後、リフローが発生する温度まで昇温して高温スパッタリングによるＡｌ配線膜３の成膜を行い、ＴｉとＡｌとの不均一な反応を無くす。 - 特許庁

To provide an intermediate refractive index thin film which can be utilized as one of a material constituting a multilayer in an antireflection film and various kinds of filters by using a reactive sputtering method used for a material that can be comparatively stably film-deposited even in a vacuum process and can be easily utilized.例文帳に追加

真空プロセスの中でも比較的安定成膜がしやすく、容易に利用できる材料をターゲットとした反応性スパッタリング法を用いて、反射防止膜や各種フィルターの多層膜を構成する材料のひとつとして利用可能な、中間屈折率薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein damage to a substrate is reduced and substrate deterioration can be reduced when a film is formed physically in an atmosphere where ions are present like a sputtering method, and to provide a light emitting diode element of high reliability which is manufactured by the method for manufacturing.例文帳に追加

スパッタ法のようなイオンが存在する雰囲気下で物理的に成膜する場合に、基板へのダメージを軽減し、基板劣化を低減できる半導体装置の製造方法を提供すること、及びこの製造方法によって製造された信頼性の高い発光ダイオード素子を提供すること。 - 特許庁

The method comprises a step of forming a lower electrode 33 on a substrate 10, a step of forming a titanium seed layer on the lower electrode 33 by sputtering method, a step of forming a piezoelectric film 43 on the titanium seed layer, and a step of forming an upper electrode 44 on the piezoelectric film 43.例文帳に追加

基板１０上に下部電極３３を形成する工程と、この下部電極上に種チタン層をスパッタ法により形成する工程と、この種チタン層上に圧電体膜４３を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極４４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a deposition shield installed in the vicinity of a plasma discharge space, which keeps stable discharge, and inhibits a film from being contaminated with foreign materials due to a collision of plasma components to a structure inside a chamber such as the deposition shield.例文帳に追加

プラズマ放電空間付近に防着シールドを設けたスパッタリング装置において、安定放電の維持、および防着シールド等のチャンバ内構造物に対するプラズマ構成要素の衝突に起因する膜中への異物混入を抑制するスパッタリング装置を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

In a process for making contact holes 23 in an insulation film 22 and depositing a barrier conductor film 24 on the surface of the insulation film 22 including the inside of the contact holes 23 by sputtering, means for reducing inflow of plasma electrons to a semiconductor substrate 1 is employed for depositing the barrier conductor film 24.例文帳に追加

絶縁膜２２に接続孔２３が形成され、接続孔２３の内部を含む絶縁膜２２の表面にスパッタリング法にてバリア導体膜２４を堆積する工程において、バリア導体膜２４の堆積にはプラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法を用いる。 - 特許庁

A first Zr oxide film 32, which is a lower layer part of a gate insulating film, is formed on a p-type silicon substrate 30 by sputtering, using a Zr target 10 where a Zr oxide layer 11 is formed on a surface in an atmosphere of Ar gas inside a chamber.例文帳に追加

チャンバー内をＡｒガスの雰囲気にしながら、表面部にＺｒ酸化物層１１が形成されたＺｒターゲット１０を用いてスパッタリングを行なうことにより、ｐ型シリコン基板３０上にゲート絶縁膜の下層部となる第１のＺｒ酸化物膜３２を形成する。 - 特許庁

In the Al-based alloy sputtering target, an Al-Ta-based intermetallic compound including Al and Ta preferably has a mean particle diameter of 0.005 μm or more and 1.0 μm or less, and a mean inter-particle distance of 0.01 μm or more and 10.0 μm or less.例文帳に追加

好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 - 特許庁

In the sputtering system, chucking-proof plates 7a, 7b are installed by a plurality of metal members doubly and in a non-contact state therebetween, and also, an amount of a residual gas obtained from a residual gas detecting means 15 is analyzed and a DC negative potential is applied to the outside chucking-proof plate 7b.例文帳に追加

スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a high resistance transparent electroconductive film which is useful for the formation of a transparent, electroconductive film having a high surface resistivity satisfying a sheet resistance of 500 to 2,000 Ω/square, and used for defining the position of the screen of a resistance film type touch panel apparatus or the like.例文帳に追加

高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Moreover, by heating the sputtering target assembled body to the temp. equal to or below the m.p. of the insert material, in a state in which the joining strength between the insert material and the target material and/or the backing plate is reduced, an external load is applied to separate the target material and the backing plate.例文帳に追加

また、スパッタリングターゲット組立体１を、インサート材４の融点以下の温度に熱することにより、インサート材４と、ターゲット材２および／またはバッキングプレート３との接合強度を低下させた状態において外力負荷を加えることによりターゲット材２とバッキングプレート３とを分離させる。 - 特許庁

To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。 - 特許庁

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁

Charge supplying layers and superconducting layers constituting the Cu-based high temperature superconducting thin film are formed by alternately sputtering a target for the charge supplying layers having a composition of the charge supplying layers and a target for superconducting layers having a composition of the superconducting layers while controlling the thickness of each film.例文帳に追加

Ｃｕ系高温超伝導薄膜を構成する電荷供給層と超伝導層を、電荷供給層の組成を有する電荷供給層用ターゲットと超伝導層の組成を有する超伝導層用ターゲットとを、それぞれ交互に膜厚を制御してスパッタする。 - 特許庁

The incident angle of the sputtering particles made incident on the film deposition face 22 is restricted by shielding members 25 or the length of a TS distance, the maximum incident angle θ5 is ≤15°, and the prospective incident angle Δθ as a difference between the maximum incident angle θ5 and the minimum incident angle is ≤10°.例文帳に追加

成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。 - 特許庁