「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

The aluminum-containing silicon alloy target for sputtering has a composition comprising 0.1-15 mass% Al, 10-50,000 ppm P, the balance Si with unavoidable impurities, and an atom ratio adjusted so as to be P/Al≤1.例文帳に追加

Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調整された成分組成を有するスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 特許庁

A film forming apparatus stores, after forming a thin film under sputtering conditions corresponding to the management number in the recording medium to the substrate taken out from the first distribution cassette, the substrate in a second distribution cassette and writes the management number in the recording medium.例文帳に追加

成膜装置は第１の流通カセットから取り出した基板に対し、その記録媒体内の管理番号に対応するスパッタ条件で薄膜を成膜後、その基板を第２の流通カセットに収納してその記録媒体に管理番号を書き込む。 - 特許庁

Sputtering particles from a target is transported and deposited on an organic substrate by the compulsory gas flow of sputter gas, by using the target containing indium oxide and tin oxide and impressing a DC bias voltage or an RF bias on the organic substrate.例文帳に追加

インジウム酸化物と錫酸化物とを含むターゲットを用い、有機物基板にＤＣバイアス電圧、あるいはＲＦバイアスを印加しながら、ターゲットからのスパッタ粒子をスパッタガスの強制ガス流により有機物基板上に輸送して堆積させる。 - 特許庁

This watch external component is manufactured by coating stainless steel, titanium, brass, zinc or the like with an iron - chromium binary alloy having color tone and brilliance equivalent to those of plated palladium and excellent in corrosion resistance and antimagnetism by sputtering, ion plating or the like.例文帳に追加

パラジウムメッキと同等な色調、明るさを有し、耐食性および耐磁性にすぐれた鉄ークロム２元合金をスパッタリング、イオンプレーティング等によりステンレス鋼、チタン、真鍮、亜鉛等に被覆することにより目的の時計外装部品を作製する。 - 特許庁

The method of forming a crystalline thin film or a crystalline structure includes a vapor deposition and crystallization acceleration step for performing vapor deposition of a metal oxide by sputtering, and acceleration of crystallization of a metal oxide by laser light irradiation simultaneously.例文帳に追加

結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。 - 特許庁

To improve mechanical strength of a lower electrode when precious metal materials such as ruthenium and the like are used for the lower electrode, and to overcome problem on oxidation resistance and sputtering resistivity required for barrier film.例文帳に追加

ルテニウム等貴金属材料を下部電極に用いた場合の、下部電極の機械的強度を向上し、下部電極加工の際、あるいは、キャパシタ絶縁膜形成の際のバリア膜に要求される耐酸化性、耐スパッタリング性の問題を回避する。 - 特許庁

The magnet set is used for a cathode magnet 142 in a magnetron sputtering apparatus, and comprises a plurality of magnet rings 1421a which form a nested structure, are fit each in another ring and can be used as the cathode magnet 142.例文帳に追加

本発明のマグネットセットは、マグネトロンスパッタリング装置のカソードマグネット１４２に使用するマグネットセットであって、入れ子式で嵌め合わせて前記カソードマグネット１４２として使用可能な複数のマグネットリング１４２１ａを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electromagnetic-shielding Ag alloy film excellent in Ag aggregation resistance and durability, an electromagnetic-shielding Ag alloy film formed body, and an Ag alloy sputtering target for depositing the electromagnetic-shielding Ag alloy film.例文帳に追加

Ａｇの凝集が生じ難く、ひいては優れた耐久性を有する電磁波シールド用Ａｇ合金膜、電磁波シールド用Ａｇ合金膜形成体、及び、このような電磁波シールド用Ａｇ合金膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

When titanium oxide targets are sputtered by a sputtering gas added with an oxygen gas, the titanium oxide thin film 31 can replenish deficit oxygen atoms, and thereby the titanium oxide thin film 31 having a photocatalyst function can be formed.例文帳に追加

酸化チタン薄膜３１は、酸素ガスが添加されたスパッタリングガスにより、酸化チタンターゲットをスパッタリングすると、形成される酸化チタン薄膜中の欠損酸素を補充できるので、光触媒機能を有する酸化チタン薄膜３１を形成することができる。 - 特許庁

To provide an oxide film having high light transmittance in the near-ultraviolet region, an oxide sintered compact that can be used as a sputtering target required for obtaining the oxide film, and a transparent substrate containing the obtained oxide film.例文帳に追加

近紫外域において高い光透過率を有する酸化物膜、また該酸化物膜を得るために必要なスパッタリングターゲットに用いることが可能な酸化物焼結体、さらには、得られた酸化物膜を含む透明基材を提供すること。 - 特許庁

In the tantalum sputtering target manufactured by performing plastic-working of a molten and cast tantalum ingot or billet through forging, annealing and rolling, the structure of the tantalum target comprises a non-recrystallized structure.例文帳に追加

溶解鋳造したタンタルインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延等の塑性加工を行うことによって製造されたスパッタリング用ターゲットであって、タンタルターゲットの組織が未再結晶組織を備えていることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

This is the transparent conductive membrane which is film-formed by using a sputtering target equipped with an oxide sintered body that contains indium oxide, and tin according to need, and which contains barium, and tin according to need, and contains barium.例文帳に追加

酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する酸化物焼結体を具備するスパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電膜であって、酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する。 - 特許庁

The timepiece dial 1 includes: a base material 2 mainly composed of polycarbonate; a first film 3 composed of silicon oxide, titanium oxide or silicon carbide; and a second film 4, composed of carbon, formed with sputtering method.例文帳に追加

本発明の時計用文字板１は、主としてポリカーボネートで構成された基材２と、ケイ素酸化物、チタン酸化物またはケイ素炭化物で構成された第１の膜３と、炭素で構成され、スパッタ法により形成された第２の膜４とを有する。 - 特許庁

To provide a high purity nickel or nickel alloy target for magnetron sputtering which can make better the uniformity of film thickness and the ignition properties of plasma even in a production process using a 300 mm wafer, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide flat panel display wiring and electrode using a TFT transistor including a copper alloy thin film that scarcely generates thermal defects such as hillock and voids and is excellent in a surface state and a sputtering target for forming them.例文帳に追加

ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the method for producing a catalyst for synthesizing methanol, the catalyst which contains copper is produced by sputtering, the catalyst being used in synthesizing methanol, through a formate, from a raw material gas which contains carbon monoxide and hydrogen, in the presence of an alcohol solvent.例文帳に追加

メタノール合成用触媒の製造方法において、アルコール溶媒の存在下で、一酸化炭素と水素を含む原料ガスから、ギ酸エステルを経由してメタノールを合成する際に用いられる銅を含む触媒のスパッタリング法による製造方法。 - 特許庁

This method relates to the phase change recording film with high electric resistance having a composition wherein Ge:15 to 30%, Sb:15 to 30% and B:0.2 to 12% at atomic % are incorporated and the remainder consists of Te and inevitable impurities, and a sputtering target for forming the film.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％、Ｂ：０．２〜１２を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗が高い相変化記録膜、およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this manufacturing method, after a wiring groove 3 is formed in an interlayer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1, a Cu layer 5 and a Cu alloy layer 7 are laminated by a sputtering method via a barrier metal layer 4, thereby burying into a Cu groove by a plating film forming methods.例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に配線用の溝を形成した後、バリアメタル層を介してスパッタ法によりＣｕ層と、次いでＣｕ合金層を積層して、めっき成膜法によってＣｕの溝への埋め込みを行う。 - 特許庁

In this method in which a magnet 6 is moved, and magnetron sputtering is executed, in the process of the movement of the magnet, it is moved to the direction vertical to the surface in accordance with the increase and decrease of the voltage of magnetron discharge, and the voltage of the discharge is retained to the approximately certain one.例文帳に追加

マグネット６を移動させてマグネトロンスパッタリングする方法に於いて、該マグネットをその移動中にマグネトロン放電の電圧の増減に応じて該表面と垂直方向へ移動させてその放電の電圧をほぼ一定に維持する。 - 特許庁

When depositing a thin film by sputtering a target 402 on a surface of a substrate 110 arranged facing the target 402, the spacing (TS) between the surface of the target 402 and the surface of the substrate 110 is set to be ≥100 mm.例文帳に追加

ターゲット４０２に対向して配置された基板１１０の表面に、ターゲット４０２をスパッタリングすることによって薄膜を形成する際、ターゲット４０２の表面と基板１１０の表面との間隔（ＴＳ）が１００ｍｍ以上となるようにする。 - 特許庁

The solid lubricating film as the 2nd layer is an MoS2 film, a WS2 film, an NbS2 film, a mica film, an Sb203 film, a BN film, a WSe film, an MoSe2 film, an Au film or an Ag film formed by an ion plating method, sputtering method or a shot peening method.例文帳に追加

第２層の固体潤滑膜は、イオンプレーティング法、スパッタリング法か、ショットピーニング法によって形成された、ＭｏＳ_2膜、ＷＳ_2膜、ＮｂＳ_2膜、雲母膜、Ｓｂ_2Ｏ_3膜、ＢＮ膜、ＷＳｅ膜、ＭｏＳｅ_2膜、Ａｕ膜、または、Ａｇ膜である。 - 特許庁

The electric circuit monitors the self-vias voltage of the upper electrode, and moves the plurality of magnets to a target plane in such a manner that a fixed magnetic field is retained on the surface of the target member receiving erosion with the lapse of time by a sputtering process.例文帳に追加

電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 - 特許庁

Ar gas in a chamber (2) is exhausted not only via the exhaust passage part (10) but also via the exhaust passage part (11) in accordance with the operation of a cryopump (14) driven under the control by a controller (100) when the sputtering system (1) lies in a standby state.例文帳に追加

チャンバ（２）内のＡｒガスは、スパッタ装置（１）がスタンバイ状態にある際、排気経路部（１０）だけでなく、制御装置（１００）の制御下で駆動されるクライオポンプ（１４）の動作に応じて排気経路部（１１）を介しても排出される。 - 特許庁

To provide an Fe-Co based alloy soft magnetic film used for a perpendicular magnetic recording medium or the like, capable of suppressing the formation of a crystal film even in a high temperature range, and a powder sintering sputtering target material for forming the Fe-Co based alloy soft magnetic film.例文帳に追加

高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜およびそのＦｅ−Ｃｏ系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

In the reflection film forming step, the reflection film is formed under ≥0.5 kw and <2 kw throwing power in a sputtering process so that the ratio of the thickness of the substrate to the thickness of the reflection film lies in a range of 500 to 30,000.例文帳に追加

ここで、反射膜形成工程は、スパッタリング処理において０．５ｋｗ以上２ｋｗ未満の投下電力で、基板の厚さの反射膜の厚さに対する比が５００から３００００の範囲に収まるように反射膜を形成する。 - 特許庁

To provide an information recording medium for performing high- density recording and reproducing which maintains favorable recording and reproducing characteristics and is excellent in the mass-productivity by using an interfacial layer having high thermal stability and a high sputtering rate.例文帳に追加

高密度の記録・再生を行う情報記録媒体において、熱安定性が良く、かつスパッタレートが大きい界面層を用いることにより、良好な記録・再生特性を保持し、量産性に優れた情報記録用媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film while monitoring film thickness and various spectral characteristics in real time when depositing an optical film of laminated structure in a film deposition process by means of sputtering and vapor deposition of various kinds.例文帳に追加

スパッタリングおよび各種蒸着による成膜プロセスにおいて、回転楕円体基盤表面へ積層構造の光学膜を形成する際にその膜厚と各種分光特性をリアルタイムでモニターしながら薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a discharge phenomenon from occurring in grinding at a part where an adhesive agent for fixing a semiconductor substrate onto a supporting body lies off the outer periphery of the substrate, when a conductive film is formed by a method including the sputtering method after grinding a rear face of the substrate.例文帳に追加

半導体基板の裏面研削後にスパッタリング法を含む方法で導電膜を形成する際に、研削時に半導体基板を支持体に固定する接着剤の基板外周部のはみ出した部分から放電現象の発生を防止する。 - 特許庁

The Al-based alloy sputtering target includes an Al-based alloy containing Nd and/or La of 0.1-3 atom%, and the amount of Fe included in the Al-based alloy is controlled to be 1/76 or less of the total amount of Nd and/or La.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、Ｎｄおよび／またはＬａを０．１〜３原子％含有するＡｌ基合金からなり、Ａｌ基合金中に含まれるＦｅ量が、Ｎｄおよび／またはＬａの合計量の１／７６以下に制御されている。 - 特許庁

A metal mask is put so as to cover the upper part of the n-type amorphous silicon film 6 except a region where the p-type amorphous silicon film 5 exists, and a back electrode 8 and a collector electrode 10 are formed by a sputtering method on parts except the metal mask.例文帳に追加

次に、ｐ型非晶質シリコン膜５が存在する領域を除いてｎ型非晶質シリコン膜６上を覆うようにメタルマスクを被せ、メタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極８および集電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a glow discharge lamp such as a glow starter in which sputtering of an electrode active material is essentially improved and the starting characteristics under a dark condition is enhanced by reducing the required time for lighting and lighting equipment having the glow discharge lamp.例文帳に追加

電極活性剤のスパッタリングを本質的に改善するとともに、点灯所要時間を短縮して暗所条件下における始動特性を改善したグロースタータなどのグロー放電ランプおよびこれを用いた照明器具を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a panel is sealed, and after sealing the panel with the discharging gas, aging is performed, and the second protecting layer 13 is eliminated from a negative electrode area by sputtering due to the discharge so that a surface of the MgO film 12 is exposed with a discharge space 3.例文帳に追加

その後、パネルを封着し、パネル内に放電用ガスを封入した上でエージングを行い、放電によるスパッタによって陰極領域から第２保護層１３を除去し、ＭｇＯ膜１２の表面を放電空間３に露出させる。 - 特許庁

In a step of forming a recording layer, a movable electrode 45 is brought into contact with an end face 11a of the insulating substrate in the state of the insulating substrate supported when the under layer is formed and the recording layer is formed by a sputtering process while a bias voltage is applied.例文帳に追加

次いで、記録層の形成工程において、下地層を形成した際の支持状態で可動電極４５を絶縁性基板の端面１１ａに接触させ、スパッタ法によりバイアス電圧を供給して記録層を形成する。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by using the oxide sintered compact expressed by general formula: Zn_1-xA_xO (wherein, A is at least one kind of element selected from the group comprising Ti and Hf; and x is ≥0.05 and ≤0.40).例文帳に追加

一般式Ｚｎ_1-xＡ_xＯ（式中、ＡはＴｉおよびＨｆからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を表し、ｘの値の範囲は、０．０５≦ｘ≦０．４０である）で表示される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, with which patterning accuracy, a sputtering film deposition distribution and/or an etching distribution can be improved, a wafer suction defect in a vacuum chuck or electrostatic chuck can be prevented, and a yield can be improved.例文帳に追加

パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、さらに、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor nano composite structure thin film material which can be manufactured collectively by a high frequency sputtering method, etc. and which has a structure in which semiconductor nano scale particles are dispersed uniformly in an Nb_2O_5 single phase matrix; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がＮｂ_２Ｏ_５単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a cold cathode discharge lamp which maintains its secondary electron emitting performance and has a practical long life, and is highly efficient, in a discharge lamp using for its cold cathode a diamond which has a large secondary electron emitting efficiency and a small sputtering rate.例文帳に追加

二次電子放出効率が大きくスパッタ率が小さいダイヤモンドを冷陰極に用いた放電灯において、その高い二次電子放出性能を維持し、実用的な長寿命を持つ高効率な冷陰極放電灯を実現すること。 - 特許庁

A transparent conductive film 1 comprises: a substrate film 2; and a transparent conductive layer 3 consisting of ITO formed by sputtering, wherein a polyester based coating agent 4 is made to intervene between the above substrate film 2 and the above transparent conductive layer 3.例文帳に追加

基材フィルム２と、スパッタリングにより形成したＩＴＯからなる透明導電層３とを有する透明導電フィルム１であって、上記基材フィルム２と上記透明導電層３との間には、ポリエステル系のコーティング剤４を介在させてある。 - 特許庁

To provide a method for controlling a sputtering apparatus, particularly which can continuously form a film on substrates with large areas in a simple configuration without synchronizing frequencies of two or more targets by matching the phases.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング装置の制御方法に関し、特に複数のターゲットの周波数を同期させて位相等を合わせることなく簡易な構成で大面積の基板を連続して成膜することのできるスパッタリング装置の制御方法に関する。 - 特許庁

To obtain an optimum optical recording medium and a sputtering target for manufacturing the medium so as to record and erase in a region at a recording linear speed of 9 to 30 m/s in a phase change type optical recording medium.例文帳に追加

相変化型光記録媒体光記録媒体において、記録線速度９ｍ／ｓｅｃ以上３０ｍ／ｓｅｃ以下の領域で記録、消去を行うのに、最適な光記録媒体及びその媒体を製造するためのスパッタリングターゲットを得ること。 - 特許庁

The apparatus 10 is provided with a vacuum chamber 12, a support body 16 to support the substrate 16 to be treated, a substance source holder to hold a substance source treating the substrate and an evaporation/ sputtering means 20 to evaporate/sputter the substance.例文帳に追加

この装置１０は、真空チャンバ１２と、処理される基板１６を支持するための基板用支持体１６と、基板が処理される物質源を保持するための物質源ホルダーと、物質を蒸発並びにスパッタリングするための蒸発並びにスパッタリング手段２０とを有する。 - 特許庁

Thereafter, a thick amorphous silicon film 11a deposited on the side wall 4a of the contact hole 4 is dispersed by sputtering by the use of argon gas, the scattered amorphous silicon film 11a is deposited again on the base of the contact hole 4 for the formation of a thick amorphous silicon film 7b (c).例文帳に追加

その後、コンタクトホールの側壁４ａに堆積している厚いアモルファス・シリコン膜１１ａをアルゴンガスを用いたスパッタし、飛散させ、飛散したアモルファス・シリコン膜１１ａをコンタクトホールの底部４ａに再堆積させ、厚いアモルファス・シリコン膜７ｂとする（ｃ）。 - 特許庁

To provide a target material for sputtering or ion plating in which density is almost 100%, the content of gas is low, structure can easily be controlled, production cost is low, and the target material and a backing plate are integrated in metallography, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

密度がほぼ１００％であり、含有ガス量が少なく、組織制御が容易で、生産コストが安く、さらにターゲット材とパッキングプレートが金相学的に一体となったスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The recessed structure 310 consists of a first metal film 309 formed on the silicon substrate 310 using a sputtering, deposition method, and CVD method or the like; and of a second metal film 308 having a space at the center thereof and formed on the first metal film 309 using a plating process.例文帳に追加

凹型構造体310は、シリコン基板310上にスパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ法等を用いて成膜した第１の金属膜309と、第１の金属膜309の上にめっき法を用いて成形した中央に空間を有する第２の金属膜308とから構成されている。 - 特許庁

The TCO layer consists at least of a first layer of high conductivity and a second layer of low conductivity, with the second layer generated by DC sputtering of at least one target (4), which contains zinc oxide and additionally aluminum, and the process atmosphere contains oxygen.例文帳に追加

ＴＣＯ層は、少なくとも高導電性の第一層と低導電性の第二層からなり、第二層が、酸化亜鉛と更にアルミニウムを含有する、少なくとも一つのターゲット（４）のＤＣスパッタリングによって生成され、プロセス雰囲気は酸素を含有する。 - 特許庁