「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a winding deviation of a wound body of a sheet-like material during evacuation, in a surface treatment apparatus for treating the surface with plasma, sputtering, CVD, vapor deposition or the like, while continuously moving the sheet-like material in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、真空引き時におけるシート状材料の巻物体の巻ズレを防止する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a metallic thin film on a resin film where, even if a metallic thin film is deposited on a resin film by sputtering, the adhesion between the resin film and the metallic thin film can be improved without deforming the resin film.例文帳に追加

樹脂フィルムにスパッタリングで金属薄膜を形成しても樹脂フィルムが変形することなく、当該樹脂フィルムと金属薄膜の密着性を改善向上せしめることができる樹脂フィルムへの金属薄膜の形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a release vacuum position switch which can be applied to a film deposition apparatus of vapor deposition apparatuses or sputtering apparatuses, capable of constantly detecting the position of a work with an object to be film-deposited mounted thereon, and automating the film deposition apparatus.例文帳に追加

本発明は、蒸着、或いはスパッタ装置類の成膜装置に適用可能で、被成膜物を搭載したワーク位置を常時検出することが可能であり、成膜装置を自動化することができるレリーズ真空位置スイッチを提供すること。 - 特許庁

A self-cleaning coating activated by the photocatalytic action is formed on a substrate by spray thermal decomposition, chemical deposition or magnetron sputtering vacuum deposition, thereby providing the substrate with the self-cleaning surface activated by the photocatalytic action.例文帳に追加

基体上に光触媒作用によって活性化された自浄性被覆を、噴霧熱分解、化学蒸着、又はマグネトロンスパッタリング真空蒸着により形成することにより、基体に、光触媒作用によって活性化された自浄性表面を与える。 - 特許庁

A DC barrier metal layer 14 is then formed using DC sputtering on one side surface 67 of the RF barrier metal layer 13 in the laminating direction Z, so that a barrier metal layer is formed from the RF barrier metal layer 13 and the DC barrier metal layer 14.例文帳に追加

次にＲＦバリアメタル層１３の積層方向Ｚの一方側の表面６７上に、直流スパッタリングを用いてＤＣバリアメタル層１４を形成し、ＲＦバリアメタル層１３およびＤＣバリアメタル層１４から成るバリアメタル層を形成する。 - 特許庁

The catalyst layer 12 is formed by stacking nitride/transition metal in this order or transition metal/nitride/transition metal in this order from the substrate side by using a sputtering apparatus and contains at least one element selected from Cu, Fe, Ni, and Co.例文帳に追加

この触媒層１２は基板側から窒化物／遷移金属、又は遷移金属／窒化物／遷移金属との順に積層され、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる少なくとも一つの元素を含有するものであって、スパッタ装置を用いて形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, suppressing leak current while more accurately setting the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method.例文帳に追加

ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えながらリーク電流を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the surface of the fifth film and the surface of the plug are exposed with a plasma atmosphere containing an oxygen or irradiated with a light having a wavelength of several tens nm to 400 nm or sputtering- etched by using an Ar gas.例文帳に追加

次に、第５の層間絶縁膜表面と金属プラグ表面を酸素を含有するプラズマ雰囲気にさらすか、あるいは数１０ｎｍ〜４００ｎｍの波長の光を照射するか、もしくはＡｒガスを用いたスパッタエッチング処理を施す。 - 特許庁

At the time of depositing a thin film of chalcophylite type compound on a substrate by vacuum vapor deposition or sputtering, a thin compound film during deposition is irradiated with a first ion beam containing an chalcogenite element (Se or S) at ≤300 V accelerating voltage.例文帳に追加

カルコパイライト系化合物薄膜を真空蒸着又はスパッタ法によって基板上に堆積するに際し、堆積中の化合物薄膜にカルコゲナイト元素（Ｓｅ又はＳ）を含む第１のイオンビームを３００Ｖ以下の加速電圧で照射する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained.例文帳に追加

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode protecting paint capable of forming a film for protecting electrodes, excellent in mechanical strength and darkness starting characteristics and capable of maintaining sputtering resistance for a long period of time, to provide an electrode protecting painted film, and to provide a fluorescent lamp.例文帳に追加

機械的強度及び暗黒始動特性に優れ、長期に亘って耐スパッタリング性を維持することができる電極保護用の膜を形成することが可能な電極保護用塗料及び電極保護用塗膜並びに蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.例文帳に追加

本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁

To provide a titanium oxide sintered compact capable of being film-deposited by a DC magnetron sputtering process and controlling the quantity of oxygen required to obtain an high quality titanium oxide thin film to ≤3% wherein the film deposition speed does not drop.例文帳に追加

ＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜ができ、かつ、良質の酸化チタン薄膜を得るために必要な酸素導入量を、成膜速度が低下しない３％以下にすることができる酸化チタン焼結体およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently depositing an alumina film consisting mainly of α-crystalline structure at a relatively low temperature range when depositing the alumina film on a substrate by sputtering an aluminum metal target in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

酸化性ガス含有雰囲気下でアルミニウム金属ターゲットをスパッタリングして基板上にアルミナ膜を形成するに当たり、α型結晶構造主体のアルミナ膜を比較的低温域で効率よく形成することのできる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a PDP in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, change of a protective layer surface on a bus electrode on a scanning electrode to carry out write-in discharge is suppressed, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed.例文帳に追加

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても書込み放電を行う走査電極上のバス電極上の保護層表面の変化が抑制され、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したＰＤＰを提供する。 - 特許庁

In a process of depositing a reflecting multi-layered film by alternately sputtering targets 11, 12 of Mo and Si, the internal stress of a Mo layer is changed according to the value of the water partial pressure of atmospheric gas in a vacuum chamber 1 to cause dispersion in the reflectance for each product.例文帳に追加

ＭｏとＳｉのターゲット１１、１２を交互にスパッタして反射多層膜を成膜する工程において、Ｍｏ層の内部応力は、真空チャンバー１内の雰囲気ガスの水分圧値に応じて変化し、製品ごとの反射率のバラつきを招く。 - 特許庁

Using a highly flexible basic material, e.g. a polyimide resin sheet, heating resistors, discrete electrodes, signal input electrodes and a protective film are formed on one plane of the basic material using sputtering and a photolithographic process and then it is patterned.例文帳に追加

さらに、端面に発熱抵抗体を形成しパターニングを行う面が増える為、成膜やフォトリソの工数が増加するとともに、平面部と端面との電極の連続性を保つことも技術的に困難であり、量産性に問題があった。 - 特許庁

Also, the sample preparation method for the charged particle device includes a step of forming fine irregularities on the surface of the substrate and a step of attaching metal fine particles on the surface of the substrate by sputtering.例文帳に追加

また、荷電粒子線装置の試料作成方法であって、基板表面に微細な凹凸を形成するステップと、前記基板表面にスパッタにより金属微粒子を付着させるステップと、を有することを特徴とする試料作成方法を提供する。 - 特許庁

Since this gallium oxide powder has a bulk density whose difference from that of indium oxide powder is small, it can be mixed uniformly when it is mixed with indium oxide powder or the like, and a homogeneous mixed sintered compact, for example, a sputtering target, can be produced.例文帳に追加

かかる酸化ガリウム粉末は、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末などと混合した際に均一に混合させることができ、均質な混合焼結体、例えばスパッタリングターゲットを作製することができる。 - 特許庁

The electrode of is not a simple nickel substance but is an nickel alloy, containing the additive elements described, can improve its discharge capacity, oxidation resistance, sputtering resistance, and reactivity resistance against mercury, resulting in contribution to the high luminance and long lifetime of the fluorescent lamp.例文帳に追加

ニッケル単体ではなく、上記添加元素を含有したNi合金からなる電極は、放電性、耐酸化性、耐スパッタリング性、水銀との耐反応性を向上させることができ、蛍光ランプの高輝度化、長寿命化に寄与することができる。 - 特許庁

A sputtering method is used as a nucleus sticking method when forming a detecting electrode composed of platinum on an outer wall of a base body via the nucleus sticking process for sticking a nucleus of platinum to the outer wall of the base body and a growth process for growing the stuck nucleus.例文帳に追加

基体の外壁に白金の核を付着させる核付け工程と、付着した核を成長させる成長工程とを経て、基体の外壁に白金からなる検出電極を形成する際、核付け工程としてスパッタ法を用いる。 - 特許庁

Since the electrodes 103 are constituted of the electrode material made of the nickel alloy with the composition instead of a nickel simple substance, discharge characteristics, oxidation resistance, sputtering-proofing, and reaction-resistance to mercury can be improved and high brightness and a longer life of the cold-cathode fluorescent lamp can be achieved.例文帳に追加

ニッケル単体ではなく、上記組成のNi合金からなる電極材料により電極103が構成されることで、放電性、耐酸化性、耐スパッタリング性、水銀との耐反応性を向上させることができ、高輝度化、長寿命化を実現する。 - 特許庁

A component includes a built-in piezoelectric element and shields the piezoelectric element from an external atmosphere, and is made of the transparent material such as a crystal and a glass material, and a discrimination symbol S is displayed on the component surface by sputtering or photolithography.例文帳に追加

圧電素子を内部に具備し、該圧電素子を外部雰囲気から遮断する部品であって、該部品が水晶あるいはガラス材料等の透明材料からなり、前記部品表面にスパッタリングあるいはフォトリソグラフィにより判別記号Ｓを表示する。 - 特許庁

To avoid a problem of needing a process for brazing a target pipe with a sputtering material, by connecting a locking-device and/or a tube end cover with a target body through the materials or the shapes.例文帳に追加

固定装置及び／又は管端部カバーが、材料接続的又は形状接続的に支持体ボディと結合されていることによって、さもなければ必要なスパッタ材料と支持体管との間のろう接過程を生ぜしめる問題を回避する。 - 特許庁

To provide a cold cathode discharge lamp in which an environmental load can be reduced by controlling consumption of mercury due to sputtering and reducing the amount of mercury filled in the bulb and a light-emitting device using this cold cathode discharge lamp.例文帳に追加

スパッタリングによる水銀の消耗を抑制し、バルブ内に封入する水銀量を削減し、環境負荷を軽減し得る冷陰極放電ランプ及びこの冷陰極放電ランプを用いた発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for manufacturing a perpendicular magnetic recording medium with stable product quality by organizing a production apparatus to conduct stable surface working and a manufacturing method to install the surface working in-line immediately before a sputtering step.例文帳に追加

安定した表面加工を行う生産装置と、それをスパッタ工程の直前にインラインで構成する製造方法の構築により、安定した製品品質の垂直磁気記録媒体が生産できる製造方法、及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact capable of stably forming a transparent electrically conductive thin film having a high surface smoothness and a low specific resistance, a sputtering target and the transparent electrically conductive thin film obtained by using it.例文帳に追加

高い表面平滑性を有するとともに比抵抗の小さい透明導電性薄膜を安定的に形成することを可能とする酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびこれを用いて得られる透明導電性薄膜を提供する。 - 特許庁

In the surface treatment, a thin film may be formed on the surface by a sputtering or chemical vapor deposition method(CVD method) or a fine roughness may be formed on the surface by a wet etching method or a wet etching method after the thin film is formed.例文帳に追加

この表面処理はスパッタリングまたは化学蒸着法（ＣＶＤ法）によって表面に薄膜を形成しても良いし、表面に湿式エッチングまたは上記の薄膜形成後の湿式エッチングの方法で微細な粗さを形成しても良い。 - 特許庁

When the oxide transparent conductive film material is sputtered on the glass substrate 15 from the target 12, cesium vapor is introduced into a space from the center of the plasma space in the sputtering room 11 over the glass substrate 15 by a cesium evaporation source 21.例文帳に追加

ターゲット１２からガラス基板１５に酸化物透明導電膜材料をスパッタリングするとき、スパッタリング室１１内のプラズマ空間の中心からガラス基板１５にかけての空間にセシウム蒸発源２１によりセシウム蒸気を導入する。 - 特許庁

The SiLix film may be formed by doping an Si film formed on metal foil with Li or may be formed directly on current collector metal foil by sputtering an Si-Li alloy target.例文帳に追加

前記ＳｉＬｉｘ膜としては、金属箔上に形成したＳｉ膜にＬｉをドープしたものを使用することができるし、集電体金属箔上にＳｉ−Ｌｉ合金ターゲットのスパッタリングで直接形成したものを使用することができる。 - 特許庁

The sputtering target consisting essentially of zinc sulfide and containing a conductive oxide and a nitride and the optical recording medium having the protective film for the phase transition type optical disk consisting essentially of zinc sulfide and formed by using the target are provided.例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とし、導電性酸化物及び窒化物を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 - 特許庁

At that time, by irradiating a part of the ion beam not incident on the surface of the substrate on a target 22 consisting of the thin film raw material and sputtering the target 22, the thin film raw material thus sputtered can be deposited on the surface of the substrate 21.例文帳に追加

その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。 - 特許庁

Solid-state carbon is made a target 16, and carbon or the carbon thin film which is mainly constituted of carbon is formed on the surface of the compound semiconductor which is chemically sensitive to active hydrogen by a sputtering method performed in an inert gas atmosphere in a reaction chamber 6.例文帳に追加

活性水素に化学的に敏感な化合物半導体表面に、固体炭素をターゲット１６とし、反応室６において、不活性ガス雰囲気下で行うスパッタ法により炭素あるいは炭素を主成分とした炭素系薄膜を形成する。 - 特許庁

The assembly 12 is composed of a permanent magnet 13 having a rectangular parallelepiped shape and three pairs of center electrodes 21-23 and a grounding electrode 26 formed by printing, sputtering, vapor deposition, sticking, plating, etc.例文帳に追加

中心電極組立体１２は、略直方体形状を有する永久磁石１３と、印刷やスパッタリングや蒸着、貼合わせ、あるいは、めっき等の方法を用いて形成された中心電極２１〜２３及びアース電極２６とからなる。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic EL element comprises a process 1 of vapor-depositing a material containing alkali metal or alkali earth metal on the surface of a sputter target for a cathode electrode material, and a process 2 of forming a cathode electrode film by a sputtering method.例文帳に追加

カソード電極材用スパッタターゲット表面に、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属元素を含む材料を蒸着する工程１と、カソード電極をスパッタ成膜する工程２を有する有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An electrode is formed by sputtering, and, by arranging a mask 108 having an opening part 110 in accordance with the shape of the electrode on the space between a target 106 and a substrate 100, the formation of the electrode is made possible.例文帳に追加

スパッタリングにより電極を形成するもので、電極の形状に応じた開口部１１０を有するマスク１０８をターゲット１０６と基板１００との間に配置することにより、基板１００上への電極の形成を可能とした。 - 特許庁

To provide a tool for sputtering which can surely hold a glass substrate even when the magnets of a base plate exist in the corresponding positions of the apertures of a pattern mask and which can prevent the appearance of the traces of the magnets on an ITO film deposited on the glass substrate.例文帳に追加

ベースプレートの磁石がパターンマスクの開口部の対応位置にあるときでもガラス基板を確実に挟持でき且つガラス基板に成膜されたＩＴＯ膜に磁石跡が現れるのを防止することができるスパッタ用治具を提供する。 - 特許庁

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3.例文帳に追加

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。 - 特許庁

The alignment layer is a single layer of an amorphous fluorocarbon film, and formed by using hydrocarbon gas, hydrogen gas, fluorocarbon hydrogen gas, or a mixture of them and performing oblique vapor-deposition on the substrates by a plasma enhanced chemical vapor-deposition or sputtering vapor-deposition.例文帳に追加

配向膜はアモルファスフッ化炭素膜の単一層で、炭化水素ガス、水素ガス、フッ化炭化水素ガス、或いはこれらの混合体を用い、プラズマエンハンスト化学蒸着法又はスパッタ蒸着法により、基板に斜め蒸着することによって作成する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the hard carbon film, when depositing the hard carbon film containing the metal element and nitrogen, the deposition condition is controlled using a processing method such as an ion-plating method, a sputtering method, a plasma processing method and an ion implanting method.例文帳に追加

金属元素及び窒素を含有した硬質炭素膜を形成する際に、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ処理及びイオン注入処理等の処理方法を利用し、形成条件を制御する硬質炭素膜の製造方法である。 - 特許庁

As the antireflection film 11, there is formed, through a sputtering method, a fluoride carbon film having a perfluorocarbon skeleton as a fundamental molecular structure and including a partial area in which at least one of a carbon atom and a fluorine atom is missing.例文帳に追加

当該反射防止膜１１として、パーフルオロカーボン骨格を基本的な分子構造とし、Ｃ原子またはＦ原子の少なくともいずれかが欠損してなる部分領域を有する構成を持つ、フッ化炭素膜をスパッタリング法等で成膜する。 - 特許庁

The ZnO-based sputtering target includes an oxide phase containing Zn and an intermetallic compound phase containing Al and Ti, wherein the intermetallic compound phase is dispersed in the oxide phase.例文帳に追加

Ｚｎを含む酸化物相と、ＡｌおよびＴｉを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするＺｎＯ系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 - 特許庁

A mixed powder prepared by mixing a Cu-Ga alloy powder containing at least gallium and copper and an alkali metal-containing organic matter is sintered to produce a Cu-Ga alloy sputtering target containing 0.01-5 mass% of the alkali metal.例文帳に追加

少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target useful for forming a protective film of a phase-change recording medium, which does not crack or break when manufacturing the sintered compact, has a high manufacturing yield, and does not cause cracks even when being sputtered in high power, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない相変化記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target material for manufacturing a Ni-W-P,Zr-based intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium includes, by atomic percentage, W in an amount of 1-20% and P and/or Zr in an amount of 0.1-10% in total with the balance being Ni.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。 - 特許庁