「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

In a method of manufacturing a piezoelectric film 17 as the dielectric film, a first piezoelectric film 15 to be preferentially oriented to (002) is first formed on a lower electrode layer 14 preferentially oriented to (002) using a sputtering method or an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

圧電体膜１７の製造方法は、まず、（００２）に優先配向された下部電極層１４上に、同じ（００２）に優先配向する第１圧電体膜１５をスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁

The reflectance is adjusted in accordance with the incidence angle of incident light 10a through the provision of the distribution of film density in the in-plane direction by a method for changing an incident angle of sputtering atoms and the like in the process for forming the film of the Mo layer 2.例文帳に追加

Ｍｏ層２の成膜工程で、スパッタ原子の入射角を変化させる等の方法で、面内方向に膜密度の分布を持たせることにより、入射光１０ａの入射角に応じて反射率を調整する。 - 特許庁

The process device 1 is a vacuum device, such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device or an ion beam sputtering device, or a thin-film growth device, such as an organic-metal gas-phase growth device or a liquid phase epitaxial device, or a surface treatment device, etc.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

In the high-pressure discharge lamp which lights up by means of rectangular waves, the condition which prevents blackening due to sputtering of the high-pressure discharge lamp, as much as possible, is set, by setting the frequency and the current value of the lamp current at the starting as parameters.例文帳に追加

矩形波点灯で点灯させる高圧放電灯点灯装置において、始動時のランプ電流の周波数と電流値をパラメーターにして、高圧放電灯にスパッタによる黒化の発生を極力抑える条件を設定する。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time.例文帳に追加

時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。 - 特許庁

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.例文帳に追加

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁

The backing plate for the sputtering targets is characterized in that the backing plate is composed of an aluminum alloy and that the Al alloy has an average coefficient of linear expansion of ≤23.0x10^-6/°C at 25 to 100°C.例文帳に追加

スパッタリングターゲット材用の支持体であって、該支持体はＡｌ合金からなり、該Ａｌ合金は２５〜１００℃における平均線膨張係数が２３．０×１０^−６／℃以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット材用支持体。 - 特許庁

To provide: a Cu-In-Ga-Se based powder which contains Cu, In, Ga and Se and is free from occurrence of cracks during sintering or process; and a sintered body and a sputtering target, each of which uses the Cu-In-Ga-Se based powder.例文帳に追加

焼結時や加工時に割れの発生しないＣｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅを含有するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

A plurality of bell caps 12A, 12B are coaxially disposed while their positions being shifted from one another in the axial direction and coating material supply tubes 17A, 17B (supply routes) for supplying respective sputtering materials to the respective bell caps 12A, 12B are installed.例文帳に追加

複数のベルカップ１２Ａ，１２Ｂを同軸状に且つ軸方向に互いに位置をずらして設け、個々のベルカップ１２Ａ，１２Ｂに夫々塗料を供給するための塗料供給チューブ１７Ａ，１７Ｂ（供給路）を設けた。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus, in which one type of a magnetron magnetic field constitution suffices for each magnetron evaporation source, and therefore a desired confining magnetic field can be formed regardless of the number and configuration of magnetron evaporation sources, and which can simplify a change in the shape of a confining magnetic field.例文帳に追加

マグネトロン蒸発源が１種類のマグネトロン磁場構成で済み、マグネトロン蒸発源の数、配置に関係なく所望の閉じ込め磁場を形成でき、また閉じ込め磁場形状が簡単に変えられるようにする。 - 特許庁

To solve the problem at the end of life of the fluorescent lamp incorporated in a liquid crystal display, of a glass tube in an electrode neighborhood inside a fluorescent lamp being fractured due to sputtering phenomenon to discharge with an external metal part, and to cause lighting failure of the fluorescent lamp.例文帳に追加

液晶表示装置に組み込まれた蛍光ランプの寿命末期に於いて、蛍光ランプ内の電極近傍のガラス管がスッパッタリング現象のため破損し、外部の金属部と放電を起こし、蛍光ランプが不点灯となる。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

After the Al-Cu film 16c is formed, an AlN film 16e and a TiN film 16d are sequentially formed on the Al-Cu film 16c by executing reactive sputtering using Ti as a target in an atmosphere of N_2 +Ar.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ膜１６ｃの成膜後、Ｔｉをターゲットに用いたＮ_２＋Ａｒ雰囲気下での反応性スパッタリングを行うことで、Ａｌ−Ｃｕ膜１６ｃの上にＡｌＮ膜１６ｅ、ＴｉＮ膜１６ｄを順に成膜する。 - 特許庁

The target T moves to the region where the intensity of the magnetic field is prescribed value or above and plasma is concentrated in such a manner that it is superimposed on the region where, in the target T, the remaining film thickness is almost equal to the initial target film thickness, and sputtering is continuously performed.例文帳に追加

ターゲットＴは、磁界の強さが所定値以上で、プラズマが集中する領域に、ターゲットＴのうち、残膜厚が初期ターゲット膜厚に略等しい領域が重なるうように移動し、スパッタリングが継続して実施される。 - 特許庁

The gaseous oxygen is introduced for a prescribed time into the chamber 10 before the start of sputtering and, after the gaseous oxygen is adsorbed into the inner walls of the chamber and a target surface, the intermediate layer is deposited on the substrate S by carrying out supporting work.例文帳に追加

そして、スパッタ開始前にチャンバ１０内に酸素ガスを所定時間導入し、チャンバ内壁やターゲット表面等に酸素ガスを吸着させた後に、スパッタ作業を行って基板Ｓ上に中間層を成膜する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of inclining a target surface with respect to a substrate surface at an arbitrary angle, finding the angle of inclination suitable for a material, manufacturing a thin film of excellent quality with excellent reproducibility, and achieving production of the thin film.例文帳に追加

基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The reflective layer 30 is so formed as to constitute a mirror by depositing silver/aluminum by evaporation or sputtering the same or bonding together a reflection sheet 32 thereto, and as a result, the reflection efficiency and the gain in the front direction of the screen can be improved.例文帳に追加

また反射層３０は、銀／アルミニウムを蒸着またはスパッタリングするか、または反射シート３２を貼り合わせて、ミラーとなるように構成することにより、反射効率とスクリーン正面方向のゲインを向上させることができる。 - 特許庁

The method of manufacturing the image display device includes a process of forming a draw-out wiring C on a rear plate 1, and a process of forming a thin-film insulating layer 11 on the draw-out wiring C by a CVD method or a sputtering method.例文帳に追加

本発明の画像表示装置の製造方法は、リアプレート１上に引き出し配線Ｃを形成する工程と、引き出し配線Ｃ上に、ＣＶＤ法もしくはスパッタ法で薄膜絶縁層１１を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In addition, a three-layered thin film composed of a titanium oxide film formed by being coated on the surface of the DLC film, and the other DLC film formed by being coated by the sputtering method on the surface of the titanium oxide is formed.例文帳に追加

さらに、ＤＬＣ膜の表面にコーティングにより成膜された酸化チタン膜とこの酸化チタンに表面にスパッタリング法によってコーティングにより成膜された他のもう１層のＤＬＣ膜からなる３層の薄膜を形成する。 - 特許庁

An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.例文帳に追加

【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁

To improve uniformity in the image of an active matrix type display device using TFT by improving variations of characteristics among TFTs caused by unevenness in the damage which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。 - 特許庁

To produce the whole in miniature with a compact structure, to realize a cathode chamber with a simple structure by utilizing a rotary type cathode mechanism having plural cathode and to prevent the contamination of a target on the cathode at the time of sputtering film formation.例文帳に追加

コンパクトな構造で全体を小型に製作し、複数のカソードを設けた回転式カソード機構を利用してカソードチャンバを簡単な構造で実現し、カソード上のターゲットがスパッタ成膜時に汚染されるのを防止する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film is characterized by forming the thin film having a thickness of 100 Å or less with a discharge sputtering method using a direct current having a pulsed waveform, while using a target having a specific resistance of 0.5 Ωcm or less.例文帳に追加

比抵抗が０．５Ωｃｍ以下であるターゲットを用い、膜厚が１００Å以下である薄膜をパルス状の波形を有する直流放電スパッタリングにより成膜することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 特許庁

SiO_2 powder and SiC powder are mixed so that the molar ratio of SiC to SiO_2 is 0.2-1.0, and the obtained mixture is press-sintered in a vacuum atmosphere or an inert atmosphere to manufacture a sputtering target.例文帳に追加

ＳｉＯ_2粉末とＳｉＣ粉末を、ＳｉＯ_2に対するＳｉＣの比率がモル比で０．２〜１．０となるように混合し、得られた混合物を真空雰囲気中または不活性雰囲気中で加圧焼結してスパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁

The flattened dielectric film 14a is a glass film of low melting point formed by a paste method, and the high withstand voltage dielectric film 14b is a silicon oxide film formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

平坦化誘電体膜１４ａが、ペースト法により形成される低融点ガラス膜であり、高耐電圧誘電体膜１４ｂが、スパッタリング、蒸着法、または化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜である。 - 特許庁

A surface oxide film 3 on an Al electrode pad 2 is removed with an output of 500-100 W, five minutes of processing time and through the sputtering method, and then subjected to zincating processing to form an Zn film 5 on the Al electrode pad 2.例文帳に追加

Ａｌ電極パッド２上の表面酸化膜３を、出力５００Ｗ〜１０００Ｗ、処理時間５分で、スパッタリング法により除去した後、ジンケート工程により、Ａｌ電極パッド２上にＺｎ膜５を形成する。 - 特許庁

An insulating film used for a TFT such as, for example, a gate insulating film, protection film, undercoating film, interlayer insulating film or the like, is formed by sputtering a silicon nitride film containing 0.1-50 atoms % or 1-50 atoms %, preferably 0.1-10 atoms % of boron.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを０．１〜５０atoms ％又は１〜５０atoms ％、望ましくは０．１〜１０atoms ％含む窒化珪素膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

Then after a material to be deposited and an opening 3 which exhibits high wettability are formed on the thin film 2, sputtering or the like is applied to the material to be deposited to deposit particles 4 of the material to be deposited.例文帳に追加

次いで、この薄膜２に堆積させるべき物質と濡れ性の高い開口部３を形成した後、前記堆積させるべき物質にスパッタリングなどを施して基板１上に、堆積させるべき物質粒子４を堆積させる。 - 特許庁

Alternatively, the surface-treated product is characterized in that the surface of the object is covered with a thin film by a sputtering process, and the object and the thin film are reacted, so as to form a reaction layer on the surface of the object.例文帳に追加

また、本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an electrode-wiring material which does not cause a heat defect such as a hillock and a void even when heated to a high temperature of 350°C or higher, has low electric resistance, is inexpensive, has high reliability, and is suitable for densifying an electron device, and to provide a sputtering target.例文帳に追加

３５０℃以上の高温でもヒロックやボイドなどの熱欠陥が発生せず、電気抵抗が低く、安価で信頼性が高く、電子デバイスの高密度化に適した電極配線材料、及び、スパッタリングターゲットを提供する - 特許庁

Also, the light emission wavelength and light emission intensity of the discharge of the Ti at the time of sputtering of the target 21b are made into electric signals via a collimator 30b, a filter and an optical double amplifier and are detected by a PEM (plasma emission monitor) 31b.例文帳に追加

また、ターゲット２１ｂのスパッタ時におけるＴｉ及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ３０ｂ、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、ＰＥＭ３１ｂによって検知される。 - 特許庁

A Si film 6 is film-deposited on a substrate 5 of a magnetic head by a sputtering method, a DLC film 7 is film-deposited on the Si film 6 by a CVD method and a ta-C film 8 is film-deposited on the DLC film 7 by a cathodic arc method.例文帳に追加

磁気ヘッドの基板５上にＳｉ膜６をスパッタ法により成膜し、そのＳｉ膜６上にＣＶＤ法によりＤＬＣ膜７を成膜し、そのＤＬＣ膜７上にカソーディックアーク法によりｔａ−Ｃ膜８を成膜する。 - 特許庁

To provide an inexpensive magnetic recording medium having high performance, high reliability and high capacity by a manufacturing method and a apparatus by which no sputtering flake is stuck onto a flexible polymer substrate and hanging-down and damage are not generated when the substrate is conveyed.例文帳に追加

可撓性高分子支持体上にスパッタフレークが付着せず、支持体搬送時の垂れ下がりやキズの発生しない製造方法および製造装置により、安価な高性能高信頼性高容量磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

When a film is not formed, the masking shields 8 cover an opening of the deposition shield 7 to shield a space between the target 3 and the substrate 4, so that the substrate 4 can be heat-treated by using the masking shields 8 which have been heated by sputtering discharge.例文帳に追加

非成膜時には、遮蔽板８が防着板７の開口部を覆ってターゲット３と基板４の間を遮蔽するので、スパッタリング放電により加熱された遮蔽板８で基板４を加熱処理することができる。 - 特許庁

A through hole 6 that communicates with each recessed part is formed at the glass pedestal 7, and a surface at the opposite side of the junction surface with the silicon wafer is metallized by deposition or sputtering using metal to form a metal film 8.例文帳に追加

ガラス台座７には各凹所に連通する貫通孔６が形成されており、シリコンウェハ２との接合面１３と反対側の面は蒸着又はスパッタなどにより金属でメタライズされて金属膜８が形成される。 - 特許庁

The plane heat generating body comprises a laminate layer 2 having a substrate 3 made of insulating film and a heat generating body 4 made of a metal layer of aluminum or nickel or the like which is coated on the surface of the substrate 3 by plating, vacuum vaporization or sputtering.例文帳に追加

絶縁フィルムよりなる基板３と、この基板３の表面にメッキ、真空蒸着またはスパッタリングにより被着されたアルミウムまたはニッケル等の金属膜よりなる発熱体４とを備えた積層体２を有している。 - 特許庁

As a result, it is possible to reduce the deposit of an etching reactant on the surface of the target 32, quickly obtain the stable sputtering rate, and efficiently form a protective film, and the productivity is improve.例文帳に追加

これにより、ターゲット３２の表面に対するエッチング反応物の付着量を低減し、安定したスパッタレートを速やかに確保して、保護膜を効率良く形成することが可能となり、生産性の向上が図れるようになる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminate by which an organic coating material layer can be formed continuously and stably on a thermoplastic support by vaporizing an organic matter consecutively, in a film forming velocity range of a chemical vapor deposition process or a sputtering process.例文帳に追加

化学蒸着法やスパタリング法の成膜速度領域で、有機物を連続的に気化させ、熱可塑性支持体上に連続的に有機被覆物層を安定して形成できる積層体の製造方法を提供することである。 - 特許庁

As the sputtering layer, a reflection layer is quoted for of a WORM (write-once-read-many) type optical recording medium such as a DVD-R and all layers except a substrate are quoted for a re-writable optical recording medium such as a DVD-RW.例文帳に追加

スパッタ層としては、ＤＶＤ−Ｒなどの追記型光記録媒体の場合、反射層が挙げられ、ＤＶＤ−ＲＷなどの書き換え可能型光記録媒体の場合、基板を除くすべての層が挙げられる。 - 特許庁

Then, a sputtering gas is introduced into the vacuum tank 13 to generate plasma around it by applying voltage to the auxiliary electrode 23, and the intermediate layer material is sputtered to form an intermediate layer on the inner circumferential face 11b of the cylindrical member 11.例文帳に追加

そして、真空槽１３内にスパッタガスを導入し、補助電極２３に電圧を印加してその周囲にプラズマを発生させ、中間層材料をスパッタして円筒状部材１１の内周面１１ｂに中間層を形成する。 - 特許庁

The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.例文帳に追加

フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁

In the target for magnetron sputtering, both the end parts of the short side in the target 11 are provided with magnetic materials 12 for reducing magnetic force, which is rectangular, wherein the short side length of the target is the width, and the range from the short side edge to the straight line position of erosion is almost the length.例文帳に追加

ターゲット１１の短辺両端部に、巾をターゲットの短辺長とし、長さを短辺端からエロージョンの直線となる位置までを略その長さとする矩形状の、磁力低減用の磁性材１２を設けたこと。 - 特許庁

To provide a shadow mask in which defects due to dust generated by the peeling of a thin film accumulated on the surface in the process of vacuum deposition, sputtering or the like are prevented, and which can be stably used over a long period.例文帳に追加

真空蒸着やスパッタリングなどの過程においてシャドーマスクの表面に累積した薄膜の剥離によって生じる粉塵による欠陥を防止して、長期間安定して用いることができるシャドーマスクを提供する。 - 特許庁

In addition, the surface of the synthetic resin can be metalized to a surface similar to the mirror surface of a beautifully polished metal, by forming only a thin film by directly coating a metal or a metal compound using dry-etching such as ion-plating or sputtering.例文帳に追加

さらにイオンプレーティング又はスパッタリング等の乾式めっきにより直接金属あるいは金属化合物をコーティングすることで、薄膜でもきれいに磨かれた金属の鏡面のようにメタライズ化することが可能となる。 - 特許庁