「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

At this point, at least either the platinum thin film 6 or the titanium layer 4 is formed in a sputtering mixed gas of argon and oxygen, and an annealing treatment is carried out in the air at a temperature of 1,000°C.例文帳に追加

その際、白金薄膜６の形成及びチタン層４の形成のうちの少なくとも一方をアルゴンガス中に酸素ガスを混合したスパッタリングガス中で行い、アニールを大気中で温度１０００℃の条件下で行う。 - 特許庁

The sputtering target for a magnetic recording film comprises a matrix phase containing Co and Pt and a metal oxide phase and has a magnetic permeability of 6-15 and a relative density of ≥90%.例文帳に追加

ＣｏおよびＰｔを含むマトリックス相と、金属酸化物相とからなるスパッタリングターゲットであって、透磁率が６〜１５、相対密度が９０％以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

Because a polyimide film 4 is formed so as to have an edge at a position apart from a scheduled region H2 for forming the bump electrode, the step coverage in the formation of the plating electrode 5 by using a sputtering method can be improved.例文帳に追加

ポリイミド膜４をバンプ電極形成予定領域Ｈ２から離れた位置に端を有するように形成しているので、メッキ電極５をスパッタ法により形成する際のステップカバレージを改善することができる。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact for a sputtering target and for ion plating with which an oxide transparent electrically conductive film having a low resistance and excellent transmissibility in an infrared ray region can be produced, and high speed film deposition is made possible.例文帳に追加

低抵抗で赤外線領域の透過特性に優れた酸化物透明導電膜が作製でき、かつ高速成膜が可能なスパッタリングターゲット用およびイオンプレーティング用の酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

Using barium titanate strontium, for example, an oxide dielectrics film 7 of 300-600 Å is formed, over which a first platinum layer 81 is deposited, for example, by a sputtering method at 250°C or lower to 250-500 Å.例文帳に追加

チタン酸バリウムストロンチウムを用いて例えば３００〜６００オングストロームの酸化物誘電体膜７を形成し、その上に第１白金層８１を例えばスパッタリング法で２５０℃以下にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁

To provide: an Ag alloy reflective film for a reflector having high reflectivity and hardly causing coagulation of Ag by humidity or heat; the reflector; and an Ag alloy sputtering target for forming the Ag alloy reflective film for the reflector.例文帳に追加

反射率が高く、湿度や熱によるAgの凝集が発生し難いリフレクター用Ag合金反射膜およびリフレクター並びにリフレクター用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A thin SiO_2 film is deposited on the semiconductor substrate 2 including the polyimide film 1 through CVD, and a conductive film 5 as a material for a heater is deposited thereon by vacuum vapor deposition method or sputtering method.例文帳に追加

ポリイミド膜１を含む半導体基板２上に薄いＳｉＯ_２膜をＣＶＤにより堆積し、さらにその上に、ヒータの材料となる導電性膜５を真空蒸着法またはスパッタ法により堆積する。 - 特許庁

To provide a solid wire for arc welding without copper plating which maintains good wire feedability and the energization stability between wire tips, and has excellent arc stability and good welding workability with a low sputtering quantity.例文帳に追加

良好なワイヤ送給性と、ワイヤ−チップ間の通電安定性を維持することができ、優れたアーク安定性と低スパッタ量で良好な溶接作業性を有する銅メッキなしアーク溶接用ソリッドワイヤを提供する。 - 特許庁

This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.例文帳に追加

Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたｐ型半導体層７と、該ｐ型半導体層７と接合したｎ型酸化物半導体層３と、を備える太陽電池１００。 - 特許庁

In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。 - 特許庁

The magnetron sputter type in-line sputtering apparatus has a stocker 10 for storing a plurality of carriers 20, and the stocker has a heating mechanism for heating the stored carriers in an off-line manner.例文帳に追加

上記のマグネトロンスパッタ方式のインラインスパッタ装置であって、前記キャリア２０を複数収納するストッカー１０を備えたもので、該ストッカーには収納するキャリアをオフラインで加熱するための加熱機構を備えている。 - 特許庁

This separator for a fuel cell comprises: a mold body obtained by molding a thermoplastic resin composition containing a thermoplastic resin and a carbon material; and a metal thin film arranged on a surface of the mold body by sputtering.例文帳に追加

熱可塑性樹脂と炭素材料とを含む熱可塑性樹脂組成物を成形して得られる成形体と、スパッタリングにより該成形体の表面に配設された金薄膜とからなる燃料電池用セパレータである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which improves productivity and reduces a cost by curtailing a manufacturing process of indium oxide-zinc oxide from powder starting materials without essentially impairing the characteristics as an IZO sputtering target.例文帳に追加

実質的にＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を損なうことなく酸化インジウム−酸化亜鉛の原料粉末からの工程の短縮を行い、生産性を向上させコストを低減できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a molded product from cracking at depressurization when manufacturing the molded product through cold isostatic press for obtaining an ITO sputtering target, and to prevent the molded product from cracking on processing.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲットを得るために冷間静水圧プレスによる成型体を作製する際に、減圧時の割れが成型体に生ずるのを防止し、かつ、成型体を加工するに際して、クラックが発生することを防止する。 - 特許庁

Concerning the sputtering device provided with a reaction chamber, hydrogen cylinder, vacuum pump, substrate holder and semiconductor target, the semiconductor target and the substrate holder are confronted at the interval of distance longer than 90 mm.例文帳に追加

反応室、水素ボンベ、真空ポンプ、基板ホルダーおよび半導体ターゲットを含むスパッタ装置であって、前記半導体ターゲットと前記基板ホルダーが９０ｍｍ以上の距離をおいて相対することを特徴とする。 - 特許庁

The gold color film 1 is composed of a polyimide film 2 and a sputtered layer 3 formed by subjecting a metal to sputtering on the back side face 22 of the polyimide film 2 and having light transmissivity of 95 to 99.5%.例文帳に追加

ポリイミドフィルム２と，ポリイミドフィルム２の裏側面２２に金属をスパッタリングすることにより形成したスパッタ層３とからなることを特徴とする光線透過率が９５〜９９．５％のゴールド色フィルム１。 - 特許庁

To provide a rewound polyimide film and a method of manufacturing the same, in which an objective metal layer is surely and efficiently formed without being affected by air or moisture when performing a treatment such as sputtering to a polyimide film.例文帳に追加

ポリイミドフィルムにスパッタリング等の処理を施す際に、空気や水分の影響を受けることなく、目的の金属層を確実かつ効率的に形成できる、巻き替えポリイミドフィルムロール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an atmosphere of a mixed gas of argon gas and nitrogen gas, a target consisting of tungsten is subjected to sputtering, thus depositing a crystal mixed film 104, where the crystal of the tungsten and that of tungsten nitride are mixed.例文帳に追加

アルゴンガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気中において、タングステンからなるターゲットにスパッタリングを行なうことにより、タングステンの結晶と窒化タングステンの結晶とが混在してなる結晶混在膜１０４を堆積する。 - 特許庁

To provide a Ni alloy thin film for laser processing having improved laser beam absorption property while maintaining the characteristics superior in moisture resistance and weatherability deriving from Ni and a Ni alloy sputtering target material using the same.例文帳に追加

Ｎｉの持つ耐湿性、耐候性に優れた特性を維持しながら、レーザー光吸収特性を改善したレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜、およびこれに用いるＮｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target includes preparing a plurality of plate-shaped target chips each of which is made of a metal oxide sintered compact having a first composition and has a surface to be sputtered.例文帳に追加

本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。 - 特許庁

The semiconductor thin film is converted to a semiconductor thin film of crystal structure by the irradiation of the beam of low energy gas not sputtering the semiconductor thin film toward the surface of the semiconductor thin film in the predetermined direction.例文帳に追加

そして、半導体薄膜のスパッタリングを引き起こさない低エネルギーの気体のビームを、所定の方向から半導体薄膜の表面へ向かって照射し、半導体薄膜を結晶質の半導体薄膜へ転換する。 - 特許庁

To provide a cobalt powder effective for a sputtering target which restrains pollutants caused by interdiffusion of substances constituting thin films and does not cause particles or abnormal discharge phenomenon, or the like, and to provide a method for producing the cobalt powder.例文帳に追加

薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲット等に有効であるコバルト粉末とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

By setting a film deposition pressure at 1.33-2.67 Pa in sputtering, frequency of collision of flying titanium with argon and oxygen ions or neutral particles in creases compared to a conventional method.例文帳に追加

成膜圧力を１．３３Ｐａ以上２．６７Ｐａ以下に設定したことで、飛翔するチタンがアルゴン及び酸素のイオンや中性粒子と衝突する回数が一般的なスパッタによる成膜方法に比べて多くなる。 - 特許庁

A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body.例文帳に追加

スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。 - 特許庁

Then, at least one metal film is subsequently deposited on one or both sides of the polyimide film by electroplating, electroless plating, evaporation, sputtering or lamination and thereby forming the desired polyimide laminated plate.例文帳に追加

また、少なくとも一つの金属膜は、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング、又は積層により、前記ポリイミド膜の片側または両側に堆積され、それにより、所望のポリイミド積層板を形成する。 - 特許庁

To provide a phase change recording film wherein, because the amorphous state thereof is stable and the resistance value thereof is large, a current value flowing when it is made amorphous is small, and to provide a sputtering target for forming the phase change recording film.例文帳に追加

非晶質状態が安定でかつ抵抗値が高いために非晶質化の際に流れる電流値が低い相変化記録膜およびその相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering electrode with which the efficiency of utilizing a target is enhanced, the life of the target is prolonged, and further, a prescribed thin film having a uniform film thickness can be formed onto a substrate to be processed having a prescribed surface area.例文帳に追加

ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered compact having lower resistivity while maintaining a density equivalent to sintered compact of zinc oxide and aluminum oxide obtained with a conventional technique and to provide a sputtering target composed of the sintered compact.例文帳に追加

従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a tungsten (W) sputtering target capable of improving the within-wafer nonuniformity in film thickness of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the first magnetic layer 20 is formed by a sputtering method using a magnetic material which exhibits a high saturation magnetic flux density, and the second magnetic layer 21 is formed by a plating method using a magnetic material, which exhibits low magnetic distortion.例文帳に追加

このとき、高い飽和磁束密度を示す磁性材料を用いてスパッタ法により第１の磁性層２０を形成し、低い磁歪を示す磁性材料を用いて鍍金法により第２の磁性層２１を形成する。 - 特許庁

A 1st protective layer 2, a crystallization accelerating layer 3, a 1st recording layer 4 comprising a Ge-Sb-Te alloy, a 2nd recording layer 5, a 2nd protective layer 6 and a reflection layer 7 are successively formed on a substrate 1 by sputtering.例文帳に追加

基板１の上に、第一保護層２、結晶化促進層３、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなる第一記録層４、第二記録層５、第二保護層６、および反射層７を順次スパッタリング法で成膜する。 - 特許庁

Concretely, after the introduction of the reactive gas, the emission intensity of the plasma is controlled preferably within the range of 5 to 15% of the intensity of the plasma at the time of the start of the sputtering, by the amount of the reactive gas to be introduced.例文帳に追加

具体的には、反応性ガス導入後、反応性ガスの導入量によってプラズマ発光強度をスパッタリング開始時のプラズマ強度に対して５〜１５％の範囲に制御することが好ましい。 - 特許庁

To provide an ITO sputtering target in which nodules are hardly produced and which is stably used for film deposition to its life end even in the case when the plate thickness of a sintered compact used for the target is made thicker than that of a conventional one.例文帳に追加

ターゲットに用いられる焼結体の板厚が従来より厚くなった場合においても、ノジュールの発生量が少なく、ライフエンドまで安定して成膜することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The tin oxide powder for an ITO sputtering target is characterized in that a median diameter obtained from a particle size distribution ranges from 0.40 to 1.0 μm and that a 90%-particle size obtained from a particle size distribution is up to 3.0 μm.例文帳に追加

粒度分布から求めたメジアン径が０．４０〜１．０μmの範囲にあり、かつ粒度分布から求めた９０％粒径が３．０μm以下の範囲にあることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化錫粉末。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a high-pressure discharge lamp lighting device lowering the voltage of a high-voltage pulse impressed at start-up, restraining the sputtering of an electrode matter at glow discharge, and to provide an illumination device using the same.例文帳に追加

始動時に印加する高電圧パルスの電圧を低下させるとともに、グロー放電時に電極物質のスパッタを抑制した高圧放電ランプ点灯装置およびこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic thin film is formed by using the sputtering method to form the thin film containing an FePt alloy of the irregular phase having the face centered tetragonal based crystalline structure and thereafter by applying heat treatment to the thin film.例文帳に追加

この磁性薄膜は、スパッタリング法によって、面心立方晶系の結晶構造を有する不規則相のＦｅＰｔ合金を含む薄膜を形成した後、この薄膜を熱処理することによって形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a compound insulation film which is an extra-thin film of several tens to several hundreds Å whose acquisition has been difficult by the conventional sputtering process, and is convenient for the gap layer of a magnetic head and a tunnel joining type GMR (Giant Magneto-Resistance).例文帳に追加

従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する - 特許庁

To provide a reflecting film of an optical recording medium, which has a high reflectivity of light in a range between a short wavelength of 380 nm and a long wavelength of 780 nm, and superior corrosion resistance, and to provide a sputtering target material for manufacturing it.例文帳に追加

３８０ｎｍの短波長から７８０ｎｍの長波長まで光の反射率が高く、耐食性に優れた光学記録媒体の反射膜とそれを製造できるスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a transistor including an oxide semiconductor, the percentage of oxygen flow rate to the total flow rate of sputtering gas is set to 90%-100%, an oxide semiconductor layer is formed in oxygen-excess state by sputtering a metal oxide, and the oxide semiconductor layer is sealed in a dense metal oxide thus obtaining a device configuration where impurities such as hydrogen or water is not mixed as much as possible.例文帳に追加

酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the patterned medium including a substrate, the porous layer formed on the substrate and having a plurality of fine pores approximately vertical to the substrate surface, and the magnetic substance filled in the fine pores by the sputtering method, ion radiation is carried out with respect to the vicinity of the fine pores when filling the fine pores with the magnetic substance by the sputtering method to promote migration of sputter atoms.例文帳に追加

基板と、前記基板上にあり、前記基板面に対して略垂直な複数の細孔を有する多孔質層と、前記細孔内にスパッタ法により充填された磁性体と、を有するパターンドメディアを製造する方法であって、前記磁性体をスパッタ法により細孔に充填する際に、前記細孔近傍に対してイオン照射を行い、スパッタ原子のマイグレーションを促進させることを特徴とするパターンドメディア製造方法。 - 特許庁

Thereby, a portion of particles emitted from the sputtering target 25 is shielded based on the film thickness distribution of the thin film to be formed and the thin film of the desired film thickness distribution is formed in the recording region 10a on the disk substrate 11.例文帳に追加

これにより、スパッタターゲット２５から射出される粒子の一部が、形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいて遮蔽され、ディスク基板１１上の記録領域１０ａに、所望の膜厚分布の薄膜が形成される。 - 特許庁

Two disk substrates to which information of each stamper is transferred are formed by the resin molding machine for the HDDVD and the resin molding machine for the DVD and reflection layers are formed respectively on transfer layers of the substrates by sputtering.例文帳に追加

各スタンパの情報が転写された２つのディスク基板がＨＤＤＶＤ用樹脂成型器とＤＶＤ用樹脂成型器によって形成され、さらに、各基板の転写面上に反射層がスパッタリングにより形成される。 - 特許庁

The n-electrode 140 and the p-electrode 110 are connected, and a protective film 130 comprising a ZnO film is formed on the side walls of the layer 104, a light emitting layer 106, a p-type layer 107, and the layer 108 by the sputtering method.例文帳に追加

ｎ電極１４０とｐ電極１１０とを接続し、ｎ型コンタクト層１０４、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８の側壁上に、ZnO 膜より成る保護膜１３０がスパッタリングによ形成されている。 - 特許庁

A separator 10 disposed so as to be brought into contact with a cell body 5 formed by sandwiching a solid high polymer element film 3 between a pair of electrodes 2, 4 is structured so that a Pt plated film 12 formed by a sputtering method is formed on the surface of a metal base material 13.例文帳に追加

固体高分子膜３を一対の電極２、４で挟みこんだセル本体５と接して配置されるセパレータ１０は、金属基材１３の表面に、スパッタ法により形成されたＰｔメッキ膜１２が形成されている。 - 特許庁