「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for removing a resist layer in a via hole in particular comprises plasma for removing an organic compound and the steps of cleaning a device using deionized water and carrying out argon sputtering for removing the organic compound.例文帳に追加

特にビアホール内のレジスト層を除去する方法は、有機化合物を除去するためのプラズマを有し、脱イオン水でデバイスを洗浄し、そして有機化合物を除去するためにアルゴンスパッタリングすることを有している。 - 特許庁

The tool 10 for sputtering positions the pattern mask 18 onto the glass substrate 16 installed on the magnetism-proof mask 14 of the mask plate 12 in such a manner that its apertures 17 face the color patterns 15 on the glass substrate 16.例文帳に追加

本スパッタ用治具１０では、ベースプレート１２の防磁マスク１４の上に設置したガラス基板１６の上に、パターンマスク１８をその開口部１７がガラス基板１６の上のカラーパターン１５に対向するように位置決めする。 - 特許庁

A sputtering target contains In, Ga and Zn, and consists of an oxide sintered body having a structure in which a contained amount of the In is larger than that in a periphery, and a structure in which a contained amount of the Ga and the Zn is larger than that in a periphery.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The Ta-W-based sputtering target contains W in the range of 0.05-2 mass% and the balance being substantially Ta, wherein the variation in W content of the whole target is ±20% or less.例文帳に追加

Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットは、０．０５〜２質量％の範囲のＷを含有し、残部が実質的にＴａからなると共に、ターゲット全体としてのＷ含有量のばらつきが±２０％以内とされている。 - 特許庁

To provide an optical medium with an interference layer having a high refractive index and further sufficiently securing preservability of the optical medium, and a sputtering target to be used for producing the interference layer, and a method for producing the optical medium.例文帳に追加

高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target comprises: (a) a target surface component; (b) a core backing component which has a coupling surface coupled to the target surface component; and (c) at least one surface area feature which increases the effective surface area of the core backing component.例文帳に追加

ａ）ターゲット表面要素と、ｂ）連結面がターゲット表面要素に連結されている芯裏打要素と、ｃ）芯裏打要素の有効表面積を増大させる少なくとも１つの表面積形状を備える。 - 特許庁

The step (c) includes a step (c1) of heating at least a surface area of the target 18 to the temperature not lower than the melting point T_m, and sputtering the surface of a molten layer while forming the molten layer of ≥1 μm in thickness.例文帳に追加

工程（ｃ）は、ターゲット１８の少なくとも表面領域を融点Ｔ_m以上に加熱し、厚さ１μｍ以上の溶融層を形成しながら、溶融層の表面をスパッタリングする工程（ｃ１）を含む。 - 特許庁

To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.例文帳に追加

比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which even if a protective layer receives ion sputtering by driving for a long time, there is less change on a protective layer surface on a scanning electrode, and change of discharge characteristics such as write-in characteristics is suppressed.例文帳に追加

保護層が長時間の駆動でイオンスパッタを受けても走査電極上の保護層表面の変化が少なく、書込み特性などの放電特性の変化を抑制したプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The sputtering target of the sintered body is formed of an oxide including indium (In), tin (Sn) and nickel (Ni), in which an atom ratio of each metal element is in a range of 0.04≤In/(In+Sn+Ni)≤0.57, 0.29≤Sn/(In+Sn+Ni)≤0.73 and 0.04≤Ni/(In+Sn+Ni)≤0.33.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）で構成される酸化物であり、各金属元素の原子比が、０．０４≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．５７、０．２９≦Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ）≦０．７３、０．０４≦Ｎｉ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｎｉ)≦０．３３、の範囲にある焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a high-purity metal made of high-purity chromium or high-purity manganese for a sputtering target in which the content of gas components such as O, C, N, H, F and S is 200 ppm or less in total.例文帳に追加

Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット用の高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属を提供する。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powder whose aggregated particles tend to be easily broken when they are pulverized in order to improve miscibility with other powders, so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as IGZO (InGaZnOx).例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step in which a metal layer formed on a support base material by vacuum sputtering or vacuum evaporation is transferred to the resin composition layer containing the resin component.例文帳に追加

上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method by catalyst sputtering for deposit high-quality thin films on a substrate and a thin film deposition system as well as a method for manufacturing semiconductor devices.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に高品質な薄膜を形成するための触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a seed layer becoming an underlying layer when a thin film becoming an interconnect line in a semiconductor device, e.g. an LSI, is formed by plating, and to provide a seed layer formed by using that target.例文帳に追加

ＬＳＩなどの半導体装置における配線となる薄膜をメッキにより形成する際の下地層となるシード層形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成したシード層に関するものである。 - 特許庁

In a vacuum film coating system, a magnetron sputtering device is provided with a cylindrical cathode 1 which is mounted rotatably around the axial longitudinal shaft, and a magnetic system arranged inside the cylindrical cathode 1.例文帳に追加

真空成膜システムにおいて、長手方向軸線を中心として回転可能に取り付けられた円筒陰極１が設けられるとともに、円筒陰極１の内側に配置された磁気システムが更に設けられる。 - 特許庁

To provide a method for forming wiring pattern by which rewiring can be made without implementing a full-surface thin film forming step (sputtering) or etching step, a semiconductor device and a method for manufacturing it, a circuit board, and electronic equipment.例文帳に追加

全面薄膜形成工程（スパッタ）及びエッチング工程を用いずに再配線を形成する配線パターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。 - 特許庁

The anti-glare film 1 has a transparent substance film 2 and an anti-glare layer 3 composed of ITO layer 31, TiO_2 layer 32 and SiO_2 layer 33 successively laminated and formed on the surface of the substrate film 2 by sputtering.例文帳に追加

防眩フィルム１は、透明な基材フィルム２と、該基材フィルム２の表面にスパッタリングにより順次積層形成した、ＩＴＯ層３１、ＴｉＯ_2層３２、ＳｉＯ_2層３３からなる防眩層３とを有する。 - 特許庁

Each of a semi-reflective film or a reflective film for an optical information recording medium and an Ag based alloy sputtering target includes an Ag based alloy containing 0.01 to 10 atomic percent of Li.例文帳に追加

Ｌiを０.０１〜１０原子％含有するＡg基合金であることを特徴とする光情報記録媒体用Ａg基合金半透過反射膜、反射膜及び光情報記録媒体用Ａg基合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

A sintering tray base material is formed of alumina, and the base material surface is coated with a metal film of the same quality as a metal of the ceramic capacitor by a coating method performing deposition in a form of a vapor phase or an ion, such as a sputtering method.例文帳に追加

焼結用トレイ基材をアルミナで形成すると共に基材表面にセラミックコンデンサーの金属と同質の金属膜をスパッター法などの気相、イオンなどの形態で堆積するコーティング法により被覆する。 - 特許庁

To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.例文帳に追加

マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device from deteriorating in manufacturing yield due to the fact that a large number of pinholes occur in a titanium film which is formed through a sputtering method so as to be used as a metal mask for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置製造用メタルマスクとしてスパッタ法で形成したチタン膜にピンホールが多数発生し、マスク材として有効に機能せずこれを用いた半導体装置の製造時の歩留が低くなるのを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing vertical recording medium for improving distribution in a substrate surface by sputtering deposition without decline of productivity and cost increase and obtaining good magnetic characteristic and electromagnetic characteristic.例文帳に追加

生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The tantalum sputtering target is characterized by containing 1 to 100 ppm by mass of molybdenum as an essential ingredient and having purity of not less than 99.998% when molybdenum and gas components are excluded.例文帳に追加

１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のモリブデンを必須成分として含有し、モリブデン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In forming the magnetic film on the substrate made of the resin, the substrate made of the resin is deposited in a non-heating state by a sputtering method in a chamber where the gaseous pressure is regulated to 0.133 to 2.66 Pa.例文帳に追加

また、前記樹脂製の基板上に前記磁性膜を形成する際、ガス圧を０．１３３Ｐａ以上、２．６６Ｐａ以下としたチャンバー内でスパッタリング法により、樹脂製の基板を非加熱状態で成膜する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing high-quality ceramic sintered compacts by lessening the warpage and density unevenness which occur during sintering of the ceramic sintered compacts used as sputtering targets.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとして用いられるセラミックス焼結体の焼成時に発生する反りおよび密度むらを低減させることにより、効率よくかつ高品質なセラミックス焼結体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Under this condition, particles are released from the target 12 by sputtering and the particles are adhered to the treating surface 21 of the semiconductor substrate 2 retained by the substrate retaining member 13 whereby the thin film is formed on the treating surface 21.例文帳に追加

この状態で、スパッタリングすることにより、ターゲット１２から粒子が放出され、粒子が基板保持部材１３に保持された半導体基板２の処理面２１に付着し、その処理面２１に薄膜が形成される。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁

In the case of copper target, since low pressure can also maintain the plasma for self-discharge and copper particles are not scattered in the sputtering gas, normally impinging is carried out to the front surface of the substrate 7, the coverage is improved.例文帳に追加

銅ターゲットの場合、自己放電を起こすので低圧力でもプラズマを維持することができ、銅粒子がスパッタリングガスに散乱されないので、基板７表面に垂直に入射し、カバレッジ性が向上する。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic element having favorable heat resistance and a negative temperature characteristic of resistance with a small long-term resistance change by stabilizing a thin film formed for use in an electrode by a vapor deposition or sputtering method.例文帳に追加

蒸着やスパッタリング法で電極用として形成された薄膜を安定化させ、耐熱性がよく、長期にわたる抵抗変化が小さな負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック素子を得る。 - 特許庁

The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix.例文帳に追加

母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図６に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第１の層としてのニッケル燐の被膜Ｐを形成し、ここから電鋳を成長させている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for a lithium secondary cell which can improve a charge and discharge cycle property when a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer is formed with the use of a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いてＬｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する場合に、充放電サイクル特性をより向上することが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III nitride semiconductor by which conductivity can be controlled on the basis of the quantity of an added donor impurity and a group III nitride semiconductor can be efficiently formed by a sputtering method.例文帳に追加

ドナー不純物の添加量によって導電性を制御することができ、しかも、スパッタ法によって効率よくＩＩＩ族窒化物半導体を形成できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus, which can continuously repeat film forming with an arc discharge type ion plating method and film forming with a sputtering method, in such a condition that the each film has high adhesiveness.例文帳に追加

アーク放電式イオンプレーティング法による皮膜の形成と、スパッタリング法による皮膜の形成が、それぞれ高い密着性を有す状態で、連続して繰返し行えることが可能である皮膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where, by using sputtered neutral atoms at respective tilted multicathodes, the satisfactory coverage of a side wall and a bottom part can be formed in a patterned hole or groove on the surface of a wafer.例文帳に追加

傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, setting more accurately the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method.例文帳に追加

ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, a carbon nitride 110 is formed at the front of the substrate by using the sputtering technique, benzocyclobutene is formed onto the carbon nitride through spin coating, and then, a flattened interlayer insulation film 111 is formed through thermal treatment.例文帳に追加

次に、基板の前面にスパッタ法を用いて窒化炭素１１０を形成し、窒化炭素１１０上にスピンコートによりベンゾシクロブテンを形成した後、熱処理により平坦化された層間絶縁膜１１１を形成する。 - 特許庁

The transmissivity of the protection film formed on the organic compound layer is 70-100%, and the protection film prevents the damage which may generated on the organic layer when forming the positive electrode film by sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。 - 特許庁

Thereby the photoresist withdraws from a metal wiring edge part (S103), and when the wiring protective film is laminated with sputtering (S104) an aperture angle of an upper face of the metal wiring against showering sputter particles is widened.例文帳に追加

これにより、フォトレジストが金属配線端部から後退し（Ｓ１０３）、配線保護膜をスパッタリング法により、積層させる（Ｓ１０４）時、金属配線上面の入射スパッタ粒子に対する開口角が広がる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a back plate, by which a back plate capable of effectively reducing generation of particles in sputtering and also preventing contamination due to alkali metal impurities, such as Na, can be easily obtained.例文帳に追加

スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy sputtering target which improves the alkali corrosion resistance of an Al-Nd/La alloy generally used as a wiring material having a low electrical resistivity and excellent heat resistance.例文帳に追加

電気抵抗率が低く耐熱性に優れた配線材料として汎用されているＡｌ−Ｎｄ／Ｌａ合金の耐アルカリ腐食性を向上させることが可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Disclosed is a nickel alloy sputtering target including, by weight, 22 to 46% platinum, one or more components selected from iridium, palladium and ruthenium by 5 to 50 wtppm, and the balance nickel with inevitable impurities.例文帳に追加

白金を２２〜４６ｗｔ％、イリジウム、パラジウム、ルテニウムから選択した１成分以上を５〜５０ｗｔｐｐｍ含有し、残部がニッケル及び不可避的不純物からなることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁