「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering device 30 has a collimator plate 32 consisting of a conductor having many through holes penetrated from a target toward a wafer between a target holder 16 and a wafer holder 14 in a state that the plate 32 is grounded.例文帳に追加

スパッタ装置３０は、ターゲットホルダ１６と、ウェハーホルダ１４との間に、ターゲットからウェハーに向けて貫通した多数の貫通孔を有する導電体からなるコリメート板３２を接地した状態で有する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film used for a liquid crystal display, electroluminescent display device, anti-static conductive film coating, gas sensor, solar battery or the like, and a sputtering target for forming the transparent conductive film.例文帳に追加

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

At this time, when arc discharge is generated at the base material or the periphery thereof, based on the temporal change of bias voltage or bias current, this is detected, and the feed of the sputtering power or bias power is stopped.例文帳に追加

この際、前記基材およびその周辺にアーク放電が発生したときにバイアス電圧あるいはバイアス電流の時間的変化を基にこれを検出してスパッタ電力及びバイアス電力の供給を停止する。 - 特許庁

Consequently, the metal inner wall can be so suppressed from being subjected to sputtering by the plasma expanded up to the outside of the plasma generating chamber 1 as to prevent metal elements from flying and coming to the film forming chamber 3 and polluting thereby films.例文帳に追加

これによりプラズマ生成室１外まで広がるプラズマによって金属内壁がスパッタされるのを抑止することができ、成膜室３への金属元素の飛来、それによる膜汚染を防止することが可能となる。 - 特許庁

Alternatively, a plurality of coils may be provided, one primarily for providing energy into the plasma and the other primarily for acting as a supplemental source of sputtering material to be sputtered on the workpiece.例文帳に追加

或いは、複数のコイルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギーを結合するためのものとし、そして他の一つは主としてワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補足の供給源としてもよい。 - 特許庁

To provide a sputtering system which is capable of preventing the corrosion of a permanent magnet surface and the degradation in the strength of adhesion of bonded parts, is strong in the magnetic field near a target, is inexpensive and is stable in quality, and a magnetic circuit for the same.例文帳に追加

永久磁石表面の腐食および接着部の接着強度の低下を防止でき、ターゲット近傍の磁場が強く、安価で、品質が安定した、スパッタリング装置およびその磁気回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.例文帳に追加

バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁

To provide an ITO(indium tin oxide) sputtering target capable of reducing the amount of nodules occurring at the surface of a target even in the case of a film deposition method wherein electric discharge is performed at a low applied electric power liable to produce nodules.例文帳に追加

ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device high in a vapor deposition rate, film-forming a multi-element thin film at a high speed, flexible in the compositional control of the film, easily covering a dense multi-element thin film at a high speed and furthermore easily capable of the maintenance.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパッタ装置を提供。 - 特許庁

The sputtering target is made from Ru or an Ru alloy, and the content ratio of a crystal orientation on a face (002) in an integrated intensity value measured on the surface of the target with an X-ray diffraction analysis is set to be 0.05 or larger.例文帳に追加

ＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された積分強度値における（００２）面の結晶方位含有比を０．０５以上とする。 - 特許庁

To provide a device for controlling the amount of gas to be sprayed in a vacuum tank capable of controlling the distribution of a process gas in the vacuum tank for executing coating formation by sputtering finely and as one chooses from the outside of the vacuum tank.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜を行なうための真空槽内のプロセスガスの分布を真空槽の外部より細かくかつ任意に調整することを可能にした真空槽のガス噴出量調整装置を提供する。 - 特許庁

A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板１の上面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜２を形成する。 - 特許庁

A metal layer 12 composed of silver is deposited on a substrate 11 by a sputtering method and subsequently fine protrusions and recessions are formed on a surface of the metal layer 12 by applying an electric field 13 in the film thickness direction of the metal layer 12.例文帳に追加

基板１１上に銀からなる金属層１２をスパッタ法により成膜し、次に、金属層１２の膜厚方向に電界１３を印加して金属層１２の表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁

In this case, from the viewpoint of effectively and efficiently performing the presputtering, as a standard time, the time obtained from the preliminary investigation of the relation between the continuous unusing time of the sputtering system and the occurrence of failures in a thin film is preferably used.例文帳に追加

ここで効果的・効率的にプリスパッタを行う観点から、基準時間として、スパッタリング装置の連続不使用時間と薄膜の不具合発生との関係の予備調査から求めた時間を用いるのが好ましい。 - 特許庁

To process a probe by avoiding inadvertent damage on a sample and reducing scattering and adhesion as much as possible of sputtering particles of heavy metal which are constituents of the probe and a sample stage.例文帳に追加

本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system in which a vapor deposition rate is high, a multi-element thin film is deposited at a high speed, the composition control of the film is flexible, a denser multi-element thin film is easily covered at a high speed, and, moreover, maintenance is easy.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、より緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパツタ装置を提供。 - 特許庁

A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加

不純物がドープされた導電性ＳｉＣ基板２の裏面に、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｔａ、Ｎｂから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜１を形成する。 - 特許庁

To obtain a sputtering apparatus which inhibits a shield from expanding and contracting due to the heat of the shield by reducing a temperature change in the shield and keeping it at a constant temperature, and prevents a metal film adhering to the inner wall of the shield from peeling off.例文帳に追加

シールドの温度変化を少なくし、一定温度に保つことでシールドの熱による伸縮を抑え、シールドの内壁に付着された金属膜が剥がれ落ちるのを防止できるスパッタ処理装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for supporting the design of magnetron sputtering, a device therefor and a program, capable of calculating and estimating an erosion distribution of a target and a film deposition distribution of a wafer in a short time only from a magnetic field structure enclosing plasma.例文帳に追加

プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁

The face to be deposited composed of metal is deposited with a film of carbon or essentially consisting of carbon at a self-bias to a degree which does not give damage caused by sputtering thereto, and high-frequency energy is slowly increased to increase the hardness of the film.例文帳に追加

金属からなる被形成面にスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスで炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、徐々に高周波エネルギを増加して被膜の硬度を上げていく。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a multilayer sputtering film effectively with good productivity by shortening a total processing time of a multilayer sputter film composed of several tens to several hundreds of layers.例文帳に追加

数十〜数百層からなる積層スパッタ膜の全体でのプロセス時間を短縮し、効率的に量産性よく積層スパッタ膜を製造することができる積層スパッタ膜の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This composite material has the Cu layer formed on the resin substrate by a sputtering technique with the use of Ar gas, wherein the Cu layer comprises crystals with an average grain size of 37 nm or larger in the surface parallel to the resin substrate.例文帳に追加

樹脂基材上に、Ａｒガスを用いたスパッタによってＣｕ層を設けた複合材料であり、Ｃｕ層の、樹脂基材に対して平行な面での平均結晶粒径を３７ｎｍ以上としたものである。 - 特許庁

Zn particles in the targets A, B being subjected to sputtering are allowed to react with oxygen gas, and are deposited on a substrate that is shifted from the axial direction of the opposingly target and is arranged for forming a ZnO film on the substrate surface.例文帳に追加

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 - 特許庁

A ZnO piezoelectric thin film 2 is formed on a R plane sapphire substrate 1 by a sputtering method and the like, further, an inter-digital transducer 3 of a tilt charp type consisting of Al films is formed on the ZnO piezoelectric film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上にＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上にＡｌ膜からなるチルトチャープ型のインターデジタルトランスデューサ３を形成する。 - 特許庁

The transmission factor of a protection body formed on the organic compound layer is 70 to 100%, and the protection body prevents damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護体は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

Also, in the apparatus for depositing the NaTaO_3 film of the vacuum sputtering system equipped with the substrate, the substrate heating means and a plurality of targets varying in composition, Na is contained in at least one of the targets.例文帳に追加

また、基材と、基材加熱手段と、組成の異なる複数のターゲットとを備えた真空スパッタリング方式のＮａＴａＯ_３膜作製装置において、ターゲットの少なくとも１つに、Ｎａが含まれているものである。 - 特許庁

The sputtering apparatus is equipped with a substrate-mounting part 120, a target apparatus 200, an electricity-supplying part 300 for applying electric field to the target apparatus and a chamber 100 containing the target apparatus.例文帳に追加

本発明のスパッタリング装置は、基板取付部１２０、ターゲット装置２００、ターゲット装置に電界を印加するための電源供給部３００及び取付部とターゲット装置を含むチャンバ部１００を備えている。 - 特許庁

To provide a W sputtering target capable of improving the in-plain uniformity in thickness of a W thin film formed on a substrate and capable of reducing the generation of particles, and a method of manufacturing the target.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.例文帳に追加

整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁

Also, the thin film for wiring is formed by using the sputtering target consisting of at least one kind of Ag and Cu as essential components and containing the elements of the negative value in the free energy for forming the nitride at 300°C as the additive elements.例文帳に追加

また、Ａｇ、Ｃｕの少なくとも１種を主成分とし、３００℃における窒化物の生成自由エネルギーが負の値である元素を添加元素として含むスパッタリングターゲットを用いて配線用薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide an oxide sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which can be manufactured through a simplified step without inducing any cracking or elution of In and can achieve high density, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sputtering target material includes a Ni-W-Cr alloy, which is used for the interlayer film in the vertical magnetic recording medium including, by at%, 1-20% of W, 1-20% of Cr, and the balance of Ni.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｃｒを１〜２０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体における中間層膜に用いるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金からなるスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The film deposition apparatus may further comprise a chamber to store the stage 12 and the holding tool 30, and a shield member which is located inside the chamber and arranged so as to surround a space located between the upper surface of the stage and a sputtering target.例文帳に追加

ステージ１２及び押さえ治具３０を収容するチャンバーと、チャンバーの内側に位置し、ステージの上面とスパッタリングターゲットの間に位置する空間を囲むように配置されたシールド部材とを更に具備してもよい。 - 特許庁

To provide an R-Fe-B vertical magnetic anisotropy thin-film magnet, which can be sharply improve both of its coercive force and its residual magnetic flux density by a film-forming method using a sputtering method, and to provide a manufacturing method of the magnet.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR‐Fe‐B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sliding member for automotive parts which can achieve a low frictional coefficient even in the case a sputtering process is adopted as a method for depositing a hard carbon film, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

硬質炭素被膜を成膜するための方法としてスパッタリング法を採用した場合でも、低摩擦係数を実現することができる、自動車部品用摺動部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target, which can reproducibly form a film of high melting point metal, superior in corrosion resistance, heat resistance, and adhesiveness to a substrate, all of which are required for thin film wiring, without generating a deleterious material.例文帳に追加

薄膜配線に要求される耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れた高融点金属膜を、有害物を発生させることなく、再現性良く形成できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of depositing a sputter film of excellent step coverage in a contact hole of high aspect ratio without degrading productivity, life time of a target, yield of a product, and reliability.例文帳に追加

生産性、ターゲット寿命、製品歩留り及び信頼性を低下させることなく、高アスペクト比のコンタクトホール内に優れたステップカバレッジを有するスパッタ膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

On the surface on the side in which an element is formed in a glass substrate 10 having, e.g. 3 mm thickness, for preventing electrification on the surface of the substrate 10, a thin film 11 having, e.g. 10 nm thickness is formed by a sputtering method or the like.例文帳に追加

厚さが、例えば３ｍｍであるガラス基板１０の素子形成側表面には、基板１０の表面の帯電を防止すべく、スパッタ法等により厚さが、例えば１０ｎｍの薄膜１１が成膜されている。 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of restraining a rotatably provided cylindrical target from being locally worn in a longitudinal end part thereof, capable of uniformizing an erosion region, and capable of enhancing a using service life thereof.例文帳に追加

回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

This method for forming the metallic thin film, which is formed on a substrate by the sputtering method, is characterized in that a mixture of a reducing gas and a dilution gas is used as an atmospheric gas in forming the above metallic thin film.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板上に金属薄膜を形成する方法において、該金属薄膜を形成する際の雰囲気ガスとして、還元性ガスと希釈ガスとの混合ガスを用いる金属薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a discharge lamp such as a cold-cathode fluorescent lamp capable of suppressing blackening of a glass bulb due to sputtering even if an emitter-impregnated sintered metal is used for an electrode head, high in light emission efficiency and having a long service life.例文帳に追加

電極ヘッドにエミッタ含浸の焼結金属を用いても、スパッタによるガラスバルブの黒化を抑制して、発光効率が高くしかも長寿命である冷陰極蛍光ランプ等の放電ランプを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is an Ni-W-B-based sputtering target material for producing an intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium comprising, by at%, 1 to 20% W and 0.1 to 10% B, and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

A protecting film 8 is composed of a metallic material like Si-CxHy or a compound of semiconductor and organic material, and the protecting film 8 is formed by the reactive direct current sputtering method using a pulse power source at room temperature.例文帳に追加

保護膜８は、Ｓｉ−ＣｘＨｙ等の金属または半導体と有機物との化合物よりなり、この保護膜８は、パルス電源を使用した反応性直流スパッタ法により室温で成膜されている。 - 特許庁