「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(99ページ目) - Weblio英語例文検索

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method.例文帳に追加

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。 - 特許庁

The intermediate of the electronic element material is used for manufacturing the electronic element material and is constituted by forming a prescribed functional layer on a surface 100a of the substrate 100 by sputtering, wherein a conductive discharge induction member film 102a inducing the abnormal discharge generated during the execution of sputtering is formed in the prescribed area in the outer peripheral edge of the substrate 100 not yet formed with the functional layer.例文帳に追加

スパッタリングによって基板１００の表面１００ａに所定の機能層が形成されて構成される電子素子材料の製造に用いられる電子素子材料の中間体であって、スパッタリングの実行時に発生する異常放電を誘導する導電性の放電誘導膜１０２ａが機能層の形成以前における基板１００の外周縁部の所定部位に形成されている。 - 特許庁

An aluminum nitride composite film 10 is produced by precipitating aluminum nitride 1 at 150 to 500°C by sputtering on a base material 6 comprising a single crystal α-Al_2O_3 substrate 3 and an aluminum nitride crystal film 5 formed thereon via an aluminum oxynitride layer 4, and subsequently annealing at a temperature higher than the reaction sputtering temperature and in a range from 250 to 800°C to form a highly oriented aluminum nitride polycrystalline film 1.例文帳に追加

単結晶α−Ａｌ２Ｏ３基板３上に、酸窒化アルミニウム層４を介して窒化アルミニウム結晶膜５が形成されてなる母材６上に、スパッタリング法により、１５０〜５００℃にて窒化アルミニウム１を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ２５０〜８００℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜１が形成さた窒化アルミニウム複合膜１０が製造する。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target.例文帳に追加

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an indium zinc oxide(IZO) sputtering target capable of improving target density, uniformizing and refining crystal grain size, increasing deflective strength, stabilizing electric discharge at sputtering, and stably forming a transparent conductive film with superior reproducibility, with a view to carrying out improvement without losing the characteristics of an IZO transparent conductive film composed essentially of an indium zinc oxide, and its manufacturing method.例文帳に追加

インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするＩＺＯ透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるＩＺＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This roll coater type continuous sputtering apparatus comprising two chambers, i.e., a roll chamber having a plurality of rolls for uncoiling and coiling a web and a film deposition chamber for performing sputtering further comprises a device for heating the web and a device for adsorbing moisture generated from the web while the web enters the film deposition chamber from an uncoiling roll in the roll chamber.例文帳に追加

真空槽内に、ウェブの巻き出しおよび巻き取りを行なう複数のロールを具備するロール室と、スパッタリングを行う成膜室の２室を有するロールコーター式連続スパッタ装置において、前記ロール室内の巻き出しロールからウェブが成膜室に入るまでの間に、ウェブを加熱する装置およびウェブから発生する水分を吸着する装置を配設することを特徴とするロールコーター式連続スパッタリング装置。 - 特許庁

A sintered material composed of Zn, Sn and O and having a ratio of a total of Zn mol and Sn to Zn mol (Zn/(Zn+Sn)) in a range of 0.53 or more and 0.65 or less is used a sputtering target and a sputtering is conducted in an inert gas in which no substantial oxygen exits to obtain the transparent conductive film.例文帳に追加

Ｚｎ、ＳｎおよびＯから構成される焼結体であって、ＺｎモルとＳｎモルの和に対するＺｎモルの比（Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ））が０．５３以上０．６５以下の範囲である焼結体をスパッタリング用ターゲットとして用い、酸素が実質的に存在しない不活性ガス中で、スパッタリングにより透明導電性膜を製造することを特徴とする上記の透明導電性膜の製造方法。 - 特許庁

The two-layer copper clad laminated sheet is obtained by forming a metal layer of one selected from Ni, Co, and Cr or an alloy layer consisting of two or more of them on a polyimide film by sputtering; forming a copper layer on the metal layer or the alloy layer by sputtering or plating; and further forming a layer consisting of Cr and/or Cr oxide on the copper layer.例文帳に追加

ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒから選択した１種の金属層又はこれら２種以上の金属からなる合金層を形成し、さらにこの金属層又は合金層の上にスパッタリング又はメッキにより銅層を形成した２層銅張積層板であって、さらにこの銅層の上に、Ｃｒ及び／又はＣｒ酸化物からなる層を備えていることを特徴とする２層銅張積層板。 - 特許庁

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed.例文帳に追加

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for purifying cobalt, nickel, and iron, which efficiently reduces impurities such as oxygen, phosphorus, and sulfur, contained in metals especially cobalt, nickel, and iron, prevents contamination with impurities during film formation by sputtering, prevents nodules from generating and particles from increasing, both of which initiate from the impurities, and improves workability and yield, and to manufacture a sputtering target of high purity metal.例文帳に追加

金属、特にコバルト、ニッケル、鉄等に含有されている酸素、燐、硫黄等の不純物を効率良く低減することができ、スパッタリング成膜中の不純物混入を防止し、かつ該不純物を起点とするノジュールの発生やパーティクルの増大を抑制することができ、さらに加工性を改善し歩留まりを向上させることができるコバルト、ニッケル、鉄の高純度化方法得、かつスパッタリング用高純度金属ターゲットを製造する。 - 特許庁

The method for forming the conductive film comprising a conductive compound with a composition containing a plurality of metal elements includes repeatedly performing the sputtering to a first target containing two or more metal elements among the plurality of metal elements and the sputtering to a second target containing one metal element among the plurality of metal elements by using a film-forming apparatus 10 capable of using a plurality of targets 1 to 4.例文帳に追加

複数の金属元素を含有する組成の導電性化合物からなる導電膜の成膜方法であって、複数のターゲット１〜４を使用可能な成膜装置１０を用いて、前記複数の金属元素のうち２種以上の金属元素を含有する第１のターゲットに対するスパッタリングと、前記複数の金属元素のうち１種の金属元素を含有する第２のターゲットに対するスパッタリングとを、繰り返し行う。 - 特許庁

An affixed target 20 working as a target electrode when a first Ti member 4, a first Si member 5, a second Ti member 6, a Ta member 7, and a second Si member 8 are joined is provided in a sputtering chamber 2.例文帳に追加

スパッタ室２内に、第１のＴｉ部材４、第１のＳｉ部材５、第２のＴｉ部材６、Ｔａ部材７、第２のＳｉ部材８が接合され、カソード電極として作用する貼り合せターゲット２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a target which enables stable sputtering while suppressing abnormal electrical discharge, and is capable of forming a transparent conductive film which can be etched with a phosphoric acid-based etching solution which is an etching solution for a metal or an alloy.例文帳に追加

異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus and a film-forming method capable of: preventing complication of an apparatus mechanism in formation of a thin film of multiple materials by sputtering to simplify the apparatus mechanism; and preventing an increase in an apparatus cost.例文帳に追加

スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter deposition system having shields which catch inclined sputtering targets and particles having the possibility of being fallen from the targets on the way and prevent the deposition of the particles on a workpiece and to provide a method therefor.例文帳に追加

傾斜したスパッタリングターゲットとターゲットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 - 特許庁

A metal having high electroconductivity is made to firmly and closely adhere to the clothlike material such as the nonwoven fabric or woven fabric according to a sputtering method and a layer without being charged with the static electricity can thereby be formed while maintaining a pliant touch feeling.例文帳に追加

不織布や織物など布状のものに、導電性の高い金属をスパッタリング法で、強固に密着させることにより、柔らかい風合いを維持しつつ、静電気を帯電させない層を形成することができる。 - 特許庁

The substrate 9 successively faces the first Ti member 4, the first Si member 5, the second Ti member 6, the Ta member 7 and the second Si member 8 of the affixed target 20, with its movement, to perform the sputtering.例文帳に追加

基板９は、移動に伴って、貼り合わせターゲット２０の第１のＴｉ部材４、第１のＳｉ部材５、第２のＴｉ部材６、Ｔａ部材７、第２のＳｉ部材８と順次対向し、スパッタリングが行われる。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of improving the electrical properties and quality of an Nb film as a liner material for an Al film at the time of forming an Al wiring film by the application of a DD wiring technique or the like.例文帳に追加

ＤＤ配線技術などを適用してＡｌ配線膜を形成する際に、Ａｌ膜のライナー材としてのＮｂ膜の電気特性や品質を高めることを可能にしたスパッタターゲットが求められている。 - 特許庁

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B.例文帳に追加

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。 - 特許庁

In the film deposition method, an electrode film 50A, a dielectric film 50b and an electrode film 50C each having a shape the same as that of each slit 46 formed on a pattern sheet 38 are deposited on a substrate 12 by sputtering.例文帳に追加

本発明に係る成膜方法においては、パターン板３８に形成されたスリット４６と同一形状の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び電極膜５０Ｃが、基板１２上にスパッタ成膜される。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a magnetic recording film, capable of realizing efficient film deposition and improved film characteristics by suppressing the growth of crystal grains and achieving low magnetic permeability and high density, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The transparent conductive membrane 3 is formed as a laminate of sputtered layers of three or more layers (first sputtered layer 31, second sputtered layer 32, and third sputtered layer 33) by sputtering intermittently divided in three times or more.例文帳に追加

透明導電膜３は、３回以上に分けて断続的にスパッタリングすることにより、３層以上のスパッタ層（第１スパッタ層３１、第２スパッタ層３２、第３スパッタ層３３）の積層体として形成されている。 - 特許庁

To provide a tungsten sputtering target capable of improving in-plane uniformity of film thickness of a tungsten film formed on a substrate and reducing generation of particles, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

As the transparent conductive film, a multilayer film of TiO/Cr/SnO, TiO/stainless-steel/SnO, stainless-steel/TiN, stainless-steel/TiO, TiN/TiO or a singlelayer film of TiN is formed from the transparent plate material by a sputtering method or the like.例文帳に追加

透明導電膜は透明板状体からＴｉＯ／Ｃｒ／ＳｎＯ、ＴｉＯ／ステンレス鋼／ＳｎＯ、ステンレス鋼／ＴｉＮ、ステンレス鋼／ＴｉＯ、ＴｉＮ／ＴｉＯの多層膜、またはＴｉＮの単層膜をスパッタリング法などで形成する。 - 特許庁

A DC voltage is applied to a set of targets A, B that are opposingly arranged in a film-forming chamber 124 while at least one of them is made of highly pure zinc for sputtering by plasma generated between both the targets A, B.例文帳に追加

成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。 - 特許庁

When a carbon-based protective film 5 to cover a magnetic layer 4 on a board 1 is formed by a chemical vapor phase deposition method or sputtering method, water is added to the reaction gas to incorporate hydroxyl groups into the carbon-based protective film 5.例文帳に追加

基板１上の磁性層４を覆うカーボン系保護膜５を化学気相堆積法或いはスパッタリング法を適用して成膜する際に反応ガスに水を添加して該カーボン系保護膜５に水酸基を含有させる。 - 特許庁

The Schottky metal 5 and the insulating film 4 are formed on a guard ring 3 formed of a reverse conductivity diffusion layer, and a certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering without bringing the Schottky metal 5 into contact with the insulating film 4.例文帳に追加

ショットキメタル５を絶縁被膜４に接触させることなく、蒸着，スパッタリング等の手段で逆導電型拡散層からなるガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に形成している。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing tin oxide powder which can be suitably used as the source material of a tin oxide sintered body used as a sputtering target and which has little aggregation of primary particles and narrow distribution of the particle size.例文帳に追加

スパッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can form a film with a uniform composition, and prevents the state of a plasma from changing with time, thereby not reducing a productivity.例文帳に追加

組成の均一な成膜ができるスパッタリング装置を提供することを目的とするものであり、さらに経時的にプラズマの状態が変化することを防ぐことで、生産性が低下しないスパッタリング装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can inhibit a rotatably installed cylindrical target from locally wearing in an end part thereof in a longitudinal direction, uniformize an erosion region, and consequently improve the use life thereof.例文帳に追加

回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic acceleration large electric power sputtering method with which an ionization degree is increased, simultaneously, a positive charge is removed from the surface of a target, the heating of the target is prevented, and further, the utilization rate of a target material is increased.例文帳に追加

磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。 - 特許庁

To obtain an application sheet for preventing an electric shock capable of preventing the unpleasant electric shock to human bodies with static electricity by sputtering a metal onto a clothlike material such as a nonwoven fabric or a woven fabric and applying the resultant material to a door knob, etc.例文帳に追加

本発明は、不織布や織物など布状のものに、金属をスパッタリングして、ドアノブなどに貼り付け、静電気による人体への不快な電撃を防止する電撃防止貼り付けシートに関するものである。 - 特許庁

The transparent conductive film 30 is a laminated film comprising three layers of an ITO layer 31, an Ag layer 32 made of an Ag alloy, and an ITO layer 33 which are sequentially laminated, and the ITO layers and the Ag layer can be formed by using a sputtering method.例文帳に追加

透明導電膜３０は、ＩＴＯ層３１、Ａｇ合金からなるＡｇ層３２、ＩＴＯ層３３の３層を順次積層してなる積層膜であって、ＩＴＯ層，Ａｇ層は、スパッタリング法で形成できる。 - 特許庁

A magnetron sputtering apparatus has a correction magnetic circuit (32) provided in the inner part of an anode portion (30) or in the vicinity thereof, and forms a magnetic field in which a part of magnetic lines of force, which penetrate a target (18), detours around a deposition shield (27) and penetrates a part of the anode portion (30).例文帳に追加

陽極部(30)の内部又はその近傍に補正磁気回路(32)を設け、ターゲット(18)を貫通する磁力線の一部が防着板(27)を迂回して陽極部(30)の一部を貫通する磁界を形成する。 - 特許庁

On the outer-periphery surface of the SiC pipes 1 and 2, a platinum thin film being formed to a uniform film thickness by barrel sputtering is formed in a spiral shape with fixed width by laser trimming, and thermal coils R1 and R2 are provided.例文帳に追加

このような、ＳｉＣパイプ１、２の外周面には、バレルスパッタリングにより均一な膜厚に形成された白金薄膜をレーザトリミングで一定幅の螺旋状に成形して、感熱コイルＲ１、Ｒ２が設けられている。 - 特許庁

In a sputtering system of a structure wherein a magnetron unit 31 is arranged on the opposite side to a target 16, the unit 31 has first magnet parts 43 and 49 and second magnet parts 43 and 47 arranged on the outsides of the magnet parts 43 and 49.例文帳に追加

マグネトロンユニット(31)をターゲット(16)とは反対の側に配置したスパッタリング装置において、マグネトロンユニット(31)は、第１のマグネット部(43,49a)と、第１のマグネット部(43,49a)の外側に配置されて第２のマグネット部(43,47a)とを有する。 - 特許庁

Electric discharge nature, oxidation resistance, sputtering-proof nature, and reaction-resistance to mercury are improved since the electrode is made of the Ni alloy of the above composition instead of a nickel simple substance, and high brightness and longer life of the cold-cathode fluorescent lamp are attained.例文帳に追加

ニッケル単体ではなく、上記組成のＮｉ合金からなる電極とすることで、放電性、耐酸化性、耐スパッタリング性、水銀との耐反応性を向上させることができ、高輝度化、長寿命化を実現する。 - 特許庁

To provide a W sputtering target capable of improving the film thickness in-plane uniformity of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

And the film is formed by a thermal decomposition system of organic metal or sputtering to prevent the elution of the glass component and compressive stress is introduced to the surface of the glass to enhance the strength of the glass substrate.例文帳に追加

また、これらの膜を有機金属の熱分解方式あるいはスパッタリングで作製してガラス成分の溶出防止をすると同時に、ガラス表面に圧縮応力を導入してガラス基板の強度も向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element by a sputtering method that prevents film formation speed from decreasing effectively and restraining the physical damage of the organic electroluminescent element, when forming a protective film in the organic electroluminescent element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の保護膜形成する際に、効果的に成膜速度の低減を防ぎ、かつ、有機ＥＬ素子の物理的ダメージを抑えた、スパッタリング法による有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a silicon nitride sintered compact excellent in electric discharge machining property, being a substantia compacta greatly effective in the cleaning and working efficiency of a sputter target and enabling the occurrence of thermal cracking in sputtering to be reduced.例文帳に追加

放電加工性に優れ、スパッタターゲットの洗浄および作業能率の点で効果が大きい緻密質であるとともに、スパッタ時の熱応力割れの発生を著しく軽減させうる窒化ケイ素焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board material which is capable of easily manufacturing a circuit pattern of a wiring pitch 100 μm or below through a sputtering method and also manufacturing a printed wiring board with high productivity.例文帳に追加

スパッタ法においても、容易に製造可能であり、配線ピッチ１００μｍ以下の回路パターンを作製可能であり、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能とするプリント配線板材料を提供する。 - 特許庁

Preferably, the part capable of sputtering in the target contains a limiting side wall 312, which limits the intrusion of plasma and backscattering grains into a dark space gap 320 between the upper shield 322 and the target.例文帳に追加

好ましくは、前記ターゲットのスパッタ可能な部分は制限側壁３１２を含み、上部シールド３２２と前記ターゲットの間の前記暗空間ギャップ３２０へのプラズマ及び後方散乱粒子の侵入を制限する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 10 is constituted by forming a ZnO piezoelectric thin film 2 on an R-surface sapphire substrate 1 by sputtering, etc., and further forming a chirp type inter-digital electrode 3 of an Al film on the ZnO piezoelectric thin film 2.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１上に、ＺｎＯ圧電薄膜２をスパッタリング法等によって形成し、さらにＺｎＯ圧電薄膜２上に、Ａｌ膜からなるチャープ型のインターデジタル電極３を形成してなるものである。 - 特許庁