「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the product recovery efficiency by applying a simple work on a product recovery electrode structure to reduce the sputtering loss.例文帳に追加

製品回収電極構造に簡単な加工を施してスパッタリング損失を低減させることにより、製品回収効率の向上させることができるレーザ同位体分離装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a conveyance tray used for a vacuum treatment apparatus such as an etching apparatus and a sputtering apparatus, the conveyance tray being easy to be assembled while having substantially the same high sealing property even during processing.例文帳に追加

エッチング装置やスパッタリング装置等の真空処理装置に用いられる搬送トレーであって、処理中であっても実質的に同一の高いシール性が得られる組付容易なものを提供する。 - 特許庁

The film-forming method comprises continuously forming an organic EL layer on the anode 3 with a vacuum deposition method, and forming a cathode on the organic EL layer with an ion beam sputtering method, by using the apparatus 10.例文帳に追加

この装置１０を用いて、陽極３上に蒸着法により有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層上にイオンビームスパッタリング法により陰極とを連続して成膜することができる。 - 特許庁

The sputtering target is manufactured by using a hot-press die of which the transmittance of nitrogen gas is 1×10^-3 cm^2/s or more at the differential pressure of 0.1 MPa, when hot-pressing the raw powder.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造は、原料粉末をホットプレスする際に、差圧０.１ＭＰａでの窒素ガスのガス透過率が１×１０^−３ｃｍ^２／ｓ以上のホットプレス型を用いて行う。 - 特許庁

By this method, sputtering becomes possible over a wide range on a copper spacer layer for realizing a desirable ferromagnetic coupled magnetic field (HF) between the pinned layers and free layers in a spin valve sensor.例文帳に追加

この方法により、スピン・バルブ・センサにおけるピンド層構造とフリー層構造との間に望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を実現するための、銅スペーサ層のより広範囲な付着時間が可能になる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for welding which automatically regulates a wire heating current so as to hold a suitable wire melting state by more reducing occurring frequency of sputtering in hot wire welding.例文帳に追加

ホットワイヤ溶接においてスパッタの発生頻度をより少なくして適正なワイヤ溶融状態に保つように、ワイヤ加熱電流の自動調整を行う溶接方法および装置の提供。 - 特許庁

It is desirable that the carbon thin film 34 is deposited to ≥2 nm film thickness by a vacuum deposition method or sputtering method where the minimum angle of incidence of sputtered particles upon the substrate is ≤40°.例文帳に追加

このとき、カーボン薄膜３４は、２ｎｍ以上の膜厚で、真空蒸着法または基板に対するスパッタ粒子の最低入射角が４０°以下となるスパッタ法で成膜を行うことが望ましい。 - 特許庁

When a laminated membrane is formed on the glass substrate of a display surface side in the order of chromium-oxide, chromium, copper, and chromium, the chromium-oxide membrane is film-formed by a reactive sputtering under an atmosphere of oxygen partial pressure 20% or more.例文帳に追加

表示面側のガラス基板に酸化クロム、クロム、銅、クロムの順で積層膜を形成させる際に、酸化クロム膜を酸素分圧２０％以上の雰囲気で、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering device capable of forming a thin film in which target atoms and reactive gas are sufficiently reacted on the surface of a substrate without reducing the film forming rate and to provide a method therefor.例文帳に追加

成膜速度を低下させることなく、ターゲット原子と反応性ガスとが十分に反応した薄膜を基板の表面に形成することのできる反応性スパッタリング装置とその方法を提供する。 - 特許庁

A fluoride thin film is deposited by sputtering with fluorine gas or gas containing fluorine as reaction gas by using a target containing elements to constitute at least desired fluoride in vitrified substance.例文帳に追加

ガラス化物質中に、少なくとも目的とするフッ化物を構成する元素が含まれたターゲットを用いて、フッ素ガス又はフッ素を含むガスを反応ガスとして、スパッタリングによりフッ化物薄膜を成膜する。 - 特許庁

A mass-separating ion irradiation device 1a is composed of an argon-ion sputtering ion source 2, pullout electrodes 3, an electromagnet 4 for mass separation, an accelerator 5, a scanning electrode 6 and a base plate 7.例文帳に追加

質量分離型のイオン照射装置１ａは、アルゴンイオンによるスパッタ式のイオン源２、引き出し電極３、質量分離用電磁石４、加速管５、走査電極６、基板７から構成される。 - 特許庁

An aluminum nitride thin film, to which gadolinium is added, is manufactured by performing sputtering in the atmosphere of argon gas 68 with an aluminum nitride metal plate 643 and the gadolinium metal plate 642 target materials.例文帳に追加

また、窒化アルミニウム金属板６４３及びガドリニウム金属板６４２をターゲット材料とし、アルゴンガス６８の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。 - 特許庁

An aluminum nitride thin film to which gadolinium is added is manufactured, by performing sputtering in the atmosphere of gas 67 where argon and nitrogen are mixed with an aluminum metal plate 641 and a gadolinium metal plate 642 as target material.例文帳に追加

アルミニウム金属板６４１とガドリニウム金属板６４２とをターゲット材料とし、アルゴン、窒素混合ガス６７の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。 - 特許庁

Amorphous carbon is formed on a plastic substrate 2 by sputtering, vacuum deposition or ion plating or the like, by using a vacuum film forming device and then a film of chromium or titanium is formed.例文帳に追加

真空成膜装置を用いて、スパッタリング法、真空蒸着法、またはイオンプレーティング法等により、プラスチック製基材上にアモルファス炭素を形成し、次いでクロム、またはチタンの膜を形成する。 - 特許庁

While the PET film 4 is continuously conveyed, the metal thin film is deposited by the sputtering apparatus 10, and the metal thin film is oxidized immediately thereafter by the oxygen ions from the ion gun 11.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム４が連続的に搬送されている間に、スパッタリング装置１０で金属薄膜の形成が行われ、その直後にイオン源１１にからの酸素イオンで金属薄膜が酸化される。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a metal oxide semiconductor and control characteristics of the metal oxide semiconductor in a wide range without using a complicated and expensive apparatus such as a sputtering system or an ion implanter.例文帳に追加

スパッタリング装置やイオン注入装置などの複雑かつ高価な装置を用いることなく、金属酸化物半導体を廉価に製造するとともに、金属酸化物半導体の特性を広範囲に制御する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which damage given to a film in the process of film formation is reduced, a thin film uniform in film characteristics and film thickness can be formed at a high speed, and the material of a target can effectively be utilized.例文帳に追加

成膜中に膜に与えるダメージが小さく、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成でき、さらにターゲットの材料を有効利用できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In this way, high speed sputtering uniformly progresses at the inner circumferential face of the target 21, by which the service life of the target 21 is prolonged, and the uniformity of the film characteristics and the distribution of the film thickness can be secured as well.例文帳に追加

これにより高速スパッタリングがターゲット２１の内周面で一様に進行することになり、ターゲット２１の使用寿命が伸び、膜特性，及び膜厚分布の均一性も確保される。 - 特許庁

A Ti film 5, a TiON film 6, a Ti film 7, an Al-Si alloy film 8, a Ti film 9 and a TiON film 10 are formed at 150-350°C on a substrate using a DC sputtering apparatus.例文帳に追加

基板上にＤＣスパッタ装置により１５０〜３５０℃の温度でＴｉ膜５、ＴｉＯＮ膜６、Ｔｉ膜７、Ａｌ−Ｓｉ合金膜８、Ｔｉ膜９およびＴｉＯＮ膜１０を順次成膜する。 - 特許庁

Si and Mo tend to react, and an MoSix layer 13 whose thickness is about 1 nm is generated on border when alternately depositing is performed by a sputtering method etc., so that deriving is difficult in reflecting property as design.例文帳に追加

ＳｉとＭｏは反応しやすく、スパッタリング法等によって交互に成膜すると境界に略１ｎｍの膜厚のＭｏＳｉｘ層１３が発生し、設計通りの反射特性を得るのが難しい。 - 特許庁

A TiSi seed layer (25 nm), CrMo base layer (25 nm), CoNiCrTa magnetic layer (20 nm) and C protective layer (10 nm) are successively formed by sputtering on the surface of a glass substrate where minute recesses and projections are formed.例文帳に追加

微小凹凸が形成されたガラス基板の表面に、スパッタリングによって順次、ＴiＳiシード層（２５ｎｍ）、ＣrＭo下地層（２５ｎｍ）、ＣoＮiＣrＴa磁性層（２０ｎｍ）、Ｃ保護層（１０ｎｍ）を形成した。 - 特許庁

When the electrolyte material is coated on the base plate by the sputtering method, the base plate is heated and a bias for the base plate is set to manufacture the single cell for the solid oxide fuel battery.例文帳に追加

電解質材料を、基板部にスパッタ法を用いて電解質層を被覆するときに、当該基板部を加熱し且つ基板部バイアスを設定して、固体酸化物形燃料電池用単セルを製造する。 - 特許庁

The intermediate layer 4 is formed by stacking the first intermediate layer 6 at least by sputtering and forming the second intermediate layer 7 on the first intermediate layer 6 by spin coating in this order.例文帳に追加

少なくともスパッタリング法によって第１の中間層６と、当該第１の中間層６上にスピンコート法によって第２の中間層７とをこの順に積層し、上記中間層４を形成する。 - 特許庁

A magnetic medium having the coercive force of 20kOe or more is provided by raising a substrate temperature and depositing an alloy thin film on a substrate in a temperature area where atom diffusion is active by a sputtering method.例文帳に追加

基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温度領域で基板上に合金薄膜をスパッタ成膜することによって、２０ｋＯｅ以上の保持力を持つ磁気媒体を提供。 - 特許庁

In this way, even when oxygen is sufficiently introduced, there is no phenomenon that an oxide mode is formed to reduce a film deposition rate as shown in ordinary sputtering, and the high speed deposition of a tungsten oxide thin film is made possible.例文帳に追加

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化タングステン薄膜の高速成膜が可能となる。 - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming an Ag alloy reflection layer of an optical recording medium such as a magneto-optical recording disk (MD, MO) and an optical recording medium (CD-RW, DVD-RAM).例文帳に追加

光磁気記録ディスク（ＭＤ，ＭＯ）、光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To reliably form a region having no film deposition in a substrate central part when depositing a specific film for an optical disk, or the like, by a sputtering method, and to improve a distribution of film thickness, or the like, in a film deposition region.例文帳に追加

光ディスク等の特定膜をスパッタリング法により形成する際に、基板中央部の非成膜領域を確実に形成すると共に、膜形成領域での膜厚等の分布を改善する。 - 特許庁

According to the solid state imaging device, a 100-200 mn thick, shading film 10 made of tungsten or the like is grown uniformly using a sputtering method, an organic metal CVD method, etc. so as to surround a charge transfer electrode 5.例文帳に追加

電荷転送電極５を取り囲むように、スパッタ法、有機金属ＣＶＤ法等の方法を用いて、膜厚が１００〜２００ｎｍのタングステン等からなる遮光膜１０を、一様に成長させる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can give an Ag alloy film pattern endowed with low resistance, higher heat resistance, and higher adhesion without detriment to reflectivity, to provide an Ag alloy film, and to provide a method for producing the film.例文帳に追加

反射率を損なうことなく、低抵抗で、より高い耐熱性及び密着性を有するＡｇ合金膜パターンを得ることができるスパッタリングターゲット、Ａｇ合金膜及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can extensively improve non- uniformity of a thin film within the surface, and consequently can form the thin film of high quality free from defects, and to provide a layout therefore.例文帳に追加

薄膜の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、欠陥等が無く、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM OF PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH THE PROTECTIVE FILM OF PHASE TRANSITION TYPE OPTICAL DISK FORMED BY USING THE TARGET MANUFACTURED BY THE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法及び該製造方法により製造したターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

To provide a phosphor having an improved light emitting intensity and insensitive to damage by sputtering and UV irradiation, and to provide a method for producing the phosphor and a plasma display panel using the phosphor.例文帳に追加

発光強度が向上し、スパッタリングやＵＶ照射によりダメージを受けにくい蛍光体、およびその製造方法並びに該蛍光体を用いたプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for effectively producing a puttering target capable of molding a metallic sputtering target containing B as essential components to a prescribed thickness by a rolling stage.例文帳に追加

Ｂを必須成分として含有する金属系スパッタリングターゲットを圧延工程によって所定厚まで成形することが可能となる効果的なスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide: an alloy for a Ni-W-P,Zr-based intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium; a sputtering target material for manufacturing a thin film; and a thin film manufactured by using the target material.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the exposed part of the front foundation layer 11 and the rear foundation layer 17 is eliminated by etching, and a rear conductive layer 25 is formed by sputtering so that the entire surface at the rear side of the substrate can be covered.例文帳に追加

更に、表下地層１１及び裏下地層１７の露出部分をエッチングにより除去し、基板の裏側の表面全体を覆うようにスパッタリングにより裏導電層２５を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a transparent conductive film which is used for a liquid crystal display device, an electroluminescence display device, an antistatic conductive film coating, a gas sensor, a solar cell or the like.例文帳に追加

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a roll coater type continuous sputtering apparatus for forming a transparent electroconductive film superior in pen input durability, which reduces the increase in a partial pressure of moisture in the film-forming chamber and has the superior productivity.例文帳に追加

成膜室内の水分分圧の上昇が少なく、ペン入力耐久性に優れ、かつ、生産性に優れた透明導電性フィルムを成膜するための、ロールコーター式連続スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

It is sufficient for forming such electrode to laminate the barrier layer 16 and the seed layer 17 by sputtering after forming a wiring film when forming an Al wiring film, i.e., to laminate the barrier layer 16 and the seed layer 17 on the wiring surface, when forming the wiring.例文帳に追加

かかる構造の電極は、Ａｌの配線膜を形成するときに、配線膜を形成するのに続き、スパッタリングにより、バリア層１６およびシード層１７を積層形成すればよい。 - 特許庁

To provide an interior wall member for chamber which has a high plasma resistance, is not worn nor torn much by sputtering and etching, can stably maintain the state of plasma, and can reduce the contamination by particles, etc.例文帳に追加

耐プラズマ性に優れ、スパッタリングやエッチングによる損耗が少なく、プラズマ状態を安定に維持するとともにパーティクル等による汚染を低減化するプラズマ処理装置のチャンバー内壁部材を提供する。 - 特許庁

In a reaction chamber 10, a substrate S is provided in such a way that bias voltage by a bias power source 11 can be applied to it and also a sputtering target 20 is disposed in close vicinity to a plasma window 12a.例文帳に追加

反応室１０内には、基板Ｓがバイアス電源１１によるバイアス電圧が印加できるように設けられるとともに、プラズマ窓１２ａに近接してスパッタ用のターゲット２０が配設される。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of measuring characteristics of a film in the course of formation of the film on the spot in the semiconductor manufacturing apparatus for forming the film on a wafer with the aid of a CVD method, a sputtering method, and the like.例文帳に追加

ウェーハ上にＣＶＤ法やスパッタ法等により成膜を行う半導体製造装置において、成膜途中の膜の特性をその場測定しうる半導体装置製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide an indium target which has a high film formation rate with low initial discharge voltage, and furthermore, which has a stable film formation rate and stable discharge voltage from a start to completion of sputtering, and a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the target material used for a sputtering method, the edge parts thereof are made into an inclination of 5 to 85 degrees, and at least two pieces of the target materials are joined by hot isostatic press (HIP) to obtain the large target material.例文帳に追加

スパッタリング法に使用されるターゲット材において、該ターゲット材の端部を５度〜８５度の傾斜角とし、熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）により、少なくとも２枚を接合してなる大型ターゲット材。 - 特許庁

The mechanism 5 forms a thin film 3 on the non-optically functioning surface 10b of the substrate 1 by causing a raw material 4 (shown by arrows in the figure) for the film 3 to deposit on the surface 10b by scattering the material 4 toward the surface 10b of the mirror 10 by ion sputtering.例文帳に追加

成膜機構５は、ミラー１０の非光学機能面１０ｂに向けて、イオンスパッタリングにより、膜原料物質４（図中矢印）を飛散・堆積させて薄膜３を形成する。 - 特許庁

This alumina type grinding wheel or diamond type grinding wheel for removing the bonding material adhering to the spent sputtering target has 30-48% abrasive grain rate, 7-15% binder rate, and 45-63% porosity.例文帳に追加

砥粒率が３０〜４８％、結合剤率が７〜１５％、気孔率が４５〜６３％であるアルミナ系砥石またはダイヤモンド系砥石で、使用済みスパッタリングターゲットに付着する接合材を除去する。 - 特許庁