「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

A photocatalyst substance film 12 comprising Sn-O-N and Zn-O-N is formed on a base 10 by means of sputtering using SnO2 and ZnO as a target in nitrogen atmosphere.例文帳に追加

基板１０上に、窒素雰囲気におけるＳｎＯ_2やＺｎＯをターゲットとしたスパッタリングにより、Ｓｎ−Ｏ−ＮやＺｎ−Ｏ−Ｎからなる光触媒物質膜１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for uniformly and stably forming a nitrided layer through reliably removing a passivated film by sputtering with the use of a mixed gas of hydrogen and nitrogen.例文帳に追加

水素と窒素との混合ガスを使用してスパッタリングをおこなうことにより不動態膜を確実に除去して均一かつ安定的に窒化層を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To smoothly absorb heat generated at a target 9 on sputtering from the abutting face of an actuator head 11, and to increase the cooling efficiency of the target 9.例文帳に追加

スパッタリング時にターゲット９で発生した熱をアクチュエータヘッド１１の当接面から円滑に吸収することが出来、ターゲット９の冷却効率を高くすることが出来るようにする。 - 特許庁

To provide an electrode member used for forming uniform and stable plasma in a discharge space and having high dielectric strength, high discharge sputtering resistance and excellent ozone resistance.例文帳に追加

放電空間に一様で安定したプラズマを形成させるために用いられる、高い絶縁耐力、高い耐放電スパッタ性、優れた耐オゾン性を有する放電用電極部材を提供する。 - 特許庁

A sputtering apparatus 10 for depositing a metal thin film on a PET film 4 and an ion gun 11 for emitting oxygen ions are arranged on a film deposition stage in a vacuum tank 3.例文帳に追加

真空槽３内の成膜ステージには、ＰＥＴフィルム４上に金属薄膜を形成するスパッタリング装置１０と、酸素イオンを放出するイオン銃１１とが配されている。 - 特許庁

FLAT PANEL DISPLAY WIRING AND ELECTRODE USING TFT TRANSISTOR THAT SCARCELY GENERATES THERMAL DEFECT AND IS EXCELLENT IN SURFACE STATE, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

The method for forming the upconversion thin film on a substrate includes sputtering the upconversion material containing oxides as a target with the use of the gas capable of etching the oxide as a reactant gas.例文帳に追加

酸化物を含むアップコンバージョン材料をターゲットとして、反応ガスとして酸化物に対するエッチングガスを用いてスパッタリングを行うことにより、基材上にアップコンバージョン薄膜を成膜する。 - 特許庁

To form an active face of metal by using sputtering action of unselected ion separated by a magnet and adsorbing residual gas on the surface for maintaining a high vacuum degree.例文帳に追加

マグネットによって分離された選外イオンのスパッタリング作用を利用して金属の活性面を作成し、その表面に残留ガスを吸着させることにより高真空を維持する。 - 特許庁

The surface hardened layer is a nitrided layer formed by subjecting the surface of the alloy member body l to nitriding treatment or a coated layer formed by reactive sputtering or ion plating.例文帳に追加

表面硬化層は、合金部材本体１の表面を窒化処理することにより形成された窒化層、あるいは反応性スパッタまたはイオンプレーティングにより形成されたコーティング層である。 - 特許庁

Since the widths are set as w1>w2 and w1>w3, the influence of the sputter film formed on the side surface 31 caused by the effect that the target substance wraps around is reduced during the sputtering over the mounting surface 22.例文帳に追加

ｗ１＞ｗ２，ｗ１＞ｗ３に設定されているため、実装面２２へのスパッタリングにおいて、ターゲット物質の回り込みにより側面３１に形成されるスパッタ膜の影響が低減される。 - 特許庁

In addition, on the SiO_2 film prepared by the sputtering using the target material in which the purity of the silicon is raised, inclusion of the metal whose atomic number is ≤11 does not decrease the optical characteristics.例文帳に追加

そして、シリコンの純度を高めたターゲット材を用いてスパッタリングで作製したＳｉＯ_２膜について、原子番号が１１以下の金属の含有は光学特性を低下させない。 - 特許庁

While the film with the silica layer being passed through a glow discharge box in a sputtering device, glow discharge is generated in the neighbourhood of the silica layer to be subjected to glow discharge treatment.例文帳に追加

シリカ層を形成したフィルムを、スパッタ装置内のグロー放電ボックス７０内を通過させながら、フィルムのシリカ層表面付近でグロー放電を発生させ、グロー放電処理を施す。 - 特許庁

To provide an oxygen-free copper sputtering target in which the difference in the advance of target erosion is reduced between a joined part and a non-joined part, and the manufacturing method of the same.例文帳に追加

接合部と非接合部との間でターゲットエロージョンの進行の相違が低減された無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the film deposition thickness per rotation in the drum is reduced in the specified layer, and therefore a film thickness error peculiar to a carousel type sputtering system 1 is reduced, so as to improve film deposition precision.例文帳に追加

これにより、特定の層においてドラムの１回転あたりの成膜厚さが薄くなるため、カルーセル式のスパッタ装置１に特有の膜厚誤差が低減され、成膜精度が向上する。 - 特許庁

Since a metal is stuck fast to a fiber by a sputtering method and the fiber has high bond strength and does no change softness, the lace is mild to the skin and is readily processed.例文帳に追加

またスパッタリング法で金属を密着させることにより、密着強度が高く、かつ繊維の柔軟性を変えないため、肌にやさしくさらに加工しやすいという特徴がある。 - 特許庁

To provide a nano crystal grain dispersion solution for providing the quality equal to that of an electronic device using the conventional sputtering process, vacuum deposition, and the like even in application or a dry technique.例文帳に追加

塗布、乾燥手法によっても、従来のスパッタリング法、蒸着法等を用いた電子デバイスと同様な品質を有することが可能なナノ結晶粒子の分散液を提供する。 - 特許庁

To prevent electro-chemical reactions with hillock, etching residues, ITO, and the like, and control dust occurrence at sputtering time, when manufacturing low-resistance wiring for a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶表示装置の低抵抗配線を作製するにあたって、ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止し、かつスパッタ時のダスト発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.例文帳に追加

ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR PRODUCING SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜、磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法 - 特許庁

To provide an apparatus for treating the surface of a base material, which can uniformly deposit a film on a base material having a large surface area by sputtering and reform the surface of the base material by plasma ion implantation.例文帳に追加

面積の大きな基材に対して、均一に、スパッタリングによる成膜と、プラズマイオン注入による表面改質とを行うことが可能な基材表面処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pure Al target with which splash or abnormal discharge and the resultant development of particles can be prevented an deposition of a pure Al film by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによって純Ａｌ膜を生成する際、スプラッシュや異常放電およびそれに起因するパーテイクルの発生を防止しうる純Ａｌターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition giving a cured film excellent in ITO sputtering adaptability, hardness and electric characteristics, and to provide a method for forming the cured film using the composition.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び電気特性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a sputtering film formation method of an insulating layer using a target formed of at least two kinds of oxide, the target is preliminarily processed by discharging it at oxygen partial pressure higher than that in film formation.例文帳に追加

少なくとも２種類以上の酸化物からなるターゲットを用いた絶縁層のスパッタ成膜法において、成膜時より高い酸素分圧で放電させてターゲットを前処理する。 - 特許庁

When the spent sputtering target contains at least one kind selected from Au, Ag, Ir, Ru, Tb, Ge and Gd, this cutting method is effective.例文帳に追加

前記使用済みスパッタリングターゲットは、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｂ、ＧｅおよびＧｄからなる群より選ばれた１種以上を含む場合に、本発明の切削加工方法が好適である。 - 特許庁

To provide a sputtering target for use in forming a transparent electroconductive film which is used for a liquid crystal display, an electroluminescence display, an electroconductive film coated for static elimination, a gas sensor and the like.例文帳に追加

液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum treatment device capable of cooling a work subjected to sputtering in a state being supported by a rotating body without providing any cooling mechanism to the rotating body.例文帳に追加

回転している回転体に支持された状態でスパッタ処理を受ける被処理物の冷却を、回転体に冷却機構を設けずに実現する真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

The method for forming a thin film uses a raw material powder for a sintered compact as a target 21a without using the solid sintered compact and forms a thin film by a physical vapor-deposition method such as a sputtering method.例文帳に追加

固体の焼結体ではなく、この焼結体の原料である粉体自体をターゲット２１ａとして用い、スパッタリング法等の物理的蒸着法により薄膜を形成させる。 - 特許庁

The magnetic substance 4 is buried to the inside of the target 1 or the backing plate 2, e.g. so as to be located in the upper direction of a magnet 8 of a magnetron sputtering device or at a position more outward than that.例文帳に追加

磁性体４は、例えばマグネトロンスパッタ装置の磁石８の上方もしくはそれより外側に位置するように、ターゲット１もしくはバッキングプレート２の内部に埋め込む。 - 特許庁

To improve characteristics of a film face of an MgO protection film, since the characteristics have an influence on address discharge delay and discharge voltage characteristics due to secondary electron emission characteristics, and sputtering-proofing characteristics.例文帳に追加

ＭｇＯ保護膜の膜面の特性は２次電子放出特性によるアドレス放電遅延や放電電圧特性、耐スパッタ特性に影響を与えるため、これらの特性を改善する。 - 特許庁

To attain a stable plasma state over a long period of time in the case where e.g. a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film is deposited by applying e.g. bias sputtering.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などを、例えばバイアススパッタを適用して形成する場合に、長時間にわたって安定したプラズマ状態を実現する。 - 特許庁

The sputtering target for depositing an optical thin film having a controlled phase and transmittance by sputtering is characterised in that it comprises metal and silicon, and the metal is at least one kind of metal selected from the group consisting of Zr (zirconium), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantalum), Ti (titanium), Hf (hafnium) and Cr (chromium).例文帳に追加

スパッタリングにて、位相および透過率を制御した光学薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットに於いて、前記スパッタリングターゲットが金属とシリコンと炭素からなり、前記金属がＺｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｃｒ（クロム）なる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

In the method for depositing a glass film by which a silicon dioxide glass film essentially consisting of silicon dioxide and containing germanium dioxide of several % to 30% is deposited on a substrate by using a sputtering method, a target used for the sputtering method is composed of silicon dioxide and germanium dioxide, and its density is controlled to 70% or more of the solid body having the same composition.例文帳に追加

二酸化シリコンを主成分とし数％乃至３０％二酸化ゲルマニュウムを含む二酸化シリコン系ガラスの膜を、スパッター法を使用して、基板上に形成するガラス膜の形成方法において、スパッター法に使用するターゲットを二酸化シリコンと二酸化ゲルマニュウムとの組成物とし、その密度を、そ組成を有する充実体の７０％以上とする、ガラス膜の形成方法である。 - 特許庁

In the plasma-addressed liquid crystal display device provided with a liquid crystal display panel comprising a display cell 1 with a liquid crystal layer 13, a discharging cell 2 with an anode 25 and the cathode 22, etc., the cathode 22 has its surface 24 composed of a mixture of conductive particles with high secondary electron emission and excellent sputtering resistance and insulating particles with low secondary electron emission and excellent sputtering resistance.例文帳に追加

液晶層１３を有する表示セル１、陽極２５及び陰極２２を有する放電セル２、等からなる液晶表示パネルを備えるプラズマアドレス液晶表示装置において、陰極２２は、その表面２４が、高二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる導電性粒子と低二次電子放出及び耐スパッタ性に優れる絶縁性粒子との混合物からなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the optical recording medium 1 having the recording layer 5 on a substrate 2 comprises forming the recording layer 5 by sputtering and controlling the temperature of the substrate contact surface of a substrate holder on which the substrate 2 is held to the temperature within a specified temperature range with respect to the arbitrary set temperature selected from the temperature within a range from 30 to 40°C in sputtering.例文帳に追加

基板２上に記録層５を有する光記録媒体１を製造する方法であって、記録層５をスパッタリングによって形成し、該スパッタリングに際して、基板２が保持される基板ホルダーの基板接触面の温度を、３０〜４０℃の範囲内から選択される任意の設定温度に対して一定の温度範囲内に制御することを特徴とする、光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。 - 特許庁

When the optical recording medium is manufactured in which medium information can be recorded, erased, and reproduced by irradiating a recording layer formed on a substrate with a light beam and is recorded and erased by phase change between an amorphous phase and a crystal phase, the recording layer is manufactured by sputtering and sputtering gas contains at least hydrogen.例文帳に追加

基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体を製造する際において、記録層をスパッタリング法で製造し、かつそのスパッタリングガスが少なくとも水素を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The sputtering apparatus 100 includes: a sputtering chamber 30 housing a target 35B made of Al and a substrate 34B having an aperture formed therein; a plasma gun 40 for forming plasma by the discharge between a cathode unit 41 and an anode A; and magnetic field generating means 24A, 24B deforming plasma emitted from the plasma gun 40 by the effect of the magnetic field.例文帳に追加

スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。 - 特許庁

The method for producing a boron-containing sputtering target involves: a stage where the powder of a cobalt-chromium alloy is prepared; a stage where the powder of the cobalt-chromium alloy and the powder of raw material containing boron and an oxide are mixed for producing a mixture; a stage where the mixture is molded for producing a molded body; and a stage where the molded body is sintered for obtaining the sputtering target.例文帳に追加

ホウ素を含むスパッタリングターゲットの製造方法は、コバルトクロム合金の粉末を用意すること、混合物を生成するために前記コバルトクロム合金の粉末とホウ素及び酸化物を含む原料の粉末とを混合すること、成形体を作るために前記混合物を成形すること、前記スパッタリングターゲットを得るために前記成形体を焼結させることを含む。 - 特許庁

The precipitate for a sputtering target is obtained by providing at least the surface of the particle of an element and/or a compound composing a sputtering target with at least one oxide selected from the group consisting of silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, zinc oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, indium oxide, stannic oxide, lanthanum oxide, tantalum pentoxide and lead monoxide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを構成する元素および／または化合物の少なくとも粒子の表面に、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化第二スズ、酸化ランタン、五酸化タンタルおよび一酸化鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の酸化物を有することを特徴とするスパッタリングターゲット用沈殿物とする。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition.例文帳に追加

セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the sputtering target for the EL element manufacture includes a mixing process of obtaining a mixture by mixing at least sulfide of divalent metal, trivalent metal, and sulfide of a luminescence center element, a molding process of obtaining a molded product by molding the mixture, and a sintering process of obtaining the sputtering target for the EL element manufacture by sintering the molded product.例文帳に追加

ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In a sputtering device equipped with a MgO target 3 and a ferromagnetic target 4, and sputtering MgO and a ferromagnetic substance to a substrate 8, this low-resistance granular film including a MgO barrier layer having (111) orientation and ferromagnetic fine particles dispersed in the MgO barrier layer is formed on the substrate 8 while a plasma interference state is optimized.例文帳に追加

ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 - 特許庁

A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a copper wiring substrate attaining further reduction of electric resistance and maintenance of adhesive property of a copper thin film to a substrate surface at high levels and attaining cost reduction of a metal target material used in a sputtering process and of the entire manufacturing process mainly in the sputtering process using the target material.例文帳に追加

電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁