「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the maximum major axis of the αCo phase or εCo phase in the cross-sectional microstructure in the sputtering face of the target material is ≤500 μm.例文帳に追加

また、ターゲット材のスパッタ面の断面ミクロ組織におけるαＣｏ相あるいはεＣｏ相の最大長径が５００μｍ以下である磁気記録媒体用Ｃｏ合金ターゲット材である。 - 特許庁

The deposition system for forming the thin films of the materials of targets 30 and 35 on a substrate 50 by sputtering the targets 30 and 35 has an etching source 60 for etching the thin films.例文帳に追加

ターゲット３０、３５をスパッタリングして、基板５０に前記ターゲット３０、３５の材料の薄膜を形成する成膜装置において、薄膜をエッチングするエッチング源６０を有する。 - 特許庁

As for the method of forming a deposited film using a vacuum treatment system in a sputtering method provided with a load lock chamber, a substrate is loaded from the load lock chamber to a vacuum vessel while glow discharge is held.例文帳に追加

ロードロック室を備えるスパッタリング法に真空処理装置を用いた堆積膜の形成方法において、グロー放電を維持したまま基体をロードロック室から真空容器へロードする。 - 特許庁

The thin-film-forming apparatus forms the thin film so as to give it a composition ratio corresponding to the number ratio of the first target materials 29b_2, 29b_3 and 29b_4 to the second target material 29b_1, when using the sputtering target 29b.例文帳に追加

このスパッタ用ターゲット２９ｂによって、第１ターゲット材２９ｂ_２，２９ｂ_３，２９ｂ_４と第２ターゲット材２９ｂ_１との数の比率に応じた組成比の薄膜を形成する。 - 特許庁

The method also comprises employing two such facing target-type sputtering apparatuses 10a and 10b, and alternately forming the thin films on both sides of the substrates 130 from the targets 121a and 121b made of different materials.例文帳に追加

２台のこのような対向ターゲット式スパッタ装置１０ａ、１０ｂを用い、基板１３０の両面に異なる材料のターゲット１２１ａ、１２１ｂから薄膜を交互に形成する。 - 特許庁

A target 11 is disposed between a plasma deposition chamber 2 and a substrate S and a front surface 111a of a target member 111 which is a sputtering surface is formed to a conical shape widening toward the substrate S.例文帳に追加

ターゲット１１をプラズマ成膜室２と基板Ｓとの間に設け、スパッタ面であるターゲット部材１１１の表面１１１ａを、基板Ｓ方向に拡がる円錐形状とした。 - 特許庁

To provide an alumina sputtering target of high purity for accelerating the film forming rate of an alumina film on a substrate by sputter discharge and moreover hard to be cracked even in the case high electric power is applied.例文帳に追加

スパッタ放電による基板上へのアルミナ膜の成膜速度を高めると共に、高電力を投入しても割れにくい性質を持つ高純度のアルミナ・スパッタリング・ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a recording layer for an optical informaiton-recording medium having excellent recording property, and to provide the optical information-recording medium including the recording layer and a sputtering target helpful to form the recording layer.例文帳に追加

記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a highly accurate counter electrode having uniform film thickness in a pixel can be formed at a low cost as compared with sputtering using a vacuum apparatus and the liquid crystal display device can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

真空装置を使うスパッタ成膜より低コストで、高精度で画素内の膜厚が均一な対向電極が形成され、低コストで液晶表示装置を製造できる。 - 特許庁

This Ru sputtering target has a compsn. contg. 1 to 9 ppm Si, and the balance Ru having ≥99.998% purity, and in which the content of W is limited to <1 ppm.例文帳に追加

（１）Ｓｉ：１〜９ｐｐｍを含有し、残部が純度：９９．９９８％以上のＲｕからなり、Ｗの含有量を１ｐｐｍ未満に限定した組成を有するＲｕスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system for depositing a thin film on a base material of an optical storage medium which is capable of preventing electrons escaping from plasma from being incident on the base material.例文帳に追加

光記憶媒体の母材に薄膜をつけるマグネトロンスパッタ装置において、プラズマから逃げ出した電子が母材に入射することを防止可能なスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C.例文帳に追加

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を３０℃〜８０℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。 - 特許庁

Accordingly when the air bag door 20 is opened, the foaming body 14 is not exposed at the door end face, so that the foaming chips are prevented from separating from the foaming body 14 and sputtering.例文帳に追加

従って、エアバッグドア２０の開放時には、発泡体１４がドア端面に露出しないため、該発泡体１４から発泡体破片が分離して飛散することが防止される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ITO transparent conductive thin film having uniform characteristics in a substrate surface even when the substrate is large in size, a sputtering apparatus therefor, and a color filter using the same.例文帳に追加

大型基板であっても基板面内の特性が均一なＩＴＯ導電性薄膜の製造方法と、そのための装置と、それを用いたカラーフィルターの製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, stable conductor film deposition only by the sputtering method is facilitated, and there are provided the low-cost planar antenna with a reduced loss and the method of manufacturing the planar antenna.例文帳に追加

本発明を用いることにより、スパッタ法のみによる安定な導体膜形成を容易にし、かつ損失が少ない安価な平面アンテナ及び製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for magnetic recording medium film formation allowing deposition of a film with a low ordering temperature and also suppression of particle-generation; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Respective crystalline grains of Nb in the sputtering target have a grain size of 0.1 to 10 times against the average grain size, and the ratio of grain size between adjacent grains is regulated to 0.1-10.例文帳に追加

さらに、スパッタターゲット中のＮｂの各結晶粒は、平均結晶粒径に対して 0.1〜10倍の範囲の粒径を有すると共に、隣接する結晶粒の粒径サイズの比が 0.1〜10の範囲とされている。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which enables a via hole with a high aspect ratio to be filled up, and has a function of restraining peeling of dust from a deposition shield, and provide a method therefor.例文帳に追加

高いアスぺクト比のビアホールの孔埋めを可能とするとともに、防着板からの剥離ダストを抑制する機能を備えたマグネトロンスパッタ装置とその方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an alloy for a cold cathode discharge electrode which has a more improved life than that of conventionally used pure Ni and provides markedly improved sputtering resistance.例文帳に追加

従来から使用される純Ｎｉと比較して、寿命を向上させ、更に耐スパッタ性を飛躍的に向上することが可能な冷陰極放電管電極用合金を提供する。 - 特許庁

To provide a W-Ti target which can reduce particles generation from the target and particle generation due to exfoliation of a deposited film on a non-eroded part, during sputtering, and also provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

スパッタリング時に、ターゲットからのパーティクル発生、及び非エロージョン部のデポ膜剥離によるパーティクル発生の低減を可能にしたＷ−Ｔｉターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁

A sputtering target assembled body is heated to the temp. equal to or above the m.p. of an insert material, by which the insert material is melted to separate the target material and the backing plate.例文帳に追加

スパッタリングターゲット組立体１を、インサート材４の融点以上の温度に加熱することにより、インサート材４を溶融させてターゲット材２とバッキングプレート３とを分離させる。 - 特許庁

A center part of the web is fixed on the substrate carrier, so that edge coating of the substrate does not become uneven or at least uneven edge coating can be reduced especially during sputtering.例文帳に追加

特にスパッタリング加工中に、基板の縁のコーティングが不均一になることを防止しまたは少なくとも低減させるため、基板キャリヤにはウェブの中央部が固定されている。 - 特許庁

To provide a copper alloy thin film for forming an interconnection and an electrode for flat panel display, using a thin film transistor (TFT) that is superior in adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the copper alloy thin film.例文帳に追加

ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The surface of a plug body 1 consisting of a rubber-like elastic body is provided with a thin film 2 of either of a metal oxide or metal nitride by a sputtering process, vapor deposition process, ion plating process or CVD process.例文帳に追加

ゴム状弾性体からなる栓本体１の表面に、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法により、金属酸化物、金属窒化物のいずれかの薄膜２を設ける。 - 特許庁

At least one portion of the wiring films is formed by the printing method, coating method, and transfer method that differ from those of vacuum system thin-film formation such as the CVD method and sputtering.例文帳に追加

少なくとも一部の配線膜は、ＣＶＤ方式やスパッタリングなどの真空系薄膜形成とは異なる、印刷法、コート法、転写法またはメッキ法により形成されている。 - 特許庁

To provide a low pressure discharge lamp to possibly reduce mercury consumption by controlling sputtering of a lead wire and to possibly realize long operation life without increasing an amount of filled mercury.例文帳に追加

導入線のスパッタリングを抑制して水銀の消耗を低減でき、水銀封入量を増加させることなく長寿命化が実現できる低圧放電ランプを提供する。 - 特許庁

This gas immobilization device is provided with a metal outside negative electrode 1 for introducing processing gas into the inside and the metal inside negative electrode 2 to be a sputtering target arranged in the outside negative electrode 1.例文帳に追加

被処理ガスが内部に導入される金属製の外側陰極１と、この外側陰極１内に配置されたスパッタリングターゲットとなる金属製の内側陰極２と、を有する。 - 特許庁

To provide a plasma-assisted sputter deposition system which provides the fixed sputtering rate of a target with the lapse of time, and also can make process conditions which are not varied.例文帳に追加

時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive transparent compound thin film which has a sufficiently low resistivity and is difficult to provide in the conventional reactive sputtering method, and to provide a method of producing the conductive transparent compound thin film.例文帳に追加

従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first film deposition mechanism 35 deposits, for example, the first layer on the substrate by vapor deposition, and the second film deposition mechanism 36 deposits, for example, the second layer on the substrate by sputtering.例文帳に追加

第１成膜機構３５は、例えば基板に第１の層を蒸着によって成膜させ、第２成膜機構３６は、例えば基板に第２の層をスパッタリングによって成膜させる。 - 特許庁

To produce a large, homogeneous sinter at low cost with high efficiency, and to provide a large sputtering target that is good in discharge properties and properties of a thin film formed therefrom.例文帳に追加

大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device for a ferromagnetic substance capable of obtaining discharge in a state in which the surface of a target is made into erosion in the whole face, free from the generation of particles and having a long target life.例文帳に追加

ターゲット表面が全面エロージョンとなる状態で放電が得られ、パーティクルの発生がなくターゲットライフの長い強磁性体のマグネトロンスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

The optical recording material comprises preparing a recording layer on a substrate by a means such as application or sputtering or the like, wherein the recording layer contains at least one kind of a cyanine compound having a specific structure.例文帳に追加

基板上に、塗布あるいはスパッタリング等の手段によって、特定の構造を有するシアニン化合物を少なくとも一種含有する記録層を設けた光学記録材料。 - 特許庁

A Cr film 9 is formed thinly on the surface of the CU film 3 in film thickness of approximately 50 nm by a sputtering method, the Cr film 9 is etched, and a removing section 9a is formed.例文帳に追加

このＣｕ膜３の表面にＣｒ膜９をスパッタ法によって５０ｎｍ程度の膜厚に薄く形成した後、このＣｒ膜９をエッチングして除去部９ａを形成する。 - 特許庁

The film may, for example, be a sputtered film formed by a sputtering method using a mask or may be a knitted film formed by knitting wires.例文帳に追加

グラニュラー磁性薄膜は、例えば、マスクを用いたスパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、線で編みかけを行うことにより形成された編みかけ膜であっても良い。 - 特許庁

To provide an Ni-W-B-based sputtering target material alloy used as an intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium, and to provide a thin film produced using the same.例文帳に追加

本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁

Fine particles of the grain size which is equal to that of the particles deposited by the sputtering are deposited dispersively to the greater part of the region 22 where the pattern is not provided, for example, to the region of 70% of such region 22.例文帳に追加

パターン無し領域２２の大部分、例えば７０％程度の領域には、スパッタリングにより堆積させた粒子と同程度の粒径の微粒子が分散して付着している。 - 特許庁

A metal mask is put on the collector electrode 10, and a back electrode 7 and a collector electrode 9 are formed by a sputtering method in parts on the n-type amorphous silicon film 6 except the metal mask.例文帳に追加

次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPUTTER TARGET, SPUTTER TARGET, SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP例文帳に追加

スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁

In the antireflection film 30, an antireflection layer 32 is directly formed on a glass base 31 by sputtering, and this forms an outermost surface of the filer 1 for a display device.例文帳に追加

反射防止フィルム３０は、スパッタによって反射防止層３２がガラス基体３１の上に直接形成されたものであり、これが表示装置用フィルタ１の最外面を構成する。 - 特許庁

When TaSiN or TaBN is formed by reactive sputtering as a heating resistor, the target is made by sintering from each powder and has a relative density of 95% or more.例文帳に追加

発熱抵抗体として、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＮを反応性スパッタリングで形成するときに、ターゲットを各粉末から焼結で作成し、その相対密度を９５％以上にする。 - 特許庁

To provide a polyimide film having excellent adhesive properties, sputtering property, metal vapor deposition property, and metal plating property, and excellent surface smoothness while maintaining the excellent properties of an aromatic polyimide film.例文帳に追加

芳香族ポリイミドフィルムの優れた特性を保持しつつ、接着性、スパッタリング性や金属蒸着性、金属メッキ性が良好であり、かつ表面平滑性に優れたポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a discharge lamp electrode which is superior in sputtering resistance than a conventional discharge lamp electrode and can obtain a long life and high luminance when incorporated in a discharge lamp.例文帳に追加

従来の放電ランプ用電極よりも耐スパッタリング性に優れ、放電ランプに組み込んだ場合に、長寿命、高輝度を実現することのできる放電管用電極を提供する。 - 特許庁

In the sputtering target 1, a backing plate material 4 consisting of a plurality of metallic layers 2 and 3 is integrally joined to a target material 5 by means of diffusion joining or welding.例文帳に追加

複数の金属層２，３から成るバッキングプレート材４とターゲット材５とが拡散接合または溶接により一体に接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット１である。 - 特許庁

The density of a sputtering target can be increased to ≥70% by adding one or two kinds of sintering assistants selected from CuO and GeO_2 to a barium tantalate based composition.例文帳に追加

タンタル酸バリウム系の組成物にＣｕＯ、ＧｅＯ_２のうち１種あるいは２種の焼結助剤を加えることによって、スパッタリングターゲットの密度を７０％以上に高めることができる。 - 特許庁