「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, an Al layer is continuously formed (by performing sputtering without using the oxygen gas) to reform the surface of the target (the surface of the target is reformed each time the film-forming process is performed).例文帳に追加

その後、連続してＡｌ層を成膜する（酸素ガスを使用しないスパッタリングを行う）ことで、ターゲット表面が改質される（成膜処理の度に、ターゲット表面が改質される）。 - 特許庁

The erosion profiled target is characterized in that a deeply eroded region in the target by sputtering is thicker, but the thickness is 1.5 times or less than that of the other parallel part.例文帳に追加

スパッタリングによって深くエロージョンされるターゲットの領域がより厚く、その厚さがそれ以外の平行な部分の厚さの１．５倍以内であることを特徴とするエロージョンプロファイルターゲット。 - 特許庁

To provide an electrode member for discharge, which is used to form uniform and stable plasma in a discharge space and has high dielectric strength, high discharge sputtering resistance and excellent ozone resistance.例文帳に追加

放電空間に一様で安定したプラズマを形成させるために用いられる、高い絶縁耐力、高い耐放電スパッタ性、優れた耐オゾン性を有する放電用電極部材を提供すること。 - 特許庁

A barrier metallic layer and an aluminum film are formed as a first layer on the semiconductor substrate by sputtering or CVD to form aluminum wires through selective etching by using a resist mask and a reactant gas.例文帳に追加

半導体基板上の１層目にバリアメタル層及びアルミニウムをスパッタもしくはＣＶＤで成膜し、レジストマスクにて反応ガスを用いて選択エッチングでアルミ配線形成する。 - 特許庁

The FePt ally layer is deposited by sputtering on a seed layer structure, and a substrate of the disk is held at high temperature during the deposition so as to guarantee that high anisotropy magnetic field H_k is obtained.例文帳に追加

ＦｅＰｔ合金層は、シード層構造の上にスパッタリング堆積され、その間、ディスクの基板は、高い異方性磁場Ｈ_ｋを得るのを保証するため、高温に維持される。 - 特許庁

Then an oxide dielectric film layer and a metallic absorption film layer are alternatively laminated by a sputtering method or the like on at least one side of the resin film to form the absorptive multilayer film.例文帳に追加

その後、この樹脂フルムの少なくとも片面に、パッタリング法などにより酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層とを交互に積層して吸収型多層膜を形成する。 - 特許庁

Aluminum is used as a target in sputtering of each layer, a surface of the target is easily deteriorated by an oxygen gas used as a reaction gas during forming of the Al_2O_3 layer.例文帳に追加

各層のスパッタリングでは、いずれもターゲットとしてアルミニウムを用いるが、Ａｌ_2Ｏ_3層の成膜過程では、反応ガスとして使用する酸素ガスによってターゲット表面が変質し易い。 - 特許庁

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher.例文帳に追加

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。 - 特許庁

When a silicon oxide film is subjected to nitriding, amount of nitriding gas supply to a remote plasma source is set lower than a predetermined level at which energy used for sputtering the gas passage of the remote plasma source begins to increase.例文帳に追加

シリコン酸化膜を窒化処理する際に、リモートプラズマ源への窒化ガスの供給量を、リモートプラズマ源のガス通路のスパッタに使われるエネルギ増加し始める所定値以下に設定する。 - 特許庁

A catalyst metal layer 4 is formed on the surface of a diamond film 2 by a method selected from the group consisting of the sputtering method, the electron beam deposition method, and the vacuum deposition method.例文帳に追加

スパッタ法、電子ビーム蒸着法及び真空蒸着法からなる群から選択された１種の方法によりダイヤモンド膜２の表面上に触媒金属層４を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the target for sputtering is composed of a copper alloy contg. additive elements of controlled concn. wherein the content of uranium or thorium as the additive elements is ≤0.5 ppb.例文帳に追加

また、制御された濃度の添加元素を含む銅合金を材料としているスパッタリング用ターゲットであって、添加元素としてのウランまたはトリウムの含有量は、それぞれ0.５ppb 以下である。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of forming strong induction electromagnetic field in a vacuum container and preventing sputtering, temperature rise, and generation of particles of an antenna conductor.例文帳に追加

真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering voltage regulation system with a voltage regulation device 7 as the center performs cascade control to a vacuum vessel total pressure regulation system with a vacuum vessel total pressure comparison part 25 as the center.例文帳に追加

電圧調節装置７を中心とするスパッタ電圧調節系は、真空容器全圧比較部２５を中心とする真空容器全圧調節系に対してカスケード制御を行っている。 - 特許庁

This method for forming Si particles comprises forming a GeO_2 film containing Si (silicon) on a substrate by sputtering, and forming Si particles by heat treatment of the GeO_2 film.例文帳に追加

基板上に、スパッタリングによりＳｉ（シリコン）を含有するＧｅＯ_２膜を形成し、該ＧｅＯ_２膜を加熱処理してＳｉ粒子を形成することを特徴とするＳｉ粒子の形成方法。 - 特許庁

A planar target having rings which are annular step regions of the thickness increased prositionally corresponding to target raceway regions in which erosion grooves are caused in the process of sputtering is provided.例文帳に追加

スパッタリング中侵食溝が生じるターゲットレースウエイ領域に位置的に対応して増大された厚さの環状段領域であるリングを有する平面状ターゲットが提供される。 - 特許庁

Concretely, the outside diameter (C) of the target 1 for sputtering is smaller than the dimensions of the inside diameter (D) in a second magnet 15B and also larger than the dimensions of the outside diameter (E) in a first magnet 15A.例文帳に追加

具体的には、スパッタリング用ターゲット１の外径（Ｃ）は、第二磁石１５Ｂの内径（Ｄ）寸法よりも小さく、かつ、第一磁石１５Ａの外径（Ｅ）寸法よりも大きい径となっている。 - 特許庁

To provide a high-quality long-life plasma display panel by making compatible priming-electron emission characteristics and other characteristics such as sputtering resistance, secondary electron emission characteristics, and wall charge retention.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて，プライミング電子放出特性と耐スパッタ性や二次電子放出特性，壁電荷保持特性などを両立させ，高画質で長寿命なプラズマディスプレイパネルを提供する - 特許庁

Evacuation and temperature raise are continued while performing the gaseous hydrogen sputtering, and preferably, when the temperature reaches 500°C, gaseous nitrogen is introduced together with gaseous hydrogen to start a second step.例文帳に追加

水素ガススパッタリングを行いながら真空引き及び昇温を続行し、好ましくは５００℃に到達した時点で、水素ガスとともに窒素ガスを導入して第２工程を開始する。 - 特許庁

The manufacturing method of the transparent conductive film includes a step of forming the transparent conductive film on a substrate using the composite target for sputtering comprising the oxide component containing zinc oxide and the carbon components.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

The vapor deposition metal film 3 is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, EB vapor deposition or sputtering and the thickness thereof is preferably 10-200 mμm.例文帳に追加

前記蒸着金属膜が３真空蒸着、イオンプレーティング、ＥＢ蒸着あるいはスパッタリングで形成されていること、厚さが１０ｍμｍ以上、２００ｍμｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

The titanium oxide-containing layer 5b is a dielectric layer containing ≥10 wt.% titanium oxide expressed in terms of titanium and is formed by the film deposition using sputtering, ion plating or vapor deposition.例文帳に追加

酸化チタン含有層５ｂは、チタン量換算で１０重量％以上の酸化チタンを含む誘電体層であり、スパッタリングやイオンプレーティング、蒸着等の被覆により形成される。 - 特許庁

When the source electrode 19 consisting of an aluminum alloy film and the titanium thin film 23 are successively formed in the same metal sputtering device, the surface of the source electrode 19 is not oxidized.例文帳に追加

アルミ合金膜から成るソース電極１９とチタン薄膜２３とを同じメタルスパッタ装置内で連続して形成すれば、ソース電極１９の表面が酸化することはない。 - 特許庁

The sputtering target is characterized in that it contains indium, tin, zinc and oxygen and only a peak ascribed to a bixbyite structure compound is practically observed by X-ray diffraction (XRD).例文帳に追加

インジウム、錫及、亜鉛及び酸素を含有し、Ｘ線回折（ＸＲＤ）によってビックスバイト構造化合物のピークのみが実質的に観測されることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Furthermore, the apparatus has an ion beam generating unit for irradiating the ion beam for sputtering of the target 105, and a deflection unit for irradiating the ion beam to the target 105.例文帳に追加

成膜装置は、また、ターゲット１０５をスパッタリングするためにイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、イオンビームをターゲット１０５に照射するための偏向手段とを有している。 - 特許庁

To provide a rotary target holder capable of performing sputtering by selectively applying a high bias voltage to an objective target, and enhancing the film deposition rate.例文帳に追加

目標とするターゲットに対して選択的に高バイアス電圧を印加してスパッタリングを行えると共に、成膜レートを向上させることができる回転式ターゲットホルダを提供する。 - 特許庁

The magnetron provided with a cathode 1 and an anode 2 having vanes 3 has an insulated surface 4 which opposes to the cathode and receives a material from the cathode due to sputtering at the cathode.例文帳に追加

陰極１とベイン３を備える陽極２とを有するマグネトロンは、絶縁表面４を有し、該表面は、陰極と対面し、陰極でのスパッタリングによる陰極からの材料を受け取る。 - 特許庁

Pure aluminum is used as a target 3, and a second gas (a TMS gas 6) containing at least one kind of a metal element is intermittently supplied during sputtering.例文帳に追加

ターゲット３に純アルミニウムを使用するとともに、スパッタ成膜中に、少なくとも１種類以上の金属元素を含む第２のガス（ＴＭＳガス６）を間欠的に供給する。 - 特許庁

The strong magnetic field having wide distribution can be easily formed, and plasma suited to sputtering can be effectively concentrated on the surface of the target by placing the target in the magnetic field.例文帳に追加

強くかつ広い分布を有する磁場を形成することが容易で、その磁場の中にターゲットを置くことで、スパッタリングに適したプラズマをターゲットの表面に効果的に集中させることがでる。 - 特許庁

To provide a method capable of easily and inexpensively reducing specified impurities in Ru raw material powder, and simultaneously producing an Ru sputtering target having high purity and high homogeneity.例文帳に追加

Ｒｕ原料粉末の特定不純物の低減を容易にかつ安価に実現すると同時に、高純度で均質性の高いＲｕスパッタリングターゲットを作製する方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a transparent conductive film, using a sputtering composite target comprising an oxide base component including indium oxide and carbon base components, a transparent conductive film is formed on the substrate.例文帳に追加

透明導電膜の製造方法は、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁

A wiring film is equipped with a TaN film formed using the above sputtering target, and concretely the wiring film is equipped with a barrier layer of a TaN film and a Cu film formed on it.例文帳に追加

配線膜はこのようなスパッタターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜を具備し、具体的にはＴａＮ膜からなるバリア層とその上に形成されたＣｕ膜とを有する。 - 特許庁

To provide a technology that can reduce splashes produced when an Al-Ni-La-Si system Al-based alloy sputtering target containing Ni, La and Si is used to deposit a film.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

The organic electroluminescent element manufacturing method forms the silicon nitride oxide layer forming at least part of the protective layer by a sputtering method or a CVD method.例文帳に追加

また本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法では、保護層の少なくとも一部分を成すシリコン窒化酸化物層はスパッタリング法又はＣＶＤ法によって形成される。 - 特許庁

The antibacterial material is produced by forming a zinc oxide thin film on a glass substrate, a plastic sheet, a plastic film substrate, etc., by vacuum deposition, sputtering, ion plating, etc.例文帳に追加

ガラス基板、プラスチックシート、プラスチックフィルム基板等の上に、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の手法で酸化亜鉛薄膜を形成させることを特徴とする抗菌性材料である。 - 特許庁

REFLECTION FILM OF Ag ALLOY FOR REFLECTOR, REFLECTOR USING THE REFLECTION FILM OF Ag ALLOY, AND SPUTTERING TARGET OF Ag ALLOY FOR FORMING THIN FILM OF Ag ALLOY FOR THE REFLECTION FILM例文帳に追加

リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜のＡｇ合金薄膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive threads 4 consist of synthetic resin threads 42 and conductive thin films 43 of metal or metal oxide formed by sputtering on the surface 421 of the synthetic resin threads 42.例文帳に追加

導電性糸４は，合成樹脂糸４２と，合成樹脂糸４２の表面４２１にスパッタリングにより形成した金属又は金属酸化物の導電薄膜４３とからなる。 - 特許庁

The transparent conductive film 2, oxidation coloring film 3, electrolytic film 4, reduction coloring film 5, and transparent conductive film 6 are formed by vacuum vapor-deposition, ion plating, ion assisted vapor-deposition, sputtering, etc.例文帳に追加

透明導電膜２、酸化発色膜３、電解質膜４、還元発色膜５、透明導電膜６が、真空蒸着、イオンプレーティング、イオンアシスト蒸着、スパッタリング法等で成膜される。 - 特許庁

To provide an ion beam shaping means which is less susceptible to the impact of sputtering due to an ion beam and can be made compact, and to provide an ion implanter having the shaping means.例文帳に追加

イオンビームによるスパッタリングの影響を受けにくく、コンパクトな装置構成を可能とするイオンビーム整形手段および当該整形手段を有するイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The magnetron unit of the sputtering apparatus 1 has a frame 12 installed on the top face of the target 3, and has a magnet assembly 14 in the inner region of the frame 12.例文帳に追加

スパッタリング装置１のマグネトロンユニット１１は、ターゲット３の上面に取り付けられたフレーム１２を有し、このフレーム１２の内側領域には、マグネットアセンブリ１４が配置されている。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold cathode fluorescent tube which is formed in a cup shape by a plastic working and has a thin side wall with a high durability against corrosion by sputtering.例文帳に追加

塑性加工によってカップ形状に成形され、側壁の厚みが薄くかつスパッタリングによる侵食に対しても耐久性の高い冷陰極蛍光管用電極を提供する。 - 特許庁

A temperature-sensing resistive material is formed into a film, on a silicon nitride film in an atmosphere of mixed gas of argon, oxygen, and unavoidable impurities through a sputtering treatment.例文帳に追加

アルゴンと酸素及び他の不可避不純物とからなる混合ガスの雰囲気下で、シリコン窒化物からなるシリコン窒化膜上に感温抵抗材料をスパッタリング処理により成膜する。 - 特許庁

An Al reflecting film 7b is deposited on the substrate 7a through sputtering, on which a UV-curing protective film 7c is applied by a spin coating method and is hardened by irradiating with UV rays.例文帳に追加

この基板７ａにＡｌ反射膜７ｂをスパッタリングにより成膜し、その上に紫外線硬化型保護膜７ｃをスピンコート法により塗膜し、紫外線をあてて硬化した。 - 特許庁

Formation due to a sputtering method of the transparent conductive film deposits after performing a surface reformation in a plasma processing by performing a flattening processing by grinding after forming the coloring pixel.例文帳に追加

着色画素の形成後に研磨による平坦化処理を行い、透明導電膜のスパッタリング法による形成はプラズマ処理にて表面改質を行ったのちに成膜する。 - 特許庁

After the crystallization of the ferroelectric film 10a, an amorphous CSPLZT film is formed as a ferroelectric film 10b on the ferroelectric film 10a by a sputtering method.例文帳に追加

強誘電体膜１０ａの結晶化後に、強誘電体膜１０ａ上にアモルファス状のＣＳＰＬＺＴ膜を強誘電体膜１０ｂとしてスパッタリング法により形成する。 - 特許庁