「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target 2 is composed of an Mo-W-Al material having a composition containing Al ranging from 0.1 to 50mass% and the balance substantially a Mo-W alloy.例文帳に追加

0.1〜50質量％の範囲のＡｌを含有し、残部が実質的にＭｏ−Ｗ合金からなる組成を有するＭｏ−Ｗ−Ａｌ材により構成されたスパッタリングターゲット２である。 - 特許庁

To provide a GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point and a low crystallization temperature, and a sputtering target for forming the GaSb-based phase changing type recording film.例文帳に追加

融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a dry-type means for efficiently cleaning dirt adhered to the inner wall of a chamber of a film forming device, its parts or the surface of a sputtering target without damaging an object.例文帳に追加

成膜装置のチャンバー内壁、その部品又はスパッタリングターゲットの表面に付着した汚れを、対象物にダメージを与えることなく、乾式で効率良くクリーニングする手段を提供する。 - 特許庁

To provide a high density sputtering target material for forming a magnetic film in a magnetic recording medium having a magnetic film comprising a Co-based magnetic phase and an oxide non-magnetic phase.例文帳に追加

本発明は、Ｃｏ系磁性相および酸化物非磁性相からなる磁性膜を有する磁気記録媒体における磁性膜を生成するための高密度スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for deposition of a seed layer, with which the size of magnetic particles in a magnetic film can be refined and simultaneously the size of the magnetic particles can be uniformized, and its manufacturing method.例文帳に追加

磁性膜中の磁性粒子のサイズを微細化し、同時に磁性粒子の粒径を均一化することができるシード層を形成するためのスパッタターゲット及びその製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a target for sputtering allows cleaning surely and in a shot time after joining a target material using Si with a backing plate and further has a commercial value.例文帳に追加

ターゲット材としてＳｉを用いた場合に、該ターゲット材とバッキングプレートとの接合後のクリーニングを短時間で確実に実行可能とし、しかも商品価値のあるスパッタリング用ターゲットを供給する。 - 特許庁

A stripping layer 20 composed of WO_3 is formed on a glass substrate 10 by a vacuum deposition and an optical filter multiple layer 30 is formed on the stripping layer 20 by sputtering.例文帳に追加

真空蒸着によってガラス基板１０上にＷＯ_3 からなる剥離層２０を形成した後、剥離層２０の上にスパッタリングによって光学フィルタ多層膜３０を形成する。 - 特許庁

To enhance the bond strength of a film to be applied to a machining tool in film coating technology using a sputtering process to obtain a comparatively smooth film surface.例文帳に追加

比較的平滑な被膜表面が得られるスパッタリング法による被膜のコーティング技術において、被膜の付着強度を一層高くして加工工具にも適用できるようにする。 - 特許庁

The sputtering target has a backing plate 10, a copper target 12 provided on the backing plate 10, and a protective layer 14 composed of a corrosion-resisting metal and formed on the surface of the copper target 12.例文帳に追加

バッキングプレート１０と、バッキングプレート１０上に設けられた銅製ターゲット１２と、銅製ターゲット１２表面に形成され、耐食性を有する金属からなる保護層１４とを有する。 - 特許庁

To provide a dual magnetron sputtering apparatus of an opposed target type in which a low-temperature film formation can be performed with low damage by improving the confinement of plasma between the targets, therby preventing electric discharge near a substrate.例文帳に追加

ターゲット間でのプラズマの閉じ込めを向上し、基板の近くでの放電を防止して、低ダメージで低温成膜が可能な対向ターゲット式のデュアルマグネトロンスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point and a low crystallization temperature and a sputtering target for forming the GaSb-based phase changing type recording film.例文帳に追加

融点および結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a Ta sputtering target having an improved in-plane uniformity of thickness of a formed film, such as a TaN film used as a barrier layer to a Cu wiring film.例文帳に追加

Ｔａスパッタターゲットにおいて、Ｃｕ配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜などの膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にすることが望まれている。 - 特許庁

Thereafter, the 2nd layer of the conductor coil 2b is covered with an insulating film 4b, and a plating substrate film 6 for forming the upper magnetic film 1 is formed on the insulating film 4b by sputtering or the like.例文帳に追加

その後、二層目の導体コイル２ｂを絶縁膜４ｂで覆い、絶縁膜４ｂの上に上部磁性膜１を形成するための、メッキ用下地膜６をスパッタリング等で形成する。 - 特許庁

When sputtering is performed from the lower surface side following to the upper surface side, a lower layer thin metal film 18T1 of substantially uniform thickness is formed on the side face.例文帳に追加

上面側からスパッタリングを行った後、下面側からスパッタリングを行うことによって、側面にも略均一の厚みの下層金属薄膜１８Ｔ１が形成されることとなる。 - 特許庁

The ZnO based transparent conductive film is formed by a gas flow sputtering method with the use of a Zn alloy target.例文帳に追加

Ｚｎ合金ターゲットを用いて成膜されてなるＺｎＯ系透明導電膜において、ガスフロースパッタリング法により成膜されてなることを特徴とするＺｎＯ系透明導電膜。 - 特許庁

To improve deposition rate without degrading the film thickness and characteristics of Ti film, Ti compound film, or the like, at the time of performing the sputter deposition of these films by using a Ti sputtering target.例文帳に追加

Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ膜やＴｉ化合物膜などをスパッタ成膜する際に、これらの膜の膜厚や特性などを劣化させることなく、堆積速度を向上させる。 - 特許庁

An ITO transparent electroconductive thin film 5 is deposited by a sputtering method using an ITO target in which the weight ratio of SnO_2 to the total of In_2O_3 and SnO_2 is ≤6%.例文帳に追加

Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との合計に対するＳｎＯ_２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜。 - 特許庁

However, since charge charged on the surface of the insulating material is neutralized by applying a positive voltage to the target at the time of non-sputtering, the generation of arcing can be prevented.例文帳に追加

しかしながら、非スパッタリング時にはターゲットに正の電圧を印加することで、絶縁物表面に帯電した電荷を中和するので、アーキングの発生を防止することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target which makes a crystallization promoting function and optical characteristics of an interface layer film of a phase change recording medium compatible with each other, and which allows deposition etc. of a metal compound film.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜等を可能にするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a protective film of a phase-change type optical disk, the target which reduces particles and nodules, improves mass-productivity and essentially comprises zinc sulfide-silicon oxide.例文帳に追加

パーティクルやノジュールを低減し、量産性を向上した硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The sputtering target contains, by atomic%, 20 to 40% Ga, 0.05 to 2% Na and 0.025 to 1.0% S, and the balance comprising Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｇａ：２０〜４０ａｔ％を含有し、 さらに、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％およびＳ：０．０２５〜１．０ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。 - 特許庁

In this sputtering process, the flow rate of gaseous oxygen is set to be smaller than the upper limit at which a state where metal Ti is exposed to the surface of the target is regularly held.例文帳に追加

このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, which allows oxygen to be properly contained in the film without lowering a deposition rate, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition technology depositing a thick film having stable quality by performing stable film deposition for a long period of time by satisfactorily preventing generation of grounding.例文帳に追加

地絡の発生を充分に防止して、長時間に亘って安定した成膜を行い、安定した品質の厚膜を形成することが可能なスパッタ成膜技術を提供する。 - 特許庁

A film of an IGZO-based amorphous oxide layer is formed under a back pressure of higher than 5×10^-4 Pa in a sputtering method, and then subjected to annealing processing at an annealing temperature of 100 to 300°C.例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 - 特許庁

To provide a Ta-W-based sputtering target which provides, with high reproducibility, a Ta-W alloy film having small resistance variation within a surface and excellent in adhesion with a substrate.例文帳に追加

Ｔａ−Ｗ系スパッタリングターゲットにおいて、面内の抵抗ばらつきが小さいと共に、下地膜との密着力に優れたＴａ−Ｗ合金膜を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a sputtering method of performing film deposition with excellent coatability on a processing object on which a TSV (Through Silicon Via) hole H having ≥1 mμ opening diameter and high aspect ratio is patterned.例文帳に追加

１μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recording layer for an optical information recording medium, having excellent recording characteristics, the optical recording medium having the recording layer, and a sputtering target useful for forming the recording layer.例文帳に追加

記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method capable of reducing a resistivity of a tungsten film deposited by using a sputtering method and to provide a tungsten target used for the film deposition method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Cu-based sputtering target containing oxides of the predetermined amount, which is capable of suppressing aggregation of Cu oxides, and achieving fine dispersion of the Cu oxides.例文帳に追加

酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold cathode discharge tube including a novel and inexpensive Fe-based alloy with a high sputtering resistance and a high processability and provide a cold cathode discharge tube using the electrode.例文帳に追加

優れた耐スパッタ性及び加工性を備えた新規で安価なＦｅ基の合金でなる冷陰極放電管用電極及びそれを用いた冷陰極放電管を提供する。 - 特許庁

The optimum recipe ID is transmitted to the film forming device unit 131 through a factory host computer 10, and in the film forming device unit 131, film formation is executed with a sputtering time based on this.例文帳に追加

最適レシピＩＤは、工場ホストコンピュータ１０を介して成膜装置部１３１へと送られ、成膜装置部１３１では、これに基づくスパッタリング時間で成膜が実行される。 - 特許庁

To provide a multiple target sputtering apparatus which allows successive film formation with a plurality of targets while maintaining the atmosphere in a vacuum chamber, has a simple structure, and is excellent in reducing size and cost.例文帳に追加

真空チャンバ内の雰囲気を維持しつつ順次複数のターゲットによる成膜が可能であるとともに、構造がシンプルで小型化、低コスト化に優れたマルチターゲットスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sintered compact which is usable for a sputtering target having a unitary crystal structure as a principal component in the region where the content of Ga is lower compared with the content of In.例文帳に追加

Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。 - 特許庁

To easily manufacture a super corrosion-resisting alloy composed of amorphous or nano-crystalline alloy having super corrosion resistance capable of resisting even concentrated acids by the use of an inexpensive base material of sputtering target.例文帳に追加

濃厚な酸にも耐え得る超耐食性を備えたアモルファス合金又はナノ結晶合金よりなる超耐食性合金を、安価なスパッターターゲット基体を用いて容易に作製する。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target and an evaporation material while preventing cracking during manufacture without causing reduction in yield.例文帳に追加

製造工程中にクラックが発生するのを抑制し、歩留まりの低下をまねくことなく、安定的にＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよび蒸着材を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Even when the target 10 is expanded by the heat during the sputtering, the slip between the thin plate part 10a and the slip member 26 permits the expansion, and no warpage is caused in the target 10.例文帳に追加

スパッタリング時の熱でターゲット１０が膨張した場合であっても、薄板部１０ａと滑り部材２６との間の滑りが、膨張を許容するので、ターゲット１０の反りが生じない。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film, which can easily perform the partial modification of the manufactured film by providing a mechanism for applying the bias to a predetermined part.例文帳に追加

圧電素子膜を形成するスパッタリング装置において、特定の部分にバイアスを印加する機構を具備することで、形成した膜の部分改質を容易に行える事を目的とする。 - 特許庁

A needle for an electrifying therapy comprises a needle body 1 made of a stainless steel having a surface (A) except a needle tip 2 and a needle sheath 3 and covered with a diamond-like carbon or silicon insulating film 4 by high-frequency sputtering.例文帳に追加

針先部２と針柄部３とを除くステンレス製の針体１の表面（Ａ）を、高周波スパッタリングによるダイヤモンド状炭素又はシリコンの絶縁膜４で被覆する。 - 特許庁

Among the sputtering particles from the target, a relatively large number of them flying with the direction components in the direction of the anisotropy to give are controlled to reach the base plate 9.例文帳に追加

ターゲットからのスパッタ粒子のうち、付与すべき異方性の方向に方向成分を持って飛行するスパッタ粒子を相対的多く基板９に入射させる方向制御が行われる。 - 特許庁

The film 4 has (101) plane orientation, and exhibits better adhesion to the film 3 than, e.g. a zinc oxide film having (002) plane orientation which is formed through sputtering.例文帳に追加

この酸化亜鉛膜４は（１０１）面配向性を示し、例えば、スパッタリング法で成膜された（００２）面配向を示す酸化亜鉛膜よりも、透明導電膜との密着性に優れている。 - 特許庁

To provide cleaning gas for removing unnecessary deposits accumulated on the internal wall of a device, a jig, etc., for a device which manufactures a thin film, etc., by using a CVD method, a sputtering method, etc.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて薄膜等を製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

Furthermore, the method for producing the Cu-Ga based sputtering target material is provided, which uses the Cu-Ga based alloy powder as a raw material and the Cu-Ga based alloy powder is solidified and modified at a temperature of 400-850°C.例文帳に追加

さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

To provide a rare earth-ferromagnetic metallic target capable of increasing the utilizing efficiency more than the conventional case while securing the uniformity of the compositional distribution of a thin film to be formed at the time of sputtering.例文帳に追加

スパッタ時に形成される薄膜の組成分布を均一性を確保しつつ、従来よりもさらに利用効率を高めることができる希土類−強磁性金属系ターゲットを提供する。 - 特許庁

Further, a sputtering method, especially, an InGaSnO_5 target is used as the manufacturing method to make an oxygen flow rate 2-4%, and thus, mobility of about 1 cm^2/Vs can be stably obtained.例文帳に追加

また、製造方法としてスパッタ法、特にＩｎＧａＳｎＯ_５ターゲットを用い、酸素流量比を２〜４％とすることで、１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ程度の移動度を安定して得られる。 - 特許庁