「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

The recording layer consists of a SbTe mother phase as the phase transition material and the Si element having no solubility in a solid in the whole range with the mother phase and is formed by sputtering.例文帳に追加

記録層はスパッタ法により、相変化材料であるＳｂＴｅの母相と、該母相に対して全域固溶性を持たないＳｉ元素とからなるものを成膜した。 - 特許庁

In this electroluminescence element, a layered structure is employed for an upper electrode 40 including a first upper conductive layer 42 formed through evaporation, a buffer layer 46, and a second upper conductive layer 44 formed through sputtering.例文帳に追加

上部電極４０を蒸着による上部第１導電層４２、バッファ層４６、スパッタリングによる上部第２導電層４４との積層構造とする。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus which can reliably fix a target to a backing plate while permitting the expansion thereof, and prevent the target from being melted and broken during the sputtering.例文帳に追加

ターゲットを、その膨張を許容しつつバッキングプレートに対して確実に固定でき、スパッタリング時のターゲットの溶融破損を防止できる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To appropriately determine a timing to replace an extreme ultraviolet (EUV) collector mirror by accurately considering influence of a sputtering amount of the mirror in a laser-produced plasma (LPP) EUV light source device.例文帳に追加

ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにする。 - 特許庁

The chamber 10 is used for a sputtering system, and a target 3 is attached to the member 5a and a wafer 4 to a table 6 near the member 5b.例文帳に追加

チャンバー１０はスパッタ装置に用いられており、絶縁部材５ａにターゲット３が取り付けられ、絶縁部材５ｂの近傍のテーブル６上にウエハ４が取り付けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk having excellent performance by suppressing the adverse influence of masks in the case of depositing a plurality of film layers by a sputtering system.例文帳に追加

スパッタリングによって複数層の膜を順次形成する場合におけるマスクの悪影響を抑制して優れた性能の光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system by which the temperature of a chimney in the process of operation is fixed to set degassing quantity, and film deposition free from the variation in film thickness is possible and to provide a film deposition method.例文帳に追加

稼働中のチムニーの温度を一定にしてデガス量を一定とし、膜厚の変動のない成膜が可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

A protective metal layer is formed by sputtering on the synthetic resin and a thin film made of (1) a semitransparent metal mirror, (2) a total reflection metal mirror or (3) a transparent conductive film is formed.例文帳に追加

合成樹脂上にスパッタリングによる保護金属層を形成し、 半透過金属ミラー、 全反射金属ミラー又は 透明導電膜からなる薄膜を形成する。 - 特許庁

To reduce the amt. of secondary electrons (τ electrons) emitted at the time of sputtering to be made incident on a substrate on which a thin film is deposited and to reduce damage to the thin film.例文帳に追加

スパッタリングの際に放出される二次電子（γ電子）が、薄膜が形成される基板に入射する量を低減させ、薄膜へのダメージを低減させる。 - 特許庁

To provide a technology capable of preventing any abnormal discharge occurring during a sputtering process in manufacturing a semiconductor device, and reducing the generation of foreign matters.例文帳に追加

半導体装置の製造におけるスパッタプロセス中に発生する異常放電を防止し、異物の発生を低減することが可能な技術を提供することにある。 - 特許庁

To provide sputtering system and method which can form a thin film with good coverage even in a through-hole having a high aspect ratio without reducing the deposition rate.例文帳に追加

高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a copper alloy thin film for forming a wiring and an electrode of a liquid crystal display wherein electric resistance of the wiring can be lowered and to provide a sputtering target for forming the thin film.例文帳に追加

液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The film-forming method includes sputtering a target material 2 while relatively rotating a substrate 1 and the thickness-distribution control plate 11, to form the film on the face 1a to be film-formed of the substrate 1.例文帳に追加

そして、基板１と膜厚分布制御板１１とを相対回転させつつ、ターゲット材２をスパッタし、基板１の成膜面１ａ上に成膜を行う。 - 特許庁

On a substrate having a group pattern, magnetic films are laminated in such a laminating order as a magnetic wall movement layer comes on the front side, and this magnetic film surface is etched by sputtering accelerated ions made incident thereto from the direction perpendicular to the substrate, and the magnetic wall movement layer on the group side is selectively etched and removed by making use of ionic incident angle dependency of a sputtering rate.例文帳に追加

グルーブパターンを有する基板上に、磁壁移動層が表面側になるような積層順で磁性膜を積層し、この磁性膜表面を、基板に垂直な方向から入射する加速イオンによってスパッタエッチングし、スパタリング率のイオン入射角依存性を利用してグルーブ側部の磁壁移動層を選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material made of an Ag alloy, for stably and uniformly forming an Ag alloy thin film having all of low electrical resistance, heat resistance, corrosion resistance and adhesiveness to a substrate on a FPD (flat panel display) substrate having a large area, which are required in electronic devices, and to provide the Ag alloy film formed by using the sputtering target material of the Ag alloy.例文帳に追加

電子デバイスに要求される低い電気抵抗と、耐熱性、耐食性、そして基板への密着性を兼ね備えたＡｇ合金膜を安定的かつ大面積のＦＰＤ基板に均一に形成するための薄膜形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット材およびそのＡｇ合金スパッタリングターゲット材で形成するＡｇ合金膜を提供する。 - 特許庁

The glass coated with coloring film reflecting heat ray is obtained by heat treating a glass board which is provided with a layer on each side in order by sputtering containing iron oxide reaching ≥60 mass % of iron amount to a total metal amount, and sputtering containing cobalt oxide reaching ≥60 mass % of cobalt amount to the total metal amount.例文帳に追加

ガラス基板の一方の側にスパッタリング法により順に積層してなる、鉄酸化物を含有し、総金属量に対する鉄の量が６０質量％以上である層と、コバルト酸化物を含有し、総金属量に対するコバルトの量が６０質量％以上である層とを備えるガラスを熱処理して得られる熱線反射着色膜被覆ガラス。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus for forming a transparent conductive film and a method for producing the transparent conductive film, in which equalization of thickness distribution and specific resistance distribution is achieved and a uniform region can be increased than before in the longitudinal direction of a target, in the film formation of the transparent conductive film using a magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The depostition device of the present invention comprises: a stage 14 with a semiconductor susbtrate 1 mounted on its surface; a first sputtering target 34 positioning over the stage 14 and arranged on the surface of the stage 14 approximately parallel; and a second sputtering target 36 positioning obliquely over the stage 14 and arranged obliquely to the surface of the stage 14.例文帳に追加

本発明に係る成膜装置は、表面に半導体基板１が載置されるステージ１４と、ステージ１４の上方に位置し、ステージ１４の表面と略平行に配置された第１のスパッタリングターゲット３４と、ステージ１４の斜め上方に位置し、ステージ１４の表面に対して斜めに配置された第２のスパッタリングターゲット３６とを具備する。 - 特許庁

In manufacture of a power storage device, when a lithium cobaltate layer is formed on a positive electrode current collector by a sputtering method in which a target including lithium cobaltate and a sputtering gas including Ar are used, the positive electrode current collector is heated at a temperature that does not allow the formation of cobalt oxide while the crystal of the lithium cobaltate is subjected to c-axis orientation.例文帳に追加

コバルト酸リチウムを含むターゲットと、Ａｒを含むスパッタガスを用いたスパッタリング法により、正極集電体上にコバルト酸リチウム層を形成する際に、コバルト酸リチウムの結晶をｃ軸配向させつつ、かつ酸化コバルトが生成されない温度で、当該正極集電体を加熱する蓄電装置の作製に関する。 - 特許庁

As an actuator for the ink-jet head 1, the piezoelectric actuator 16 equipped with the piezoelectric film 18, which has a perovskite structure formed through sputtering operation containing Pb, Zr and Ti and which is formed by a manufacturing method at a deposition speed at film-forming of 0.5 μm/h or higher and lower than the sputtering gas pressure in the film formation of 0.5 Pa or lower.例文帳に追加

インクジェットヘッド１のアクチュエータとして、スパッタリングにより形成されたＰｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型構造を有し、成膜時の堆積速度が０．５μｍ／ｈ以上または成膜時のスパッタガス圧が０．５Ｐａ以下による製造方法により作成された圧電膜１８を備えた圧電アクチュエータ１６を用いる。 - 特許庁

On a sapphire substrate 9, a first layer 8 comprised of a group III nitride is formed by a sputtering method, and upon forming a second layer 7 comprising a group III nitride, on the first layer 8 by an MOCVD method, the first layer 8 is formed under the condition that the arrival degree of vacuum in a chamber of a sputtering apparatus is 3.5×10^-5 Pa or less.例文帳に追加

サファイア基板９上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を成膜し、該第１の層８の上に、ＭＯＣＶＤ法によってＩＩＩ族窒化物からなる第２の層７を成膜する際に、第１の層８を、スパッタ装置のチャンバの到達真空度が３．５×１０^−５Ｐａ以下の条件で成膜する。 - 特許庁

The film-forming method comprises: the first film-forming step of forming a film on a substrate, in a vacuum deposition apparatus; a transportation step of transporting the substrate having the film formed thereon in the first film-forming step to a sputtering apparatus, in a vacuum state; and the second film-forming step of forming a film on the transported substrate, in the sputtering apparatus.例文帳に追加

本発明は、基板を真空蒸着装置にて成膜する第１の成膜工程と、前記第１の成膜工程にて成膜された基板を、スパッタリング装置に真空状態で搬送する搬送工程と、前記搬送された基板をスパッタリング装置にて成膜する第２の成膜工程とからなる成膜方法を特徴とする。 - 特許庁

The ratio of the thickness of a film stacked on the bottom of the via hole 9 to that of a film stacked to the uppermost surface of the insulating film 8 through the second sputtering is smaller than that of the thickness of a film stacked on the bottom of the via hole 9 to that of a film stacked to the uppermost surface of the insulating film 8 through the first sputtering.例文帳に追加

第２のスパッタリングによって絶縁膜８の最上面に堆積される膜の膜厚に対するヴィアホール９の底部に堆積される膜の膜厚の比率は、第１のスパッタリングによって絶縁膜８の最上面に堆積される膜の膜厚に対するヴィアホール９の底部に堆積される膜の膜厚の比率よりも小さい。 - 特許庁

In this method the wiring having excellent electrical characteristics is formed by forming wiring composed of an electroplated copper film and an electroplated nickel film on Cr/Cu, on which signal passing wiring joined to solder is formed by sputtering by using Cr/Cu/Cr wiring formed at a portion for grounding by sputtering.例文帳に追加

本発明は、グランドの役割を果たす部分にスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒから成る配線を用い、信号が通りかつ、はんだと接合する配線をスパッタ成膜したＣｒ／Ｃｕの上に、電気銅めっき膜、電気ニッケルめっき膜から成る配線を形成することで、電気特性に優れた配線を形成することが可能となる。 - 特許庁

A nitrogen-containing chromium film is deposited on a base material 20 via a chromium film by performing the sputtering by using a chromium target for a target 22 in a vacuum processing chamber 12 of a processing apparatus 10, and then, sputtering is performed by using a carbon target for the target 22 to deposit a DLC film on the nitrogen-containing chromium film.例文帳に追加

処理装置１０の真空処理室１２内において、ターゲット２２としてクロムターゲットを使用してスパッタリングすることにより、母材２０上にクロム皮膜を介して窒素含有クロム皮膜を形成した後、ターゲット２２としてカーボンターゲットを使用してスパッタリングすることにより、窒素含有クロム皮膜上にＤＬＣ皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide a CoCrPt-based sputtering target which has enhanced homogeneity as a target and suppresses the occurrence of nodule or arcing and has a target composition ratio by reducing the size and amount of generation of high chromium content particles containing chromium atoms at high concentration and unevenly distributed in the CoCrPt sputtering target.例文帳に追加

ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

The facing target sputtering method comprises the steps of: arranging a pair of facing targets 1, 2 in a vacuum vessel 6; applying a voltage between the pair of facing targets to discharge electricity; and depositing a reactive film by sputtering the target while controlling a flow rate of a reactive gas so that the quantity of the light to be emitted from the target becomes predetermined one.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

The solder dam forming apparatus 10a for forming the solder dam 4 on a lead 1 of an electronic component includes a mask member 102 formed with slits 1022, and a sputtering means 101 sticking the solder dam comprising an inorganic compound, to the lead 1 of the electronic component by sputtering through the slits 1022 of the mask member 102.例文帳に追加

はんだダム形成装置１０ａは、電子部品のリード１にはんだダム４を形成するはんだダム形成装置１０ａであって、スリット１０２２が形成されているマスク部材１０２と、このマスク部材１０２のスリット１０２２を介して電子部品のリード１に無機化合物からなるはんだダムをスパッタリングにより付着させるスパッタ手段１０１とを備える。 - 特許庁

For promoting sputtering of an MgO film 7 as a protective film over a dielectric layer 6 on scanning electrodes 2 of the plasma display panel, the magnitude of an aging voltage applied to the scanning electrodes 2 without having influence on the sputtering is set smaller than the magnitude of an aging voltage applied to sustaining electrodes 3 to reduce electric power for aging the scanning electrodes 2.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの走査電極２上の誘電体層６の保護膜であるＭｇＯ膜７のスパッタを進行させるため、スパッタに影響を与えない走査電極２に印加するエージング電圧の高さを維持電極３に印加するエージング電圧の高さよりも低くし、走査電極２のエージングに要する電力を削減する。 - 特許庁

The mold for molding an optical glass element, having excellent mold releasability from an optical glass element after press molding is obtained by subjecting a molding face formed on the surface of a preform for a mold to etching treatment by a reverse sputtering process to control the surface roughness (Ra^1) of the molding face to 0.01 to 50 nm and further subjecting the molding face to a sputtering process to thereby form a protective layer.例文帳に追加

金型用母材の表面に形成された成形面を逆スパッタリング法によってエッチング処理して、前記成形面の表面粗さ（Ｒａ^１）を０．０１〜５０ｎｍとし、さらにスパッタリング法によって保護層を形成して得た、プレス成形後の光学ガラス素子との離型性に優れる、光学ガラス素子成形用金型。 - 特許庁

In the method for film deposition of the zinc oxide thin film on the substrate by a sputtering method using a sputtering gas consisting of oxygen and an inert gas, the light emission intensity ratio of the light emission intensity of oxygen atoms to that of the inert gas, and the pressure during the film deposition are controlled.例文帳に追加

酸素及び不活性ガスからなるスパッタリングガスを用いたスパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 - 特許庁

Previously, the electric field concentrated place in a target 11 for sputtering is removed by etching or the like, and then, the target 11 for sputtering freed from the electric field concentrated place is housed into a transporting case 13 protecting the surface to prevent the generation of an another electric field concentrated place caused by its contact with solids and contaminants in the process of transportion or the like.例文帳に追加

予めスパッタリング用ターゲット１１の電界集中箇所をエッチングなどにより除去し、そして、電界集中箇所が除去されたスパッタリング用ターゲット１１を、その表面を保護する輸送ケース１３に収納して、輸送中などに固体や汚染物質と接触して再度電界集中箇所が生じるのを防ぐようにしている。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputtering step of causing the mold resin containing wax or fatty acid to sputter the ball surface of the semiconductor package exposed on the side of the ball surface by Ar plasma, a step of flip-chip-bonding the semiconductor package onto a wiring substrate after the sputtering step, and a step of filling the underfill resin between the semiconductor package and the wiring substrate.例文帳に追加

ワックス又は脂肪酸が含まれたモールド樹脂がボール面側に露出した半導体パッケージのボール面をＡｒプラズマによりスパッタするスパッタ工程と、スパッタ工程の後に、半導体パッケージを配線基板上にフリップチップ接合する工程と、半導体パッケージと配線基板の間にアンダーフィル樹脂を充填する工程とを有する。 - 特許庁

When a tantalum nitride thin film 2 is formed on an insulation layer through sputtering, partial pressure of nitrogen in a sputtering gas is changed at a prescribed interval of time, so that the concentration of nitrogen varies in the film-thickness direction of the tantalum nitride, and three layers of tantalum films 11 to 13 are formed, and they are anodized to form an oxide film as a dielectric body.例文帳に追加

絶縁層１上にスパッタリングにより窒化タンタル薄膜２を形成する際、窒化タンタルの膜厚方向に対して窒素濃度が変動するように所定の時間ごとにスパッタリングガス中の窒素分圧を変更して窒素濃度の異なる３層の窒化タンタル膜１１〜１３を形成し、これを陽極酸化することにより酸化膜を形成し、誘電体とする。 - 特許庁

The gold-colored lustrous material has a base material composed of a metallic material or a resin material, a resin coating film formed on the surface of the base material, a metal thin film deposited onto the resin coating film by sputtering, a compound thin film deposited onto the metal thin film by sputtering and a transparent resin coating film formed as a protective layer on the compound thin film.例文帳に追加

金色光輝材料は、金属材料または樹脂材料からなる基材と、該基材の表面に形成された樹脂塗膜と、該樹脂塗膜の上にスパッタリングで形成された金属薄膜と、該金属薄膜の上にスパッタリングで形成された化合物薄膜と、該化合物薄膜の上に保護層として形成された透明樹脂塗膜とを有する。 - 特許庁

The sputtering device has a stage 10 whereon the semiconductor substrate 1 is mounted, a plurality of heaters 11a, 11b for heating each of a plurality of areas 10a, 10b of the stage 10, a control unit 40 for controlling each a plurality of heaters 11a, 11b independently from other heaters, and a sputtering target 20 disposed in a position opposing the stage 10.例文帳に追加

本発明に係るスパッタリング装置は、半導体基板１を載置するステージ１０と、ステージ１０の複数のエリア１０ａ，１０ｂそれぞれを加熱する複数のヒーター１１ａ，１１ｂと、複数のヒーター１１ａ，１１ｂそれぞれを他のヒーターから独立して制御する制御部４０と、ステージ１０に対向する位置に配置されたスパッタリングターゲット２０とを具備する。 - 特許庁

The sputtering target has fine grains, has a density of 97% or more and further has a high density of 99% or more, contains 0.5 to 10 wtppm of alkali metal and is formed by sintering the powder which contains ZnS powder as a principal component for sputtering target excellent in sinterability, wherein alkali metal is Na or K.例文帳に追加

ターゲットの結晶粒が微細であり、密度が９７％以上、さらには９９％以上の高密度を備えた、アルカリ金属０．５〜１０ｗｔｐｐｍを含有する焼結性に優れたスパッタリングターゲット用ＺｎＳ粉末を主成分とする粉末を焼結して形成されたスパッタリングターゲットで、アルカリ金属はＮａ又はＫである。 - 特許庁

Moreover, this is the manufacturing method of the substrate with the transparent film which is equipped with a process of forming the first thin film layer composed of zinc oxide on the substrate by a magnetron sputtering method, and a process of forming the second thin film layer composed of indium oxide containing tin on the first thin film layer sequentially by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

また、基板上に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程と、該第１の薄膜層上にスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層をマグネトロンスパッタリング法により形成する工程とを順に備えることを特徴とする透明導電膜付き基板の製造方法とした。 - 特許庁

The method for production of a high-purity W sputtering target includes: pressing and sintering high-purity W powders; machining the resultant sintered compact into a target shape; applying grinding of at least either of rotary grinding or polishing; and further polishing by at least either of etching or reverse sputtering to finish off.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film.例文帳に追加

シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。 - 特許庁

In this method for manufacturing the high-purity W sputtering target, high-purity W powder is pressed and sintered and the resultant sintered compact is machined into target shape and is then subjected to grinding consisting of at least either of rotary grinding and polishing and further to polishing consisting of at least either of etching and inverse sputtering to undergo finishing.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof.例文帳に追加

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method of a transparent conductive film where a mask is placed on a substrate, a pattern shaped transparent conductive layer is formed on the substrate by a sputtering method, a grid having a magnet is placed between a target and a substrate, and a pattern shaped transparent conductive film comprising the target material is formed over the substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板上にマスクを設け、スパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成する透明導電膜形成方法において、ターゲットと基板間にマグネットを備えたグリッドを設け、スパッタリング法により前記基板上にターゲット形成材料からなる透明導電膜をパターン形成することを特徴とする透明導電膜形成方法とした。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁