「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

The movable contact 34 includes a plurality of buffer layers 54 and conductive layer 55 alternately laminated on a movable contact substrate 51 by vapor deposition, sputtering, electroplating, or the like.例文帳に追加

可動接点部３４は、可動接点基板５１の上に蒸着、スパッタ、電解メッキ等により緩衝層５４と導電層５５が複数層交互に積層される。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold comprises the steps of: forming a molding surface having a predetermined shape on a base material of the mold; and depositing the cover layer on the molding surface by a sputtering method.例文帳に追加

成形型の基材に所定の形状を有する成形面を形成する工程と、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering system where a device having high reliability can be produced by depositing a thin film of high quality on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面に高品質の薄膜を形成することにより、信頼性の高いデバイスを製造することができるＥＣＲスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film deposition method and a thin film deposition apparatus which improve the uniformity of the (001) orientation of an MgO film to be deposited using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて形成するＭｇＯ膜において（００１）配向の均一性を向上させる薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an ITO sintered compact which can inexpensively produce a sintered compact of high quality, and to provide a method for producing an ITO sputtering target.例文帳に追加

高品質な焼結体を安価に製造することができるＩＴＯ焼結体の製造方法及びＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The Ta-W alloy film which is formed using such a Ta-W-based sputtering target is applied, for example, to a first electrode 3 of a TFD element 1.例文帳に追加

このようなＴａ−Ｗ系スパッタリングターゲットを用いて成膜したＴａ−Ｗ合金膜は、例えばＴＦＤ素子１の第１の電極３に適用される。 - 特許庁

To provide a sputtering target in which initial arcing can be prevented and initial stability can be greatly improved and which can be manufactured at a low cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

初期アークの発生を防止し、初期安定性が著しく向上し、低コストで製造することができるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The main body part 2 has a water channel 4 placed therein for circulating a cooling water, and has the plate 2C for the electrode arranged on a side on which the sputtering target 3 is held.例文帳に追加

本体部２には冷却水を循環させるための水路４が設けられ、電極用プレート２Ｃがスパッタリングターゲット３を保持する側に配置されている。 - 特許庁

In another embodiment the sputtering target composed of a material which has a homologous structure of (In_2O_3)(ZnO)_m, m≥1 and contains the oxide(s) of one or two kinds of elements selected from Ta and Y.例文帳に追加

(In_2O_3)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The meter constitutes a sputtering apparatus and connected to an indicator 34 as an informing unit, allowing the measurement results by the meter 33 to be checked from outside of the spattering apparatus.例文帳に追加

照度計３３は、通知部としての表示装置３４に接続されており、照度計３３による計測結果を、スパッタ装置の外部から確認できるようになっている。 - 特許庁

To provide such a technology that can produce an oraganic EL device of which light-emitting efficiency is hardly reduced even if an electrode layer is formed on the surface of a charge injection layer by sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により電荷注入層の表面に電極層を形成しても発光効率が低下しない有機ＥＬ素子を得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Ge-Sb-Te sputtering target of a thin film medium for recording information by utilizing the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning method which suppresses a sputtering of an organic layer provided on a substrate to be treated, and enables an effective removal of organic materials from a conductive part.例文帳に追加

被処理基板に設けられる有機物層のスパッタリングを抑え、導電部からの有機物の除去を効率的に行なうことのできるプラズマ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which increases deposition speed by enhancing PTF of the target having low PTF and reduced leakage magnetic flux, enables the use of a thick target and can improve productivity.例文帳に追加

ＰＴＦが低く漏れ磁束が小さいターゲットのＰＴＦを高くして、成膜速度を高めるとともに、厚肉のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図る。 - 特許庁

In the film deposition system A, a crucible 3 is arranged at the lower part of a cylindrical object 2 for film deposition, and an arc evaporation source 4 and a sputtering target 5 are arranged at the upper part.例文帳に追加

本発明の成膜装置Ａは、円筒形の成膜対象物２の下方にルツボ３が配置され、上方にアーク蒸発源４とスパッタリングターゲット５が配置されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of reducing the specific resistance of an ITO film formed by a sputtering method, and enhancing the heat resistance and the acid resistance of the ITO film.例文帳に追加

スパッタリング法で形成されたＩＴＯ膜の比抵抗を低減し、さらにＩＴＯ膜の耐熱性や耐酸性を向上しうる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a film deposition apparatus which, during a process for depositing a layer on a substrate by a physical vapor deposition (PVD) method, control properties of the layer.例文帳に追加

物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an Mg metal on which an Ni treatment layer improving wear resistance is film-deposited with high adhesion by using a magnetron sputtering method, and to provide a production method thereof.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ法を用いて、耐摩耗性等の向上を実現するＮｉ表面処理層を高密着に成膜したＭｇ系金属およびその製造法を提供する事。 - 特許庁

A conductor 10 is formed on the inner surface of a through hole 8 bored in a circuit board 1 by such a film forming technique as a printing, plating, and sputtering methods similarly to a conventional technique.例文帳に追加

回路基板１に穿設したスルーホール８の内面に従来技術と同様に導電体１０を印刷法、メッキ法、スパッタリング等の製膜技術により形成する。 - 特許庁

To provide a vacuum apparatus for forming films on both sides of a strip-shaped substrate to be wound up, which can continuously perform vacuum treatment such as sputtering and CVD on both sides of the substrate.例文帳に追加

本発明は、帯状の巻き取り基材の両面にスパッタリング、ＣＶＤ等の真空処理が連続してできる真空両面成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a simple substrate fixing tool capable of performing offset film deposition without polluting a substrate in the deposit-up type sputtering vapor deposition.例文帳に追加

本願発明は、デポアップ型スパッタ蒸着において、基板を汚染することなく、また、オフセット成膜も可能である簡便な基板の固定器具を提供するものである。 - 特許庁

To provide an ion beam sputtering system capable of forming a laminated structure improved in the uniformity of the physical characteristics and thickness of each layer on a wafer substrate.例文帳に追加

ウェーハ基板上に、各層の物理的特性および厚さの均一性の向上した積層構造を形成することを可能にするイオン・ビーム・スパッタ・システムを提供する。 - 特許庁

To provide a technique where splashes generated upon film deposition using an Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target comprising Ni and La can be reduced.例文帳に追加

Ｎｉ及びＬａを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板１１上に酸化珪素膜１２を形成し、その上にａ−Ｓｉ膜１３をＲＦスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁

When a perpendicular magnetic recording layer 6 is formed, a DC pulse is used and voltages having opposite polarities are applied to the target in a reversal time between sputtering actions.例文帳に追加

垂直磁気記録層６の成膜に当っては、ＤＣパルスを使用し、スパッタリングとスパッタリングの間の反転期間(Reversal Time)にターゲットに反対極性の電圧が印加される。 - 特許庁

The insulating layer containing a boron element or an aluminum element is formed by a sputtering method using a silicon target or a silicon oxide target containing a boron element or an aluminum element.例文帳に追加

ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target and a copper wiring film where the fluidity of the wiring film is proper at deposition and a wiring film which is fine and whose adhesion is proper can be formed.例文帳に追加

成膜時における配線膜の流動性が良好であり、緻密で密着性が良好な配線膜を形成できるスパッタリングターゲットおよび銅配線膜を提供する。 - 特許庁

This heat shielding sheet 1 consists of a nonwoven fabric 2 consisting of resin fibers and a heat shielding layer 3 which is formed on the front surface side surface 21 of this nonwoven fabric 2 by sputtering metal thereto.例文帳に追加

樹脂繊維からなる不織布２と，該不織布２の表側面２１に金属をスパッタリングすることにより形成した遮熱層３とからなる遮熱シート１。 - 特許庁

The sputtering target contains CoO crystal grains and crystal grains of divalent to tetravalent oxides, and respective crystal grains gather densely and are uniformly mixed and dispersed.例文帳に追加

スパッタターゲットはＣｏＯ結晶粒子と、２価〜４価の酸化物の結晶粒子を含み、各結晶粒子が緻密に集まっており、かつ均一に混合・分散している。 - 特許庁

After a semi-through hole 4 is formed on an insulating layer 3 built up on a core substrate 50, a base metal layer 5 of Cu or the like is covered by sputtering or electroless plating.例文帳に追加

コア基板５０上にビルドアップした絶縁層３に半貫通ホール４を形成した後、スパッタまたは無電解めっきでＣｕ等の下地金属層５を被覆する。 - 特許庁

SOLAR CELL WHOSE STRUCTURE LAYER IS (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER, AND ZnO-Ga2O3-Al BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Ga, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a silver alloy sputtering target for forming an Ag alloy reflection layer of an optical recording medium such as an optical recording disk (CD-RW, DVD-RAM).例文帳に追加

光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するための銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A Cr seed layer, a Cr based alloy base layer, CoCr alloy intermediate layer and the double film magnetic layer 19 are successively disposed on the substrate by using a sputtering process.例文帳に追加

スパッタリング処理が使用されて、Ｃｒシード層、Ｃｒ系合金下地層、ＣｏＣｒ合金中間層、及び２重膜磁性層１９を順番に基板上に配置される。 - 特許庁

A transparent electrode film consisting of ITO(indium tin oxide), etc., is laminated on a glass substrate 201 with sputtering, etc., and is patterned to form stripe-shaped electrodes 202.例文帳に追加

ガラス基板２０１上にＩＴＯなどからなる透明電極膜をスパッタリングなどにより積層し、これをパターニングしてストライプ状の電極２０２を形成する。 - 特許庁

After an AlNd film 111 is formed on a cathode substrate 10 by sputtering, a pure Al film 112 is sputtered in a thickness exceeding 10 nm.例文帳に追加

本発明はＡｌＮｄ膜１１１を陰極基板１０の上にスパッタリングによって形成した後、純Ａｌ膜１１２を１０ｎｍを超える厚さにスパッタリングする。 - 特許庁

To provide a high-purity high-density metal Mo sintering target for sputtering which enables the formation of a high-purity metal Mo thin film producing extremely few particle.例文帳に追加

パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Ｍｏ薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Ｍｏ焼結ターゲットを提供する。 - 特許庁

SILVER ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR SILVER ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FORMATION例文帳に追加

光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target material for electronic device wiring in which operation characteristics are improved by reducing the parasitic resistance of an oxide reaction layer, and to provide an element structure.例文帳に追加

酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。 - 特許庁

Next, a plating base film is formed by depositing or sputtering and plating wiring 17 is formed on the plating base film inside the opening part of the resist pattern by electrolytic plating.例文帳に追加

ついで、蒸着やスパッタ等によりメッキ下地膜を形成し、電解メッキによってレジストパターンの開口部内のメッキ下地膜の上にメッキ配線１７を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a shield film of an electromagnetic wave having excellent shield characteristics and excellent economic efficiency and productivity by sputtering, and formed shield film.例文帳に追加

シールド特性に優れた、経済性および生産性に優れた電磁波のシールド膜をスパッタリング法により成膜する方法及び成膜されたシールド膜を提供する。 - 特許庁

An alumina sputtering target 5 is composed of an alumina sintered body having 5 to 20 μm average crystal particle size and 0.3 to 1.5 porosity.例文帳に追加

アルミナ・スパッタリング・ターゲットを、平均結晶粒径が５μｍ以上２０μｍ以下、気孔率が０．３％以上１．５％以下のアルミナ焼結体を用いて構成した。 - 特許庁

SOLAR CELL WHOSE STRUCTURE LAYER IS (Zn, In, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER, AND ZnO-In2O3-Al BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, In, Al)O BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｉｎ２Ｏ３−Ａｌ系スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide an aluminum-containing silicon alloy target for sputtering, which develops no crack and few particles even when sputtered with a direct current of high output.例文帳に追加

高出力の直流スパッタリングを行っても割れが発生することがなくパーティクル発生の少ないスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲットを提供する。 - 特許庁

The sputtering target is a multi-component target composed of silicon single crystal and high melting point metal and is used at film deposition on a substrate.例文帳に追加

基板上に成膜する際に用いるスパッタリングターゲットであって、シリコン単結晶と高融点金属からなる複合ターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

Lastly in a semiconductor manufacturing process (for example, sputtering method, vapor deposition method or the like), a metal film is formed as a plating seed layer on the surface of both ends of electronic element.例文帳に追加

最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 - 特許庁