「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

The size measuring apparatus is constituted in such a way that a transparent conductive film 30 may be formed by sputtering on the side of opposed surfaces of glass members 12a and 22a constituting a light projecting window 12 and a light receiving window 22.例文帳に追加

投光窓１２及び受光窓２２を構成するガラス部材１２ａ，２２ａの対向面側に、スパッタリングによる透明導電膜３０が形成されている。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition consisting of, by mole, 10-30% silicon dioxide, 5-30%, in total, of Ge or Ge and Si, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、ＧｅまたはＧｅおよびＳｉを合計で５〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン化亜鉛からなる組成の焼結体からなる。 - 特許庁

To provide a sputtering device in which damage is reduced in film-forming a barrier film of an organic EL element, and in which erosion is less likely to occur in a target when forming the barrier film.例文帳に追加

有機ＥＬ素子のバリア膜製膜時のダメージを低減しつつ、バリア膜を形成する際に、ターゲットにエロージョンの発生しにくいスパッタ装置を提供することにある。 - 特許庁

An optical recording medium 1 is constructed, by forming a thin film 15 on the side of a surface 1102 of a substrate 11 with a means having a higher film growing speed, such as a sputtering method.例文帳に追加

光記録媒体１は基板１１の表面１１０２側にスパッタリング法などの膜成長速度の速い手法で薄膜１５を形成することによって構成される。 - 特許庁

The sputtering apparatus includes a freely rotatable rotary member 20 to which a target 12a, 12b, 12c is attached, connection terminals 25, 25b, 25c, and feeding terminals 22.例文帳に追加

スパッタリング装置は、ターゲット１２ａ，１２ｂ，１２ｃが取り付けられる回転自在な回転部材２０と、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃと、給電端子２２と、を有している。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which allows an eroded state of a target to be monitored without opening a vacuum chamber and does not need a facility for storing an erosion-monitoring means therein.例文帳に追加

真空チャンバーを開放することなくターゲットのエロージョンを監視できると共に、エロージョン監視手段の格納設備が不要なスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for managing a sputtering stage stabilizing the quality of a product by maintaining the adhesion of a plating substrate to an insulating base material to a high level.例文帳に追加

絶縁性基材に対するメッキ下地層の密着力を高水準に維持することによって製品品質を安定化させるスパッタリング工程の管理方法を提供する。 - 特許庁

A compositional discontinuous face orthogonal to the thickness direction is set, and the space between the upper face which is the face on the side in which sputtering is started and the compositional discontinuous face is defined as a 1st region.例文帳に追加

厚さ方向と直交する組成不連続面を設定し、スパッタリング開始する側の面である上面と組成不連続面との間を第１領域とした。 - 特許庁

Ag ALLOY REFLECTIVE LAYER FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING Ag ALLOY REFLECTIVE LAYER FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

To reduce damage to a color filter due to heating during vapor deposition of or sputtering of transparent conductive film and damage at patterning time, by improving the heat resistance and the chemical resistance of a color filter or the like.例文帳に追加

カラーフィルタ等の耐熱性や耐薬品性を向上させ、透明導電膜の蒸着やスパッタ時の加熱やパターニング時におけるダメージを低減すること。 - 特許庁

GALLIUMANTIMONY-BASE PHASE CHANGING TYPE RECORDING FILM FOR PRODUCING PHASE CHANGING TYPE RECORDING MEDIUM EXCELLENT IN STORAGE STABILITY OF RECORDING MARK AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING RECORDING FILM例文帳に追加

記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

A metallic layer made of Ni, Cr, Ti, or Ta or the like is formed in advance on a crystal face to be joined by a means such as vapor-deposition sputtering or the like and an Au, Pt layer is formed.例文帳に追加

各々の接合面に蒸着スパッター等の手段により、水晶面上に予めＮｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ等で金属層を形成し、更にＡｕ，Ｐｔ層も形成しておく。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

Substrates 7a to 7e are held by a rotated drum 6 and the phase difference compensation layer is deposited by sputtering of scattered particles from target materials 9 and 10 while the drum 6 is rotated.例文帳に追加

回転するドラム６に基板７ａ〜７ｅを保持させ、ドラム６を回転させながらターゲット材料９，１０からの飛散粒子で位相差補償層をスパッタ成膜する。 - 特許庁

Thereafter, a metal thin film 6, consisting of two kinds or more metals, is formed on both surfaces of the membrane consisting of the SiN thin film 2 by means of vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

その後、後に説明するように、SiＮ薄膜２からなるメンブレンの両面に、２種類以上の金属からなる、金属薄膜６を、蒸着やスパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

A nitrogen directing layer 5a is formed on the interlayer insulating film 3 by performing reverse sputtering relative to the interlayer insulating film 3 by using the mixture of Ar gas and N_2 gas.例文帳に追加

ＡｒガスとＮ_2ガスとの混合ガスを用いて層間絶縁膜３の逆スパッタを行うことにより、層間絶縁膜３上に窒素導入層５ａを形成する。 - 特許庁

Next, a pad electrode 17a is formed by sputtering to be thick in comparison with the other main electrode 12 and lead electrode 13, and conducted through the lead electrode 13.例文帳に追加

次に、パッド電極１７ａを、他の主電極１２、及びリード電極１３と比較して厚膜加工して、スパッタ方式により形成し、リード電極１３に導通させる。 - 特許庁

A single layer film composed of TiAlN is formed on the surface of a mold for forming glass by vacuum depositing, sputtering, or ion plating Ti, Al and N at the same time.例文帳に追加

Ｔｉ、Ａｌ、Ｎを同時に真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることによりＴｉＡｌＮの単層膜をガラス成形金型の表面に形成する。 - 特許庁

An optical multilayer film 12 is formed by alternately layering a metallic film 12M_P and a dielectric film 12D_P on a transparent substrate 11 by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、透明基板１１の上に、金属膜１２Ｍ_ｐ と誘電体膜１２Ｄ_ｐ とを交互に積層することにより光学多層膜１２を形成する。 - 特許庁

UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT, AND Al ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING REFLECTION FILM WHICH CONSTITUTES ANODE LAYER OF THE UPPER-EMISSION-TYPE ORGANIC EL ELEMENT例文帳に追加

上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

Thereafter, the resist film 200 is removed, and crystal seeds 65A for forming a second ferroelectric film 71b are formed on the first ferroelectric film 71a by sputtering.例文帳に追加

そのあと、レジスト膜２００を除去し、第１強誘電体膜７１ａ上に、第２強誘電体膜７１ｂを形成するための結晶種６５Ａをスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.例文帳に追加

ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly pure ruthenium sputtering target suitable for forming semiconductor thin films and having a low impurity content, which enables to reduce the formation of particles when it is used.例文帳に追加

半導体薄膜形成用等の用途に適した、不純物含有量が低く、特にはパーティクル発生を低減した高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

The target for sputtering is composed of the oxide sintered contact containing the TiOx and NbOx and Ti is incorporated therein at its atom presence ratio ranging from 5 to 60%.例文帳に追加

本発明のスパッタリング用ターゲットは、ＮｂＯxとＴｉＯxとを含む酸化物焼結体とし、Ｔｉをその原子存在比率が５〜６０％の範囲で含有させる。 - 特許庁

To provide a tool for a conductive treatment of a non-conductive sample capable of easily changing the loading height and efficiently performing an analysis in a low-vacuum ion sputtering apparatus.例文帳に追加

低真空型イオンスパッタリング装置において、載置高さを容易に変更でき、分析作業の効率化が図れる非導電性試料の導電処理用治具を提供する。 - 特許庁

GaSb-BASED PHASE CHANGING TYPE RECORDING FILM WITH LOW MELTING POINT AND LOW CRYSTALLIZATION TEMPERATURE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE GaSb-BASED PHASE CHANGING TYPE RECORDING FILM例文帳に追加

融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

This heat storage sheet 1 consists of a nonwoven fabric 2 consisting of resin fibers and a heat storage layer 3 formed by sputtering of metal to a front side surface 21 of this nonwoven fabric 2.例文帳に追加

樹脂繊維からなる不織布２と，該不織布２の表側面２１に金属をスパッタリングすることにより形成した蓄熱層３とからなる蓄熱シート１。 - 特許庁

The control device 13 conveys the substrate 14 into a tantalum layer forming chamber F3 to coat the whole magnetic layer 15 with a tantalum layer 16 using an oblique incidence sputtering process.例文帳に追加

また、制御装置１３が、基板１４をタンタル層形成チャンバＦ３に搬送し、斜め入射スパッタ法を用いて磁性層１５の全体にわたりタンタル層１６を被覆する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing a niobium oxide film of small dispersion in film thickness and excellent uniformity at a high film deposition speed, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

膜厚のばらつきが小さく均一性に優れたニオブ酸化膜を高い成膜速度で形成することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The ZnS-SiO_2 sputtering target material contains 0.001-5 wt.% one or more kinds selected from Na, K and there oxides as additives.例文帳に追加

添加物としてＮａ、Ｋ又はこれらの酸化物から選択した１種以上を０．００１〜５ｗｔ％含有することを特徴とするＺｎＳ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲット。 - 特許庁

An electric conductive thin film 16 is formed by sputtering or vacuum vapor deposition method on the joint face 121A of a first dielectric body 12 having a lens part 122.例文帳に追加

レンズ部１２２を有する第１誘電体１２の接合面１２１Ａに電気伝導性薄膜１６をスパッタリング法または真空蒸着法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming improved contact, when forming an aluminum alloy film at a fine contact hole by using high-temperature sputtering method.例文帳に追加

高温スパッタ法を用いて、微細なコンタクトホールにアルミニウム合金膜を形成する際に、良好なコンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can form a film to two or more different substrates in one vacuum chamber, and can produce a high-quality semiconductor device.例文帳に追加

１つの真空チャンバで複数の異種の基板に膜を形成することができると共に、高品質な半導体デバイスを生産できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Further, since not only the targets 15 but also a magnetic field forming apparatus 25 relatively moves to the targets 15 upon the sputtering, the wide region of each target 15 is sputtered.例文帳に追加

また、スパッタリングのときには、ターゲット１５だけではなく、磁界形成装置２５もターゲット１５に対して相対的に移動するので、ターゲット１５の広い領域がスパッタリングされる。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp which is superior in sputtering resistance, has a long service lifetime, and can be manufactured easily and inexpensively, even when a tube current of a high current is applied.例文帳に追加

高電流の管電流が印加された場合でも、耐スパッタ性に優れ長寿命であり、容易に安価に製造することができる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

In addition, a barrier metal film 110 and the n^--drain layer 101 are Schottky-joined and the surface of the n^--drain layer 101 is roughed with the inverse sputtering.例文帳に追加

さらに、バリアメタル膜１１０とＮ^−型ドレイン層１０１とをショットキー接合するとともに、Ｎ^−型ドレイン層１０１の表面を逆スパッタリングして粗面化した。 - 特許庁

A ferroelectric film (PZT film) 127 that constitutes a ferroelectric capacitor 130 is formed by a sputtering method, and it is subsequently subjected to thermal processing (RTA) in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１３０を構成する強誘電体膜（ＰＺＴ膜）１２７をスパッタ法により形成した後、酸素雰囲気中で熱処理（ＲＴＡ）を施す。 - 特許庁

After implanting argon ions to the entire SOI substrate surface, the substrate is adjusted to be about 300°C, and a titanium film 21 (film thickness is 15 nm) is formed by using a long throw sputtering method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。 - 特許庁

The zinc oxide based sputtering target is manufactured by mixing zinc oxide powder and γ-Al_2O_3 powder and sintering the mixed powder at a temperature of 1,150 to 1,300 °C.例文帳に追加

酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛粉末とγ−Ａｌ_2 Ｏ_3 粉末とを混合し、この混合粉末を１１５０〜１３００℃で焼結することにより製造する。 - 特許庁

The method has (c) a process of forming a titanium nitride film 10, containing titanium on the metal film 9 by sputtering in an atmosphere in which a nitrogen concentration is 80% or higher.例文帳に追加

そして、（ｃ）窒素濃度が８０％以上の雰囲気で、スパッタによりチタンを含むチタンナイトライド膜１０を金属膜９上に形成する工程を備える。 - 特許庁

(a) A protective metal film 10 consisting of molybdenum and a reflection metal film 11 consisting of aluminum laminated on the protective metal film 10 are formed by a sputtering method.例文帳に追加

（ａ）スパッタリング法により、モリブデンからなる保護金属膜１０と、保護金属膜１０上に積層されたアルミニウムからなる反射金属膜１１を成膜する。 - 特許庁

The contact structure can be formed by forming an AlCu film with the CVD method or sputtering method and also forming the upper electrode wiring with the lithographic and dry-etching techniques.例文帳に追加

ＡｌＣｕ膜をＣＶＤ法またはスパッタ法により形成し、リソグラフィーおよびドライエッチング技術により上部電極配線を形成することでコンタクト構造が形成される。 - 特許庁

To provide sputtering deposition equipment capable of forming a semiconductor light-emitting element having a buffer layer having high crystallinity, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light shielding film for forming a black matrix which constitutes the color panel of a liquid crystal display or the like and a sputtering target for forming the light shielding film.例文帳に追加

液晶ディスプレーなどのカラーパネルを構成するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In step S101, a TiW film is formed by a sputtering method so as to cover a surface protective film formed on the surface of a semiconductor element and a pad electrode.例文帳に追加

ステップＳ１０１で、半導体素子の表面上に形成された表面保護膜およびパッド電極を覆うように、ＴｉＷ膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁