「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The high purity Ta constituting the sputtering target contains 0.001-20 ppm of at least one element selected from Ag, Au and Cu each having self-sustaining discharge characteristics.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｔａは、自己維持放電特性を有するＡｇ、ＡｕおよびＣｕから選ばれる少なくとも1種の元素を0.001〜20ppmの範囲で含有する。 - 特許庁

AG ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND AG ALLOY SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITION OF AG ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING例文帳に追加

光情報記録用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

The value of the applied control voltage in accordance with a sputter condition is determined beforehand, so as to make the voltage of the substrate 17 about zero during sputtering.例文帳に追加

スパッタ条件に応じ、予めスパッタ中の基板１７が略ゼロＶになる大きさの制御電圧を求めておき、その制御電圧を印加してスパッタを行う。 - 特許庁

A Ti film 101 is formed on a silicon oxide film 31 and inside a connection hole 34 through a sputtering method, and then a silicide layer 42 is formed through a thermal treatment.例文帳に追加

接続孔３４の内部を含む酸化シリコン膜３１の上部にスパッタリング法でＴｉ膜１０１を形成した後、熱処理をしてチタンシリサイド層４２を形成する。 - 特許庁

To provide a composition for a housing of an automobile rear lamp, which satisfies all of large-size part moldability (flowability), heat resistance, chemical resistance, aluminium sputtering ability and silver color coating ability.例文帳に追加

大型部品成形性（流動性）、耐熱性、耐薬品性、アルミ蒸着性、銀色塗装性を全て満足する自動車リアランプハウジング用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate holding mechanism causing no magnetic field interference between a cathode magnet for controlling plasma and itself unlike a case of using a magnetic body in sputtering film deposition.例文帳に追加

スパッタリング成膜において、磁性体を用いた場合のように、プラズマを制御するカソードマグネットとの間に磁場干渉が生じることのない基板押え機構を実現する。 - 特許庁

A substrate having groove with a square cross section on its surface is prepared, on which film formation by sputtering and etching are repeated to form a surface pattern having a triangular cross section.例文帳に追加

矩形の溝形状を表面に有する基板を準備し、この上に、スパッタによる成膜とエッチング処理を繰り返して、断面三角形状の面形状を形成する。 - 特許庁

WIRING AND ELECTRODE FOR FLAT PANEL DISPLAY USING TFT TRANSISTOR FREE FROM THERMAL DEFECT GENERATION AND HAVING EXCELLENT ADHESIVENESS AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide an oxide for a sputtering target comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), comprising a new oxide crystal phase, and having satisfactory appearance.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。 - 特許庁

Alternatively, nickel or titanium is spattered on the surface of a contact pin base material of beryllium copper not plated with gold, and then the thin film is covered by sputtering tungsten, chromium or titanium.例文帳に追加

あるいは、金メッキをしていないベリリウム銅のコンタクトピン母材の表面に、ニッケルまたはチタンのスパッタをし、次にタングステン、クロムまたはチタンのスパッタをして薄膜で被覆する。 - 特許庁

The target for sputtering contains zinc oxide, aluminum oxide and fluorine, wherein the content of fluorine is ≥0.1 and <0.5 atom% based on the number of all atoms.例文帳に追加

酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ素を含有し、前記フッ素の量が全原子数に対して０．１原子％以上０．５原子％未満であるスパッタリング用ターゲット。 - 特許庁

The first aluminum nitride layer is vapor deposited by sputtering an aluminum target at about 1.5-3 millitorr chamber pressure in a nitrogen and inert gas plasma in the treatment chamber.例文帳に追加

第１の窒化アルミニウム層は、処理チャンバ内の窒素及び不活性ガスプラズマ中で、アルミニウムターゲットを約１．５〜３ミリトールのチャンバ圧力でスパッタリングすることにより蒸着される。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus capable of performing film deposition with more favorable film thickness distribution, that is, so that a film thickness ratio of a peripheral part of a substrate to a center part thereof is made large when a magnetic body material such as iron, cobalt and nickel is film deposited.例文帳に追加

鉄、コバルト、ニッケル等の磁性体材料を成膜する場合に、基板の中心に対するその周囲の部分の膜厚比を大きくする。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering deposition device capable of improv ing the plane uniformity of the film thickness of the formed film so as to flex ibly correspond to the change of deposition conditions.例文帳に追加

成膜条件の変更に対して柔軟に対応して、成膜膜厚の面内均一性を向上させることが可能なマグネトロンスパッタリング成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a target base which has a small size, extends a replacement cycle for a target and can easily form a stacked film on a substrate; a target device; and a sputtering apparatus.例文帳に追加

小型で、ターゲット交換周期が長く、かつ容易に基板上に積層膜を形成することができるターゲット基台、ターゲット装置およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of easily burying the recessed portions of wiring trenches, via holes, contact holes of a semiconductor substrate with a wiring metal by a sputtering method, a plating method or the like.例文帳に追加

半導体基板の配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部をスパッタ法、メッキ法等により配線金属で容易に埋め込むことができるようにする技術の提供。 - 特許庁

To provide a film forming method improving a film formation rate without using a special manufacturing apparatus in a method for forming a copper thin film on a base material by a sputtering method.例文帳に追加

特別な製造装置を用いることなく、スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において成膜速度を向上せる成膜方法を提案する。 - 特許庁

To provide a technology which is capable of forming a coating film made of a metallic film on a coating surface of a substrate by sputtering to have such a film thickness that gradually increases or gradually decreases from its one end side to the other end side.例文帳に追加

基材の被膜形成面に、膜厚が漸増乃至は漸減する金属膜からなる被膜を、スパッタリングにより形成可能な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a light-shielding film for forming a black matrix used for a color panel such as a liquid crystal display, and to provide a sputtering target for forming the light-shielding film.例文帳に追加

液晶ディスプレーなどのカラーパネルに用いるブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a producing method of a capacitor insulation film by using an ECR sputtering apparatus which has high dielectrical characteristics, contributing to the creations of high-speed and microminiaturized semiconductor memory elements, etc.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置を用いて、半導体メモリ素子などの高速化、微細化に寄与する高い誘電特性を有するキャパシタ絶縁膜を作製する方法の提供。 - 特許庁

The sputtering target uses a zinc oxide sintered compact in which sintered compact density is 5.3 to 5.5 g/cm^3 and the ratio between a Young's modulus and bending strength, E/σ is 300 to 1,500.例文帳に追加

焼結体密度が５．３〜５．５ｇ／ｃｍ^３であって、ヤング率と曲げ強度の比Ｅ／σが３００〜１５００である酸化亜鉛焼結体を用いたスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a three-dimensional fine production method where a metallic extra fine tube with an outside diameter of 500 μm and a thickness of ≥5 μm can be produced by using a sputtering deposition method.例文帳に追加

スパッタリング堆積法を用いて外径５００μｍ、肉厚５μｍ以上の金属製極細管を作製することができる三次元微細創製法を提供する。 - 特許庁

Further, the protective film comprises, e.g., a non-metal inorganic material, and the film comprising the non-metal inorganic material can be formed, e.g., by sputtering, depositing, coating, or dipping.例文帳に追加

更にまた保護膜は例えば非金属の無機材料からなり、非金属の無機材料からなる膜は、スパッタ、蒸着、塗布または浸漬により形成することができる。 - 特許庁

To provide a moving handrail cleaning device for a passenger conveyor capable of collecting cotton-form dust deposited on a band-shaped cleaning cloth without sputtering it to a surrounding area.例文帳に追加

帯状清掃布上に堆積した綿状の塵埃を周囲に飛散させずに集塵することができる乗客コンベアの移動手摺清掃装置の提供。 - 特許庁

In such an Nb target, the crystal orientation ratio of the (110) face in a sputtering surface is ≥40% and the crystal orientation ratio of the (200) face is made to ≤30%.例文帳に追加

このようなＮｂターゲットはスパッタ面における(110)面の結晶方位比率が40％以上であると共に、(200)面の結晶方位比率が30％以下とされている。 - 特許庁

For instance, the state where the positive electrode 102 is formed on the substrate 101 is established by carrying out sputtering film formation by using a mask plate having an opening in a desired area.例文帳に追加

例えば、所望とする領域に開口部を備えたマスク板を用いてスパッタ成膜することで、基板１０１の上に正極１０２が形成された状態とする。 - 特許庁

To prevent a reactant gas from flowing into a space defined between targets facing each other in a sputtering apparatus in which targets are arranged opposite to each other.例文帳に追加

対向して配置されるターゲットを有するスパッタ装置において、その対向するターゲットの間に形成される空間内への反応ガスの流入防止を図ること。 - 特許庁

To independently set pressure in the vicinity of each electrode in a sputtering device, to enable the simultaneous formation of different kinds of thin films and to reduce the tact time thereby.例文帳に追加

スパッタ装置において、各電極近傍における圧力をおのおの独立に設定して異種薄膜の同時成膜を可能とし、これによってタクトタイムを短縮する。 - 特許庁

By performing mask sputtering, a metal film of Al or the like is formed on the side wall of each three-dimensional structure and on a surface of the glass substrate 1 between three-dimensional structures.例文帳に追加

マスクスパッタが行われることにより、それぞれの立体構造物の側壁と、立体構造物の間のガラス基板１表面にAl等の金属膜が生成される。 - 特許庁

To satisfy required characteristics to a sputtered film which have been made more and more severe in accordance with the high performance and so on of the devices in a sputtering target essentially consisting of Ta.例文帳に追加

Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。 - 特許庁

To provide a sintered sputtering target material for forming a recording layer of a photomagnetic recording medium, with which highly uniform film exhibiting excellent crack resistance can be obtained at high sputter electric power.例文帳に追加

高スパッタ電力ですぐれた耐割損性を発揮し、高均一な膜が得られる光磁気記録媒体の記録層形成用焼結スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

A raw material sintered compact having a low electric resistivity is obtained by adding the niobium oxide to the zinc sulfide and the sintered compact is easily formed in the thin film shape by a direct current sputtering method.例文帳に追加

さらに、酸化ニオブの添加により、原料焼結体を低い電気抵抗率にして、この焼結体を直流スパッターにより薄膜に形成するのを容易にする。 - 特許庁

This precipitating device has a chamber 11, a target 12 for sputtering, a supporting member 13 for a wafer, an opening part 14 for carrying a wafer and a carrying mechanism part 15 for a wafer.例文帳に追加

析出装置は、室１１と、スパッタ用ターゲット１２と、ウェハー用支持部１３と、ウェハー用搬送用開口部１４と、ウェハー用搬送機構部１５とを有している。 - 特許庁

Then, a metal film 14 is so formed as to cover the surface of the interlayer insulation film 12, the internal walls of the interconnection trenches 13, and the lower layer interconnections 11 by sputtering, CVD, or the like.例文帳に追加

次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。 - 特許庁

At this point, the substrate temperature is kept at a prescribed point in a temperature range of 50 to 250°C, for example at 100°C or so, and the first metal film (Co) 18 is subjected to sputtering.例文帳に追加

このときの基板温度は５０℃〜２５０℃の範囲の中から選択される所定の温度、例えばおよそ１００℃に設定され、Ｃｏのスパッタリングが実施される。 - 特許庁

To provide a Cr-Mn-Ba-based sputtering target material used as a substrate film in a magnetic recording medium, and to provide a thin film produced by using the same.例文帳に追加

磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of particles in a chamber by preventing the release of deposits on a deposition-preventing plate in sputtering, even if the stress due to expansion and shrinkage is applied.例文帳に追加

スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。 - 特許庁

A substrate 2 is transferred to a film-forming chamber side by a delivery holder 60, is subjected to film formation by a sputtering process, and is again returned to a load lock chamber 30 side.例文帳に追加

受渡ホルダ６０によって、基板２が成膜処理室側に受け渡され、スパッタリングによる成膜処理が施された後、再びロードロック室３０側に戻される。 - 特許庁

At formation of the spin bubble film, the vacuumized pressure of vacuum level attained in the control flow and film forming condition of the sputtering gas are set, so that the crystal grain size of the formed spin bubble film become 50 nm or smaller.例文帳に追加

すなわち、成膜時の結晶粒径を５０ｎｍ以下となるように成膜工程を制御することにより、素子歩留まりのよいスピンバルブ膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing carbon nano-fibers, which can form the carbon nano-fibers so as to be arranged in a standing orientation in high density on a substrate, with a sputtering method, and an equipment therefor.例文帳に追加

カーボンナノファイバーをスパッタリング法で基板上に高密度に直立配向させて形成することができるカーボンナノファイバーの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering target consists of a metal oxide sintered compact that contains an In element, a Cu element, and a Ga element in an atom ratio of Cu/(Cu+In+Ga)=0.001-0.09 and Ga/(Cu+In+Ga)=0.001-0.90.例文帳に追加

Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a sputtering device provided with a target capable of facilitating the exchanging work after consumption of the target and withstanding to a temp. higher than the conventional one.例文帳に追加

ターゲットの消費後の交換作業を容易にし、従来に対して、より高温まで耐えうるターゲットを備えたスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To make film qualities such as a film thickness distribution and a specific resistance value almost uniform over the whole face of a treatment substrate when a prescribed thin film is deposited by reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにする。 - 特許庁

A movable substrate column 24 composed so as to support the substrate 26 is positioned in the reactor and is movable so as to be arranged sufficiently in the vicinity of the target of sputtering.例文帳に追加

基板を支持するように構成された可動基板支柱は、リアクタ室内に位置しスパッタリングのターゲットの十分近隣に配置できるよう移動可能である。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide-based sintered compact which is so dense that a transparent electrode having reduced specific resistance can be obtained without abnormal discharge being generated when it is used for a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。 - 特許庁