「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing device for a plasma display panel capable of forming a uniform protection film with a good secondary electron emission characteristic and sputtering resistance on a PDP substrate.例文帳に追加

ＰＤＰの基板上に２次電子放出特性及び耐スパッタリング性が良好且つ均一な保護膜を形成することができるプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a film of a lead and titanium-containing composite perovskite type compound having a controlled composition at high precision by sputtering.例文帳に追加

鉛及びチタンを含む複合ペロブスカイト型化合物の膜であって、組成が精度良く制御された膜を、スパッタリングによって形成する成膜方法等を提供する。 - 特許庁

To provide new gallium oxide powders whose aggregated particles are easily broken so as to become suitable as raw materials for sputtering targets such as an IGZO and the like.例文帳に追加

ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、凝集粒子が壊れやすいという特徴を有する新たな酸化ガリウム粉末を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from high purity oxidized indium-containing scrap generated at the time of producing an IXO sputtering target or after its use.例文帳に追加

ＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁

When forming the electron injection electrode 24 by a sputtering method or an ion plating method, damages can be prevented from spreading to the organic luminescent element 16 or the like by the buffer layer 22.例文帳に追加

バッファ層２２により、スパッタ法あるいはイオンプレイティング法による電子注入電極２４の形成時に有機発光層１６等へダメージが及ぶことを防止できる。 - 特許庁

The hydrogen-permeable material is characterized by having a membrane selectively permeable to hydrogen, which membrane is composed of a silver-palladium alloy obtained by induction coupled rf plasma supporting magnetron sputtering.例文帳に追加

誘導結合ｒｆプラズマ支援マグネトロンスパッタリングによる銀−パラジウム合金からなる水素選択透過性膜を有することを特徴とする水素透過材料。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from a hydrochloric acid solution containing high purity indium generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後等に発生する高純度インジウムを含有する塩酸溶液からインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

To provide tungsten powder, particularly fine high-purity tungsten powder suitably used as a raw material for a tungsten sputtering target for semiconductor film deposition, and its manufacturing method.例文帳に追加

タングステン粉末、特に半導体成膜用のタングステンスパッタ・ターゲットの原料として好適な微細で高純度のタングステン粉末、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the display electrode 4 consisting of the ITO film is formed by a sputtering method in the atmosphere of the mixed gas of oxygen and argon, the surface of the titanium thin film 23 is oxidized.例文帳に追加

また、ＩＴＯ膜から成る表示電極４を酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気中におけるスパッタ法で形成する際には、チタン薄膜２３の表面が酸化する。 - 特許庁

This method for forming the thin film of silicon nitride on the substrate comprises: using dual magnetron sputtering (DMS) technique; and applying sinusoidal voltage with a frequency of 25 kHz or less to the magnetron cathodes.例文帳に追加

デュアル・マグネトロンスパッタリング（ＤＭＳ）を用い、そのマグネトロンカソードに周波数２５ｋＨｚ以下の正弦波電圧を印加して、基材上に窒化シリコンの薄膜を成膜する。 - 特許庁

To prevent a glass target from being damaged even at high output in sputtering; and to suppress that the concentration of a sodium compound in the glass becomes high in positive electrode ligation.例文帳に追加

スパッタリングにおいて高出力でもガラスのターゲットが損傷しないようにすること、陽極接合においてガラス中にナトリウム化合物が高濃度になることを抑えること。 - 特許庁

To provide an electrode for a cold-cathode fluorescent tube capable of having excellent sputtering resistance and excellent processability and reducing tube voltage, and to provide a cold-cathode fluorescent tube using the electrode.例文帳に追加

優れた耐スパッタ性及び加工性を備え、管電圧を低くすることができる冷陰極蛍光管用電極及びそれを用いた冷陰極蛍光管を提供する。 - 特許庁

Therefor, variation in sputtering by ion collision to the vapor deposited layer on the glass substrate 4 can be avoided and the uneven thickness of dielectric multilayered film can be avoided.例文帳に追加

従って、ガラス基板４に形成される蒸着層へのイオン衝撃によるスパッタ作用のバラツキが回避でき、誘電体多層膜の膜厚ムラを回避することができる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113.例文帳に追加

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。 - 特許庁

In the step of forming the mask pattern, the first titanium nitride film 42a is formed by a sputtering method and the second titanium nitride film 43a is formed by a self-ionized plasma method.例文帳に追加

マスクパターンを形成する工程では、第１窒化チタン膜４２ａをスパッタリング法で形成し、かつ第２窒化チタン膜４３ａを自己イオン化プラズマ法で形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the sputtering target material, a powder material comprising a combination of elements containing a chromium alloy or a carbide- or carbon-containing master alloy is used.例文帳に追加

スパッタターゲット材料を製造する方法は、クロム合金やカーバイド又は炭素含有のマスター合金を含む元素の組み合わせからなる粉体材料を用いる。 - 特許庁

A thin film is formed by performing bias sputtering by using a plurality of types of targets 12a to 12c which differ in integral electric power being the total sum of supplied electric powers.例文帳に追加

供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 - 特許庁

The conductive material is, for example, a target after RF magnetron sputtering under an atmosphere containing nitrogen, using the Li_4Ti_5O_12 sintered body as the target.例文帳に追加

この導電材料は、例えば、Ｌｉ_4Ｔｉ_5Ｏ_12焼結体をターゲットとして用いて、窒素を含む雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタリングを行った後のターゲットである。 - 特許庁

MEDICINE OR FOOD PRODUCT HAVING METAL FILM, SPUTTERING, VACUUM DEPOSITION OR ION PLATING APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME MEDICINE OR FOOD例文帳に追加

金属膜を備えた薬または食品、その薬または食品の製造方法、および、その薬または食品を製造する、スパッタリング、真空蒸着、またはイオンプレーティング装置 - 特許庁

A layer 206 including molybdenum oxide formed by a deposition method is provided below and in contact with a transparent electrode 207 of ITO or the like formed by a sputtering method.例文帳に追加

蒸着法で形成されたモリブデン酸化物を含む層２０６を、スパッタリング法により形成されるＩＴＯなどの透明電極２０７に接して下側に設ける。 - 特許庁

At this time, the flank of the aluminum wire 20 exposed in the through hole 22a is nitrified with nitrogen gas used for a sputtering process to form aluminum nitride 31.例文帳に追加

このとき、スルーホール２２ａから露出するアルミニウム配線２０の側面が、スパッタリング工程で使用される窒素ガスにより窒化されて、窒化アルミニウム部分３１が形成される。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING FERROELECTRIC FILM, FERROELECTRIC FILM USING THE SAME, FERROELECTRIC ELEMENT, ACTUATOR USING THE SAME, INK JET HEAD AND INK JET RECORDER例文帳に追加

強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 - 特許庁

To provide a sputtering device capable of making a metal sulfide, metal selenide or metal telluride thin film on a substrate or a base material with a large area at room temperature.例文帳に追加

大面積かつ室温の基板あるいは基材に金属硫化物、金属セレン化物もしくは金属テルル化物薄膜を作製できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To achieve film deposition with a narrow film thickness distribution using a target 3 with a diameter d of a substrate 2 or a diameter D smaller than that in film deposition by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜において、基板２の直径ｄと同等又はこれより小さい直径Ｄのターゲット３を用いて、膜厚分布の小さな成膜を可能とする。 - 特許庁

To provide an ion source for an ion implantation device for containing a solid material source for sputtering and minimizing influence of the change of this material source.例文帳に追加

スパッタ用ソリッド材料源を包含し、さらに、この材料源の変更による影響を最小限にするためのイオン注入装置用のイオン源を提供すること。 - 特許庁

In a desirable example, a target comprising niobium oxide as a main component and 1 to 30 wt.% of silicon oxide is used in the formation of an oxide thin film by sputtering.例文帳に追加

好適な例では、スパッタリングによる酸化物薄膜の形成において、酸化ニオブを主成分として酸化ケイ素を１〜３０重量％添加されてなるターゲットを使用する。 - 特許庁

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method.例文帳に追加

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 - 特許庁

In the etching treatment of the substrate, a deposited layer of AlF_3 generated at the inner wall of the vacuum chamber 11 is partly removed due to the sputtering effect of oxygen plasma ions.例文帳に追加

基板のエッチング処理中に真空チャンバ１１の内壁に生成したＡｌＦ_３の堆積層が、酸素プラズマイオンによるスパッタリング効果で、部分的に除去される。 - 特許庁

A carrier 14 is moved into a metal sputtering chamber 13, a single layer of metal chromium is formed on the layer of chromium oxide, and a coating film for two layers of black matrix can be formed.例文帳に追加

キャリア１４を金属スパッタチャンバ１３に移動させて、酸化クロム層の上に金属クロム単層を形成し、２層のブラックマトリクス用被膜を形成することができる。 - 特許庁

A surface of the transparent substrate 10 is formed with a negative electrode layer 16, made of a metal such as aluminum through vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

そして、図１（ｄ）に示すように、透明基板１０の表面に、蒸着法或いはスパッタリング法によって、アルミニウム等の金属製の陰極層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering deposition apparatus for depositing a chalcogen compound thin film having satisfactory characteristics, and to provide a method for depositing the chalcogen compound thin film employing the same.例文帳に追加

良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。 - 特許庁

ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SINTERED COMPACT TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND TOUCH PANEL, AND EQUIPMENT COMPRISING THE ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM例文帳に追加

酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器 - 特許庁

To provide a sulfide target for forming a sulfide fluorescent film composed of Al_2S_3, BaS and EuS and having satisfactory crystallinity by a sputtering process, and to provide its production method.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳからなり、結晶性の良い硫化物蛍光体膜をスパッタリング法で形成するための硫化物ターゲット、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The lanthanoid atom-activated yttrium precursor that is prepared by the RF sputtering or EB vapor deposition is calcined in an atmosphere at 500 to 1,000°C to give the phosphor.例文帳に追加

ＲＦスパッタリング法又はＥＢ蒸着法により得られたランタノイド元素付活酸化イットリウム前駆体を５００〜１０００℃の温度で大気焼成して得ることができる。 - 特許庁

A sputtering target is manufactured which includes a zinc oxide sintered compact having a cylindrical shape containing 10-1,000 ppm zirconium, and having a ≤10^5 Ω cm resistivity.例文帳に追加

ジルコニウムを１０〜１０００ｐｐｍ含有し、抵抗率が１０^５Ω・ｃｍ以下である円筒形状の酸化亜鉛焼結体から成るスパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium from high purity indium oxide-containing scrap generated at the time of producing an ITO sputtering target or after its use.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

Ag ALLOY REFLECTIVE FILM FOR REFLECTOR, REFLECTOR USING THE Ag ALLOY REFLECTIVE FILM, AND Ag ALLOY SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING THE Ag ALLOY REFLECTIVE FILM例文帳に追加

リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

The sputtering target substantially consists of ruthenium (Ru), its sintering density is ≥ 95%, and the content of oxygen (O) and carbon (C) is ≤ 200 ppm, respectively.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの構成を実質的にルテニウム（Ｒｕ）からなり、焼結密度が９５％以上であり、酸素（Ｏ）と炭素（Ｃ）の含有量が共に２００ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

A magnesium oxide layer is formed whose (001) surface is oriented as the barrier layer on a ferromagnetic layer by radio frequency magnetron sputtering using a magnesium oxide target.例文帳に追加

強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより、（００１）面が配向した酸化マグネシウム層を前記バリア層として成膜する。 - 特許庁

The Ni alloy thin film for laser processing is obtainable from a sputtering target that contains 10-13 atom% of Ti and the balance consisting of Ni and inevitable impurities.例文帳に追加

本発明のレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜は、Ｔｉを１０〜１３原子％含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットで得ることができる。 - 特許庁

CU-ALLOY INTERCONNECTION FILM, TFT ELEMENT FOR FLAT PANEL DISPLAY USING THE FILM, AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE FILM例文帳に追加

Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a technology for manufacturing a Mn alloy sputtering target which contains each little amount of impurity components such as oxygen, carbon and nitrogen, and has the crystal form controlled.例文帳に追加

酸素や炭素、窒素などの不純物成分の含有量が低く、その結晶形態が制御されたＭｎ合金スパッタリングターゲットの製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a spin valve sensor that can obtain a desirable ferroimagnetic coupled magnetic field (HF) by a current sputtering method.例文帳に追加

本発明の目的は、現行のスパッタ付着技法によって望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を得ることができる、スピン・バルブ・センサの製作方法を提供することである。 - 特許庁

The zinc-oxide-based sputtering target has a composition expressed by In_xHo_yO_3(ZnO)_T, wherein x+y=2; x:y is 1:0.001 to 1:1; and T is 0.1 to 5.例文帳に追加

酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、Ｉｎ_ｘＨｏ_ｙＯ_３（ＺｎＯ）_Ｔの組成を有し、ｘ＋ｙ＝２、ｘ：ｙは１：０．００１〜１：１であり、Ｔは０．１〜５である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for nanoimprinting with which a high-quality mold can be obtained by forming a current seed layer without using a sputtering method for a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンへのスパッタ法を用いることなしに電流シード層を形成し、それによって高品質なモールドが得られる、ナノインプリント用モールドの製造方法の提供。 - 特許庁