「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering system capable of directly measuring changes in the amount of target erosion with high precision when necessary after one stage of substrate processing while maintaining the vacuum of a vacuum vessel.例文帳に追加

真空容器の真空を維持したまま、基板処理の区切りで必要に応じてターゲットの侵食量の変化を、直接的に、精度よく計測可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.例文帳に追加

従来、窒化珪素ターゲットを使用し、ＲＦスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁

A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁

When a GMR or TMR is manufactured, a substrate as a work piece is provided in a sputter chamber 1, and a magnetic film is formed on the surface of the substrate 8 through sputtering.例文帳に追加

ＧＭＲヘッド又はＴＭＲヘッドを製造する際、スパッタチャンバー１内に対象物である基板８を配置し、スパッタリングにより基板８の表面に磁性膜を作成する。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

The film of the rare earth element having a low work function, for example, a LaB_6 film, can be formed uniformly over a wide area on an electron injection layer by a rotary magnet sputtering apparatus.例文帳に追加

この構成では、電子注入層上に仕事関数の低い希土類元素の膜、例えば、ＬａＢ_６膜を回転マグネットスパッタ装置によって広い面積に亘って均一に形成できる。 - 特許庁

The light blocking region 3 can be easily formed with means such as sputtering and vapor deposition of metal material such as Cr (chromium) and is provided with the structure 12 for light transmission.例文帳に追加

遮光領域３は、Ｃｒ（クロム）等の金属材料をスパッタ、蒸着等の手段を用いることで容易に形成できるもので、光を透過するための機構１２が備えられている。 - 特許庁

In the tungsten sputtering target, a crystal orientation ratio (110)/(200) of crystal surfaces (110) and (200) found by X-ray diffraction of a surface to be sputtered is 0.1 to 6.5.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。 - 特許庁

For example, the flowrate of oxygen in the reactive sputtering is controlled or voltage to be applied is made in pulse form, and pulse width is controlled, the oxidation number of titanium oxide can be controlled.例文帳に追加

例えば、反応性スパッタ時の酸素流量を制御したり、印加する電圧をパルスとし且つ該パルス幅を制御することにより、酸化チタンの酸化数を制御することができる。 - 特許庁

After a thin film of heating element 3 is formed on a glaze layer 2, an electrode 4 and a conductive part 5 are formed simultaneously by sputtering or deposition and a protective film 6 is formed thereon.例文帳に追加

グレーズ層２上に発熱体３を薄膜形成した後に、スパッタリング法または蒸着法にて電極４と導通部５とを同時に形成し、更に保護膜６をその上に形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering device and a semiconductor device improving the using efficiency of a target, simultaneously excellent in the uniformity of a film forming distribution and capable of obtaining a high bottom coverage.例文帳に追加

ターゲットの使用効率を向上させると同時に、成膜分布の均一性に優れ、高ボトムカバレッジを得ることが可能なスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which can suppress the decomposition of oxide and nitride during sputtering and can form a magnetic layer in which these are well separated and segregated with an alloy.例文帳に追加

スパッタリング中の酸化物や窒化物の分解を抑制し、それらが合金と良好に分離偏析した磁性層を形成できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target free from the cavities caused in a solidification step at casting, having relatively small grain size and a homogeneous fine structure.例文帳に追加

鋳造時の凝固工程に起因する巣の発生がなく結晶粒径が比較的小さく均質な微細構造を有するスパッタリングターゲットを製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The insulation layer 114 is composed of a metal oxide having at least one out of Ta2O5, ZrO2 and TiO2 as a main component deposited on the color filter with sputtering, etc.例文帳に追加

絶縁膜１１４は、スパッタリング法等によってＴａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２のいずれか少なくとも一つを主成分とする金属酸化物をカラーフィルタ上に堆積させたものである。 - 特許庁

The titanium nitride film can be formed by keeping a partial pressure of residual water in atmosphere for film-forming at 0.3% or below to a total pressure, when this titanium film is formed by a reactive sputtering method.例文帳に追加

窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して０．３％以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。 - 特許庁

To effectively cool a rotary shaft and a magnet, and at the same time, to prevent any thermal expansion and breakage attributable to non-uniform cooling of a target in a cooling system of a rotatable target for sputtering.例文帳に追加

スパッタリング用の回転ターゲットの冷却システムにおいて、回転軸、マグネットの冷却を効果的に行い、また同時にターゲットの不均一冷却に起因する熱膨張破損を防止する。 - 特許庁

Subsequently, a low melting glass thin film 5 is formed on a second glass substrate 4 to be coated with a coating by performing sputtering by using the low melting glass film 2 fired as the target.例文帳に追加

次いで、焼成した低融点ガラス膜２をターゲットとしてスパッタリングを行うことによって、被膜対象物である第二ガラス基板４に低融点ガラス薄膜５を成膜する。 - 特許庁

The colored glass consists of a glass substrate, a colored film containing Co oxide formed by sputtering on the surface of the glass substrate, and a colored ceramic film laminated on the colored film.例文帳に追加

ガラス基板と、該ガラス基板の表面にスパッタリングで成膜されたＣｏ酸化物を含む着色膜と、該着色膜の上に積層された着色セラミックス膜とを有する着色ガラス。 - 特許庁

To provide a coating solution for a protective film formation capable of forming a protecting film for a dielectric layer of a plasma display panel (PDP) being precise without a micro crack or a pinhole and having good sputtering resistance.例文帳に追加

緻密でマイクロクラックやピンホールが無く、耐スパッタ性に優れたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の誘電体層用保護膜を形成することが可能な保護膜形成用塗布液を提供する。 - 特許庁

To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.例文帳に追加

安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This sputtering target (a metal-silicide target) has a micro- structure including concatenated metal-silicide phases and segregated Si phases discontinuously existing in spaces between the metal-silicide phases.例文帳に追加

スパッタリングターゲット（金属シリサイドターゲット）は、連鎖状に形成された金属シリサイド相と、この金属シリサイド相の間隙に不連続に存在する遊離Ｓｉ相とを含む微細組織を有する。 - 特許庁

Grooves 131, 132, 133, 134, and 135 are formed by laser etching in the conductive film 120 of ITO attached through sputtering to the glass substrate 110 on a fixed side panel 100.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a sintered target on which a deposited film having sedimented on a non-erosion part resists exfoliating from the target surface even in a continuous sputtering process in mass production, and a nodule and arcing resist occurring.例文帳に追加

量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。 - 特許庁

The fixed contact 46 and the movable contact 56 act as the surface in contact with the side of a molding section during the growing process of the contact layers 45, 55 through vapor deposition, sputtering and the like.例文帳に追加

この固定接点４６及び可動接点５６は、接点層４５及び５５を蒸着やスパッタリング等により成長させる工程で、モールド部の側面に接していた面である。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition allowing for obtaining a cured film excellent in ITO (indium tin oxide) sputtering property, hardness and heat-resistance transparency, and a method of forming the cured film using the composition.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition from which a cured film excellent in suitability to ITO sputtering, hardness and heat-resistant transparency is obtained, and to provide a method for forming a cured film using the same.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタ適性、硬度、耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus that can efficiently laminate thin films in a short time without lowering throughputs, and a manufacturing method of an electronic device.例文帳に追加

短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode preventing further intrusion of plasma into the inside of an electrode through a gas jet hole, and metal contamination caused by sputtering of an electrode support member, and having a long life.例文帳に追加

プラズマがガス噴出孔を通じて電極のさらに内部に入り込み、電極支持部材をスパッタすることによる金属汚染を防止し、かつ寿命の長い電極を提供すること。 - 特許庁

In the step of forming the reflective and conductive film, the translucent substrate 1 is carried along the direction in which the current of the semiconductor layer flows by the in-line sputtering device 80.例文帳に追加

そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層の電流が流れる方向に沿ってインラインスパッタリング装置８０で透光性基板１を搬送する。 - 特許庁

To provide a capacitive coupling type plasma treatment apparatus for sputtering film deposition, wherein an ion flux with a uniform high concentration is formed on the surface of a substrate, without causing re-deposition to a target.例文帳に追加

基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering is carried out, when a niobium metal target is used, in an atmosphere having an oxygen gas flow ratio of 5.0 to 7.0% with respect to argon gas (oxygen gas flow rate/argon gas flow rate) at room temperature.例文帳に追加

スパッタリングは、ニオブ金属ターゲットの場合、アルゴンガスに対する酸素ガス流量比（酸素ガス流量／アルゴンガス流量）が５．０％乃至７．０％の雰囲気下で、室温で行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an organic EL element capable of reducing the damage on an organic substance layer when forming a second transparent electrode on an organic part layer by a sputtering method.例文帳に追加

有機部層上に透明な第２電極をスパッタリング法で形成する際に、有機物層に生じるダメージを低減できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To configure a bipolar pulsed power supply especially used for a sputtering device so as to effectively limit current rise in arc discharge, and to suppress the generation of splash or particles.例文帳に追加

特にスパッタリング装置に用いられるバイポーラパルス電源を、アーク放電発生時の電流上昇を効果的に制限でき、スプラッシュやパーティクルの発生を抑制できるように構成する。 - 特許庁

The capacitor lower electrode is formed on the projecting section of the capacitor lower electrode plug exposed on an interlayer insulating film by a film forming method, such as the sputtering method, etc., by which poor step coverage is obtained.例文帳に追加

層間絶縁体膜上に露出したキャパシタ下部電極プラグの突起部に、スパッタ法のような段差被覆性の乏しい成膜方法によりキャパシタ下部電極を形成する。 - 特許庁

A surface of a resin molded item is activated by a plasma treatment and then is subjected to a metal coating treatment by means of a physical deposition method selected from a sputtering method, a vacuum deposition method and an ion plating method.例文帳に追加

プラズマ処理により活性化された表面に、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる樹脂成形体に関する。 - 特許庁

To provide an Ni-W based target material in which the variation of an Ni-W based alloy film for an intermediate layer of a vertical magnetic recording medium deposited by sputtering can be suppressed.例文帳に追加

スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｎｉ−Ｗ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＮｉ−Ｗ系ターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus which improves the stability of an electric discharge of reactive direct-current sputtering and also inhibits defects originating in the formation of particles, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering film-forming apparatus which can continuously perform heat treatment and thin-film formation for a substrate in a film-forming step in the same position, and to provide a film-forming method therefor.例文帳に追加

成膜工程における基板の加熱処理と薄膜形成を、同じ位置において連続的に実施することができるスパッタリング成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering system 1 further comprises a cover 9 which is provided on a face of at least one of the covers 4 and 5 on the O-ring 8 side via an insulating material, and consists of a conductive material.例文帳に追加

さらに、スパッタ装置１は、カバー４と５の少なくとも一方の、Ｏリング８側の面上に絶縁性材料を介して設けられ、導電性材料からなるカバー９とを有する。 - 特許庁

To provide a conveying device with a dustproof cover that has sufficient durability in a sputtering environment even in a flatly placed attitude and does not grow in size in coping with a high load.例文帳に追加

平置き姿勢においてもスパッタ環境での充分な耐久性を有し、高負荷に対応する際に大型化することのない防塵カバーを有する搬送装置を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of a magnetic recording medium that allows deposition of a film with low ordering temperature while suppressing generation of particles, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The barrier metallic film 111 is embedded into the recess 110 by re-sputtering the barrier metallic film 111 while the via 112 is formed having the shape that corners are rounded and a lower section is projected.例文帳に追加

次いで、バリア金属膜１１１をリスパッタすることで凹部１１０にバリアメタル金属膜１１１を埋め込むとともに、角に丸みを帯びた下凸な形状を有するビア１１２を形成する。 - 特許庁

Ag ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND Ag ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING Ag ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁