「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, Ni-W based alloy powder made by a gas-atomizing method, is used as raw material powder, and this is solidified and formed at 900-1150°C, for obtaining the sputtering target material containing 5-20 at% W and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

Almost of the film deposition particles produced by making Ar ion in the plasma incident to the sputtering target 52 are ionized by the plasma in the space over the sputtering target 52 to be made incident to the surface of a work W and then a highly oriented film free from damage is deposited on the work W by controlling the potential of the surface of the work W.例文帳に追加

このようなプラズマ中のＡｒイオンがスパッタ・ターゲット５２に入射することによって生じた成膜粒子は、スパッタ・ターゲット５２上空のプラズマによってそのほとんどがイオン化されてワークＷ表面に入射するので、ワークＷ表面の電位を調節することにより、ワークＷ上にダメージない高配向膜を形成することができる。 - 特許庁

For producing the Mo sputtering target material, an Mo stock is subjected to rolling at ≥70% rolling radio to obtain an Mo sheet having 99.5% relative density, which is subjected to heat treatment at 1,100 to 1,200°C and is recrystallized to obtain a sputtering target material composed of a Mo sheet having a structure of uniform grains of ≤100 μm.例文帳に追加

このＭｏスパッターリングターゲット材を製造するには、Ｍｏ素材から圧延加工率７０％以上の圧延加工を施して相対密度が９９．５％のＭｏ板を得、１１００℃〜１２００℃で熱処理し、再結晶させて１００μｍ以下の均粒な組織を有するＭｏ板からなるスパッターリングターゲット材を得ることによる。 - 特許庁

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated.例文帳に追加

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。 - 特許庁

In the sputtering target material comprising the Co-based metal magnetic phase and the oxide non-magnetic phase and having a relative density of ≥97%, the Co-based sputtering target material containing an oxide is characterized in that its is formed at a forming temperature of ≥1,000°C under a forming pressure of ≥500 MPa and the bending strength is ≥300 MPa.例文帳に追加

【解決手段】 Ｃｏ系金属磁性相と酸化物非磁性相よりなり、相対密度９７％以上のスパッタリングターゲット材において、成形温度１０００℃以上、成形圧力５００ＭＰａ以上で成形し、抗折強度が３００ＭＰａ以上であることを特徴とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The copper sputtering target material for a TFT comprises a copper material, and has a sputtering surface which consists of oxygen-free copper consisting of copper and inevitable impurities, or a copper alloy, and wherein a (111) surface occupancy proportion to a total of (111) surface, (200) surface, (220) surface, and (311) surface is at least 15%.例文帳に追加

本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

This manufacturing method includes a step of coating catalytic metal particles 23 on an ion-exchanged polymer membrane with a sputtering method, followed by a step of coating carbon particles 22 on this membrane with sputtering or arc discharge to form a catalyst layer 21 of nanoparticles, and succeeded by a step of bonding this membrane with the pole.例文帳に追加

水素イオン交換高分子膜上にスパッタリング法で触媒の金属粒子２３をコーティングする段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜上に炭素粒子２２をスパッタリングまたはアーク放電でコーティングしてナノ粒子の触媒層２１を形成する段階と、引き続きこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.例文帳に追加

スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14.例文帳に追加

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。 - 特許庁

The facing-target type sputtering method comprises: applying an electric power to a pair of targets 1 and 2 arranged in a vacuum vessel 6, to discharge them; controlling a flow rate of a reactive gas so that the targets can emit a predetermined level of light; and forming a reactive film by sputtering the targets.例文帳に追加

本発明に係る対向ターゲット式スパッタ方法は、対向する一対のターゲット１，２を真空容器６内に配置し、前記一対のターゲットに電力を印加して放電させ、前記ターゲットから発生する発光が所定の発光量になるように反応性ガスの流量を制御しながらスパッタリングにより反応性膜を成膜するものである。 - 特許庁

To provide a non-planar sputtering target for magnetron cathode sputtering of magnetic thin film, capable of eliminating waste of expensive ferromagnetic material, reducing the frequency of replacement of target, and causing no deposition of foreign particles, by reducing the magnetic permeability of at least part of the ferromagnetic material to a value lower than the intrinsic magnetic permeability of the material.例文帳に追加

磁性薄膜のマグネトロン陰極スパッタリングに使用するための非平面スパッタターゲットで、高価な強磁性材料を浪費せず且つターゲット交換頻度を低下し、異質粒子を被着しないターゲットを、この強磁性材料の少なくとも一部の透磁率をこの材料の固有透磁率より低くすることによって提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target embraces a step where, in the forming of an ingot by melting and casting a sputtering target material, a pan-shaped mold is filled with a molten metal as a raw material and unidirectional solidification is performed to localize the cavities formed in a cast metal phase in the upper surface layer.例文帳に追加

本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成するに際し、皿形鋳型に原料溶湯金属を充填し、一方向凝固を行うことによって鋳造金属相中に生成する巣を上部表面層に局在化させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a superconducting magnetic field generator in which arcade-like magnetic field distribution is widely formed in front of a superconductor, and plasma can widely be distributed in front of the superconductor, and which is advantageous for improving the use efficiency of a target even if the generator is applied to a sputtering device, and to provide an exciting method of the superconducting magnetic field generator and the sputtering device.例文帳に追加

アーケード状の磁場分布が超電導体の前面に広く形成され、超電導体の前面においてプラズマを広く分布させることができ、スパッタリング装置に適用する場合であっても、ターゲットの使用効率を高めるのに有利な超電導磁場発生装置、超電導磁場発生装置の励磁方法、スパッタリング装置を提供するにある。 - 特許庁

The substrate for flexible printed circuit is produced by providing a thin film layer of copper on a sheet-like substrate of aromatic polyamide film wherein a thin film layer principally comprising silicon oxide is interposed between the sheet-like substrate and the thin film layer of copper by sputtering and an underlying copper film is formed by sputtering.例文帳に追加

芳香族ポリアミドフィルムからなるシート状基材に銅の薄膜層を設けてなるフレキシブルプリント回路用基板であって、該シート状基材と該銅の薄膜層との間に酸化ケイ素を主成分とする薄膜層をスパッタリングにより介在せしめ、銅下地膜をスパッタリングで形成してなることを特徴とする、フレキシブルプリント回路用基板。 - 特許庁

An positive electrode layer is vapor-deposited or film-formed by sputtering on one side face of a sheet substrate 16, and a positive hole transport layer and a light-emitting layer are sequentially applied and film-formed on its positive electrode layer.例文帳に追加

シート基板１６の一側面に陽極層を蒸着あるいはスパッタ成膜し、その陽極層上に、正孔輸送層と発光層を順次塗布成膜するようにした。 - 特許庁

The surfaces 11a and 12a of the plate glasses 11 and 12 are coated with a low radiation rate transparent laminate 17 having a radiation rate of not higher than 0.1 by sputtering method to obtain a high heat-insulating performance.例文帳に追加

板ガラス１１，１２の面１１ａ，１２ａには、高い断熱性能を得るためにスパッタリング法により放射率０．１以下の低放射率透明積層体１７が被覆されている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the present invention, the flow rate ratio of noble gas and reactive gas used for the reactive sputtering method is adjusted according to a target threshold voltage of the MOSFET.例文帳に追加

本発明の製造方法では、反応性スパッタリング法で用いる希ガスと反応性ガスの流量比率を、目標とするＭＯＳＦＥＴの閾値電圧に応じて調整する。 - 特許庁

To provide a high-dielectric material suitable as a raw material for manufacturing a sputtering target having a uniform structure, a high density, and high strength, which is used for forming a high-dielectric film, and its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電体膜形成用の組織が均一で高密度かつ高強度のスパッタリングターゲットの製造原料として好適な高誘電体材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target material for forming the thin film is made of a metallic material including Ag as a main component and 0.1-3.0 wt.% Mo.例文帳に追加

本発明に係る薄膜形成用スパッタリングターゲット材は、Ａｇを主成分とし、Ｍｏを０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a low cost recycling method for a rare earth metal-transition metal alloy capable of obtaining powder having high performance, particularly, a recycling method suitable for a used sputtering target for a magnetooptical disk.例文帳に追加

安価で、得られる粉末の性能がよい、希土類金属−遷移金属合金のリサイクル方法、特に、使用済みの光磁気ディスク用スパッタリングターゲットに適したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

A silver thin film (thickness 50 nm) 2 and an SiO_2 film (thickness 10 nm) 7 are deposited in order on one side surface of a slide glass 1 by ion beam sputtering deposition, so that a supporting substrate for sample solution is formed.例文帳に追加

スライドガラス１の片面に、イオンビームスパッタ堆積法により銀薄膜（厚さ５０ｎｍ）２とＳｉＯ_２膜（厚さ１０ｎｍ）７を順に堆積したものを試料溶液の支持基板とする。 - 特許庁

The target member 1 for sputtering includes a target 2 to be sputtered having a projecting part 2A formed on the rear surface, and a retaining member 3 for the target 2 having a recessed part 3A which is engaged with the projecting part 2A.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット部材１は、裏面に凸部２Ａを有するスパッタリング用のターゲット２と、凸部２Ａが嵌合する凹部３Ａを有するターゲット２の保持部材３と、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method has a process for forming a metal thin film 60 having the thickness of 50 μm or below by sputtering on the surface of a core member 100 or on an intermediate layer forming the medical instrument.例文帳に追加

医療用具を構成するコア部材１００の表面または中間層に、スパッタリングにより、厚み５０μｍ以下の金属薄膜６０を形成する工程を有する製造方法。 - 特許庁

After the completion of the sputtering, a control part 7 controls a switching apparatus 6 to make the potential of the electrode 41 to be the grounded one, and electric charges remaining on the surface of the dielectric block 42 are diminished.例文帳に追加

スパッタリング終了後に、制御部７は切り替え器６を制御して電極４１を接地電位にし、誘電体ブロック４２の表面に残留する電荷を消滅させる。 - 特許庁

To provide a sputtering method capable of improving productivity without the need for adjusting a distance between target substrates even if an amount of erosion of the targets and the shape of a work change.例文帳に追加

本発明は、ターゲット侵食量、ワーク形状が変わってもターゲット‐基板間距離を調整する必要がなく生産性が向上できるスパッタリング方法を提供するものである。 - 特許庁

Grooves (131, 132, 133, 134, and 135) are formed on a conductive film (120) of ITO stuck by sputtering on a substrate (110) of glass of a fixed-side panel (100) through etching using a laser.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

To provide a sputtering system and a thin film deposition method by which an insulator thin film excellent in the uniformity of film thickness can be deposited over a wide range of a large substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、大型基板の広範囲にわたって膜厚均一性に優れた絶縁物薄膜を形成可能なスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供することにある。 - 特許庁

At this time, the partial pressure of a gas for sputtering discharge in a discharge space is set to be ≤1.3 Pa, and the distance between the target 2 and an ionizing space is controlled to be within two times of the mean free path of the partial pressure of the gas for spattering discharge.例文帳に追加

放電空間内のスパッタ放電用ガス分圧を１．３Ｐａ以下とし、ターゲット２からイオン化空間までの距離をスパッタ放電用ガス分圧のミンフリーパスの２倍以内とする。 - 特許庁

When a magnetic layer is film-deposited by a sputtering method, a Tb target and a target consisting essentially of Fe are respectively provided in symmetrical positions with respect to the revolution shaft of a substrate so as to be separated the most.例文帳に追加

コスパッタリングにより成膜する際にＴｂターゲットとＦｅを主成分とするターゲットを基板公転回転軸に対して、最も離れるように対称な位置に設ける。 - 特許庁

An A1SiCu film 12 formed on a laminate of an Si substrate 4, SiO2 6, Ti film 8 and so forth is formed by setting the pressure in a sputtering chamber at 0.5 mtorr or lower.例文帳に追加

Ｓｉ基板４、ＳｉО_２６、Ｔｉ膜８等を積層した上に形成するＡｌＳｉＣｕ膜１２を、スパッタチャンバー内の圧力を０．５ｍｔｏｒｒ以下として形成することとした。 - 特許庁

To obtain a surface analyzer by which the composition in the depth direction from the surface of a sample can be analyzed with high accuracy over the whole sputtering region on the surface of the sample.例文帳に追加

試料表面のスパッタ領域全域にわたって試料表面からの深さ方向における高精度な組成分析を行うことができる表面分析装置を提供すること。 - 特許庁

When performing the sputtering, the magnetic field forming unit 50 is rocked by a rocking device 56 to move the magnetic field formed on the surface of the target 15 in the right-to-left direction.例文帳に追加

スパッタリングを行う際には揺動駆動装置５６によって磁界形成部５０を揺動させて、ターゲット１５の表面上に形成されている磁界を左右へ移動させる。 - 特許庁

Then, at the time when the variation value of the total pressure in a vacuum vessel 1 detected by a vacuum vessel total pressure variation detection part 31 reaches prescribed value or below, sputtering for film deposition is started.例文帳に追加

そして、真空容器全圧変動検出部３１で検出される真空容器１内の全圧の変動値が所定値以下となったとき、成膜のためのスパッタリングが開始される。 - 特許庁

The deposit rate of particles that are generated in a sputtering device by heating and deposited on the titanium film 1 is increased, and pinholes 2 opening up due to the separation of the particles are decreased in number.例文帳に追加

また加熱によりスパッタ装置内で発生するパーティクルとの熔着率が増加して、その後のパーティクルの脱落によるチタン膜１におけるピンホール２の発生数が減少する。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated material enhanced in gas barrier properties without being damaged in transparency when a gas barrier layer is formed on a base material by a sputtering method.例文帳に追加

基材上に、スパッタリング法によってガスバリア層を形成した場合に、透明性を損ねることなく、ガスバリア性の向上したガスバリア性積層材を提供することを目的とする。 - 特許庁

To solve the problem that it is liable to cause an abnormal discharge since a magnet assembly is continuously moved during film deposition to swing plasm in front of a target in the conventional magnetron sputtering system.例文帳に追加

従来のマグネトロンスパッタリング装置では、成膜する間、磁石組立体を連続して移動させていたので、ターゲット前方のプラズマが揺らぎ、異常放電が発生し易くなる。 - 特許庁

To provide a glass member with optical multilayer film capable of preventing the occurrence of film cracking and peeling upon the cutting or the like of an optical multilayer having a compression stress due to sputtering process or the like.例文帳に追加

光学多層膜付きガラス部材において、スパッタリング法等による圧縮応力を有する光学多層膜の切断時等における膜クラックや膜剥がれの発生を抑制する。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a material containing an oxide having a homologous structure containing ZnO as a principal component, to which the oxide(s) of one or two kinds of elements selected from Ta and Y are added.例文帳に追加

ZnOを主成分とするホモロガス構造を有する酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A metallic thin film is formed on a surface of a semiconductor ceramic sintered body having a negative temperature characteristic of resistance by a vapor deposition or sputtering method, followed by a thermal treatment in an atmosphere.例文帳に追加

負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック焼結体の表面に、蒸着又はスパッタリング法により金属薄膜を形成し、その後、大気中で熱処理する。 - 特許庁

Among sputtering particles to pass through the particle passage 130, only neutral particles can go straight on, thus a sputtered film is formed on the surface of the organic thin film in an object for film formation.例文帳に追加

粒子通路１３０を通過しようとするスパッタリング粒子の中で、中性粒子だけが直進でき、それにより、成膜対象物の有機薄膜表面にスパッタ膜が形成される。 - 特許庁

To provide a sputtering device which forms film with uniform thickness on the surface of the substrate having a large aspect ratio of a step part and enables rapid film forming.例文帳に追加

段差部のアスペクト比が大きな基板の表面に対して、従来よりもより一層均一な膜厚を形成することができ、しかも、迅速な成膜処理が可能なスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

The method has a deposition step of forming a reflecting film with compressive stress of 700 to 2,000 MPa on the end surface of a semiconductor laser body by the ECR sputtering method.例文帳に追加

半導体レーザ本体の端面上に、７００〜２０００ＭＰａの圧縮応力を内包する反射膜を、ＥＣＲスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

A sputtering anode is disclosed wherein the anode is in the form of a container or vessel; and, wherein the conductive surface communicating with a cathode is the inside surface of the container or vessel.例文帳に追加

アノードがコンテナすなわち容器の形態であり、かつカソードと連絡する導電性表面がこのコンテナすなわち容器の内部表面であるようなスパッタリング・アノードを開示する。 - 特許庁

The present invention relates to the ferroelectric thin film element having high crystallinity, good surface roughness and remarkably improved deposition efficiency through on-axis type sputtering, and to the method of manufacturing it.例文帳に追加

オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A ZnO target 28 which is the raw material of the thin film is sputtered using a magnetron sputtering device to form the flow of the raw material (raw material flow) from a cathode 23 to an anode 24 in a plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット２８をスパッタし、プラズマ中に陰極２３から陽極２４に向かう原料の流れ（原料流）を形成する。 - 特許庁