「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a stud and a welding method by which high welding strength can be obtained by preventing sputtering and needing no extra space without using an arc in resistance stud-welding.例文帳に追加

抵抗スタッド溶接において、アークを利用せず、スパッタを防止して、かつ余分なスペースを必要とせず、良好な溶接強度も得られるスタッドおよび溶接方法を提供すること。 - 特許庁

A wafer W on which a lower conductor film of a metal oxide is formed is sputtered in the sputtering system 1 to form a ferroelectric film on the lower conductor film.例文帳に追加

そして，金属酸化物からなる下部導電体膜の形成されたウェハＷが，前記装置１においてスパッタ処理され，下部導電体膜上に強誘電体膜が形成される。 - 特許庁

To execute drift correction correctly, even if a sample surface shape is changed by ion sputtering onto a sample at the time of analysis of the sample.例文帳に追加

試料分析時に試料がイオンスパッタされて、試料表面形状が変化しても、ドリフト補正が正しく行われる試料分析方法および電子線分析装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly durable visible ray reflection film in which the adhesion between a base coat and silver sputtering layer can be improved and the corrosion resistance of the silver sputter layer can be enhanced.例文帳に追加

ベースコートと銀スパッタ層との間の密着性を向上させ、銀スパッタ層の耐腐食性を高めることができる耐久性に優れた可視光線反射フィルムを提供すること。 - 特許庁

Next, a Bi_2Te_3 thin film 4 is formed on the first film 3 as a second film by sputtering method until a total film thickness of the first film plus the second film becomes about 1 μm.例文帳に追加

次に、第１膜３上にスパッタリング法を用いて第２膜としてＢｉ_２Ｔｅ_３薄膜４を第１膜と第２膜とを合わせた膜厚が１μｍ程度になるまで形成させる。 - 特許庁

A film formed on the glass substrate or a silicon wafer using the wiring material through sputtering process shows a sufficiently low electric resistance and a strong adhesion strength to the substrate.例文帳に追加

このような構成の配線材料をスパッタ法によってガラス基板やシリコンウェハ上に成膜したところ、電気抵抗が十分に低く、かつ、基板との強い密着強度が観察された。 - 特許庁

To provide a high-purity Ta material for a semiconductor device, which makes the thickness of a TaN film formed with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of decreasing a generation of splashing upon depositing by using an Al-Ni-La-Cu-based Al alloy sputtering target containing Ni, La, and Cu.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device for forming a multilayer film simultaneously capable of improving production efficiency and the quality of the film, miniaturizing the device, reducing cost and improving maintainability.例文帳に追加

生産効率の向上、膜の高品質化、装置の小型化・低価格化、およびメンテナンス性の向上を同時に可能とする多層膜成膜用のマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous laser cutter by keeping the moving precision or durability of the cutter as the result of reducing the range of sputtering during grooving.例文帳に追加

溝付与の際飛散するスパッタの飛呈を小さくすることができ、結果として切断装置の移動精度や耐久性を保持して工業的に有利なレーザ切断装置を提供すること。 - 特許庁

In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.例文帳に追加

表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁

To constitute a sputtering apparatus using an AC power source in such a manner that electric power can be applied with high precision without depending on the distance between the installation place thereof and the installation place of the AC power source.例文帳に追加

交流電源を用いたスパッタリング装置を、その設置場所と交流電源の設置場所との間の距離に依存せず、精度の良く電力投入できるように構成する。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for reducing resistance in a process temperature region of a wiring film of a flat display device or the like, and a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which is stably driven by a single and relatively inexpensive power source, and can impart particles of high incident energy onto a surface of a substrate.例文帳に追加

単一の比較的安価な電源で安定して駆動され、且つ基体表面に高い入射エネルギーの粒子を付与することが可能なスパッタリング装置を提供しようというものである。 - 特許庁

A DC magnetron sputtering system 22 for depositing an intermediate layer on an Si film on a substrate S is provided with a gaseous oxygen supplying section 27 for supplying gaseous oxygen into a chamber 10.例文帳に追加

基板Ｓ上にＳｉ膜の中間層を成膜するＤＣマグネトロンスパッタ装置２２には、チャンバ１０内に酸素ガスを供給する酸素ガス供給部２７が設けられている。 - 特許庁

Plural sputtering sources 12 respectively having a target 15 and respectively workable independently are provided, and the plural targets 15 are arranged around the rotary axial center O of the center mask 11.例文帳に追加

それぞれがターゲット１５を有しそれぞれが独立して稼働可能な複数のスパッタ源１２を設け、複数のターゲット１５をセンターマスク１１の回転軸心Ｏの周りに並べて配置する。 - 特許庁

This allows high-speed deposition of the titanium oxide thin film without reduction of deposition speed even when sufficient oxygen is introduced, unlike conventional sputtering which is switched to an oxide mode to reduce deposition speed.例文帳に追加

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化チタン薄膜の高速成膜が可能となる。 - 特許庁

SOLAR CELL HAVING CONSTITUENT LAYER OF (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER AND ZnO-Al2O3-BASED SPUTTERING TARGET USED FOR FORMING THE (Zn, Al)O-BASED TRANSPARENT ELECTRODE LAYER例文帳に追加

（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系スパッタリングターゲット - 特許庁

The positive electrode 31 contains the positive electrode material having lithium composite compound particles and a covering layer formed by a barrel sputtering method and covering the lithium composite compound particles.例文帳に追加

正極３１は、リチウム複合化合物粒子と、バレルスパッタ法により形成され、このリチウム複合化合物粒子を被覆する被覆層とを有する正極材料を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering indium hydroxide or indium from a scrap containing high purity indium oxide generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target.例文帳に追加

ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから水酸化インジウム又はインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁

Helium is introduced into the atmosphere at the film deposition of transparent electrode by DC sputtering using indium oxide and tin oxide as a target while varying the flow rate of helium.例文帳に追加

インジウムとスズの酸化物をターゲットに用いた直流スパッタによる透明電極の成膜時の雰囲気中に、ヘリウムの流量を変化させて導入することを特徴とする。 - 特許庁

The photocatalyst comprises coating the substrate side with titanium dioxide and the surface thereof with an amorphous denseness calcium phosphate thin film on the surface of the substrate using a sputtering process.例文帳に追加

基材表面上にスパッタリング法を用いて、基材側に二酸化チタン、その表面にアモルファス緻密リン酸カルシウム薄膜がコーティングされていることを特徴とする光触媒。 - 特許庁

A photocatalyst film 30 is formed by depositing a layer containing tangusten oxide, aluminum oxide, niobium oxide or zirconium oxide and a titania layer on the layer by a coating 50 such as sputtering.例文帳に追加

スパッタリング等のコーティング５０により酸化タングステン、酸化アルミニウム、酸化ニオブ又は酸化ジルコニウムを含む層及びその上を覆ってチタニア層を堆積し光触媒フィルム３０を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating the information recording medium includes a step of forming nanorod recording layers on a substrate by sputtering using a mask having a prescribed aspect ratio and a nanorod pattern.例文帳に追加

基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

The multilayer film mirror formed by the sputtering method is characterized in that a multilayer film of the multilayer film mirror contains <0.005 atm% sputter (process) gas.例文帳に追加

スパッタ法で形成した多層膜ミラーであって、前記多層膜ミラーの多層膜中に含まれるスパッタ(プロセス)ガスの含有量が0.005atm％未満であることを特徴とする多層膜ミラー。 - 特許庁

Also the reflection preventing layer is constructed by laminating a plurality of optical thin film layers with mutually different refractive indexes, and is formed by using a sputtering method under the pressure atmosphere of ≥0.5 Pa to ≤2.0 Pa.例文帳に追加

また、反射防止層が、屈折率の異なる光学薄膜層を複数積層してなり、０．５Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の圧力雰囲気下においてスパッタリング法を用いて形成する。 - 特許庁

To provide an alloy for a seed layer of an Ni-Fe-Co-based magnetic recording medium used as a seed layer for a perpendicular magnetic recording medium, and a sputtering target material.例文帳に追加

本発明は、垂直磁気記録媒体におけるシード層として用いるＮｉ−Ｆｅ−Ｃｏ系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

Further, by the hot isostatic pressing, a sputtering target of near final shape having a density of at least 96% of theoretical value and a thickness-to- radius ratio of at least about 3 can be obtained.例文帳に追加

また熱間静水圧成形では、理論値の少なくとも９６％の密度と、少なくとも約３の厚さに対する半径の比とを有するほぼ最終形状のスパッタ・ターゲットを得る。 - 特許庁

To provide a method for machining a compacted article formed by filling a raw material powder into a metal container and applying hot compaction, particularly a method for machining a sputtering target material.例文帳に追加

本発明は、金属製の容器に原料粉末を充填し、熱間固化成形した成形体の機械加工に関し、特にスパッタリングターゲット材の機械加工方法を提供する。 - 特許庁

During use, the mask 110 is positioned in close proximity or in contact with the substrate 105 so as to expose only portions of the substrate 105 to processing, e.g., deposition, sputtering or etch.例文帳に追加

使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。 - 特許庁

A sample chip is cut out from a metal ingot of a target material for sputtering, the cut out sample is then subjected to a hydrogenation treatment, and the internal defects of the sample subjected to the hydrogenation treatment are inspected.例文帳に追加

スパッタリング用ターゲット材料の金属インゴットからサンプル片を切り出し、切り出された上記サンプル片を水素化処理し、水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥を検査する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of manufacturing the magneto-optical recording medium of high recording density using magnetic super high resolution technology with high mass productivity, and further provide a sputtering system.例文帳に追加

磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法とスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method.例文帳に追加

高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。 - 特許庁

To provide a set of nails serviceable with a conventional nailing machine, capable of lessening the frequency of metal wire sputtering when nail is to be driven, and managing without heightening of the coupling cost.例文帳に追加

従来から使用されている釘打機での使用が可能であり、釘の打ち込み時の金属ワイヤの飛散の頻度を少なくするとともに、連結コストを高くしない連結釘を提供する。 - 特許庁

To provide a rotating anode X-ray tube which enables the deformation or slackness of a rotating anode member to be suppressed and to prevent the occurrence of evaporation or sputtering of solders which connect the rotating anode members.例文帳に追加

高温度になっても回転陽極の各部材の変形や緩み、接合部のろう材の蒸発・飛散が発生しないように改善した回転陽極Ｘ線管を提供する。 - 特許庁

To develop an industrially and economically attractive method capable of producing an Al or Al alloy based tubular sputtering target with an integrated structure for covering a TFT (thin film transistor) display.例文帳に追加

ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること - 特許庁

Again, the sample stand 3 and the thin film specimen are introduced into the measuring chamber of AES held to a superhigh vacuum state and, while the sample stand 3 is rotated, ion sputtering of about 100 Å is performed.例文帳に追加

再び、超高真空に保たれたＡＥＳの測定室に試料台３、及び薄膜試料を導入し、試料台３を回転させながら１００Å程度イオンスパッタを行う。 - 特許庁

A soft magnetic backing layer is film-formed on a nonmagnetic substrate, and, a seed film with a composition composed of Cu and Ge is film-formed thereon using a sputtering target whose composition is composed of Cu-Ge.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。 - 特許庁

To stabilize a sputtering rate by preventing abnormal discharge, to suppress the formation of particles caused by abnormal discharge, and to prevent the transition of stable thin films of metal oxide into metal films.例文帳に追加

異常放電を防止してスパッタレートを安定させ、異常放電によるパーティクルの発生を抑制し、安定した金属酸化物の薄膜からメタル膜への遷移を防止すること。 - 特許庁

When the obtained shutter is built in a TiN sputtering film forming device, and used, the film is peeled at the timing when the adhered and grown TiN thick film reaches 1.3 mm in thickness.例文帳に追加

得られたシャッターをＴｉＮのスパッタ成膜装置に組み込んで使用したところ、付着し成長したＴｉＮ厚膜が厚さが１．３ｍｍになった時点で剥離が発生した。 - 特許庁

At first, an aluminum film with about 2.5 μm film thickness is formed on a glass substrate 7 with vapor deposition, sputtering or the like and subsequently is patterned with photoetching or the like to form anodes A and cathodes K.例文帳に追加

まずガラス基板７上に膜厚約２．５μｍのアルミニウム膜を蒸着やスパッタリングなどにより形成した後、フォトエッチング等でパターニングして陽極Ａ及び陰極Ｋを形成する。 - 特許庁

A mask 24 is attached to one surface of a glass substrate 22 to be used as the back face side of a color filter having an ITO film on the back face, and ITO is deposited by sputtering from a target 23.例文帳に追加

裏面ＩＴＯ膜付カラーフィルタとして裏面側となるガラス基板２２の一方表面に、マスク２４を装着して、ターゲット２３からスパッタリングでＩＴＯを付着させる。 - 特許庁

To provide an electronic device which prevents a brazing filler material joining a lid and a metallized layer from flowing out or sputtering to a mounting part, and is excellent in operation of electronic components and reliability of hermetic seal.例文帳に追加

蓋体とメタライズ層とを接合するろう材の搭載部への流れ出しや飛び散りが抑制された、電子部品の作動や気密封止の信頼性に優れた電子装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric substrate comprises the steps of forming a protective film having a lattice-like exposure part of a predetermined width by vapor-depositing or adhering by sputtering gold thin films on both side surfaces of the AT cut crystal substrate, and patterning the gold thin films.例文帳に追加

ＡＴカット水晶基板の両面に金薄膜を、蒸着、あるいはスパッタで付着、パターン化し、所定幅の格子状露出部を有する保護膜を形成する。 - 特許庁