「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a sputtering target for EL element manufacture includes: a mixing step of obtaining a mixture by mixing at least bivalent-metal sulfide, trivalent metal, and sulfide of a light-emitting center element; a formation step of obtaining moldings by molding the mixture; and a sintering step of obtaining the sputtering target for EL element manufacture by sintering the moldings.例文帳に追加

ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magneto-optical recording medium formed by stacking a plurality of magnetic layers, at least two of magnetic layers are manufactured by sputtering the same target means in the same vacuum tank under a different condition at a sputtering process depending on the respective element composition ratio and/or magnetic characteristics.例文帳に追加

複数の磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリングすることにより造り分けることが可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal alignment layer is produced by a long throw sputtering method including steps of mounting a substrate on a substrate carrier in a chamber, bombarding and sputtering a target above the substrate with a high-density plasma to produce a sputtered substance, and applying a bias voltage in the chamber to deposit the sputtered substance along a nearly normal direction onto the substrate surface to form an alignment layer.例文帳に追加

ロングスロースパッタリング法で液晶配向膜を製作する方法は、基板をチャンバー内の基板キャリアに乗せ、高密度プラズマで基板の上方にあるターゲットをスパッタリング衝撃してスパッタ物質を生成発生し、チャンバー内でバイアス電圧を印加提供してスパッタ物質を垂直に近い方向に沿って基板表面に堆積させて液晶配向膜を形成するなどのステップを含む。 - 特許庁

To provide a metal mask for sputtering with the grid part used when forming a transparent electro-conductive film formed on a color filter layer sequentially forming colored layers after forming a black matrix on a transparent substrate, wherein a sagging area width of film thickness of an transparent conductive film electrode is made narrower by changing a shape of a grid part of the metal mask for sputtering.例文帳に追加

透明基板上にブラックマトリックスを形成後、着色層を順次形成たカラーフィルタ層上に形成する透明導電膜の形成時に用いる格子部を有するスパッタ用メタルマスクにおいて、スパッタ用メタルマスクの格子部の形状を変更することでこの透明導電膜の電極の膜厚ダレのエリア幅をより狭くするスパッタ用メタルマスクを提供することである。 - 特許庁

To manufacture a sputtering target consisting of titanium dioxide, which is suitable for direct current voltage sputtering, that is, has an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, (preferably, less than 1 Ωcm), and which can be manufactured by a particularly inexpensive method to be simply operated with an easy handling technique, so as to be produced with a large number of fragmentations.例文帳に追加

二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が５Ωｃｍ未満である（が、しかし、好ましくは１Ωｃｍ未満である）ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。 - 特許庁

To provide a cylindrical sputtering target in which a bonding surface of a cylindrical ceramics target material is subjected to electrolytic reduction to form a metal layer which is used as an underlayer, thereby a sufficient bonding rate and strength can be attained only by solidification through cooling without pressing the bonding part during bonding, and peeling off or cracking caused by the effects of heat during sputtering does not occur.例文帳に追加

円筒形のセラミックスのターゲット材の接合面を電解還元することによって金属層を形成させ、これを下地層とすることによって、接合の際に接合部を押圧しなくても、冷却固化させるだけで、十分な接合率および強度が得られ、かつスパッタリング中の熱の影響で剥離や割れのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film forming method by sputtering in which a film, in particular a reflection film having a desired reflectivity is stably formed by sputtering over a long time, having a superior workability, durability and a high photoelectric conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of a photovoltaic device by using the film.例文帳に追加

長時間にわたるスパッタ成膜においても安定で良好な成膜が可能となり、所望の反射率を有する反射膜を安定して成膜することができ、加工性及び耐久性に優れ、安定して高い光電変換効率を達成することが可能なスパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a film made of a compound of materials which are different from materials of a substrate on the surface of a substrate through reactive sputtering method, while a compound of materials of which the substrate is made is not formed on the substrate surface.例文帳に追加

基板表面に基板を構成する材料の化合物を形成することなく、基板とは異なる材料の化合物からなる膜を、基板表面に反応性スパッタ法で形成する。 - 特許庁

This sputtering apparatus has a carousel type substrate holder, and upper and lower magnetic fields parallel to each other, and efficiently deposits two kinds of thin film alternating layers by simultaneously inverting the magnetic fields with respect to upper and lower targets.例文帳に追加

カルーセル型基板ホルダーをもち、上下に軸に平行磁場を有し、上下のターゲットを同時に磁場を反転する事により、２種類の薄膜交互層を効率よく成膜できるスパッター装置。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which shortens the cooling period of time and improves the efficiency of the apparatus, by cooling not only the wafer stage of a heat source but also the inside of a chamber at the same time.例文帳に追加

熱源であるウェーハステージのみならず、チャンバ内も同時に冷却することにより、冷却時間を大幅に短縮し、装置の稼働率を大きく向上させたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

When depositing the thin film by sputtering, sputter gas to which gaseous oxygen is added is used and an oxygen-introducing layer is formed on the adhesion surface side of the thin film by the gaseous oxygen to increase the adhesion force of the thin film.例文帳に追加

薄膜をスパッタ成膜する際に、酸素ガスを添加したスパッタガスを用い、この酸素ガスにより薄膜の付着面側に酸素導入層を形成して薄膜の付着力を強化する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming the dielectric protective film of an optical recording medium consisting of a sintered body composed mainly of zinc sulfide and a dielectric protective film of an optical recording medium composed mainly of zinc sulfide.例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とする焼結体からなる光記録媒体誘電保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび硫化亜鉛を主成分とする光記録媒体誘電保護膜を提供する。 - 特許庁

To provide a cold-cathode fluorescent lamp capable of reducing wear of mercury and realizing a longer life through restraint of sputtering by discharge, in spite of a small-diameter light-emitting tube with large lamp current.例文帳に追加

ランプ電流が大きく、発光管が細径であっても、放電によるスパッタリングを抑制して水銀の消耗を低減でき長寿命化が実現できる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the service life of a target is judged by measuring the consumption of the target without breaking a vacuum in the inside of a treatment chamber and where various automatic control can be performed.例文帳に追加

処理室内の真空を破ることなくターゲット消耗量を実測して、ターゲット寿命の判定をするとともに、各種の自動制御をすることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system where the outer circumferential edge part of a target can be uniformly eroded, the utilizing efficiency of the target is high, further, abnormal discharge is hard to be generated, and satisfactory thin film deposition can be performed.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a device of an organic electroluminescence element wherein the invasion of moisture, oxygen or the like from the outside can be prevented by forming a protective film by a sputtering method which can reduce plasma damages.例文帳に追加

プラズマダメージを少なくできるスパッタリング法により保護膜を成膜して外部からの水分や酸素等の侵入を防止できる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an effective production method for a sputtering target large in scale and also having a fully homogenous fine structure, without a conventional process requiring long term and high-load energy.例文帳に追加

長時間かつエネルギー高負荷的な従来の圧延工程を要せずして、大型でかつ良好な均一微細組織を有するスパッタリングターゲットを製造するための効率的な方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a PDP in which the scraping of a protection layer caused by sputtering at preserved discharging is suppressed while achieving high discharge efficiency, and which has a long life and high reliability, and a PDP device.例文帳に追加

高い放電効率を達成しながら、維持放電時のスパッタリングによる保護層の削れを抑え、長寿命で且つ高い信頼性を有するＰＤＰおよびＰＤＰ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a light-shielding film to form a black matrix to be deposited in the process of manufacturing a color panel of a liquid crystal display or the like and to provide a sputtering target to form the light-shielding film.例文帳に追加

液晶ディスプレーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびそのを遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A conductive film 7 is formed on the back side of a wafer 1 by sputtering, such that a lattice-shaped region, an island-shaped region 8 and a pit-shaped region are formed separately by at least one chip-forming region basis.例文帳に追加

スパッタリングにより裏面に導電膜７を成膜する際にウェーハ１上に格子状、島状８、ピット状などの形状で少なくとも１つのチップ形成領域毎に分離して形成する。 - 特許庁

To provide a vapor depositing target free from the generation of abnormal dischrge (arcing) in the process of sputtering film formation and imparting good film characteristics and to provide a method for efficiently producing a vapor depositing target.例文帳に追加

スパッタリング成膜中に異常放電（アーキング）が発生せず、良好な膜特性を付与する蒸着ターゲットを提供すること及び該蒸着ターゲットを効率的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To enable deposition of metal compound which has crystallization promoting function, optical characteristic, and adhesion to a recording medium for a sputtering target used for deposition of interface film of phase change recording medium.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の成膜等に用いられるスパッタリングターゲットにおいて、結晶化促進機能、光学的特性、記録膜との密着性をもった金属化合物膜の成膜を可能にする。 - 特許庁

Preferably, by a low energy sputtering method under a sputter voltage of -50 to -300 V, film deposition is performed in such a manner that the film thickness of the metallic thin film (2) is controlled to 1 to 50 nm, and the film thickness of the ceramic thin films (3 and 4) is controlled to 10 to 500 nm.例文帳に追加

好ましくは、スパッタ電圧−５０〜−３００Ｖの低エネルギースパッタ法により、金属薄膜（２）は膜厚１〜５０ｎｍに、セラミック薄膜（３，４）は膜厚１０〜５００ｎｍに成膜する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Co-type sputtering target material of low magnetic permeability for magnetic recording medium by which the deposition of a high-performance thin film is made possible without deteriorating the magnetic properties of the thin film.例文帳に追加

薄膜の磁気特性を劣化させることなく、高性能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The amorphous metal 3 may be deposited on at least one of the first joined member 2 and the second joined member 4 by using one of a sputtering method, a deposition method, a plating method, a printing method, a thermal spray method and an injection method.例文帳に追加

アモルファス金属３を、スパッタ、蒸着、鍍金、プリンティング、溶射、及び噴射の何れかの方法で第１の被接合部材２及び第２の被接合部材４の少なくとも一方に堆積してもよい。 - 特許庁

The surface-treated product is characterized in that the surface of an object 3 to be treated such as a bolt and a nut is covered with a thin film composed of a corrosion resistant substance or a sacrificial substance by a sputtering process.例文帳に追加

本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によってボルトやナット等の被処理体３の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜が被覆されたことを特徴とする。 - 特許庁

A peeling layer is formed by the sputtering target 5, and by film deposition by an arc evaporation source 4 while introducing reactive gas and film deposition by vapor deposition from the crucible 3, a dielectric stacked film is formed.例文帳に追加

スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。 - 特許庁

Then, a plurality of electrode films 142 that form the body of the lower electrode of TFD 13 are formed along the line on the surface of the wiring film 141, by using the mask sputtering method and the droplet discharge method.例文帳に追加

次に、この配線膜１４１の表面に、マスクスパッタ法や液滴吐出法を用いて、ＴＦＤ１３の下電極の本体部となる電極膜１４２を前記ラインに沿って複数形成する。 - 特許庁

In ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING In ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION例文帳に追加

再生専用光情報記録媒体用Ｉｎ合金反射膜、再生専用光情報記録媒体および再生専用光情報記録媒体用Ｉｎ合金反射膜形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

Sn ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING Sn ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM FOR ONLY REPRODUCTION例文帳に追加

再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜、再生専用光情報記録媒体および再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁

To reduce sputtering in glow/arc transfer, to shorten transfer time and to miniaturize a lighting device by lowering starting voltage.例文帳に追加

グロー・アーク転移におけるスパッタリングを低減し、転移時間を短くするとともに、始動電圧を低下して点灯装置の小形化を図れる高圧放電ランプおよびこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering target consists of zinc oxide wherein 0.5-8 atom% Al and 0.003-0.5 atom% Ce are doped, and the amount of carbon contained as inevitable impurities is limited to be ≤40 ppm.例文帳に追加

Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｃｅ：０．００３〜０．５原子％をドープした酸化亜鉛からなり、不可避不純物として含まれる炭素が４０ｐｐｍ以下に限定されていることを特徴とする。 - 特許庁

To develop and provide a new stock of Mo-Al and W-Al alloy sputtering targets small in the generation of problems by paying attention to high m.p. metal as a countermeasure against hillocks and voids.例文帳に追加

ヒロックやボイドの対策として高融点金属に着目し、問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供することにある。 - 特許庁

A coating machine for coating a substrate by means of sputtering, comprises a process chamber and, in the process chamber, targets 3, 3' from which target material is sputtable in the direction of the substrate for coating the substrate.例文帳に追加

スパッタリングによって基板をコーティングするためのコーティング機はプロセスチャンバを備えており、プロセスチャンバ内では、基板をコーティングするために、ターゲット３，３’からターゲット材料を基板の方向にスパッタ可能である。 - 特許庁

The tungsten target of sintered compact for sputtering has ≥99% relative density, ≤100 μm average particle size, ≤20 ppm oxygen content and ≥500 MPa transverse rupture strength.例文帳に追加

相対密度９９％以上、平均粒径１００μｍ以下、酸素含有量２０ｐｐｍ以下、抗折力が５００ＭＰａ以上であることを特徴とするスパッタリング用タングステン焼結体ターゲット。 - 特許庁

The fixing means 2 where the floppy disk base 1 is fixed is transferred to a filming chamber 12 adjacent to the inside of the vacuum chamber 11, where a magnetic film is formed by sputtering on the floppy disk base 1.例文帳に追加

フロッピーディスク支持体１が固定された固定手段２を真空室１１内に隣接する成膜室１２に移動し、成膜室１２内でフロッピーディスク支持体１にスパッタ法により磁性膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a high-density Mg- containing ITO sputtering target at a low cost by which cracking during a manufacturing process can be suppressed and high yield can be attained.例文帳に追加

製造工程中にクラックが発生するのを抑制し高い歩留まりを達成することができ、安定的に低コストで高密度なＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal film, which can inexpensively form the metal film and a metal pattern on an arbitrary substrate, and can solve a problem of a sputtering method; the metal film; and an application thereof.例文帳に追加

任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができ、スパッタリング法の問題点を解決しうる金属膜の製造方法、金属膜およびその利用を提供する。 - 特許庁

The marker is exposed when the coating film is removed gradually by sputtering with laser beam and detected based on the difference of optical properties thus determining the end of lifetime of the coating disc.例文帳に追加

イオンビームがこのコーティング膜をスパッタリングすることにより徐々に削られマーカーが露出するが、このマーカーの露出は、光学的性質の違いにより検知でき、コーティングディスクの寿命を意味する。 - 特許庁

The protecting layer which is mainly composed of a zinc oxide, a niobium oxide and a tantalum oxide but not of a zinc-sulfide system and has a zinc-oxide content of 50 to 90 mol% is formed by sputtering without gaseous oxygen addition.例文帳に追加

硫化亜鉛系でない、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタルを主成分とし、酸化亜鉛含有量が５０〜９０モル％である保護層を酸素ガス添加無しのスパッタ法により成膜する。 - 特許庁

To provide a sintered target for sputtering for depositing a W (tungsten) thin film which extremely reduces the production of particles and a P (phosphorus) containing powder suitable for use as a raw material powder for manufacturing the same.例文帳に追加

パーティクル発生のきわめて少ないＷ（タングステン）薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲットおよびこれの製造に原料粉末として用いるのに適したＰ（リン）含有Ｗ粉末を提供する。 - 特許庁

An n-contact electrode 31 is formed through deposition and lift-off, and a p-contact electrode 21 made of a silver alloy layer, having a film thickness 400 nm and containing Pd and Cu, is formed by sputtering and lift-off.例文帳に追加

蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。 - 特許庁

The sputtering target material for forming an Ag alloy film for electronic parts contains, by atom, 0.1 to 0.5% Sm and Au and/or Cu by 0.1 to 1.0% in total, and the balance substantially Ag.例文帳に追加

また、Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜１．０ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなる電子部品用Ａｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

By using a III-nitride light emitting diode LED and a manufacture method thereof, a magnetic metal layer in a conversion III-nitride LED is formed by a method of thermal evaporation, e-beam evaporation, ion sputtering, or electroplate.例文帳に追加

本発明のIII−ニトリドＬＥＤおよびその製造方法は、熱蒸着、ｅビーム蒸着、イオンスパッタリングまたは電気めっきにより従来のIII−ニトリドＬＥＤに磁性金属層を形成する。 - 特許庁

A copper film is deposited on the copper film 17 by sputtering to fill a recessed part (wiring channel 15), and an excessive copper film and titanium nitride film other than the wiring channel 15 are removed by a CMP method to form a wiring.例文帳に追加

さらに銅膜１７上にスパッタ法により銅膜を堆積して凹部（配線溝１５）を埋め込み、配線溝１５以外の余分な銅膜、窒化チタン膜をＣＭＰ法により除去して配線を形成する。 - 特許庁