「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

A Cu-Mn alloy sputtering target for forming the copper alloy wiring of the semiconductor contains: 0.05-20 wt.% of Mn; ≤500 wt.ppm in total of Be, B, Mg, Al, Si, Ca, Ba, La, and Ce; and the balance being Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ，Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

In this method for depositing an ITO transparent electrically conductive film on the surface of a substrate 14 by a sputtering method, a light irradiating stage of irradiating ultraviolet rays for assist is included.例文帳に追加

スパッタリング法により基板１４表面にＩＴＯ透明導電膜を形成する方法であって、アシスト用紫外光線を照射する光線照射工程を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

The ITO target including calcium manufactured by the method can reduce a number of times nodules and arcs are generated during sputtering, thereby growing a film which is able to be used for a long period of time.例文帳に追加

本発明のＩＴＯターゲットの製造方法を用いて製造されたカルシウムが含まれたＩＴＯターゲットは、スパッタリングノジュールおよびアークの発生が減少して長期間の成膜が可能とある。 - 特許庁

To obtain a zinc oxide based target with a low resistance satisfying ≤10^-3Ωcm usable for producing a zinc oxide based thin film with a high resistance satisfying ≥10^7Ωcm using a DC sputtering process.例文帳に追加

直流スパッタリング法を用いて、１０^７Ωｃｍ以上の高抵抗の酸化亜鉛系薄膜を作製するために使用できる１０^−３Ωｃｍ以下の低抵抗の酸化亜鉛系ターゲットを得る。 - 特許庁

A front foundation layer 11 and a rear foundation layer 17 are formed at both the sides of a base substrate by sputtering, and a front lower-layer pattern 13 and a rear lower-layer pattern 19 are formed on each surface by electroplating.例文帳に追加

ベース基板３の両側にスパッタリングにより表下地層１１及び裏下地層１７を形成し、各々の表面に電解メッキにより表下層パターン１３及び裏下層パターン１９を形成する。 - 特許庁

To provide a target which enables to deposit a thin film of a metal oxide comprising bismuth and titanium such as Bi_4Ti_3O_12 at a higher speed by a sputtering process in a state where the generation of dust is suppressed.例文帳に追加

ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。 - 特許庁

After a TiN film 14B of prescribed thickness is accumulated on a Ti film 14A by a sputtering method, a TiN film 14C of prescribed thickness is accumulated on the TiN film 14B by a CVD method.例文帳に追加

Ｔｉ膜１４Ａ上にスパッタリング法にて所定の膜厚のＴｉＮ膜１４Ｂを堆積した後、ＴｉＮ膜１４Ｂ上にＣＶＤ法にて所定の膜厚のＴｉＮ膜１４Ｃを堆積する。 - 特許庁

In this method for depositing a magnetic material film, magnetron sputtering is performed by using a magnetic material target in which the maximum magnetic permeability in the thickness direction is double or above the maximum magnetic permeability in the direction vertical to the thickness direction.例文帳に追加

厚さ方向の最大透磁率が厚さ方向と垂直な方向の最大透磁率の２倍以上である磁性材ターゲットを用いてマグネトロンスパッタリングする磁性材膜の成膜方法。 - 特許庁

Therein, the antireflection layer 12 is formed according to a sputtering method, the low refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 2 to 5 Pa and the high refractive index layer is formed at an Ar introduction pressure of 5 to 10 Pa.例文帳に追加

なお、反射防止層１２は、スパッタリング法により形成され、低屈折率層は、アルゴンの導入圧が２〜５Ｐａで形成され、高屈折率層は、アルゴンの導入圧が５〜１０Ｐａで形成される。 - 特許庁

In the titanium sputtering target, the half-width of the peak of crystal plane (101) determined by the X-ray diffraction of at least a part of the noneroded area of a surface to be sputtered is regulated to 0.25-0.5.例文帳に追加

スパッタされる面の非エロージョン領域の少なくとも一部のＸ線回折により求められる結晶面（１０１）のピークの半値幅が０．２５〜０．５であることを特徴とする、チタンスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The protection body formed on the organic compound layer has 70 to 100% transmission factor, preventing damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護体は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target with reduced generation of abnormal discharge for formation of a protective film for an optical recording medium which performs recording, reproducing, recording and reproducing, and further erasing of information by laser light.例文帳に追加

レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、さらに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The surface of the main body of an electrochemical measuring electrode 3 is modified by a polymeric thin film 4 manufactured by a high frequency sputtering method using an organic solid material as a target.例文帳に追加

電気化学測定用の電極３本体の表面に、有機固体材料をターゲットとして高周波スパッタ法により作製された高分子薄膜４が修飾されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a piezoelectric element part of a liquid jet head, in which only an upper electrode film of a part exposed in a contact hole is etched in a reverse sputtering treatment for forming a lead electrode.例文帳に追加

リード電極の形成における逆スパッタ処理においてコンタクトホールに露出している部分の上電極膜だけがエッチングされる液体噴射ヘッドの圧電素子部分の形成方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, the target for sputtering is composed of copper or a copper alloy contg. additive elements of a controlled concn. wherein the purity of copper excluding the additive elements is ≤99.999%.例文帳に追加

また、銅または制御された濃度の添加元素を含む銅合金を材料としているスパッタリング用ターゲットであって、添加元素を除いた銅の純度は、９9.９９９％以下であるものである。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact used as a sputtering target which enables high-speed deposition forming a low-resistance transparent electroconductive film by inputting a high input-power without generating any arcing.例文帳に追加

低抵抗の透明導電膜が作製でき、かつ、アーキングの発生を伴わずに高投入電力を投入した高速成膜が可能なスパッタリングターゲット用の酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric element suitable to an inkjet head by an epitaxial growth method such as sputtering method or an oriented growth method, and to provide a method of manufacturing a liquid ejection head.例文帳に追加

スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よってインクジェットヘッドに適した圧電素子を作製する圧電素子の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the sputtering target is characterized by manufacturing a sintered compact two times or more thicker than the target, and cutting the sintered compact in a perpendicular direction to the thickness into several targets.例文帳に追加

ターゲットの２倍以上の厚さを有する焼結体を作製し、該焼結体を厚さに直交する方向に切断して複数枚のターゲットとすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁

In addition, since damage to the light-emitting layer 20 in forming the transparent electrode film 31 by the method provided herein is smaller as compared to that by a sputtering method, the emitting light amount of the light-emitting layer 20 is not reduced.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、透明電極膜３１を成膜する際に発光層２０に与えるダメージがスパッタ法に比べて小さいので、発光層２０の発光量も減少しない。 - 特許庁

To provide a sputtering treating method capable of obtaining stable discharge, capable of forming a thin film of uniform film quality, reducing exhausting time and good in workability and to provide a device suitable for the carrying out the method.例文帳に追加

安定した放電が得られて均一な膜質の薄膜を成膜でき、排気時間を短縮し作業性の良いスパッタリング処理方法及びその方法の実施に適した装置を提供すること。 - 特許庁

To significantly upgrade the adhesive strength of a metal and a plastic film in forming a metallic film on the plastic film while curbing an increase in a manufacturing cost to a maximum possible extent by a gas phase process for sputtering or vapor deposition.例文帳に追加

スパッタや蒸着等の気相法によりコストアップを極力抑えながらプラスチックフィルム上に金属薄膜を形成するに当たり、金属とプラスチックフィルムの密着強度の大幅な向上を図る。 - 特許庁

In the case of manufacturing a thick film circuit substrate for T-type attenuator, an SiO_2 film is formed first in the thickness of about 0.001μm to about 1.0 μm on a aluminum nitride (AlN) substrate with the sputtering method by controlling the film forming time (S1).例文帳に追加

Ｔ型アッテネータ用厚膜回路基板を製造する場合、まず窒化アルミニウム（AlN）基板にスパッタ法により成膜時間を制御して略0.001μm乃至略1.0μmのSiO_２膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

A memory element obtained by anodizing a bulk aluminum plate or an aluminum thin film formed by sputtering or evaporation coating, in a solution of oxalic acid or sulfuric acid, especially exhibits excellent characteristics as a non-polar type.例文帳に追加

バルクのアルミニウム板またはスパッタリングや蒸着により作成したアルミニウム薄膜をシュウ酸または硫酸溶液にて陽極酸化したものは、ノンポーラ型として特に良好な特性を発揮する。 - 特許庁

To provide an alloy for a seed layer of a magnetic recording medium improved in lattice matching between an Ni-based alloy and an Ru layer above it, a sputtering target material using the same, and the magnetic recording medium.例文帳に追加

Ｎｉ系合金とその上層のＲｕ層との格子整合を向上させた磁気記録媒体のシード層用合金およびそれを使用したスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To form an X-ray absorber thin film of high stress uniformity with a sputtering method and to reduce pattern distortion by enhancing the stress uniformity in substrate surface of an X-ray exposure mask.例文帳に追加

スパッタリング法で応力均一性の高いＸ線吸収体薄膜を形成することができ、Ｘ線露光用マスクの基板面内応力均一性を高めてパターン歪みを低減できる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a film of an optomagnetic recording medium, which inhibits a Tb content in the film formed on the optomagnetic recording medium from varying according to a measured position, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

成膜して得られた光磁気記録媒体膜のＴｂ組成が測定位置によりばらつくことの少ない光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering method has a sub-process area 23 set at a position in the vicinity of a main process area 22 set according to a region to have the circuit corrected and the sub-process area 23 is sputtered before the main process area 22.例文帳に追加

回路修正を行う範囲に対応して設定されるメイン加工エリア２２の近傍位置にサブ加工エリア２３を設定し、メイン加工エリア２２に先立ってサブ加工エリア２３を事前にスパッタする。 - 特許庁

To provide a sputtering target used for forming a dielectric layer which is required for realizing a phase-change type optical recording medium with high storing reliability and adequate recording/playback characteristics.例文帳に追加

保存信頼性が高く、かつ、記録／再生特性が良好な相変化型光記録媒体を実現するために必要とされる誘電体層の形成に用いることのできるスパッタターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a target unit for sputtering film deposition by which the contamination of the surface of a thin film electronic material as a product can be prevented without reducing the efficiency of film deposition treating operation.例文帳に追加

成膜処理作業の効率を低下させることなく、製品である薄膜電子材料の表面の汚染を防止することを可能にするスパッタリング成膜用のターゲットユニットを提供すること。 - 特許庁

The protection film formed on the organic compound layer has 70 to 100% transmission factor, preventing damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁

The backing plate is constituted so that the surface of the backing plate to be joined to the sputtering target is provided with a recessed part used for a brazing filler metal for bonding and having a size smaller than that of the contact plane between the target and the backing plate.例文帳に追加

スパッタリングターゲットに接合するバッキングプレートの面に、該ターゲットとバッキングプレートとの接する面からはみ出ない大きさのボンディング鑞材用凹陥部を備えていることを特徴とするバッキングプレート。 - 特許庁

To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.例文帳に追加

ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a thermal head capable of forming a heat generating resistor layer while reconciling the suppression of variation in resistance and the expansion in the degree of freedom in the selectivity of materials by using sputtering.例文帳に追加

スパッタリングを使用して抵抗ばらつきの抑制と材料選択性の自由度の拡大とを両立しながら発熱抵抗体層を形成することが可能なサーマルヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The SnO_2-base sputtering target comprises a sintered body containing, by mass, 1.5-3.5% of Ta_2O_3, 0.25-2% of Nb_2O_5, and the balance of SnO_2 with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明のＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットは、１．５〜３．５質量％のＴａ_２Ｏ_５と、０．２５〜２質量％のＮｂ_２Ｏ_５と、残部としてのＳｎＯ_２および不可避不純物とを含んでなる焼結体からなる。 - 特許庁

To provide a soft magnetic alloy for a heat-assisted magnetic recording medium having superior saturation magnetic flux density, non-crystal property and crystallization temperature and corrosion resistance, and to provide a sputtering target material for the alloy and a magnetic recording medium.例文帳に追加

飽和磁束密度、非晶質性、結晶化温度および耐食性に優れた熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性合金およびそのスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a cold cathode fluorescent lamp for achieving a longer life even when a lamp current is greater and the diameter of a luminous tube is smaller by suppressing sputtering due to discharge to reduce the consumption of mercury.例文帳に追加

ランプ電流が大きく、発光管が細径であっても、放電によるスパッタリングを抑制して水銀の消耗を低減でき長寿命化が実現できる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

In a sputtering system, a cathode is supported at a position different from the oscillating shaft of an arm supported by the oscillating shaft, and the cathode is oscillated within a surface parallel to the substrate during film deposition.例文帳に追加

スパッタリング装置において、揺動軸に支持されたアームの揺動軸と異なる位置にカソードを支持することとし、成膜時に、基板に対して平行な面内において当該カソード揺動することとした。 - 特許庁

The front surface mirror is such that a silver film / an aluminum film / a reflection increasing film are formed, in this order, by sputtering on the surface of a glass substrate and the thickness of the aluminum film is set to 1nm to 5nm.例文帳に追加

ガラス基板の表面に、銀膜／アルミニウム膜／増反射膜がこの順にスパッタリング法で形成されており、該アルミニウム膜の厚みが１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする表面鏡である。 - 特許庁

The ZnO film is formed on the sapphire substrate by magnetron sputtering in an atmosphere of Ar and N_2 mixed gas using a Zn metal target which is obtained by doping Zn with Y_2O_3.例文帳に追加

ＺｎにＹ_２Ｏ_３をドーピングしてＺｎメタルターゲットを作製し、このＺｎメタルターゲットを用いて、ＡｒとＮ_２の混合ガス雰囲気中で、ＲＦマグネトロンスパッタによりサファイア基板上にＺｎＯ膜を成膜する。 - 特許庁

At leading of ion beam for delivery, presence of sputtering to the leading electrode 24 and the accelerating electrode 26 is detected by detecting means, for example flow-in current detectors 34 and 37.例文帳に追加

イオンビームを引出して流出させるに際し、イオンビームの引出用電極２４、加速用電極２６に対するスパッタリングの有無を検出手段、例えば、流入電流検出器３４、３７により検出する。 - 特許庁

A side of a ceramic substrate 12 of a chuck top 10 comprising an aluminum nitride material for placing a silicon wafer w is provided with a side shield layer 14a comprising titanium, molybdenum, nickel, gold, and the like by metal plating and sputtering.例文帳に追加

チャックトップ10のシリコンウエハWを載置する窒化アルミニウム材料によるセラミック基板12の側面に金属メッキおよびスパッタリングによりチタン・モリブデン・ニッケル・金等からなる側面シールド層14aを設ける。 - 特許庁

The film 7 is formed by using a mask, having desired pattern holes formed in advance so that metal is deposited only on portions corresponding to the holes by sputtering.例文帳に追加

この導電膜を形成するためにはウェーハ１上に所望パターンの穴をあらかじめ形成したマスクを用い、そのマスク穴の部分だけが金属が堆積するようにスパッタリングにより成膜させる。 - 特許庁

Blackening is prevented by growing a crystal grain by secondarily recrystallizing electrodes 21, 22, reducing proportion of sputtering even if it is heated by occurrence of an arc spot and reducing its adhesion to a tube wall.例文帳に追加

電極21，22を２次再結晶させて結晶粒子を大きくし、アークスポットの発生により加熱してもスパッタリングする割合が少なくなり、管壁に付着するのが軽減されて黒化を防止する。 - 特許庁

A photocatalytic tungsten oxide thin film deposited on a heated substrate 16 by gas flow sputtering and a tungsten oxide thin film fired after the film deposition exhibit excellent visible light response photocatalytic activity.例文帳に追加

ガスフロースパッタリングにより、加熱基板１６上に成膜された光触媒酸化タングステン薄膜と成膜後に焼成されてなる酸化タングステン薄膜は、優れた可視光応答光触媒活性を示す。 - 特許庁

Fixed contacts 14 and conductive patterns 18 are integrally formed with sputter layers 50 made by sputtering a conductive material, and plated layers 51 with the conductive material plated on the sputter layers 50.例文帳に追加

導電材料をスパッタしてなるスパッタ層５０と、スパッタ層５０の上に導電材料をめっきしためっき層５１とで固定接点１４及び導電パターン１８が一体に形成されている。 - 特許庁