「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target for a high resistance transparent, electroconductive film comprises a sintered compact consisting essentially of indium oxide and tin oxide, and contains at least either silicon oxide or titanium oxide as well.例文帳に追加

酸化インジウムと酸化錫を主成分とする焼結体であって、さらに酸化ケイ素又は酸化チタンの少なくとも一方を含有することを特徴とする高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

This gas-phase stacker 1 applies pulse-form DC voltages at different voltage values to the electrodes 3a and 3b, when forming a sheed layer by sputtering metal from the sputter target 13.例文帳に追加

この気相堆積装置１においては、スパッタターゲット１３から金属をスパッタさせてシード層を形成させる際に、電極３ａ，３ｂに異なる電圧値のパルス状直流電圧を印加する。 - 特許庁

A base material of glass or the like is introduced into magnetron sputtering vessels 7, 8 and 9, and silicon is sputtered in an atmosphere of nitrogen and hydrocarbon to form a film contg. silicon nitride and silicon carbide on the base material.例文帳に追加

ガラスのような基材をマグネトロンスパッタリング容器（７、８、９）に導入し、窒素及び炭化水素雰囲気においてケイ素をスパッタリングして窒化ケイ素及び炭化ケイ素を含むフィルムを基材上に作る。 - 特許庁

The sputtering target for the optical media includes Al as a principal component includes 1-10 atom% of one or two elements selected from the group including Ta and Nb and 0.1-10 atom% of Ag.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process.例文帳に追加

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering electrode whereby a target is used efficiently with no localized eroded region arising in the target even if a magnet unit and the target are moved relative to one another during film formation.例文帳に追加

成膜時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。 - 特許庁

To provide a composite film deposition system which suppresses interference between an arc evaporation source and a magnetron sputtering evaporation source, and allows the respective evaporation sources to sufficiently exhibit each function.例文帳に追加

アーク蒸発源とマグネトロンスパッタ蒸発源との磁界の相互干渉を抑制し、それぞれの蒸発源が具備する機能を十分に発揮させることができる複合成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an arrangement structure for a side duct on a ceiling material of a vehicle capable of preventing the side duct from breakage and also preventing the broken pieces due to breakage from sputtering into the vehicle.例文帳に追加

側方ダクトに破損が生じることを防止することができ、この破損による破片が車内へ飛散することを防止できる車両用天井材への側方ダクトの配設構造を提供すること。 - 特許庁

This anisotropic conductive adhesive composition contains an adhesive binder and conductive particles obtained by covering the metal particles with a metal selected from a group composed of gold, platinum, silver and copper through a sputtering process.例文帳に追加

接着性バインダーと、スパッタリング法により金属粒子に、金、白金、銀及び銅からなる群から選択される金属を被覆した導電性粒子と、を含む異方導電性接着剤組成物。 - 特許庁

As for the method for manufacturing an oxide optical crystal thin film, reactive sputtering which uses the metal target containing only a metal component in the oxide and the reactive gas consisting of oxygen is adopted.例文帳に追加

酸化物の光学結晶薄膜を製造する方法として、酸化物中の金属成分のみを含有する金属ターゲット及び酸素から成る反応性ガスを用いた反応性スパッタリングを採用した。 - 特許庁

To provide the electron-emitting material which has a low evaporation on discharging and a high resistance to an ion sputtering, the electrode using the electron-emitting material, and the discharge lamp having the electrode.例文帳に追加

放電時の蒸発が少なく、かつ、イオンスパッタリングに対する耐性が高い電子放出材料と、この電子放出材料を用いた電極と、この電極を有する放電灯とを提供することである。 - 特許庁

Thereby, the metal film 3 composed of the edible metal such as the gold, silver or platinum on the surface of the medicine body 2 is formed by the sputtering and the metal film 3 can be homogenized.例文帳に追加

このように、この薬本体２の表面の、金、銀、プラチナ等の可食性金属からなる金属膜３は、スパッタリングによって形成されており、その金属膜３を均質にすることができる。 - 特許庁

When an electrode layer is formed on a semiconductor laminate composed of compound semiconductor by sputtering, heat treatment is performed while electrode material is sputtered by increasing high frequency power.例文帳に追加

化合物半導体からなる半導体積層構造上にスパッタリングにより電極層を形成する際に、高周波パワーを大きくすることにより、電極材料をスパッタリングしながら熱処理を行う。 - 特許庁

PREVENTION OF SPUTTERING PHENOMENON OZONE GENERATION, AND LIGHT EMISSION OF DISCHARGE ELECTRODE OR ELECTRICITY REMOVAL ELECTRODE FOR HIGH VOLTAGE APPLYING ELECTRICITY REMOVAL DEVICE OR ELECTRIFICATION REMOVAL DEVICE IN VACUUM LAYER AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

高圧印加式除電器の除電電極である放電電極のスパッタリング現象防止、オゾン発生防止、並びに発光作用防止又真空層内の帯電除去等装置及びその製造方法。 - 特許庁

To provide an extreme ultraviolet light optical source device capable of preventing re-diffusion due to sputtering of ion collision surfaces of an ion collection device and/or a substance accumulated on the ion collision surface.例文帳に追加

イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによる再拡散を防止することができる極端紫外光光源装置を提供する。 - 特許庁

Using this apparatus, by a sputtering process, rare gas and nitrogen gas are fed to produce the solid electrolyte thin film, and the thin film solid lithium ion secondary battery having the obtained solid electrolyte thin film is produced.例文帳に追加

この装置を用いて、スパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 - 特許庁

A metal nitride of stable lattice position can be grown on a substrate by intermittently sputtering a target with pulse voltage to supply metal atoms intermittently onto the substrate.例文帳に追加

ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。 - 特許庁

To provide a novel casting process for forming cast ferromagnetic alloys with desirable microstructures, and improved chemical homogeneity and ductility, for use as high PTF (pass-through flux) sputtering targets.例文帳に追加

望ましいミクロ組織、改善された化学的均質性及び延性を有する高ＰＴＦスパッタリングターゲットとして用いるための鋳造強磁性合金のための新規な鋳造法を提供する。 - 特許庁

A wiring pattern is formed from an electrode layer 6 on an insulating heat-radiation substrate 1 and a resistor is formed by sputtering using nickel alloy to provide an inrush current suppression resistor 4 and a regeneration resistor 5.例文帳に追加

絶縁放熱基板１上に電極層６で配線パターンを形成、ニッケル合金を用いてスパッタリングにより抵抗体を形成し突入電流抑制抵抗器４、回生抵抗器５とする。 - 特許庁

The sputtering target comprises: a ferromagnetic alloy containing a base metal; and a metal X having an atom diameter of less than 0.266 nm and a higher oxidation potential than that of the base metal.例文帳に追加

スパッタターゲットは、卑金属を含む強磁性合金と、０．２６６ｎｍ未満の原子径と前記卑金属の酸化電位より大きい酸化電位を有する金属であるＸとを含んで構成される。 - 特許庁

The oxide sputtering target comprises ZrO_2, In_2O_3 and ZnO and has a structure in which the ZrO_2 phase is surrounded by a phase containing a multiple oxide phase comprising oxides of In and Zn.例文帳に追加

酸化物スパッタリングターゲットが、ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。 - 特許庁

The water-repellent thin film is constituted by incorporating fluorine, by means of doping from fluorine compound gas, into a silicon dioxide film deposited by sputtering.例文帳に追加

ガラス板上に、フッ素を含有する撥水性の薄膜を被覆した物品であって、撥水性の薄膜は、スパッタリングにより被覆した二酸化珪素膜にフッ素をフッ素化合物ガスからのドーピングにより含有させる。 - 特許庁

The backing plate used for the copper or copper alloy sputtering target is characterized by being treated with an oxidative discoloration preventing agent consisting of an azolic compound such as benzotriazole or its derivative, or imidazolesilane.例文帳に追加

ベンゾトリアゾール若しくはその誘導体又はイミダゾールシラン等のアゾール系化合物からなる酸化変色防止剤を施したことを特徴とする銅又は銅合金製スパッタリングターゲット用バッキングプレート。 - 特許庁

To enhance mass production efficiency, improve productivity and considerably widen the selection range of a multilayer film reflective mirror material by providing the manufacturing process of a multilayer film reflective mirror using a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いる多層膜反射鏡の製造プロセスを提供することで、量産効率を高め、生産性を向上させ、且つ多層膜反射鏡材料の選択範囲を大幅に広げること。 - 特許庁

The surface of a glass sheet 6 is coated with an insulating film 7 of SiO2, silicon oxynitride or silicon nitride in a multilayered state by reactive sputtering using silicon as a target and oxygen and/or nitrogen.例文帳に追加

ガラス板表面にＳｉＯ_2、シリコン酸窒化物あるいは窒化シリコンのいずれかの絶縁膜を、シリコンをターゲットとする酸素または／および窒素との反応性スパッタリングにより多層となるように被覆する。 - 特許庁

The provision of the density of ions and radicals uniform in the radical direction in the vicinity of a target plate is planed for making a uniform sputtering rate over the radial line of the target plate.例文帳に追加

本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。 - 特許庁

In the case of depositing a Ta film 22 for forming an electrode wiring 22 on an insulating resin substrate 21 by sputtering, a gaseous mixture prepared by incorporating 1% gaseous hydrogen into argon gas is used as sputter gas.例文帳に追加

絶縁性樹脂基板２１上に、電極配線２２形成用のＴａ膜２２をスパッタリングにて成膜する際に、スパッタリングガスとして、アルゴンガスに１％の水素ガスを含有させた混合ガスを使用する。 - 特許庁

Bonding surfaces of the substrate 12 and the lid member 13 exposed during plasma are irradiated with ions in the plasma and contaminants are removed from the bonding surfaces by sputtering thus obtaining clean surface.例文帳に追加

プラズマ中に曝された基板１２および蓋部材１３の接合面上にはプラズマ中にあるイオンが照射されて、接合面はスパッタ作用にて汚染物が除去され、清浄な表面となる。 - 特許庁

In the case of depositing a Ta film 22 for forming an electrode wiring 22 on an insulating resin substrate 21 by sputtering, a gaseous mixture prepared by incorporating 60% helium gas into argon gas is used as sputter gas.例文帳に追加

絶縁性樹脂基板２１上に、電極配線２２形成用のＴａ膜２２をスパッタリングにて成膜する際に、スパッタリングガスとして、アルゴンガスに６０％のヘリウムガスを含有させた混合ガスを使用する。 - 特許庁

To provide a bipolar pulse sputtering film deposition technique where a film composed of a high melting point material such as metal oxide, nitride and carbonitride can be deposited even to a substrate having low heat resistance.例文帳に追加

耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity molybdenum-tungsten alloy powder suitable for a raw powder to be used when producing a sputtering target for forming a film of a liquid crystal and a semiconductor.例文帳に追加

液晶、半導体成膜用等のスパッタリングターゲットを作製する際に用いられる原料粉末として好適な、高純度モリブデン−タングステン合金粉末の製造方法を提供すること - 特許庁

The high-efficiency catalyst is formed in the spaces of the compact structure by vacuum-sputtering a catalytic metal or filling the spaces of the compact structure with an aqueous solution of an ionized catalytic metal and reducing the filled catalytic metal chemically.例文帳に追加

そのようなコンパクトな配列の空間では、触媒は真空スパッタリングで形成され、もしくはイオン化触媒金属水溶液で充填して、化学還元することによって形成される。 - 特許庁

The anisotropy forming layer 92 is, for example, a thin film made by sputtering a chrome niobium alloy target with a process gas containing nitrogen, and exposed to an oxygen gas with about 0.5-10 Pa after forming this film.例文帳に追加

異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。 - 特許庁

The fluorine-containing water repellent film is deposited on a substrate by sputtering a target of silicon or silicon dioxide in a reduced pressure gaseous atmosphere containing oxygen, nitrogen and gaseous fluorine compound as reactive gases.例文帳に追加

珪素または二酸化珪素のターゲットを反応性ガスとしての酸素および窒素とフッ素化合物ガスとを含む減圧ガス雰囲気内でスパッタリングして基板上にフッ素含有の撥水性膜を成膜する。 - 特許庁

The sputtering target is composed substantially of at least one kind of element selected from Si, Ta, Nb, Zr, Hf, Mg, Ca, Y and Al, and has a relative density in the range of 60 to 98%.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｃａ、ＹおよびＡｌから選ばれる少なくとも1種の元素から実質的になるスパッタリングターゲットであって、60〜98％の範囲の相対密度を有する。 - 特許庁

To provide a method for adding a new means of increasing degree of vacuum to a film deposition chamber for sputtering, CVD and vapor deposition and to improve the throughput of the system.例文帳に追加

本願発明は、スパッタ成膜、ＣＶＤ成膜，蒸着成膜チャンバーに新たな真空度を高める手段を追加する方法を提供し、装置のスループットを向上させることを課題とする。 - 特許庁

In a lower part in a vacuum tub 21 of a sputtering device 20, a target 23a for the reflective film and a target 23b for a protective film are arranged, and in an upside of the vacuum tub 21, a substrate holding part 22 is arranged.例文帳に追加

スパッタリング装置２０の真空槽２１内の下部に、反射膜用のターゲット２３ａと、保護膜用のターゲット２３ｂとを配置し、真空槽２１内の上部に基板保持部２２を配置した。 - 特許庁

When the umbrella-shaped part 30a of the inner mask 30 is heated in a process of sputtering, the heat is transmitted to the bottom of the heat pipe 31, and the evaporated working fluid moves to the upper end due to a differential pressure to be condensed.例文帳に追加

スパッタリングの過程で、内周マスク３０の傘状部３０ａが加熱されると、ヒートパイプ３１の下端に伝熱し、蒸発した作動液が圧力差によって上端に移動して凝縮する。 - 特許庁

By a sputtering method, a lower-electrode formation film 15A, whose film thickness is about 20 nm and which is composed of platinum, is deposited over the whole face including the bottom face and the wall surface of openings 14a in an upper interlayer insulating film 14.例文帳に追加

スパッタ法により、上部層間絶縁膜１４の開口部１４ａの底面及び壁面を含む全面に、膜厚が約２０ｎｍの白金からなる下部電極形成膜１５Ａを堆積する。 - 特許庁

To provide a photocurable colored compositon for a color filter, which gives no developing residue and high sputtering resistance, and to provide the color filter using the composition and a liquid crystal display element using the color filter.例文帳に追加

現像残査がなく、耐スパッタリング性の高い、カラーフィルター用光硬化性着色組成物、該組成物を用いたカラ−フィルタ−および該カラ−フィルタ−を用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To form a ferroelectric thin film having an orientation property equal to that of one film-formed by a sputtering method, an MOCVD method or the like, by a coating method such as a spin coating method or an MOD method at a low cost.例文帳に追加

スパッタリング法やＭＯＣＶＤ法などで成膜したのと同等の配向性を有した強誘電体薄膜を、スピンコート法、ＭＯＤ法などの塗布法で安価に成膜することを可能にする。 - 特許庁

Fe is deposited through a sputtering method on an Si substrate 1 heated up to a temperature of 1,000°C, Si contained in the Si substrate is made to react with Fe to form an α-FeSi2 layer 17 on the Si substrate 1.例文帳に追加

１１００℃に加熱したｎ型のＳｉ基板１上に、スパッタ法によりＦｅを堆積し、Ｓｉ基板１のＳｉとＦｅとを反応させて、Ｓｉ基板上にα−ＦｅＳｉ_2層１７を形成する。 - 特許庁

To provide a new technique capable of easily adjusting a resistance value of a heating element in a thin-film thermal print head formed by CVD or sputtering after forming the heating element.例文帳に追加

ＣＶＤまたはスパッタリングによって形成される薄膜型サーマルプリントヘッドおける発熱体の抵抗値を、上記発熱体の形成後に容易に調整することができる新たな技術を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system where the change of a target material is uniformized, the uniformization in the distribution of film thickness in a substrate is attained, and film growing components are uniformized so as to obtain stable film quality.例文帳に追加

この発明は、ターゲット材の変化を均一にし、基板内の膜厚分布の均一化を図り、且つ膜成長成分を均一化して、安定した膜質を得ることのできるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a combinatorial method for forming a film, which precisely controls various film-forming conditions in a sputtering process, and efficiently produces a coating film in different film-forming conditions, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

スパッタ法などにおける様々な成膜条件を精確に制御し、成膜条件の異なるコーティング膜を効率的に製造することができるコンビナトリアル成膜方法とその装置を提供する。 - 特許庁