「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

In a sputtering device in which the inside of a cylindrical target 4 is mounted with a magnet, and the cylindrical targets are plurally arranged, the cylindrical targets are arranged approximately parallel to a space between a pair of electrodes and also approximately at equal intervals.例文帳に追加

円筒形ターゲットの内部にマグネットを搭載し、この円筒形ターゲットを複数配置したスパッタリング装置において、円筒形ターゲットを一対の電極間に概ね平行に、かつ概ね等間隔に配置する。 - 特許庁

To provide a copper alloy thin film for forming a wiring and an electrode for a liquid crystal display, free from occurrence of a thermal defect and having excellent adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the thin film.例文帳に追加

液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the ion sputtering system provided with a freely rotatable sample stand to be mounted with a sample, a tilting support stand of tilting the sample stand in accordance with the rotary movement of the sample stand is provided.例文帳に追加

本発明は、試料を載置する回転自在なる試料台が備わるイオンスパッタ装置において、前記試料台の回転移動に伴い試料台を傾斜させる傾斜支持台を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A non-catalyst metallic layer 2 which comprises Ti as a main component is formed on a catalyst metal substrate 1 comprising a catalyst metal such as Ni, Co, Fe or the like by a film forming method such as an electron beam vapor deposition method and a sputtering method.例文帳に追加

Ｎｉ、ＣｏまたはＦｅ等の触媒金属からなる触媒金属基板１上に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の成膜法によりＴｉを主成分とする非触媒金属層２を形成する。 - 特許庁

During sputtering, arc discharge does not occur, because a space between the target material 14 and the cathode electrode 12 is insulated by the insulator 13, and consequently the generated charge on the target material 14 does not move to the cathode electrode 12.例文帳に追加

このとき、ターゲット材料１４とカソード電極１２の間は絶縁体１３で絶縁されているので、ターゲット材料１４に生じたチャージはカソード電極１２には移動せず、アーク放電は生じない。 - 特許庁

There is disclosed a Cu-Ga alloy sputtering target which comprises a Cu-based alloy containing Ga, has an average crystal particle diameter of 10 μm or less, and has a porosity of 0.1% or less.例文帳に追加

Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sputtering target for forming a film containing Co, Ta and a rare-earth metal, which can enhance the density of the target to such a level that the target is hardly cracked and can be machined.例文帳に追加

割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a masking material which can suppress the formation of a blurred pattern when a pattern is formed on a substrate with a sputtering method; a piezoelectric vibrator; a method for manufacturing the piezoelectric vibrator; an oscillator; electronic equipment; and a radio wave clock.例文帳に追加

スパッタ法にて基板上にパターンを形成する際に、パターンボケが生じるのを抑制することができるマスク材、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計を提供する。 - 特許庁

The sputtering target for a reflection layer of an optical medium is mainly composed of Al and contains 1-10 at% of one or two species of elements selected from the group consisting of Ta and Nb, and 0.1-10 at% of Ag.例文帳に追加

光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。 - 特許庁

To provide a metal mask effective for forming a sputtering film having a thick film thickness achieving high capacity when a foil-shaped porous valve metal anodic body suitable as an anodic body of a thin type solid electrolytic capacitor is manufactured.例文帳に追加

薄型の固体電解コンデンサの陽極体として好適な箔状の多孔質バルブ金属陽極体を製造する際に、高容量を可能にする膜厚の厚いスパッタ膜の形成に有効なメタルマスクを提供する。 - 特許庁

To provide alloy for a cold-cathode fluorescent tube that has high resistance to sputtering and high processability and can reduce a tube voltage, and an electrode for the cold-cathode fluorescent tube and the cold-cathode fluorescent tube that use the alloy.例文帳に追加

優れた耐スパッタ性及び加工性を備え、管電圧を低くすることができる冷陰極蛍光管用合金、該合金を用いた冷陰極蛍光管用電極及び冷陰極蛍光管を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body capable of suppressing abnormal discharge generated in forming an oxide semiconductor thin film using a sputtering method and obtaining an oxide semiconductor thin film with stability and good reproducibility.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered body with which an oxide semiconductor thin film can be stably obtained with good reproducibility by suppressing an abnormal discharge generated when the oxide semiconductor thin film is formed using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定かつ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

The sputtering target of tantalum includes 1-100 mass ppm tungsten as an indispensable component and has a purity of 99.998% or more when tungsten and a gas component are excluded.例文帳に追加

１ｍａｓｓｐｐｍ以上、１００ｍａｓｓｐｐｍ以下のタングステンを必須成分として含有し、タングステン及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The phase shift layer 13 Pa is formed by sputtering a chromium-based material as a target in an atmosphere of a mixture gas containing 40 to 90% of nitriding gas and 10 to 35% of oxidative gas.例文帳に追加

位相シフト層１３Ｐは、４０％以上９０％以下の窒化性ガス及び１０％以上３５％以下の酸化性ガスを含む混合ガスの雰囲気下、クロム系材料のターゲットをスパッタすることで形成される。 - 特許庁

In the multi-cathode type sputtering apparatus having a plurality of cathodes inside a same chamber, a shield 13 for depositing deposits during the pretreatment etching is provided at the position of at least one cathode.例文帳に追加

同一のチャンバー内部で行われる複数のカソードを配置するマルチカソード型のスパッタリング装置であって、少なくとも一基のカソードの位置に前処理エッチング時の付着物を付着させるシールド１３を設ける構成。 - 特許庁

The masking material 80 is used when the pattern is formed on the substrate 40 with the sputtering method, has openings 81 corresponding to the pattern, and makes portions having no opening formed therein to be formed so as to have uniform thickness.例文帳に追加

基板４０上にスパッタ法にてパターンを形成する際に用いるマスク材８０であって、該パターンに対応した開口８１を有するとともに、該開口が形成されていない部分の厚さが均一に形成されている。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of preventing deposition of a film forming material on the surface in a region except for a substrate on a substrate holder and improving quality and productivity of the film formed on the substrate.例文帳に追加

基板ホルダの基板以外の領域の表面に成膜材料が付着するのを防止することができ、基板上に成膜される膜の品質及び生産性を向上させることができるスパッタリング装置を提供する - 特許庁

To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁

After that, a TiN film 6 that becomes a gate electrode is formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of N2, and a TiN film and an Sr2NbN3 film of a prescribed region are etched and removed by a mixed gas of Ar and Cl2 or the like using a resist mask.例文帳に追加

その後、Ar/N_2混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、ゲート電極となるTiN膜６を形成し、レジストマスクを用いて、所定の領域のTiN膜、Sr_2NbN_3膜をAr/Cl_2混合ガス等を用いてエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force.例文帳に追加

高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal plate, its manufacturing method and an aligner by which film strength can sufficiently be secured by securing a desired film thickness when using a shadow mask, etc., for a nozzle, vapor depositing, sputtering, etc.例文帳に追加

ノズル、蒸着やスパッタ等におけるシャドーマスク等に用いた場合に、所望の膜厚を確保することで、膜の強度を十分に確保することができる金属板とその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Cr alloy target material with which production of particles can be reduced when a Cr alloy substrate film obtained by adding a specified element (s) and B to Cr is deposited by sputtering, and to provide its production method.例文帳に追加

Ｃｒに特定元素とＢが添加されたＣｒ合金下地膜をスパッタリングによって成膜する際に、パーティクルの発生を低減できるＣｒ合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This sputtering device comprises a vessel 11, a target 16, a substrate holder 41, a gas feed mechanism 25, a high frequency supply mechanism 18 for supplying the high frequency to the target, and an electrostatic attraction mechanism for fixing a substrate 42.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、容器１１、ターゲット１６、基板ホルダ４１、ガス供給機構２５、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構１８、基板４２を固定する静電吸着機構を備えている。 - 特許庁

Fluctuation in the spacing between the extra-slender shaft bodies caused by the expansion by the thermal expansion and the thinning by the sputtering can be avoided by arranging the extra-slender shaft bodies in the direction of gravity.例文帳に追加

このとき、極細長軸体が重力方向に配置したことにより、熱膨張による伸張、スパッタリングによる細りによる極細長軸体間の軸方向位置における間隔の変動を回避する。 - 特許庁

To provide a method and a device for joining a sputtering target and a supporting board therefore capable of preventing the coarsening of the crystal grain size of the target, the reduction of the strength of the supporting board and the warpage of the joined target and supporting board.例文帳に追加

ターゲットの結晶粒度の粗大化、支持板の強度低下及び接合されたターゲットと支持板の反りを防ぐことができるスパッタリング用ターゲットとその支持板との接合方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can retain a proper discharge state to obtain a desirable film quality, by monitoring and feeding back the presence of unavoidable moisture upon film formation.例文帳に追加

成膜時に不可避の水分が存在した場合、それを監視、フィードバックすることにより、放電状態を目的にあった状態に維持し、所望の膜質を得ることが出来るスパッタリング装置を提供することにある。 - 特許庁

A first layer formed in a film on a collector by a sputtering method, and a second layer formed in a film further thereon by vacuum deposition or wet plating are structured to have the same composition containing Si or Sn.例文帳に追加

集電体上にスパッタ法により成膜される第１層と、さらにその上に、真空蒸着または湿式めっきにより成膜された第２層がＳｉまたはＳｎを含んだ同じ組成を持つ構造を有する。 - 特許庁

The optical information recording medium has the translucent reflecting layer for an information recording medium and the sputtering target for the translucent reflecting layer of an optical information recording medium comprises the above Ag alloy.例文帳に追加

また上記光情報記録媒体用の半透明反射層を備えた光情報記録媒体、及び上記Ａｇ基合金で構成された光情報記録媒体の半透明反射層用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a ferroelectric capacitor in which a ferroelectric thin film used in various devices such as a nonvolatile memory device using ferroelectric characteristics can be easily formed by a sputtering method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

強誘電体特性を利用した不揮発性メモリなどの各種デバイスに供される強誘電体薄膜がスパッタリング法によって容易に形成できる強誘電体キャパシタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for depositing a fluoride thin film in which the film having a desired refractive index and having no absorption from a ultraviolet ray zone to a visible zone is deposited by the sputtering method.例文帳に追加

本発明の目的は、所望の屈折率を有し紫外域から可視域にわたり吸収のない膜を、スパッタリング法によって形成するフッ化物薄膜の形成方法及び形成装置を提供することにある。 - 特許庁

The metal mask 10 for sputtering which forms transparent conductive films in superposition on the glass substrate is provided with projecting parts 13 coming into contact with the glass substrate by using a resin in regions exclusive of its apertures 11.例文帳に追加

ガラス基板上に重ね合わせて透明導電膜を形成するスパッタ用メタルマスク１０において、その開口部１１を除いた領域に、樹脂を用いてガラス基板に接触する凸部１３を設けたこと。 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

The light-shielding film and the sputtering target have the composition containing 40 to 50% Ti, 1 to 6% Mo and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｔｉ：４０〜５０％、Ｍｏ：１〜６％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加

保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁

In the sputtering target assembly, a target material and a backing plate are assembled, the target material is arranged at an erosion region, and a member in a nonerosion region is contacted with the target material and the backing plate separably therefrom.例文帳に追加

ターゲット材およびバッキングプレートが組み立てられ、エロージョン領域にターゲット材を配置し、非エロージョン領域の部材がターゲット材およびバッキングプレートから分離可能に接触しているスパッタリングターゲット組立体を提供する。 - 特許庁

To improve drivability of a MOSFET by preventing a silicon oxide film from formed on the surface of a semiconductor substrate to form a gate insulating film, comprising only of a high dielectric material by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板表面にシリコン酸化膜が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成できるようにしてＭＯＳＦＥＴの駆動力を向上させる。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium more excellent in SNR characteristics, its manufacturing method, a sputtering target with which the magnetic recording medium can be easily manufactured, and a magnetic recording and reproducing device more excellent in SNR characteristics.例文帳に追加

ＳＮＲ特性がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することができるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The efficiency of utilizing the target is considerably improved by forming a back side of the sputtering target 1 of a shape according to a shape of erosion on a face side of the target at the simulated target service life.例文帳に追加

スパッタリングターゲット１の裏面側を、シミュレーションによるターゲット寿命となったときの、前記ターゲット表面側の侵食形状に応じた形状とすることにより、ターゲット利用効率を大幅に向上させる。 - 特許庁

After that, a metal thin film 4 is formed by sputtering on the part of the first conductive pattern 2 exposed inside the pore 3a of the second insulating layer 3, the side surface of the pore 3a, and the second insulating layer 3.例文帳に追加

その後、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分、孔部３ａの側面および第２の絶縁層３上にスパッタリングにより金属薄膜４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a sintered composite oxide capable of obtaining a TFT panel excellent in uniformity of a TFT characteristic, reproducibility of the TFT characteristic and yield of the TFT, and to provide a sputtering target comprising the same.例文帳に追加

ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

To improve the Cu barrier property of TaN film the superior reproducibility in depositing a TaN film used, e.g. as a barrier layer for a Cu wiring film by means of reactive sputtering using a Ta target.例文帳に追加

Ｃｕ配線膜に対するバリア層などとして用いられるＴａＮ膜を、Ｔａターゲットを用いて化相スパッタすることにより形成する際に、ＴａＮ膜のＣｕバリア性をより一層かつ再現性よく高める。 - 特許庁

To provide a new composite polymer having mixed structures in molecular level by taking in a plurality of kinds of polymers having different chemical structures as target materials with a process using a radio frequency sputtering method.例文帳に追加

異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。 - 特許庁

The apparatus for depositing the NaTaO_3 film is of a vacuum sputtering system equipped with a substrate 1a, a substrate heating means 5 and a target 2a composed of Ta or Ta oxide, in which the substrate contains Na.例文帳に追加

本発明のＮａＴａＯ_３膜作製装置は、基材１ａと、基材加熱手段５と、ＴａまたはＴａ酸化物から成るターゲット２ａとを備えた真空スパッタリング方式のもので、基材がＮａを含んだものである。 - 特許庁