「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an apparatus for film deposition of a zinc oxide thin film capable of easily controlling the crystallite size without being affected by the change in the state in a vacuum processing chamber when depositing the zinc oxide thin film by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の状態の変化に左右されず、容易に結晶子サイズを制御することのできる酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device having high target use efficiency, which is capable of forming a high density area of plasma up to the periphery of the outer edge of the target by expanding a magnetic field from a magnetic field forming unit to the outer circumferential side.例文帳に追加

磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a polyester film for molding that is excellent in moldability under the condition of a low temperature and a low pressure, transparency, solvent resistance, heat resistance and handlability and is excellent in aesthetic appearance when it is provided with a deposition layer, a sputtering layer or a printing layer thereon.例文帳に追加

低い温度及び低い圧力下での成型性、透明性、耐溶剤性、耐熱性、取扱い性に優れ、かつ蒸着層、スパッタリング層、又は、印刷層を設けた際の意匠性に優れた成型用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

A phase transition recording layer 13 which is held between an upper spacer film 14a and a lower spacer film 14b made of ZnS-SiO_2 and which is made of GeSbTe, is formed by sputtering thereon and a protective film 15 made of DLC is formed thereon.例文帳に追加

その上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ_2からなる上下のスペーサ膜１４ａ，１４ｂに挟まれた、ＧｅＳｂＴｅからなる相変化記録層１３をスパッタ法により形成し、その上にＤＬＣからなる保護膜１５を形成した。 - 特許庁

To provide a target material used in an AIP (arc ion plating) process and an MS (magnetron sputtering) process, in which mechanical strength is improved, and further, the formation of droplets is suppressed, and which is suitable for forming a film having high quality.例文帳に追加

本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。 - 特許庁

When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加

下層配線１０２の材料にポリシリコンを適用すると，ビアホール形成工程Ｓ５において下層配線１０２表面でスパッタリングによってビアホール１１０側壁にＳｉからなる側壁堆積物１１８ａが形成される。 - 特許庁

To stably deposit a fluoride thin film of MgF_2, LaF_3, YF_3, AlF_3 or the like having no absorption in visible and ultraviolet regions and an oxide film of Al_2O_3, SiO_2, Ta_2O_5, TiO_2 or the like at high speed by sputtering.例文帳に追加

可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining the seed layer.例文帳に追加

この発明は、ＬＳＩなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an optical information recording medium having an inorganic recording layer formed by a sputtering or a vapor deposition by solving defects that it is low yield and impossible to tracking in a single sided two-layer DVD-R disk.例文帳に追加

片面２層DVD-Rディスクにおける低歩留まりとトラッキングできない等の欠点を解決し、スパッタリングまたは蒸着によって形成された無機記録層を有する、光情報記録媒体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The film deposition thickness for each operation is set to be ≤ 5 nm, and alumina films are intermittently deposited on a substrate a plurality of times when depositing alumina films on the substrate by sputtering an aluminum metal target in an atmosphere containing oxidizing gas.例文帳に追加

酸化性ガス含有雰囲気下でアルミニウム金属ターゲットをスパッタリングして基板上にアルミナ膜を形成するに当たり、１回あたりの成膜膜厚を５ｎｍ以下とし、基板上にアルミナ膜を複数回に分けて断続的に成膜する。 - 特許庁

The transparent insulation film is deposited on a substrate S by sputtering a Zn-Al alloy target 3 comprising 50-90 wt.% Zn and 10-50 wt.% Al in a gaseous mixture atmosphere containing an inert gas and O_2 gas.例文帳に追加

Ｚｎ ５０〜９０重量％、Ａｌ １０〜５０重量％を含有するＺｎ−Ａｌ合金ターゲット３を用いて、不活性ガスとＯ_2ガスの混合ガス雰囲気下でスパッタリングして基板Ｓ上に透明絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a magnetron cathode in which the deposition efficiency of a target material is high even when a ferromagnetic target is used, and the discharge at a low pressure is stable, and a sputtering apparatus.例文帳に追加

本発明は、特に強磁性体ターゲットを用いた場合であっても、ターゲット材料の付着効率が高く、さらには低圧での安定した放電を可能とするマグネトロンカソード及びスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

After an engine valve 10 is accommodated in a treatment furnace, the temperature is raised while performing evacuation, and when the temperature becomes higher than 400°C, preferably, ≥450°C, supply of gaseous hydrogen is started to start the gaseous hydrogen sputtering (a first step).例文帳に追加

処理炉内にエンジンバルブ１０を収容した後に真空引きを行いながら昇温し、４００℃よりも高温、好ましくは４５０℃以上となった時点で水素ガスの供給を開始して水素ガススパッタリング（第１工程）を開始する。 - 特許庁

The color cathode-ray tube has a panel which a fluorescence face and a reflective film are formed in the inside, and it is constituted with forming a high heat-absorption thin film, comprising carbon substantially, by sputtering on the above reflective film.例文帳に追加

内面に蛍光面及び反射膜が形成されたパネルを備えるカラー陰極線管であって、前記反射膜上に、スパッタリングにより実質的にカーボンからなる高熱吸収性薄層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁

The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.例文帳に追加

成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁

To provide an upper-emission-type organic EL element in which the emission brightness hardly deteriorates with time and to provide an Al-alloy sputtering target used for forming a reflection film constituting an anode layer of the same.例文帳に追加

発光輝度の経時的低下の小さい上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method.例文帳に追加

イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.例文帳に追加

次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁

The tantalum sputtering target is characterized in that, on the surface of the tantalum target, the area ratio of crystal with any of orientations (100), (111) and (110) providing that the sum of all crystal orientations is 1 does not exceed 0.5.例文帳に追加

タンタルターゲットの表面において、全体の結晶配向の総和を１とした時に、（１００）、（１１１）、（１１０）のいずれの配向を有する結晶も、その面積率が０．５を超えないことを特徴とするタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact for a sputtering target which is film-formed at a high film forming rate and a transparent oxide film having excellent surface smoothness, low refractive index with high transparency and exhibiting high gas barrier performance.例文帳に追加

高い成膜速度で成膜可能なスパッタリングターゲット用の酸化物焼結体を提供し、表面平滑性が良好で、屈折率が低くて透明性も高く、かつ、高いガスバリア性能を持つ透明酸化物膜を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film for electronic parts which combinedly has low electric resistance, heat resistance, corrosion resistance, and adhesion and patterning properties for a substrate, and to provide a sputtering target for forming the Ag alloy film for electronic parts.例文帳に追加

低い電気抵抗と耐熱性、耐食性、そして基板への密着性およびパタニング性を兼ね備えた電子部品用Ａｇ合金膜とその電子部品用Ａｇ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The reflecting film having high reflectivity of light and superior corrosion resistance, is manufactured by using a sputtering target which is made from an Ag-Cu (0.3-10 wt.%) alloy and has an average crystal grain size of 0.001-1 mm.例文帳に追加

Ａｇ−Ｃｕ（０．３〜１０ｗｔ％）合金において、その平均結晶粒径が０．００１〜１ｍｍであるスパッタリングターゲットを用いることによって、光の反射率が高く、耐食性に優れた反射膜を製造できる。 - 特許庁

The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.例文帳に追加

透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁

By performing film deposition in a state where the pressure in the discharge space is made higher than that in ordinary sputtering, while retaining a suitable film deposition rate, a porous film of high quality with the low refractive index which has been sufficiently reacted can be stably deposited.例文帳に追加

放電空間を通常のスパッタリングよりも高圧にして成膜を行うことで、適度な成膜レートを保ちながら、充分な反応を得た良質で屈折率の低い多孔質膜を安定して成膜することができる。 - 特許庁

To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film.例文帳に追加

チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。 - 特許庁

This method consists in forming the magnetic recording medium by introducing a polymer forming gas in such a manner that its partial pressure attains ≤0.3 mTorr and dispersing the CoPT magnetic particles into the polymerized high polymer by a sputtering method.例文帳に追加

重合体生成ガスをその分圧が０．３ｍＴｏｒｒ以下となるように導入し、スパッタリング法により重合高分子中ＣｏＰｔ磁性粒子を分散させてなる磁気記録媒体を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.例文帳に追加

このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁

To provide a seed layer being formed as an underlying layer when a copper interconnect line excellent in electromigration resistance is formed in a semiconductor device, e.g. an LSI, and to provide a copper alloy sputtering target required for obtaining that seed layer.例文帳に追加

ＬＳＩなどの半導体装置におけるエレクトロマイグレーション耐性に優れた銅配線を形成する際に下地層として形成するシード層およびこのシード層を得るための銅合金スパッタリングターゲットに関するものである。 - 特許庁

To improve the surface layer of a base material surface by implanting solid ions into the base material surface by a simple method by utilizing the sputtering effect, and to facilitate the coating of the base material surface by a carbon film containing a desired tertiary element.例文帳に追加

スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。 - 特許庁

By using a pallet conveyance type of film-forming system sputtering film-forming apparatus for mounting a substrate 11 to a pallet 12 for conveying, diverse targets 13, 14 are successively and repeatedly mounted to one cathode 15, thus forming an extremely thin multilayer laminated magnetic film.例文帳に追加

基板11をパレット12に搭載し搬送するパレット搬送型成膜方式のスパッタリング成膜装置を用いて、1カソード15に多種ターゲット13、14を順次繰り返し搭載することで、極薄多層積層磁性膜の成膜を可能とした。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which can achieve the film thickness uniformity in a plane and a high throughput with a small device with respect to a three-dimensional shape substrate, such as a via hole of high aspect and a lens having an irregularity shape lens.例文帳に追加

本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a film forming method which can deposit sputter particles inside a hole or a groove when a thin film is formed on a substrate with the hole or the groove at a high aspect ratio by sputtering, and can attempt to enhance the film forming ability.例文帳に追加

高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

There is provided a method of producing a direct-current sputtering target material for use in formation of a boron-doped titanium oxide-based transparent thin film by blending titanium oxide powders and boron elemental powders or titanium boride powders to sinter.例文帳に追加

酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。 - 特許庁

The tantalum sputtering target is also characterized by additionally containing 0 to 100 ppm by mass (excluding 0 ppm by mass) of niobium and having purity of not less than 99.998% when molybdenum, niobium and gas components are excluded.例文帳に追加

上記に、０〜１００ｍａｓｓｐｐｍ（但し０ｍａｓｓｐｐｍを除く）のニオブをさらに含有し、モリブデン、ニオブ及びガス成分を除く純度が９９．９９８％以上であることを特徴とする記載のタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The semiconductor film made of IGZO-based amorphous oxide is manufactured by performing annealing processing under a condition satisfying an expression (2) after forming a film of an IGZO-based amorphous oxide layer by sputtering under a condition satisfying an expression (1).例文帳に追加

ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。 - 特許庁

Continuously, the light absorbing layer is formed to have the prescribed film thickness by repeating the adhesion of the raw material at the atomic layer level through a mask opening by sputtering (step S4) and the exposure thereof to the oxidizing or nitriding atmosphere (step S5).例文帳に追加

続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy reflection film for optical recording medium having sufficient corrosion resistance, excellent surface smoothness, and small surface roughness even in a moist heat environment; and to provide a sputtering target for forming the reflection film.例文帳に追加

十分な耐食性を有すると共に優れた表面平滑性を有し、湿熱環境でも表面粗さが小さい光記録媒体用アルミニウム合金反射膜及びこの反射膜形成のためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film which does not corrode a lower part material and other materials due to the excellent etching working property and does not cause problems such as residual dross, and to provide a sputtering target for forming the transparent conductive film.例文帳に追加

優れたエッチング加工性を有することで下部材料及びその他物質の侵食を発生させず、且つ残渣などの諸問題を生じさせない透明伝導膜とこれを形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a light-shielding film free from generation of toxic material in manufacturing and having excellent light-shielding property and low reflectivity, a sputtering target for manufacturing it, a color filter using the light- shielding film and a display element body.例文帳に追加

製造時に有毒性物質が発生することなく、優れた遮光性を有し且つ反射率の低い遮光膜、それを製造するためのスパッタリングターゲット、遮光膜を用いたカラーフィルタ及び表示素子体を提供する。 - 特許庁

This sputtering apparatus comprises a vacuum chamber device 41 having one load lock chamber 30 and more then one process chambers 31-35, and a carrying mechanism 20 for carrying the base board in order to deliver the base board to the load lock chamber.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、１つのロードロックチャンバ３０と１つ以上のプロセスチャンバ３１〜３５とを備える真空チャンバ装置４１と、ロードロックチャンバに対し基体の受け渡しを行うために基体を搬送する搬送機構２０とを備える。 - 特許庁

More specifically, the film is formed by specifying the sputtering gaseous pressure during the deposition of the Ru ground surface layer to 8.9 to 14 Pa (67 to 105 mTorr) and the X-ray diffraction peak intensity ratio of the Ru layer is specified to (002)/(100)≤0.4.例文帳に追加

具体的には、Ｒｕ下地層成膜時のスパッタガス圧力を８．９Ｐａ〜１４Ｐａ（６７ｍＴｏｒｒ〜１０５ｍＴｏｒｒ）として膜形成し、Ｒｕ層のＸ線回折ピーク強度比を（００２）／（１００）≦０．４とする。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

This film-forming method in a parallel-plate sputtering apparatus includes forming a film on a substrate 12 while rotating the substrate 12 which is held in parallel to a target 11 around an axis which is parallel to the surface having the target 11 mounted thereon, by a predetermined angle.例文帳に追加

平行平板型スパッタ装置において、ターゲット１１と平行に保持された基板１２を、ターゲット１１の取付面に平行な軸を中心に所定の角度だけ回転させながら、基板１２への成膜を行う。 - 特許庁