「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

When reverse sputtering is carried out with Xe plasma gas, the oxidized portions can be efficiently removed selectively from the surface of the wiring, so the contact resistance between upper and lower interconnections can be prevented from increasing in the damascene interconnect structure.例文帳に追加

本発明によれば、Ｘｅのプラズマガスで逆スパッタリングすることにより、配線表面の酸化物部等を選択的に効率よく除去でき、ダマシン配線構造において、上下配線間のコンタクト抵抗の増大を回避できる。 - 特許庁

To provide a carrying apparatus carrying electronic parts such as a crystal element, a ceramic element and a semiconductor device when treatment such as vapor deposition and sputtering is performed thereto, and to provide a method for producing the carrying apparatus.例文帳に追加

本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。 - 特許庁

To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁

To stabilize the film quality of a transparent electrically conductive film over a long time when a transparent electrically conductive laminate having the transparent electrically conductive film on a transparent high molecule substrate is manufactured by a reactive sputtering film forming method using a metal target.例文帳に追加

金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間にわたる膜質安定化をはかる。 - 特許庁

The sputtering target for recording medium includes a sintered magnetic alloy compact containing at least one element selected from Fe and Co, at least one element selected from Pt and Pd and, if necessary, additive components.例文帳に追加

記録媒体用スパッタリングターゲットは、ＦｅおよびＣｏから選ばれる少なくとも1種の元素と、ＰｔおよびＰｄから選ばれる少なくとも1種の元素、さらに必要に応じて添加成分を含む磁性合金の焼結体を具備する。 - 特許庁

To form a transparent conductive film having superior properties of high uniformity in film thickness, sheet resistance and transmittance even by reactive sputtering for long hours with a target using a low melting point metal such as an In-Sn alloy.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｓｎ合金のような低融点金属を使ったターゲットで反応性スパッタリングを長時間実施しても、膜厚均一性、シート抵抗均一性、透過率均一性の高い特性の優れた透明導電膜を形成する。 - 特許庁

A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.例文帳に追加

カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a metal film depositing step (S1) of depositing a metal film on a semiconductor element having a gate insulating film and a gate electrode by sputtering through a collimating plate having a plurality of through-holes formed therein.例文帳に追加

複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。 - 特許庁

To suppress variance in product quality by minimizing the influence of gas, etc., adsorbed to a substrate of polycarbonate, etc., by modifying a filming process for a recording layer in sputtering without altering facilities nor adding new facilities.例文帳に追加

設備上の改造や、新規に設備を追加することなく、スパッタ時の記録層の成膜プロセスを変更することで、ポリカーボネート等の基板に吸着したガス等の影響を最小化し、製品品質のばらつきを押さえること。 - 特許庁

A rotary cathode of the high-output ion sputtering magnetron provided with the rotary cathode internally includes conductive components made of a conductive material so as to pass an electric current to the rotary cathode from a power source.例文帳に追加

回転式カソードを備えた高出力イオンスパッタリングマグネトロンであって、該回転式カソードは、電源から回転式カソードに電流を通じさせるように電導性材料で作られている導電性構成部材を内部に含んでいる。 - 特許庁

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.例文帳に追加

もしくは、スピンオン法（例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、ＲＦスパッタリング法）を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。 - 特許庁

In the method, the transparent conductive film is formed on the surface of a substrate 7 by a sputtering method in one vacuum chamber 1, wherein the film is formed on the surface of the substrate 7 while irradiation of laser beams L through a diffusion plate 16 is performed.例文帳に追加

一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 - 特許庁

Optical waveguides 2a, 2b are formed on a sapphire substrate 1 by depositing C-axis-oriented LiNbO_3 thin film 11 by an ECR sputtering method on the sapphire substrate 1, then etching the LiNbO_3 thin film 11.例文帳に追加

サファイア基板１の上に、ＥＣＲスパッタ法によりＣ軸配向のＬｉＮｂＯ_3薄膜１１を成膜し、その後このＬｉＮｂＯ_3薄膜１１をエッチングすることにより、サファイア基板１の上に光導波路２ａ，２ｂを形成する。 - 特許庁

After a seed layer 17, made of copper and having a width of about 10 nm, is formed by a sputtering method, an electroless copper plating is performed on the layer 17 to form a continuously reinforced seed layer 17A.例文帳に追加

バリア層１６の上にスパッタリング法によって、銅からなり１０ｎｍ程度の厚さを有するシード層１７を形成した後、シード層１７の上に銅の無電解めっきを行なって、連続状に補強されたシード層１７Ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing simply and at a low cost a strontium-ruthenium oxide sintered body having a prescribed composition as a sputtering target by using a ruthenium raw material that is cheaper than ruthenium oxide and without using an oxygen pressure furnace.例文帳に追加

酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the sputtering system having at least one or more magnetron electrodes for film-depositing a thin film layer on a base material, the anode electrodes 5, 6 in the magnetron electrode are rotary type electrodes.例文帳に追加

基材上に薄膜層を成膜するために、少なくとも１つ以上のマグネトロン電極を有することを特徴とするスパッタリング装置において、前記マグネトロン電極におけるアノード電極５，６が回転式電極であるスパッタリング装置。 - 特許庁

To suppress the deposition of foreign matter due to, e.g. formation of particles onto a substrate, to improve product yield by maintaining sputtering deposition rate at fixed and high rate, and to obtain a target suitable for production of a dielectric protective film of an optical disk.例文帳に追加

パーティクルの発生等に起因する基板への異物堆積を抑制し、またスパッタリング成膜速度を一定かつ高速に維持して製品歩留りを向上させ、光ディスクの誘電体保護膜の作成に好適なターゲットを得る。 - 特許庁

This apparatus comprises: a chamber 5 for performing sputtering treatment therein; and a gas bomb 13, a high-frequency power source 11, and vacuum pumps 17 and 19, all of which work for generating the plasma of a gas including hydrogen in the chamber 5 before the chamber 5 is opened, when the chamber 5 is opened to the atmosphere.例文帳に追加

スパッタリングが行われるチャンバ５と、チャンバ５を大気に開放する場合、開放の前にチャンバ５内で水素を含む気体のプラズマを生成するガスボンベ１３、高周波電源１１、真空ポンプ１７及び１９を備える。 - 特許庁

To provide a phase transition type optical recording medium which has high maximum recording linear velocity and fewer reproduction errors even when recording is performed in a wide range of a recording linear velocity and a reproduction error especially at an inner peripheral part is improved and to provide a sputtering target for manufacturing the same.例文帳に追加

最高記録線速が速く、広い記録線速範囲で記録する場合でも再生エラーが少なく、特に内周部での再生エラーが改善された相変化型光記録媒体とその製造用スパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a gas cleaning method for removing the unnecessary deposit on the inner wall, fixture or the like of an apparatus for manufacturing a thin film, a thick film, a powder and a whisker using a CVD method, a sputtering method, a sol-gel method and a vapor deposition method.例文帳に追加

ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において、装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのガスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

That is, when the optical thin film made of multilayer film is formed on the body to be treated by sputtering, a positive bias is applied to the target by a bias applying means 105 and the optical thin film is formed on the body to be treated.例文帳に追加

前記スパッタリングによって被処理物に光学薄膜を成膜するに際し、前記ターゲットにバイアス印加手段１０５によって正のバイアスを印加して、前記被処理物に光学薄膜を成膜する工程を有する構成とする。 - 特許庁

The magnet unit 20A for the magnetron sputtering apparatus includes: a base plate 30; an inner magnet 34 fixed to the base plate 30; and an outer magnet 32 which is fixed to the base plate 30 and is arranged so as to surround the inner magnet 34.例文帳に追加

マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット２０Ａは、ベース板３０と、ベース板３０に固定された内側磁石３４と、ベース板３０に固定され、内側磁石３４を包囲するように配置された外側磁石３２とを有する。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

An electricity collector consisting of a positive electrode black mix layer and an aluminum thin film having a thin film resistivity of 2-20 mΩ.cm is formed on a separator by means of evaporation, sputtering, or CVD.例文帳に追加

セパレータ上に正極合剤層と薄膜抵抗率が２ｍΩ・ｃｍ〜２０ｍΩ・ｃｍであるアルミニウム薄膜からなる集電体を蒸着、スパッタリング、ＣＶＤから選ばれた少なくとも一つの手段によって形成する。 - 特許庁

A sapphire substrate with a main surface having an off angle of 0.15° in the direction of m axis toward (0001) plane is used as a base crystal substrate and a base Cr layer with a thickness of 20 nm is deposited on the base crystal substrate by sputtering.例文帳に追加

下地結晶基板として、（０００１）面に対するｍ軸方向のオフ角度が０．１５°である主面を有するサファイア基板を用意し、スパッタ法により、下地結晶基板の上に厚さ２０ｎｍの下地Ｃｒ層を堆積した。 - 特許庁

A vacuum film deposition system is provided with an ion source in a film deposition chamber, and a thin film is deposited by projecting ion seeds on a film traveling according to the rotation of a main roll by the sputtering method, the CVD method, the vapor deposition method, etc.例文帳に追加

本真空成膜装置は、成膜チャンバ内にイオンソースを備え、メインロールの回転に応じて走行するフィルム上にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法等によりイオン種を投射して薄膜を成膜する装置である。 - 特許庁

To provide an optical recording medium, wherein adhesion between a transparent resin substrate and a transparent dielectric layer is high, the C/N ratio is increased because of the transparent dielectric layer of a high refractive index, and the danger of firing or the like during film formation by a sputtering method is eliminated.例文帳に追加

透明樹脂基板と透明誘電体層との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるためＣ／Ｎ比が向上し、またスパッタリング法によって成膜する際に発火等の危険がないものとする。 - 特許庁

The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element.例文帳に追加

最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び／又はＣＶＤ堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。 - 特許庁

The sputtering target material for the Ag alloy-based reflective film comprises 0.1-0.5 at.%, 0.1-0.5 at.% in total of Au and/or Cu, and the residue of substantially Ag.例文帳に追加

そして、本発明は、Ｓｍを０．１〜０．５ａｔ％、Ａｕおよび／またはＣｕを合計で０．１〜０．５ａｔ％含み残部実質的にＡｇからなることを特徴とするＡｇ合金系反射膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The related invention (Claim 2) is the gas phase etching medium by sputtering. It does not correspond to the "equipment," but it falls under "other products" directly used in working the process for fabrication of the specified invention (Claim 1). 例文帳に追加

（請求項２）は、スパッタリングによるエッチングを行うためのガス状エッチング媒体であり、特定発明（請求項１）の基板の製造方法の実施に直接使用する「装置類」には該当しないが、「その他の物」に該当する。 - 特許庁

Disclosed are a Cr-Mn-B-based sputtering target material for producing a substrate film in a magnetic recording medium comprising, by at%, 5 to 35% Mn and 0.1 to 10% B, and the balance Cr with inevitable impurities, and a method for producing the same.例文帳に追加

ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。 - 特許庁

The substrate stage 12 is arranged inside a vacuum chamber, and a sputtering film deposition means 4 having the target 41a is provided in such a manner that the target 41a is inclined at a prescribed angle to the central axis of the substrate stage, and further, a chemical film deposition means is provided.例文帳に追加

真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。 - 特許庁

The applied pulse is controlled in such a manner that the surface voltage Vs of the substrate surface is recovered to the floating potential Vf upon the end of the pulse cycle T, and the incidence energy of the ions temporarily exceeds the threshold value of the sputtering of the thin film in the pulse cycle T.例文帳に追加

基板表面電位Ｖｓがパルス周期Ｔの終わりには浮遊電位Ｖｆに回復し、イオンの入射エネルギーが薄膜のスパッタリングしきい値をパルス周期Ｔにおいて一時的に越えるよう、印加パルスが制御される。 - 特許庁

Such an electrocatalyst for a fuel cell can be suitably produced on the surface of the platinum-substitute material used as the electrocatalyst for a fuel cell by precipitating carbon by a sputtering method, an evaporation method, or a CVD method.例文帳に追加

このような燃料電池用電極触媒は、燃料電池用電極触媒となる前記白金代替材料の表面に、スパッタリング法、蒸着法又はＣＶＤ法により炭素を析出させることで好適に製造できる。 - 特許庁

The composite structure thin film material is prepared by forming an amorphous thin film represented by the general formula by a high frequency sputtering method and crystallizing the thin film by heat treatment at 500 to 800°C in an inert atmosphere.例文帳に追加

この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 - 特許庁

An Al alloy thin film (Al-Nd-Ti alloy thin film or Al-Nd alloy thin film) 22 is formed on a glass substrate 21 at a substrate temperature of 50 to 150°C or thereabout, desirably 80 to 130 through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により、基板温度を５０〜１５０℃程度好ましくは８０〜１３０℃程度として、ガラス基板２１上にＡｌ合金薄膜（Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜またはＡｌ−Ｎｄ合金薄膜）２２を成膜する。 - 特許庁

The multitarget system for sputtering comprises a positioning means performing positioning in such a manner that a target 29 in a target table 21 is stopped directly below a target holding part 30, and a plurality of targets 9 are successively fed to the position of the target holding part 30.例文帳に追加

スパッタリング用マルチターゲット装置は、ターゲットテーブル２１のターゲット２９がターゲット保持部３０の真下に停止するよう位置決めする位置決め手段を有し、前記ターゲット保持部３０の位置に複数のターゲット９を順次供給する。 - 特許庁

An active material layer with excellent coupling property to the collector in the same way as sputtering film formation and with excellent productivity in the same way as wet plating can thereby be obtained to provide the negative electrode large in both capacity and capacity maintenance rate.例文帳に追加

これにより、スパッタ成膜同様に集電体との結合性が良好で、かつ湿式めっきと同様に生産性の良い活物質層が得られ、容量と容量維持率ともに大きな負極を提供することが出来る。 - 特許庁

The oxide sintered compact sputtering target essentially consists of TiO_X(1<X<2), has a specific resistance of ≤0.65 Ωcm at room temperature, and is formed by subjecting titanium dioxide powder to hot pressing in a nonoxidizing atmosphere, so as to be sintered.例文帳に追加

主成分がＴｉＯ_X （１＜Ｘ＜２）で、かつ、室温での比抵抗が０．６５Ωｃｍ以下であり、二酸化チタン粉末を非酸化雰囲気でホットプレスして焼結することにより形成される酸化物焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁

A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.例文帳に追加

半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。 - 特許庁

To form a film having uniform thickness with a high film-forming speed by using a plurality of target divided bodies which are arranged side by side, as a target having a large surface area is difficult to produce, in a magnetron sputtering device of a plural magnet moving system.例文帳に追加

複数磁石移動方式のマグネトロンスパッタリング装置において、大面積のターゲットは作製困難なことから複数のターゲット分割体の並設体とするが、成膜速度を高くしながら、均一膜厚での成膜を可能とする。 - 特許庁

For the thermoelectric conversion member 1, a p-type thermoelectric element layer 5 and an n-type thermoelectric element layer 7 are formed on the surface of a flexible substrate 3 by sputtering, and the thermoelectric conversion member 1 itself is provided with flexibility.例文帳に追加

熱電変換部材１は、柔軟性を有する基板３の表面上に、スパッタリングにより、ｐ型熱電素子層５とｎ型熱電素子層７とを形成したものであり、熱電変換部材１自体、柔軟性を有している。 - 特許庁

To provide a very large sputtering target obtained by butt-welding metal plates of the same quality in which the grain size and the dispersed state of metal crystals and intermetallic compounds are substantially equal between a welded zone and a non-welded zone.例文帳に追加

同質の金属板を突合せ接合して得られるスパッタリングターゲットであって、金属結晶や金属間化合物の粒径・分散状態が、接合部と非接合部でほぼ同程度である特に大型のスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

When a back electrode 2 is formed on the protrusion 10 by sputtering, the back electrode 2 is formed on the recessed side face of the protrusion 10 such that it becomes thin at the top and in the vicinity of the bottom face and becomes thick in the intermediate part.例文帳に追加

この場合、凸部１０上にスパッタリング法により裏面電極２を形成すると、凸部１０の凹状に湾曲した側面に、頂部および底面近傍で薄く中間部で厚くなるように裏面電極２が形成される。 - 特許庁

The high purity copper sputtering target has a purity of 5N (99.999%) or ≥6N (99.9999%) (excluding gas component), and average grain size of more than 250 to 5000 μm.例文帳に追加

純度が５Ｎ（９９．９９９％）、好ましくは６Ｎ（９９．９９９９％）以上（ガス成分を除く）で、平均結晶粒径が２５０（超）〜５０００μｍであることを特徴とするパーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット。 - 特許庁