「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

In the planar ferromagnetic sputter target to be used as a cathode in the magnetron sputtering of a magnetic thin film, the ferromagnetic material has a localized reasion different in permeability.例文帳に追加

磁性薄膜のマグネトロンスパッターリングにおけるカソードして使用するための平面状強磁性スパッターターゲットであって、その強磁性材料が異なる透磁率の局在化した領域を有するものを提供する。 - 特許庁

The method in this invention comprises: a deposition step for the film by arc evaporation; and a deposition step for the film by dual magnetron sputtering, and the deposition is performed in succession or simultaneously.例文帳に追加

本発明の方法は、アーク蒸発による前記被膜の堆積工程、およびデュアルマグネトロンスパッタリングによる前記被膜の堆積工程を含んでなり、前記堆積が順次または同時に実施される。 - 特許庁

A target holding part 2 of the target base 1 used in the sputtering apparatus is a polyhedron, and can make both holding faces 2a and 2b hold the target, so that the target base can be miniaturized.例文帳に追加

スパッタリング装置に用いられるターゲット基台１のターゲット保持部２は多面体であり、保持面２ａおよび２ｂにターゲットを保持することが可能であるので、ターゲット基台の小型化が達成される。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity Ta material for semiconductor devices, which can enhance in-plane uniformity of thickness of a TaN film formed by a reactive sputtering process.例文帳に追加

ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材の製造方法を提供する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

On a substrate 1, a first β-FeSi_2 layer 2 comprising fine polycrystal whose particle size is 10 to 100 nm is formed as an initial layer by a sputtering method, a vapor deposition method or a laser ablation method.例文帳に追加

基板１上に、スパッタ法、蒸着法又はレーザアブレーション法により粒径が１０乃至１００ｎｍの微細多結晶からなる第１のβ−ＦｅＳｉ_２層２を初期層として形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering film deposition apparatus and a method for manufacturing the film, wherein the target utilizing efficiency is improved and occurrence of abnormal discharge is reduced even when a target and a magnet are arranged close to each other.例文帳に追加

ターゲットの利用効率を向上し、ターゲットとマグネットとを近接に配置しても異常放電の発生を低減可能なスパッタ成膜装置および膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index film based on titanium oxide, exhibits a high deposition rate and is capable of suppressing the temperature rise of the surface of a substrate when the high refractive index film is deposited on the substrate.例文帳に追加

酸化チタンを主体とする高屈折率膜の形成に用いる、成膜速度が高く、成膜時の基体表面の温度上昇を抑制することができるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

In the optical recording medium 101, a reflection layer 12 can be optionally formed on the base material 11 and the reflection layer 12 is also composed of a material which can be formed by the sputtering method using the DC power source.例文帳に追加

また、光記録媒体１０１は、基材１１上に任意に反射層１２を形成することができ、反射層１２も、ＤＣ電源を用いたスパッタリング法により形成できる材料からなる。 - 特許庁

To provide a metal oxide-metal composite sputtering target which has no abnormal discharge and cracks and is useful for the formation of a recording layer for an optical information recording medium, comprising a metal oxide and a metal.例文帳に追加

異常放電や割れのない、金属酸化物および金属を含む光情報記録媒体用記録層などの形成に有用な、金属酸化物−金属複合スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Each magnet unit for generating sputtering particles for forming a thin film from a target arranged oppositely to the substrate to be thin film- formed is provided on each magnet fitting boards 50a, 50b and 50c.例文帳に追加

薄膜を形成すべき基板に対し対向して配設されたターゲットから薄膜形成用のスパッタリング粒子を発生させるための各磁石ユニットを各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに設ける。 - 特許庁

Subsequently, an RF bias is applied onto a substrate and the growing surface is irradiated with argon ions, thus forming a Cu layer 10 of 700 nm thick thicker than the total thickness of the Cu films 8 and 9 by sputtering.例文帳に追加

次に基板にＲＦバイアスを印加してアルゴンイオンを成長表面に照射してスパッタ成膜し、Ｃｕ膜８，９の合計膜厚よりも厚い膜厚７００ｎｍのＣｕ層１０を得る。 - 特許庁

To reduce working cost and obtain high yield by weight in a unidirectional solidified silicon ingot, a manufacturing method thereof, a silicon plate, a substrate of a solar cell and a target base material for sputtering.例文帳に追加

一方向凝固シリコンインゴット及びこの製造方法並びにシリコン板及び太陽電池用基板及びスパッタリング用ターゲット素材において、加工コストが低いと共に、高い重量歩留まりを得ること。 - 特許庁

To provide a transparent conductive thin film which is remarkably flat, low in resistance and is amorphous, an oxide sintered compact for stably forming the transparent conductive thin film and a sputtering target using the same.例文帳に追加

極めて平滑で、抵抗が低く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, contains Zn, Sn and O, and has atomic ratio of Zn and Sn from 20:80 or more to 80:20 or less.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＯを含有し、ＺｎとＳｎとの原子数比が２０：８０以上８０：２０以下である。 - 特許庁

To provide a batch-feeding type film-forming apparatus for forming a film on a plurality of non-electroconductive substrates with a bias sputtering technique, which can adequately apply a DC-bias while keeping the productivity.例文帳に追加

複数枚の非導電性の基板に対してバイアススパッタによる成膜を行う枚葉式の成膜装置において、生産性を維持したままで、良好にＤＣバイアスを印加することができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing a cylindrical sputtering target in which a joining material can be densely filled, and also, occurrence of cracking and chipping upon production can be remarkably reduced.例文帳に追加

本発明の課題は、接合材を密に充填でき、且つ製造時の割れ、欠けの発生を著しく低減することができる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium performing the recording, reproducing, recording-reproducing, and erasing of information by laser light, in which the generation of abnormal discharge is reduced.例文帳に追加

レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、さらに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

A direct current reactive sputtering apparatus includes: a sputter source 1 including the targets 5, 6 arranged opposite to each other; and a film deposition chamber 2 that is communicated with the sputter source 1 and stores a substrate W that is an object to be treated.例文帳に追加

本発明は、対向配置されるターゲット５、６を備えるスパッタ源１と、スパッタ源１と連通され処理対象である基板Ｗが収容される成膜室２と、を備えている。 - 特許庁

The material for forming the transparent thin film produced from the composite oxide sintered compact is a target for forming a film, is a sputtering target having a porosity of 5% or less in a theoretical density ratio and has a volume resistance of 10^-2 Ω cm or less.例文帳に追加

前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 - 特許庁

In the dispersion type EL element of the present invention, a film thickness of the light-emitting layer 3 is 80 to 100 μm, and the back electrode 5 is formed on the dielectric layer 4 by pressure bonding, vapor deposition, or sputtering.例文帳に追加

本発明の分散型ＥＬ素子では、発光層３の膜厚は８０〜１００μｍであり、背面電極５は誘電体層４上に圧着、蒸着もしくはスパッタリングにより形成される。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a sputtering target for producing a transparent conductive thin-film by a hot pressing method, which does not produce crack on the surface and a nodule and arcing during film formation.例文帳に追加

ホットプレス法を用いて、その表面に割れが発生せず、成膜中にノジュールやアーキングが発生しない、透明導電性薄膜作製用のスパッタリングターゲットを、安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical disk capable of giving a change in a color to the optical disk as a product, by providing a colored layer that cannot be assumed heretofore by sputtering, and to provide the optical disk thereof.例文帳に追加

これまでには想定し得なかった着色層をスパッタリングにより設け、製品としての光ディスクに色彩の変化を与えることができる光ディスクの製造方法および光ディスクを提供する。 - 特許庁

This high purity Cu composing the Cu sputtering target contains at least one kind of chemical element selected from Ag and Au, of which the total content is in the range of 0.005-500 ppm.例文帳に追加

このＣｕスパッタリングターゲットを構成する高純度Ｃｕは、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも1種の元素を含有し、かつＡｇおよびＡｕの合計含有量が0.005〜500ppmの範囲とされている。 - 特許庁

Plasma beams PB from a plasma gun main body 30 are guided to a magnetic field fixed by a steering coil 40 or the like to form high density plasma in a space over a gun anode 51 and a sputtering target 52.例文帳に追加

プラズマガン本体３０からのプラズマビームＰＢは、ステアリングコイル４０等により決定される磁界に案内されてガン・アノード５１及びスパッタ・ターゲット５２上空に高密度のプラズマを形成する。 - 特許庁

If the dopant profile measurement is implemented by using an electron beam holography, the thin piece 2 is thinned down by sputtering the gas cluster ion beam 1 after an removal of the residual gallium layer 3 until an electron beam of 100-200 kV passes through it.例文帳に追加

電子線ホログラフィーを用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層3除去後の薄片2を100〜200kVの電子線が透過する厚さまでガスクラスターイオンビーム1のスパッタで薄くする。 - 特許庁

To facilitate the exchange of a target to reduce the working time by using a gel like material as a bonding material for sticking the target to a water cooled plate in a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング装置において、ターゲットと水冷プレートを接着するボンディング材として、ゲル状の材料を用いることにより、前記ターゲットの交換を容易にし、作業期間を短縮させることを目的とする。 - 特許庁

An antenna coil is directly formed on a base material of an IC card by using a selective film forming system represented by a jet printing method, vacuum deposition using a metal mask and sputtering.例文帳に追加

ＩＣカード基材の上に、ジェットプリンティング方式や、メタルマスクを用いた真空蒸着またはスパッタリングなどを代表とする、選択成膜方式を用いることにより、アンテナコイルを直接形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric film forming method which can manufacture a high membranous piezoelectric film with high productivity, a manufacturing method of an FBAR, and a non-reactive sputtering device realizing the methods.例文帳に追加

高い膜質の圧電膜を生産性高く製造することができる圧電膜の形成方法またはＦＢＡＲの製造方法およびこれを実現する非反応性スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

An oxide film is formed by electron beam type ion plating or sputtering in 1-10 μm thickness on a nitride film formed by cathode arc type ion plating and a silicon oxide film of ≤5 μm thickness is further formed by a sol-gel process on the oxide film.例文帳に追加

また、カソードアーク式イオンプレーティング法で形成した窒化膜上に、酸化膜を１〜１０μｍ形成し、更にその上にゾル・ゲル法で５μｍ以下の酸化珪素膜を形成した膜構造。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a permanent magnet thin film which can improve the magnetic properties of a permanent magnet thin film such as an Nd-Fe-B based permanent magnet thin film, and a method for producing the same.例文帳に追加

Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell manufacturing device which is capable of keeping the temperature of a board unchanged before and after electrode sputtering is carried out and manufacturing an electrode film that hardly peels off and is excellent in film quality and reliability.例文帳に追加

電極スパッタリングの前後の基板の温度を一定に保持でき、剥離の生じず、また膜質がよく信頼性の高い電極膜を製造できる薄膜太陽電池の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having a diaphragm structure, in which when covering a wafer with a metal mask and sputtering the wafer, the position of the metal mask for covering the wafer can be accurately determined.例文帳に追加

ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode material for a cold cathode discharge tube, extending an electrode life because of its high sputtering resistance, keeping an electrode cost low because of its inexpensive raw material, and having good workability.例文帳に追加

耐スパッタ性が高くて電極寿命を長寿命化することができ、尚且つ素材が安価で電極コストを低く抑え得、加工性も良好な冷陰極放電管用電極材料を提供する。 - 特許庁

A lower electrode 14 is formed on the upper surface 12 of a substrate 10, a piezoelectric film 16 is deposited on the lower electrode 14 by sputtering and an upper electrode 18 is formed on the upper surface of the piezoelectric film 16.例文帳に追加

基板１０の上面１２に下部電極１４を成膜し、下部電極１４上にスパッタ法で圧電体膜１６を成膜し、圧電体膜１６の上面に上部電極１８を成膜する。 - 特許庁

The magnetron sputtering system has a substrate holder 3 for holding a substrate 4 where a thin film is to be deposited on the surface and a target 12 disposed to be opposed to the substrate 4 in a vacuum vessel 1.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング装置は、表面に薄膜が形成される基板４を保持する基板ホルダー３と、基板４に対向配置されたターゲット１２とを真空容器１内に収容している。 - 特許庁

To provide a ceramic heater excellent in temperature control and temperature evenness on a heating surface capable of being suitably utilized for uses such as drying and sputtering of a silicon wafer or the like mainly in a semiconductor industry.例文帳に追加

主に半導体産業におけるシリコンウエハ等の乾燥用、スパッタリング用等の用途に好適に使用でき、温度制御性及び加熱面の温度均一性に優れるセラミックヒータの提供。 - 特許庁

The sputtering target having a sintered compact which is composed essentially of indium, tin and oxygen and in which the number of agglomerated particles of tin oxide of ≥10 μm diameter is ≤1 piece/0.27 mm^2 is used.例文帳に追加

直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^2あたり１個以下である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

To provide a sputtering system which realizes a thin film deposition of uniform and excellent quality in depositing the thin film corresponding to the substrate of a large area, and can manufacture the thin film while suppressing the cost.例文帳に追加

大面積の基板に対応する薄膜形成においても、均一な優れた品質の薄膜形成を実現し、しかもその経済的コストを抑えて製造することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

Furthermore, when manufacturing an X-ray mask, at least the Ta of the absorber pattern 11 is formed by a sputtering method, by a plasma of electron cyclotron resonance.例文帳に追加

さらに、Ｘ線マスクを作製する場合に、少なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程を含むＸ線マスクの製造方法とする。 - 特許庁

A lower electrode 18 is formed on an upper surface of a substrate 10, a piezoelectric film 20 is formed on the lower electrode 18 by sputtering method, and an upper electrode 22 is formed on an upper surface of the piezoelectric film 20.例文帳に追加

基板１０の上面に下部電極１８を成膜し、下部電極１８上にスパッタ法で圧電体膜２０を成膜し、圧電体膜２０の上面に上部電極２２を成膜する。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target assembly having high joining strength, at the time of laminating a target material and a backing plate material and performing diffusion joining, by increasing the contact area of both materials.例文帳に追加

ターゲット材とバッキングプレート材とを重ね合わせて拡散接合する際に、両材の接触面積を大きくして、高い接合強度を有するスパッタリングターゲット組立て体を製造する方法の提供。 - 特許庁

Consequently, the consumption of the electrode member due to sputtering is reduced to extend the life of the electrode member and to reduce component consumption cost and the inside of the apparatus can be prevented from being contaminated with scattered objects.例文帳に追加

これにより、電極部材のスパッタリングによる消耗を低減させて長寿命化し部品消耗コストを低減するとともに、飛散物による装置内部の汚染を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell in which passivation by a method equivalent to a formation method such as a plasma CVD method can be performed even if an antireflection film is formed by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により反射防止膜を形成した場合でも、プラズマＣＶＤ法などによる形成方法による場合と同等のパッシベーションがなされる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

ＲＦスパッタ法によりシリコン基板１上に室温でアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜２を６００℃から８５０℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁