「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

To bond a sputtering target and a backing plate without deteriorating an In layer in a brazing filler metal by preventing counter diffusion between In in the brazing filler metal and components in a BaAl:Eu alloy sheet.例文帳に追加

ボンディング時に、ロウ材のＩｎとＢａＡｌ：Ｅｕ合金板の成分とが相互に拡散することを防止し、ロウ材のＩｎ層を変質させずに、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合させる。 - 特許庁

Namely, the thinning of the capacitor (dielectric stacked body) which has been difficult by a production method using a green sheet can be realized by depositing the electrode films 50A, 50C and dielectric film 50B by sputtering.例文帳に追加

つまり、グリーンシートを用いた製法では困難であったコンデンサ（誘電積層体）の薄型化は、スパッタリングによって電極膜５０Ａ，５０Ｃ及び誘電体膜５０Ｂを成膜することで実現される。 - 特許庁

A magnetic disk medium 4 has a takeoff area where texture construction is constructed by sputtering at the place where a magnetic head base 2 using the negative pressure type magnetic head slider 1 begins to ride on a ramp road 3.例文帳に追加

磁気ディスク媒体４は、負圧型磁気ヘッドスライダ１を用いた磁気ヘッド支持体２がランプロード３に乗り上げ始める所をスパッタなどを用いてテクスチャー施工されたテイクオフ領域を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming a ceramic thin film on a substrate with a sputtering method, which is easy, has versatility and enhances the crystallinity of the ceramic thin film.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法で基板上にセラミック薄膜を形成する方法に関し、簡単で汎用性があるセラミック薄膜の結晶性を向上させる方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A sputtering target is DC-sputtered at water partial pressure of 3×10^-4 to 5×10^-2 Pa in a system so as to form a formation body, and the formation body is crystallized in the film formation method of the oxide semiconductor.例文帳に追加

系内の水分圧３×１０^−４〜５×１０^−２Ｐａで、スパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングして成膜体を成膜し、前記成膜体を結晶化する酸化物半導体の成膜方法。 - 特許庁

Upon sputtering of an information recording layer, a single film is formed with the same material (for example, In-Sn-Pd-O film), layers where film forming conditions are changed are formed to make a pseudo multi-film structure.例文帳に追加

情報記録層のスパッタリングの際には、同一材料（例えばＩｎ−Ｓｎ−Ｐｄ−Ｏ膜）の単膜形成を行うが、成膜条件を変化させた層を形成し、擬似的な複膜構造とする。 - 特許庁

To provide: a semiconductor device capable of preventing increase of a resistance value of a wire due to barrier film formation and the occurrence of a void; a method of manufacturing the same; and a sputtering target used for the same.例文帳に追加

バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which can adequately cool a target while increasing the strength of a magnetic field generated on the surface of the target, and also, can cope with the tendency of reducing the size of the target.例文帳に追加

ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

In the process of forming the reflective conductive film, a direction in which the current of the semiconductor layer 12 flows is made different from a transport direction of the translucent substrate 1 by the inline sputtering device 80.例文帳に追加

そして、反射性導電膜を形成する工程において、半導体層１２の電流が流れる方向とインラインスパッタリング装置８０での透光性基板１の搬送方向を異ならせる。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a reflection layer of an optical medium excellent in surface smoothness which is composed mostly of relatively inexpensive aluminum and does not use rare earth metal, and a method for manufacturing thereof.例文帳に追加

比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a film magnet having a high intrinsic coercive force, which cannot be obtained without a heat treatment of a substrate by a sputtering method or a laser ablation method, without a heat treatment for the substrate.例文帳に追加

スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a BiTi-based oxide target containing a Bi_4Ti_3O_12 phase which has high density and hardly causes abnormal discharge and enables sputtering to be performed with the consistent film composition, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高密度で異常放電が発生し難く、安定した膜組成でスパッタリングが可能なＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２相を含むＢｉＴｉ系酸化物ターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture an IGZO-based amorphous oxide semiconductor film by a sputtering method, which has suitable carrier density as an active layer of a TFT and excellent stability against electrical stress and heat.例文帳に追加

スパッタ法により、ＴＦＴの活性層として好適なキャリア密度を有し、且つ、電気的ストレス、及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物半導体膜を製造する。 - 特許庁

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.例文帳に追加

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。 - 特許庁

The sputtering device includes a chamber 101, a wafer stage 102, a ring chuck 104, a metal target 105, an adhesion-preventive shield 107, a magnet 108, a collimator 109, and DC power sources 110, 120.例文帳に追加

このスパッタリング装置は、チャンバ１０１、ウェハステージ１０２、リングチャック１０４、金属ターゲット１０５、防着シールド１０７、マグネット１０８、コリメータ１０９、並びに直流電源１１０，１２０を備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-purity and high-density metal boride sintered compact suitable as a constituent material of a sputtering target, and a lanthanum boride sintered compact having the above properties.例文帳に追加

スパッタリングターゲットの構成材料として好適な高純度かつ高密度の金属ホウ化物焼結体の製造方法、及び上記性状を有するホウ化ランタン焼結体を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of placing a substrate inside a sputtering chamber that has a copper target and a silicon oxide (SiO_2) target, or has a composite target made from copper and silicon oxide therein.例文帳に追加

この方法は、銅ターゲットおよびシリコン酸化物（ＳｉＯ_2）ターゲットを有するか、あるいは、銅およびシリコン酸化物から作られた複合ターゲットを有するスパッタリングチャンバー内に、基板を設置することを含む。 - 特許庁

To provide an Ni alloy electrode film which has low electric resistance, and also has excellent resistivity stability in a repeated heating environment, and a sputtering target for forming the Ni alloy electrode film.例文帳に追加

低電気抵抗で、かつ繰返しの加熱環境にあって抵抗率安定性に優れるＮｉ合金電極膜、そのＮｉ合金電極膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The metal layer is formed by a vacuum sputtering method or a vacuum evaporation method, on at least one surface of the resin composition layer containing the resin element.例文帳に追加

上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層の少なくとも一方の面に、真空スパッタリング法または真空蒸着法により金属層を形成することにより解決することができる。 - 特許庁

The insulator interface layer is formed by sputtering using a metal target to form a metal film, and then oxidizing the metal film under an oxidizing atmosphere such as oxygen radicals or oxygen plasma.例文帳に追加

絶縁体界面層は、金属ターゲットを用いてスパッタリングすることによって金属膜を形成した後、酸素ラジカルや酸素プラズマ等の酸化性雰囲気中で金属膜を酸化することによって形成する。 - 特許庁

A sputtering cathode has electrode faces opposing in a V-shape and pole faces opposing parallel to each other or in a truncated chevron shape across the electrode faces, wherein the pole faces have polarities reverse to each other.例文帳に追加

Ｖ字型に対向する電極面と、前記電極面を挟んで平行またはハの字型に対向する磁極面を有し、前記磁極面はお互いに逆極性であることを特徴とする、スパッタカソード。 - 特許庁

To provide a ZnS based dielectric target for sputtering having low target resistance, and to provide a film deposition method and a producing device for forming a dielectric film for an amorphous phase change optical disk using the target.例文帳に追加

ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。 - 特許庁

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering system in which the change command of power source control is transmitted synchronously with the timing of a process treatment change to eliminate an error by the delay of a serial communication, and which has high precision and high reproducibility.例文帳に追加

プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an arc welding device and an arc welding system capable of preventing welding from being unstable to suppress generation of sputtering by promptly opening a short circuit in response to a welded state.例文帳に追加

溶接状態に応じて速やかに短絡を開放することで、溶接が不安定になることを防止しスパッタの発生を抑制することができるアーク溶接装置およびアーク溶接システムを提供する。 - 特許庁

This Mo sputtering target material is composed of a recrystallized Mo sheet with random crystal orientation obtd. by subjecting an Mo rolling stock to heat treatment, and in which the average of the recrystallized grain size is ≤100 μm.例文帳に追加

Ｍｏスパッターリングターゲット材は、Ｍｏ圧延材を熱処理する事により得られるランダムな結晶方位を備えた再結晶Ｍｏ板であって、再結晶粒径の平均が１００μｍ以下である。 - 特許庁

Then, during the sputter etching process in the barrier layer 340, sputtering particles in the barrier layer 340 are laminated in a sidewall part 344 of the opening part while sputter etching is performed with respect to the barrier layer 340 of the plane part 342.例文帳に追加

次いで、バリア層３４０のスパッタエッチング工程は、平面部３４２のバリア層３４０をスパッタエッチングしながらバリア層３４０のスパッタ粒子を開口部の側壁部３４４に堆積させる。 - 特許庁

The rear surface of a wafer 1 is subjected to grinding after a barrier metal 4 is formed through sputtering or the like, thereafter a bump resist 5 with an opening located on the semiconductor electrode 2 is formed, and a bump 6 is formed through a plating process.例文帳に追加

バリアメタル４をスパッタリング等で形成後にウェハ１のバックグラインドを実施し、その後、半導体電極２上を開口したバンプレジスト５を形成し、めっき工程でバンプ６を形成する。 - 特許庁

The super corrosion-resisting alloy is manufactured by the sputtering method using a target prepared by using a non-magnetic commecial alloy as a base material 4 of target and setting or embedding small pieces 5, 6 of additive elements on or in the base material 4.例文帳に追加

この超耐食性合金を非磁性の市販合金をターゲット基体４とし、これに添加元素の小片５，６を載せたり埋め込んだりしてなるターゲットを用いるスパッター法で作製する。 - 特許庁

A stainless steel sheet is used as the substrate, and a titanium or titanium-alloy plating layer in which ≥0.5% nitrogen is made to enter into solid solution is deposited by a sputtering method, and a titanium oxide film is formed on the outermost surface layer of the plating layer.例文帳に追加

ステンレス鋼板を基板に、０．５ａｔｍ％以上の窒素を固溶するチタンまたはチタン合金めっき層をスパッタリング法により施し、該めっき最表層に酸化チタン皮膜を形成した。 - 特許庁

To provide a sputtering device free from dust generation without lowering processing capacity by eliminating gas discharged from a thermally sprayed coating and realizing a thermally sprayed coating in which no degradation occurs in vacuum recovery even if integrating energy is intensified.例文帳に追加

溶射膜から放出されるガスをなくし、積算電力が進んでも真空回復が悪化しない溶射膜を実現することで、処理能力を落とすことなく発塵がないスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

A sputtering target contains oxides of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a compound expressed as ZnGa_2O_4 and a compound expressed as InGaZnO_4.例文帳に追加

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表される化合物及びＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物含むスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a sputtering system improved in a film thickness distribution by arranging a gas jet tube is arranged around a cathode case housing a cathode, thereby spreading a process gas uniformly near the center of a substrate.例文帳に追加

カソードを収容するカソードケースの周囲にガス噴出管を配置し、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして膜厚分布を改善したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a titanium material for sputtering in which a cast ingot is used as a starting raw material, and this titanium material has clean macro-structure and fine micro-structure and the defect on a surface layer is little and good upsetting forgeability is provided.例文帳に追加

溶解インゴットを出発原料として、清浄なマクロ組織、微細なミクロ組織を備え、表層欠陥が少なく、良好な据え込み鍛造性を具備するスパッタリング用チタン材を提供。 - 特許庁

To provide a cold cathode fluorescent lamp which can reduce mercury consumption through control of sputtering by electric discharge and realize long operation life even if lamp current is large and an arc tube is thin in diameter.例文帳に追加

ランプ電流が大きく、発光管が細径であっても、放電によるスパッタリングを抑制して水銀の消耗を低減でき長寿命化が実現できる冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁

A heat resisting coating film is formed on a bottom face of a circular frame of the top plate 4, and a light transmitting film comprising metallic material such as titanium is formed on other portions by sputtering.例文帳に追加

前記トッププレート４のうち円形枠の下面には耐熱塗装膜が成膜され、その他の部分にはチタン等の金属系材料からなる光透過性薄膜がスパッタ法により成膜されている。 - 特許庁

To provide a method capable of depositing a thin film having a uniform film thickness distribution in a thin film production method by emitted particles from a target by a laser abrasion method, an ion beam sputtering method or the like.例文帳に追加

レーザーアブレーション法やイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製法において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方法の提供。 - 特許庁

The surface of an alloy base material is provided with a silicon carbide coating film formed by sputtering, and the light transmittance of the silicon carbide coating film is ≥70%.例文帳に追加

合金基材上に、スパッタリングにより形成された炭化ケイ素質被覆層を有し、該炭化ケイ素質被覆層の光透過率が７０％以上であることを特徴とする積層構造体である。 - 特許庁

To provide a boron nitride film which has satisfactory adhesion, comprises c-BN at a high ratio and has extremely excellent practicality even in the case a PVD process such as a sputtering process and an arc ion plating process is used.例文帳に追加

スパッタリング法やアークイオンプレーティング法等のＰＶＤ法を用いた場合でも密着性が良好でｃ−ＢＮを高い割合で有する極めて実用性に秀れた窒化ホウ素膜の提供。 - 特許庁

To provide a method whereby a Ta sputtering target with a fine and uniform crystal particle size and excellent characteristics is stably produced by improving and devising its forging step and heat treatment step.例文帳に追加

鍛造工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、結晶粒径を微細かつ均一にし、特性に優れたＴａスパッタリングターゲットを安定して製造できる方法を得ることを課題とする。 - 特許庁

Then, a copper alloy film 6 is formed through a slow/long sputtering method, using a target formed of alloy of copper and about 10 wt.% silver and termally treated so as to fill the wiring groove 3 and the connection hole 4.例文帳に追加

次に、銅に約１０ｗｔ％程度の銀を含有させたターゲットを用いてロングスロースパッタ法により銅合金膜６を形成し、熱処理して配線溝３内及び接続孔４内を埋め込む。 - 特許庁

By using a lift-off mask 40, a groove 42 is formed in a lower magnetic pole 11B by etching, and a nonmagnetic embedded layer 50 is formed by sputtering so as to embed at least the groove 42.例文帳に追加

リフトオフマスク４０を用いて、エッチング処理により下部磁極１１Ｂに溝４２を形成すると共に、スパッタリングにより少なくとも溝４２を埋め込むように非磁性埋込層５０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, since the overall mass of the discharge gas becomes larger than the conventional one, and the kinetic energy of the gas particles decreases, the sputtering ratio applied on the protection layer is reduced and thereby, lifetime of the panel is prolonged.例文帳に追加

また、放電ガスの全体的な質量が従来より大きくなってガス粒子の運動エネルギーは減るため、保護層に加えられるスパッタリング比率が減少し、その結果パネルの寿命が延びる。 - 特許庁

To prevent puncture of insulation of a dielectric film resulting in scattering of the film in the form of particles by preventing the dielectric film adhered to an adhering protection board from being electrostatically charged when the dielectric film is formed by a sputtering device.例文帳に追加

誘電体をスパッタリング装置で成膜する際に防着板１９に付着した誘電体膜が帯電し、その誘電体膜が絶縁破壊すると飛散してパーティクルとなるのを防止する。 - 特許庁

In a glow discharge emission spectrum analyzer for spectrally detecting atomic emission while sputtering the surface of a sample by glow discharge to analyze an element, first - third electrodes are provided.例文帳に追加

グロー放電によって試料表面をスパッタリングしながら原子発光を分光検出し、元素分析を行うグロー放電発光分光分析装置１において、第１の電極〜第３の電極を備える。 - 特許庁