「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(80ページ目) - Weblio英語例文検索

Also articles and components made from the tantalum metal which include, but are not limited to, sputtering targets, capacitor cans, resistive film layers, wire, and the like are described.例文帳に追加

さらにスパッタターゲット、キャパシタ容器、抵抗性膜層、ワイア等を含むが、これらに限定されない、金属タンタルからつくられる物品および部品について記載されている。 - 特許庁

By applying a reverse sputtering treatment and a heat treatment under nitrogen atmosphere to the buffer layer, the buffer layer having the higher conductivity than that of the oxide semiconductor layer can be formed.例文帳に追加

また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus having a cooling mechanism for easily controlling the temperature of a semiconductor wafer from the normal temperature to 100°C.例文帳に追加

本発明においては、半導体ウェハの温度を常温から１００℃まで、容易に制御可能な冷却機構を有するスパッタリング装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide an ionization sputtering vacuum pump in which a reduction of evacuation speed in an ultrahigh vacuum region is minimized by introducing thermal electrons from an extra-ultrahigh vacuum region.例文帳に追加

本発明は、イオン化スパッタ真空ポンプに関し、超高真空域から熱電子を導入して極高真空域での排気速度の低減を最小にすることを目的とする。 - 特許庁

Further, unneeded parts of the diaphragm 16 are cut, and the surface of the diaphragm 16 is coated with gold by means of sputtering in order to prevent the PBO woven cloth 116 from being deteriorated.例文帳に追加

さらに、振動板１６の不要部分をカットして、ＰＢＯ織布１１６の劣化防止のために、振動板１６の表面にスパッタリングにより金をコーティングする。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device wherein holes, trenches, etc. can be formed with high accuracy without requiring a process such as Ar sputtering which gives heavy damage.例文帳に追加

Ａｒスパッタ処理のようなダメージの大きい工程を必要とせず、高精度でホールや溝などを形成することが可能で、信頼性の高い半導体装置を製造する。 - 特許庁

In a fourth means, the protective film having high adhesive force and excellent wear resistance is obtained by applying high frequency voltage of a square wave to the substrate at the time of DLC sputtering.例文帳に追加

第４の手段はＤＬＣスパッタ時に基板に対し矩形波の高周波電圧を印可することにより、密着力が強く耐摩耗特性に優れた保護膜を得る。 - 特許庁

To provide a hard coating film more excellent in wear resistance than a TiN coating film and a TiAlN coating film, which are conventional hard coating films, and to provide a sputtering target material for forming the hard coating film.例文帳に追加

従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The light shielding film 2 is composed of a metal-containing thin film deposited by a vacuum deposition process, a sputtering process, or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) which hold the treatment temperature of ≤150°C.例文帳に追加

遮光膜２は１５０℃以下の処理温度を維持できる真空蒸着法、スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法にて成膜された金属を含む薄膜からなる。 - 特許庁

During a film formation step using a film formation method such as a sputtering method, the magnetic film is formed by applying external magnetic field, having a predetermined intensity of magnetic field to a substrate in a predetermined direction.例文帳に追加

磁性膜の成膜工程においては、基板上に一定磁界強度の外部磁界を一定方向に印加しながらスパッタ法等の成膜技術で形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Fe-Co-Ni-based alloy target material by which large leakage magnetic flux is obtained, of which the magnetic permeability is high, and the use efficiency in magnetron sputtering is high.例文帳に追加

大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputtering target having a thickness-to-radius ratio of at least 3 and also having a density as high as at least 965i!; of theoretical density.例文帳に追加

本発明は、厚さに対する半径の比が少なくとも３で、理論的密度の少なくとも９６％の高密度のスパッタ・ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, on the face of the quartz substrate 15 which has the pattern 15a, a photo-catalytic titanium oxide film 11 is formed by sputtering or the like to prepare the mold 10 for NIL.例文帳に追加

石英基板１５の、パターン１５ａの形成された面に、スパッタリング等により光触媒性酸化チタン膜１１を形成し、ＮＩＬ用モールド１０を作製する。 - 特許庁

In this case, in the case of sputtering, a predetermined high frequency power is applied to the substrate 20, and it can be controlled so that the potential of the substrate 20 is set to -20 to -100 V.例文帳に追加

この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 - 特許庁

To simply form a decorative panel having plating-like metal appearance at a low cost by applying a paint without using a conventional processing method (plating, vacuum vapor deposition or sputtering).例文帳に追加

めっき調の金属外観装飾板を従来の加工方法（めっき・真空蒸着・スパッタ等）を用いずに塗料を塗装することで簡単かつ低コストで形成する。 - 特許庁

ICP coil sputtering deposits a protection layer, on an area adjacent to a hole opening part where film-thinning by the resputtering is unfavorable, during the ICP resputtering.例文帳に追加

ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 - 特許庁

To provide a process and a system for a magnetron sputtering by which a highly efficient film deposition can be realized at low temperature near to ordinary temperature by preventing the temperature of a base material from rising.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおいて、基材の温度上昇を防止して常温に近い低い温度で高能率の薄膜形成を可能にする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The W sputtering target is characterized in that a half band width of a peak corresponding to a crystal plane (110) of the target is 0.35 or less when a surface of the target to be sputtered is analyzed by X-ray diffraction.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of sufficiently/efficiently cooling a target body, increasing the usable amt. of the target body, and increasing the availability of the target.例文帳に追加

ターゲット本体を十分に効率よく冷却でき、ターゲット本体の使用可能量を大きくし、且つターゲット利用率も高くすることが可能なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming apparatus that can form an optical thin film which is uniform, has high precision and has a predetermined thickness distribution, on a large area substrate by using a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法を用い、大面積基材に対して、均質かつ高精度な、所定の膜厚分布の光学薄膜を得ることができる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To attain the reduction of film deposition cost and the improvement of film deposition efficiency in an Si oxide film or the like suitable for an optical thin film at the time of film-depositing the Si oxide film or the like by sputtering.例文帳に追加

光学薄膜に好適なＳｉ酸化膜等をスパッタ成膜するにあたって、Ｓｉ酸化膜等の成膜コストの低減および成膜効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a gallium oxide powder excellent in dispersibility as a gallium oxide powder from which a sputtering target like an In-Ga-Zn composite oxide can be manufactured suitably.例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物などのようなスパッタリングターゲットを好適に製造できる酸化ガリウム粉末として、分散性に優れた酸化ガリウム粉末を提案する。 - 特許庁

The electroconductive thin film 103 may be formed by sputtering a target made from ruthenium with the use of ECR plasma including argon (Ar) gas, xenon (Xe) gas and nitrogen gas.例文帳に追加

導電薄膜１０３は、ルテニウムよりなるターゲットを、アルゴンガス（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）ガス、窒素ガスからなるＥＣＲプラズマを用いてスパッタリングして形成すればよい。 - 特許庁

To provide a target for sputtering to obtain a low resistance film, a transparent conductive film formed using the same and a method of manufacturing the transparent conductive film.例文帳に追加

本発明は、低抵抗な膜を得るためのスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて形成される透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The formation of the BiFeO_3 crystal film 102 is performed by an ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma sputtering process using a target of a sintered compact mainly composed of the oxide of bismuth and iron.例文帳に追加

ここで、ＢｉＦｅＯ_3結晶膜１０２の形成は、主として、ビスマスと鉄との酸化物からなる焼結体のターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により行う。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for the manufacture of a halftone phase shift mask and a blank and which does not produce particle defects during depositing a film.例文帳に追加

ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットであって成膜時にパーティクル欠陥を発生させることのないスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁

A thin film sample 1 is fixed to a sample stand 2 to be introduced into an ultrahigh vacuum apparatus and ion sputtering of about 100 Åis performed while the sample stand 2 is rotated.例文帳に追加

薄膜試料１を試料台２に固定し、超高真空装置内に導入し、試料台２を回転させながら、１００Å程度イオンスパッタを行う。 - 特許庁

A top clad layer is just to be formed after the heat treatment if required, and can be formed using a CVD method represented by plasma CVD or a PVD method such as a sputtering method.例文帳に追加

トップクラッド層は、必要ならば熱処理後に形成すれば良く、プラズマCVDで代表されるCVD法、あるいはスパッタ法などのPVD法等を用いて形成することができる。 - 特許庁

A reflection preventing polarizing plate 24 comprises a reflection preventing layer 26 formed by laminating five layers of ZrO2 and SiO2 layers on a surface of a polarizing plate 25a by a sputtering method.例文帳に追加

反射防止偏光板２４は、スパッタ法を用いて偏光板２５ａ表面にＺｒＯ_2層、ＳｉＯ_2層を５層積層し、反射防止層２６を形成して成る。 - 特許庁

A main surface electrode 4 is formed on the surface of a side for receiving a solar light of the photovoltaic cell 1 by printing method, vapor phase method, or sputtering method or the like.例文帳に追加

その太陽電池セル１の太陽光線を受光する側の表面に、たとえば印刷法、蒸着法またはスパッタ法等によって主面電極４が形成される。 - 特許庁

To provide an Mn-contained copper alloy sputtering target with less occurrence of particles with which the diffusion preventive film and seed film of a semi-conductor device wiring can be deposited simultaneously.例文帳に追加

半導体デバイス配線の拡散防止膜およびシード膜を同時に製膜することができるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering method capable of performing athin film formation while keeping a high sputter rate without being affected by an insulating film formed on the peripheral area of a target.例文帳に追加

ターゲットの周縁領域に形成される絶縁膜の影響を受けずに、高いスパッタレートを維持したまま薄膜形成ができる反応性スパッタリング方法を提供する。 - 特許庁

The upper metal layers 4 and the side metal layers 5 are formed by depositing a metal material from an oblique direction by a vapor deposition method or a sputtering method, for example.例文帳に追加

上部金属層４および側部金属層５は、例えば、斜め方向から蒸着法またはスパッタリング法によって金属材料を堆積させることによって形成する。 - 特許庁

To make the time for replacing an EUV collector mirror to be appropriately judged by exactly reflecting the sputtering amount on the mirror in an LPP type EUV light source device.例文帳に追加

ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶコレクタミラーのスパッタ量を正確に反映させることにより、ミラー交換の時期を適切に判断できるようにする。 - 特許庁

To provide a light shielding film for forming a black matrix used in the color panel of a liquid crystal display or the like, and a sputtering target for forming the light shielding film.例文帳に追加

液晶ディスプレーなどのカラーパネルに用いるブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびそのを遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

By making the holding surface 2a and 2b hold targets formed from a different kind of materials, even one sputtering apparatus can easily form a two-layer stacked film on the substrate.例文帳に追加

また異種の材料からなるターゲットを保持させる場合、１台のスパッタリング装置で２層からなる積層膜を基板上に容易に形成することが可能になる。 - 特許庁

To provide a fuel cell which can be manufactured with the use of film-forming technologies such as printing, plating, bonding and sputtering or the like on a flexible sheet.例文帳に追加

本発明の目的は、可撓性シート上に印刷やメッキ、接着やスパッタのなどの膜形成技術を用いて製造することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a soft magnetic alloy for perpendicular magnetic recording medium which has excellent amorphous property, hardness and corrosion resistance, and a sputtering target material for forming a thin film of the alloy.例文帳に追加

アモルファス性、硬さ、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金及び、この合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

A high purity Ti sputtering target material after plastic working which has not been subjected to structural control heat treatment is diffusion- joined with a backing plate material (Al or the alloy thereof).例文帳に追加

組織制御熱処理されていない、塑性加工後の高純度Ｔｉスパッタリングターゲット材が、バッキングプレート材（Ａｌ又はその合金）と拡散接合されている。 - 特許庁

The NiFeHf inner layer 51 is formed by, for example, simultaneously sputtering a NiFe target and a Hf target with 400 W and 200 W, respectively.例文帳に追加

ＮｉＦｅＨｆインナー層５１は、例えば、ＮｉＦｅターゲットおよびＨｆターゲットを、それぞれ４００Ｗ，２００Ｗのパワーで同時並行スパッタすることで形成される。 - 特許庁

As the interlayer 4, an aluminum oxide layer or an oxide silicon layer, for example, can be used and can be formed by a sputtering method or an evaporation method, for example.例文帳に追加

中間層４としては、例えば酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層を用いることができ、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成することができる。 - 特許庁

The metal film 3 composed of an edible metal such as gold, silver or platinum is formed on the surface of the body of the medicine 1 (i.e. the medicine body 2) by sputtering.例文帳に追加

この薬１の本体（すなわち薬本体２）の表面には、スパッタリングによって、金、銀、プラチナ等の可食性金属からなる金属膜３が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device, forms the transparent electrode using a sputtering method which interposing a magnetic field between a wafer to be processed and a target.例文帳に追加

実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。 - 特許庁

A film-removing mechanism, which removes the thin film deposited on the substrate holder 90 by sputtering etching using ion impact is provided in the film-removing chamber 70.例文帳に追加

膜除去チャンバー７０内には、基板保持具９０の表面の堆積膜をイオン衝撃によりスパッタエッチングにより除去する膜除去機構が設けられている。 - 特許庁

Inverse sputtering is executed to a forming face S of the semiconductor substrate 1 in order to remove a natural oxide film (not illustrated in Figure) formed on the forming face S of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

まず、半導体基板１の形成面Ｓに形成された図示しない自然酸化膜を除去するために、半導体基板１の形成面Ｓの逆スパッタリングを行う。 - 特許庁