「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

A film of a silicon oxide formed by vacuum vapor deposition or sputtering is formed on a surface of a current collector as a negative electrode active material layer.例文帳に追加

負極活物質層として、真空蒸着若しくはスパッタリングにより形成された珪素酸化物の薄膜を集電体の表面に形成する。 - 特許庁

WIRING AND ELECTRODE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE CAUSING LESS HEAT DEFECT AND PREFERABLE SURFACE STATE, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

The transparent conductive film 1 has a transparent base film 2 and a transparent conductive membrane 3 made of ITO formed on the base film 2 by sputtering.例文帳に追加

透明な基材フィルム２と、基材フィルム２の表面にスパッタリングにより形成したＩＴＯからなる透明導電膜３とを有する透明導電フィルム１。 - 特許庁

A thin film is deposited by sputtering by spatially separating film deposition process zones 20 and 40 and a reaction process zone 60 from each other in a vacuum tank 11.例文帳に追加

真空槽１１内に成膜プロセスゾーン２０，４０と反応プロセスゾーン６０とを互いに空間的に分離させてスパッタにより薄膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of enhancing manufacturing efficiency of an inorganic oriented film by suppressing oxidation of a target, and a device for manufacturing a liquid crystal device.例文帳に追加

ターゲットの酸化を抑制し、無機配向膜の製造能率の向上を図ることができるスパッタリング装置及び液晶装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

An Ni layer is formed on the Si substrate by a sputtering method, and Ni_3N layer is formed by heat-treating it at 500 to 900°C in an ammonia air flow.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にスパッタ法でＮｉ層を形成し、アンモニア気流中５００〜９００℃で熱処理することによりＮｉ_3Ｎ層を形成する。 - 特許庁

In the W sputtering target, the half-width of peak of crystal plane (110) obtained by X-ray diffraction of the plane to be sputtered is ≤0.35.例文帳に追加

Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。 - 特許庁

In this case, immediately before formation of the metal film 8 with a sputter, the silicon oxide film is converted to an electlet within the vacuum chamber of the sputtering apparatus using the silicon oxide film.例文帳に追加

このとき、金属膜８をスパッタで形成する直前に、スパッタ装置の真空チャンバー内でシリコン酸化膜をプラズマを用いてエレクトレット化を行う。 - 特許庁

Deposition of the coating on a support can be achieved by two successive physical vapor deposition steps, and more particularly by magnetron cathode sputtering.例文帳に追加

支持体上への被覆の堆積は、２つの連続した物理的蒸着工程により、より詳しくは、マグネトロン陰極スパッタリングにより、達成することができる。 - 特許庁

Thereafter the substrate 1 is reversed and a SiO_2 film 3 is formed by sputtering on a surface of the substrate 1 opposite to the surface where the optical multilayered thin film 2 is formed (b).例文帳に追加

その後基板１を反転し、スパッタリングにより、基板１の、多層光学薄膜２が成膜された面と反対の面にSiＯ_２膜３を成膜する（ｂ）。 - 特許庁

A manufacturing method includes a cleaning process, a sputtering process, an electroplating process, an etching process, and an electroless plating process.例文帳に追加

製造方法としては、洗浄工程Ｗと、スパッタリング工程Ｓと、電解メッキ工程ＥＰと、エッチング工程Ｅと、無電解メッキ工程ＣＰとからなる。 - 特許庁

In the sputtering target, preferably, the dimensions of the average crystal grain sizes is ≤100 μm, and also, the surface roughness Ra is ≤10 μm.例文帳に追加

前記スパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径の大きさが１００μｍ以下であり、かつ、表面粗さＲａが１０μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

The gravure roll 16 is formed of a ceramic material 18 of chromium oxide of 1000 kg/mm^2 or higher in hardness and 5% or less in porosity around a metal roll 17 by sputtering.例文帳に追加

グラビアロール16は、金属ロール17の周囲に硬度１０００ｋｇ／ｍｍ^２以上、空孔率５％以下の酸化クロムのセラミックス材18を溶射して形成する。 - 特許庁

To provide a tantalum sputtering target which provides good film uniformity and can improve the quality of a sputtered film, and to provide a method for production of the target.例文帳に追加

膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a contact part between the through hole electrode 26a and the silicon part 1 is ohmic contact, sand blast and reverse sputtering are applied to a silicon surface of a contact part.例文帳に追加

また、スルーホール電極26a とシリコン部品１との接触部をオーミック接触とするために、接触部のシリコン表面にサンドブラストや逆スパッタリングが施される。 - 特許庁

The nitrogen content of each part of the sputtering target consisting mainly of Al is set to be within ±40% to the average value of the nitrogen content of the entire target.例文帳に追加

Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。 - 特許庁

A two-layered electrode film is produced by forming a thin Ni alloy film on a ceramic substrate by a sputtering method which uses the target.例文帳に追加

また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にＮｉ合金薄膜を形成することにより、２層電極膜を作製する。 - 特許庁

The gas sensitive membrane, in particular, out of the gas sensitive membrane, the catalyst cluster and the partially poisoned body constituting the element is preferably formed by a sputtering method.例文帳に追加

素子を構成するガス感応膜、触媒クラスタ及び部分被毒体のうちの特にガス感応膜はスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁

To provide a reinforcement ring to prevent the deformation of a backing plate, the backing plate reinforced by this reinforcement ring, and a sputtering target.例文帳に追加

バッキングプレートの変形を防止するための補強リング、並びにこの補強リングにより補強されたバッキングプレートおよびスパッタリングターゲットに関するものである。 - 特許庁

Island-shaped sensitizers (catalysts) 4 comprising platinum (Pt) or the like are arranged on the center part uniformly by a sputtering method or the like, to thereby form a sensor domain 7.例文帳に追加

その中央部に白金（Ｐt）などからなる島状の増感体（触媒）４をスパッタリング法などで均一に配置し、センサ領域７を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device capable of uniformly forming film on an article to be treated and also capable of effectively utilizing a target.例文帳に追加

被処理物に均一に膜を形成することができるとともに、ターゲットを有効に利用することができるマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。 - 特許庁

The sputtering target consists of a sintered body having a composition containing 5 to 40 mol% silicon carbide and the balance zinc sulfide and having ≥95% relative density.例文帳に追加

炭化ケイ素：５〜４０ｍｏｌ％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有し、相対密度が９５％以上有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

By this magnetic field, the orbits of secondary electrons generated in the vicinity of the target 8 at the time of sputtering are corrected, and their arrival at the substrate 14 can be prevented.例文帳に追加

この磁界により、スパッタリングの際にターゲット８の近傍で発生する二次電子を軌道修正し基板１４に到達しないようにすることができる。 - 特許庁

As a result, a self-bias value impressed in the vicinity of the base material and the facing electrodes is adjusted, and adhering contaminants are removed by sputtering.例文帳に追加

結果、基材近傍および対向電極近傍に印加されるセルフバイアス値が調整され、付着した汚染物質をスパッタリングにより取り除く。 - 特許庁

When an about 2 μm-thick GaN layer is formed on an AlN buffer layer formed by sputtering, its surface has unevenness of about 0.9 nm in average.例文帳に追加

スパッタリングによって形成したＡｌＮバッファ層の上に、ＧａＮ層を２μｍ厚程形成すると、その表面は平均約０．９ｎｍ程の凹凸が生じる。 - 特許庁

The uppermost surface of an amorphous silicon film 3 is etched through a reverse sputtering treatment, and the amorphous silicon film 3 is crystallized by excimer laser annealing.例文帳に追加

非晶質シリコン膜３の極表面を逆スパッタ処理によってエッチングし、続いて大気に晒すことなく、エキシマレーザアニールによる結晶化を行う。 - 特許庁

ALUMINUM ALLOY REFLECTION FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM HAVING EXCELLENT CORROSION RESISTANCE AND SURFACE SMOOTHNESS AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE REFLECTION FILM例文帳に追加

耐食性および表面平滑性に優れた光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

In the first processing, sputtering for forming the first dielectric layer 2 on the substrate 1 is performed in two steps in a process chamber of two chambers.例文帳に追加

第１工程において、基体１上に第１誘電体層２を形成するためのスパッタリングを２室のプロセスチャンバー内で２回に分けて行う。 - 特許庁

To provide a target holder for magnetron sputtering having simple structure, with which the utilization efficiency of a target can be enhanced by uniformizing erosion of the target.例文帳に追加

簡単な構造で、ターゲットのエロージョンを均一化して、ターゲットの利用効率を高めることのできるマグネトロンスパッタリング用のターゲットホルダーを提供する。 - 特許庁

Further, a thin film made from a cathode material is formed on the upper surface of the organic light emitting layer 3 by deposition or sputtering to produce a cathode 4.例文帳に追加

さらに、有機発光層３の上面に、陰極用物質からなる薄膜を蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極４を作製する。 - 特許庁

An oxide film, containing chromium and composed mainly of vanadium, is formed on a substrate by sputtering a V2O3 target and Cr2O3 pellets.例文帳に追加

Ｖ_2 Ｏ_3 ターゲットと、Ｃｒ_2 Ｏ_3 ペレットとをスパッタリング処理することにより、基板上にクロムを含み、かつ、バナジウムを主成分とする酸化物膜を成膜する。 - 特許庁

The water trapping layer 11 is a thin layer of alkali earth metal or oxide thereof, which can be formed by a vacuum process like sputtering or evaporation.例文帳に追加

捕水材層１１はアルカリ土類金属やアルカリ土類金属の酸化物薄膜であり、スパッタや蒸着などの真空プロセスで形成することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering target capable of forming a low-resistance Al wiring film with superior reproducibility that can prevent occurrence of hillock and etching residue.例文帳に追加

ヒロックと共にエッチング残渣の発生を防止し得る低抵抗Ａｌ配線膜を再現性よく成膜することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The black BM films of low reflection may be obtained by adequately selecting the amount of the gaseous oxygen to be added or the amount of the gaseous nitrogen to be added into a sputtering atmosphere.例文帳に追加

スパッタリング雰囲気中の酸素ガスの添加量や窒素ガスの添加量を適切に選ぶことにより、低反射の黒色ＢＭ膜を得ることができる。 - 特許庁

Furthermore, the electrode layer or the protective layer can be selectively formed using a mask so that film sputtering is not performed on at least a peripheral portion of the substrate.例文帳に追加

なお、少なくとも基板の周縁にはスパッタ成膜を行わないようにマスクを用いて電極層や保護層を選択的に形成することもできる。 - 特許庁

To provide a high purity cobalt sputtering target having a single-phase h.c.p. structure and a magnetic permeability lower than the intrinsic permeability of the material.例文帳に追加

本発明は、単相ｈ．ｃ．ｐ．構造及び材料の固有の透磁率よりも小さな透磁率を有する高純度コバルトスパッターターゲットを提供する。 - 特許庁

The ZnS-SiO_2 sputtering target contains, as additive, one or more selected from alkaline earth metals or their oxides in an amount of 0.001-5 wt.%.例文帳に追加

添加物としてアルカリ土類金属又はこれらの酸化物から選択した１種以上を０．００１〜５ｗｔ％含有するＺｎＳ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a cold cathode discharge tube by connecting electrodes made of sputtering resistant metal with internal lead at a temperature with no harmful overheat effect.例文帳に追加

耐スパッタリング性のある金属で形成された電極を過熱弊害の生じない温度で内部リードに接合して冷陰極放電管を製造する。 - 特許庁

A nickel layer 5 is formed on the surface of the ultraviolet curable resin layer 2 of the intermediate 4 by sputtering to complete the die 6 made of the resin (d).例文帳に追加

この中間型４の紫外線硬化樹脂層２の表面に、スパッタリングによりニッケル層５を成膜すると、樹脂製型６が完成する（ｄ）。 - 特許庁

An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method.例文帳に追加

基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁

The N_2 gas flow is then stopped to deposit by sputtering a third refractory metal-silicon-nitrogen layer 18 on top of the second refractory metal-silicon-nitrogen layer.例文帳に追加

次に、Ｎ_2ガスのフローが停止され、第３の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１８が第２の耐熱金属−ケイ素−窒素の層上にスパッタ付着される。 - 特許庁

To prevent destabilization of an ion source due to the sputtering of a diaphragm base or reattachment in the diaphragm for an ion beam optical system, with its surface coated with liquid metal.例文帳に追加

表面に液体金属を塗布したイオンビーム光学系用絞りにおいて、絞りベースのスパッタ，再付着によるイオン源の不安定化を防止する。 - 特許庁

The dielectric thin film of ≥90% packing density is formed by vacuum deposition, ion beam-assisted evaporation or sputtering at ≥150°C substrate temperature.例文帳に追加

充填密度９０％以上の誘電体薄膜は基板温度１５０℃以上の真空蒸着またはイオンビームアシスト蒸着またはスパッタリングで成膜する。 - 特許庁

A lower layer electrode film dA is formed by sputtering ITO along an image signal wiring on a main surface of a rear substrate SUB1 using suitably a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板を好適とする背面基板ＳＵＢ１の主面に、画像信号配線に沿ってＩＴＯをスパッタリングして下層電極膜ｄＡを形成する。 - 特許庁

A material gas for CVD film deposition and a material gas for sputtering film deposition can be supplied into a plasma chamber 12 by gas feeding deices 14A and 14B, respectively.例文帳に追加

プラズマ室１２にはガス供給装置１４Ａ，１４ＢによりＣＶＤ成膜用ガスおよびスパッタ成膜用ガスを供給することができる。 - 特許庁