「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(74ページ目) - Weblio英語例文検索

A thin plate-like dielectric sheet is calcinated to create a ceramic substrate and a metal film is formed on its required surface by plating, sputtering, vapor deposition and the like.例文帳に追加

薄い板状の誘電体シートを焼成してセラミック基板を作成し、その必要な面に、メッキ、スパッタ、蒸着等によって金属膜を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a Pt thin film 4 with a film thickness of about 90 nm is formed on the SiO_2 film 3 by sputtering or deposition (refer to step (d)).例文帳に追加

その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。 - 特許庁

The content of nitrogen in each part of a sputtering target essentially consisting of Mn is controlled to ±40% to the average value of the content of nitrogen in the whole of the target.例文帳に追加

Ｍｎを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。 - 特許庁

TRANSLUCENT REFLECTING LAYER FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET FOR TRANSLUCENT REFLECTING LAYER OF OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加

光情報記録媒体用の半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体の半透明反射層用スパッタリングターゲット - 特許庁

To prevent any abnormal discharge between a target and a backing plate part and a target holder in the sputtering used for the forming of a thin film.例文帳に追加

薄膜形成に用いられるスパッタリングにおいて、ターゲット及びバッキングプレート部とターゲット押さえとの間での異常放電を防止することを目的としている。 - 特許庁

The sputter targets include the high-Ku alloy and either the desired oxide compounds, or the elements to be oxidized in a reactive sputtering process.例文帳に追加

スパッタターゲットは、高いＫｕを有する合金と、所望の酸化化合物又は反応的スパッタリングプロセスで酸化される元素のいずれか一方とを含む。 - 特許庁

After the hole 12a is covered on the upper face of the substrate to form a barrier layer 16, a wiring material layer 18 such as an Al alloy is formed by a sputtering method.例文帳に追加

基板上面には、孔１２ａを覆ってバリア層１６を形成した後、スパッタ法によりＡｌ合金等の配線材層１８を形成する。 - 特許庁

Further, a transparent conductive layer 9 composed of ITO is formed on a surface opposite to the main body layer 3 by sputtering to complete an electromagnetic wave shield transparent body 1.例文帳に追加

また、本体層３の反対側の面に、スパッタリングにより、ＩＴＯから成る透明導電層９を形成し、電磁波シールド透明体１を完成した。 - 特許庁

To provide an indium target having stable sputterring characteristics in film formation rate, discharge voltage or the like from start to completion of sputtering and to provide a method for producing the indium target.例文帳に追加

スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット - 特許庁

To improve the manufacture of metal blanks, disks, and sputtering targets by flattening only one of two surfaces of a metal plate.例文帳に追加

本発明は、金属プレートの２つの表面のうちの一方のみを平坦化することによる、金属ブランク、ディスク及びスパッタリングターゲットの製造における改善。 - 特許庁

The solar battery 10 comprises a transparent substrate 1, a transparent conductive film 2, a p-layer 3 and an n-layer 4 which are formed by sputtering, and a metal electrode 5.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明基板１と、透明導電膜２と、スパッタリングによって形成されたｐ層３及びｎ層４と、金属電極５とからなる。 - 特許庁

The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like.例文帳に追加

基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。 - 特許庁

The adhesive properties of the film are improved by subjecting it to reverse sputtering of the surface of the substrate before the film formed by using a nitrogen gas, when a gate metal Ag alloy film is formed.例文帳に追加

ゲート金属Ａｇ系合金膜形成時、窒素ガスを用いて成膜前の基板表面を逆スパッタして、膜の密着性を改善する。 - 特許庁

To provide a backing plate capable of preventing target crack and reducing target weight and an assembly formed by integrally joining a sputtering target to the backing plate.例文帳に追加

ターゲットの割れを防ぎ、且つ軽量化が図れるバッキングプレート及びこのバッキングプレートにスパッタリングターゲットを接合一体化して成る組立体を提供すること。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a Ba-containing alloy, and each content of Sr, Ca and Mg contained as impurities is ≤0.1 mass%, respectively.例文帳に追加

Ｂａを含む合金からなるスパッタリングターゲットであり、不純物として含まれるＳｒ、ＣａおよびＭｇの含有量がいずれも０．１質量％以下である。 - 特許庁

To provide a magnetic element and manufacturing method thereof where use of etching method with physical sputtering such as ion milling method is suppressed as much as possible.例文帳に追加

イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The content of nitrogen in each part of the sputtering target essentially consisting of Ta is controlled to ±40% to the average value of the nitrogen content in the whole of the target.例文帳に追加

Ｔａを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide sintered compact which does not generate a nodule, an arcing or the like when the oxide semiconductor device is formed and to provide a sputtering target.例文帳に追加

酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

FILM-FORMING METHOD BY DIRECT-CURRENT REACTIVE FACING TARGET TYPE SPUTTERING, PURE YTTRIA CORROSION-RESISTANT FILM FORMED WITH THE FILM-FORMING METHOD, AND CORROSION-RESISTANT QUARTZ ASSEMBLY例文帳に追加

直流反応性対向ターゲット方式スパッタリング成膜方法、その成膜方法によって形成される純イットリア耐食膜、及び耐食性石英構成体 - 特許庁

To provide an ECR(electron coupling resonance) film deposition system capable of forming a protective film by means of ECR sputtering and ECR plasma enhanced CVD selectively or simultaneously.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ法およびＥＣＲプラズマＣＶＤ法を選択的にまたは同時に用いて保護膜の成膜ができるＥＣＲ成膜装置の提供。 - 特許庁

To aim at lowering discharge starting voltage, lowering power consumption, and to improve durability of a discharge electrode material by sputtering.例文帳に追加

放電電極において、放電開始電圧の低下を図り、低消費電力化を可能とし、またスパッタリングによる放電電極材料の耐性を向上させる。 - 特許庁

To improve the reliability of a contact by fully improving the coverage of a side-face portion in a fine contact hole, when forming a wiring layer through a sputtering method.例文帳に追加

スパッタ法で配線層を形成するのにあたり、微小なコンタクト孔における側面部分のカバレッジを十分に向上させ、コンタクトの信頼性を高くする。 - 特許庁

(e) Coating devices that use the sputtering method and has a current density of 10 milliamperes per square centimeter or more for hourly deposition rates of 15 micrometers or more 例文帳に追加

ホ　スパッタリング法を用いるものであって、毎時一五マイクロメートル以上の溶着速度における電流密度が一〇ミリアンペア毎平方センチメートル以上のもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

INTERCONNECTION FILM AND ELECTRODE FILM FOR FLAT PANEL DISPLAY USING THIN FILM TRANSISTOR (TFT) SUPERIOR IN ADHESIVENESS, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THEM例文帳に追加

密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線膜および電極膜並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To prevent re-diffusion into a chamber due to sputtering of an ion bombardment surface of an ion recovering device and/or deposited substances on the ion bombardment surface.例文帳に追加

イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによるチャンバ内への再拡散を防止する。 - 特許庁

When forming the indium, tin and silicon oxide film 13 using indium, tin, silicon and oxygen targets, the oxygen concentration of sputtering gas is set to ≥30%.例文帳に追加

そして、インジウム・錫・珪素・酸素ターゲットを用いて、インジウム・錫・珪素酸化膜１３を形成する際のスパッタガスの酸素濃度は３０％以上とする。 - 特許庁

The diffused barrier layer is formed by sputtering or vacuum deposition of any material selected from fire-resistant metal materials such as tungsten, tungsten nitride, tantalum, tantalum nitride or molybdenum.例文帳に追加

該拡散バリア層はタングステン、窒化タングステン、タンタル、窒化タンタル又はモリブデンなどの耐火金属材料から選択し、スパッタリング又は蒸着によって形成する。 - 特許庁

The copper-nickel coated layers are either nickel silver, Constantan, or Monel metal and formed on the surfaces of the copper particles by e.g. a sputtering method.例文帳に追加

銅・ニッケル合金コ−ティング層は、洋白、コンスタンタンまたはモネルメタルのいずれかであって、例えば、スパッタリング法によって銅粉末粒子の表面に形成される。 - 特許庁

The base metal layer 3 is in the laminated structure of titanium (Ti) or a titanium alloy and copper (Cu) or gold (Au) or palladium (Pd), and is formed by sputtering.例文帳に追加

下地金属層３はチタン（Ｔｉ）又はチタン合金と、銅（Ｃｕ）又は金（Ａｕ）又はパラジウム（Ｐｄ）との積層構造であり、スパッタリングにより形成される。 - 特許庁

In this sputtering target, 0.1-5 wt.% of zirconium oxide is included in indium oxide, and the zirconium oxide forms a solid solution in the indium oxide.例文帳に追加

酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The transparent anode 11 and the transparent cathode 16 are formed of an amorphous transparent electrode that a metal oxide is formed by sputtering method and ion plating method.例文帳に追加

透明陽極１１および透明陰極１６は金属酸化物をスパッタ法またはイオンプレーティング法により形成したアモルファス透明電極で構成される。 - 特許庁

ELECTROMAGNETIC-SHIELDING AG ALLOY FILM, ELECTROMAGNETIC-SHIELDING AG ALLOY FILM FORMED BODY, AND AG ALLOY SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING ELECTROMAGNETIC-SHIELDING AG ALLOY FILM例文帳に追加

電磁波シールド用Ａｇ合金膜、電磁波シールド用Ａｇ合金膜形成体および電磁波シールド用Ａｇ合金膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a method by which a crystalline carbon nitride film having >1 nitrogen to carbon ratio (N/C) can be formed by an ECR(electron cyclotron resonance) sputtering method.例文帳に追加

ECR（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によって、窒素対炭素比（N／C比）が1を越える結晶質の窒化炭素膜を形成できる方法を提供する - 特許庁

The gas has a threshold of kinetic energy that is greater than kinetic energy developed by ions of the gas in the electric fields for sputtering the optical element.例文帳に追加

ガスは、光学エレメントをスパッタリングするための、電界中のガスのイオンによって展開する運動エネルギーより大きい運動エネルギーの閾値を有している。 - 特許庁

To eliminate the generation of abnormal discharge in a conventional device and to enhance deposited film quality, when sputtering of a reflection film and the like of a disk-shaped recording medium (a disk) is performed.例文帳に追加

円盤状記録媒体（ディスク）の反射膜等のスパッタリングに際し、従来の装置での異常放電の発生をなくし、成膜品質の向上を図る。 - 特許庁

An annular shield 19 is arranged on the space between the supporting part 13 for a wafer and the target 12 for sputtering and is arranged in the carrying passage 16 for a wafer.例文帳に追加

環状シールド１９はウェハー用支持部１３とスパッタ用ターゲット１２との間に配置されて、ウェハー用搬送経路１６内に配置される。 - 特許庁

A conventional sputtering method is used, instead of such a technology as MOCVD, to form a solid capacitor, allowing a micro cell.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤなどの技術を使用せず従来から用いられているスパッタ法を用いて立体キャパシタを形成することができ、微細セルの実現が可能になる。 - 特許庁

To provide a technology capable of substantially perfectly removing a bonding material adhering to a target of a spent sputtering target from which a backing plate is detached.例文帳に追加

バッキングプレートを外した使用済みスパッタリングターゲットのターゲット部に付着する接合材を実質上問題がなくなるまで除去しうる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic circuit for a magnetron sputtering device in which the height of the magnetic field on the surface of a target is remarkably improved by improving a conventional magnetic circuit.例文帳に追加

従来の磁気回路を改良して、ターゲット表面における磁場の高さを飛躍的に向上させたマグネトロンスパッタ装置用磁気回路を提供する。 - 特許庁

In addition, the alternately laminated moistureproof film is manufactured by sequentially forming the described films on the base of an organic material by vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

上記交互積層防湿膜は、有機材料の基板上に蒸着又はスパッタリングにより前記膜を順次形成することにより製造される。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system by magnetron sputtering in which a thin film with a uniform film thickness can be deposited even in the case that the distance between a target and a substrate is short.例文帳に追加

ターゲットと基板の間の距離が短い場合でも、均一な膜厚の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁

The sputtering target for depositing an oxide film is formed of at least one kind selected from Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Al, Y, Si, Mg and Ca.例文帳に追加

Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｙ、Ｓｉ、ＭｇおよびＣａから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化膜形成用スパッタリングターゲットである。 - 特許庁

The target material 10 is melted by heating in making film and the sputtering is made with giving a fixed electric field to a liquid state of the target material 10.例文帳に追加

成膜の際にターゲット材１０を加熱溶融し、液相状態になったターゲット材１０に対し所定の電界を印加してスパッタリングを行う。 - 特許庁