「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

According to the magnetron sputtering system in this invention, since a magnetic field forming part 30 is composed of one magnet, the cost of the material can be reduced.例文帳に追加

本発明に係るマグネトロンスパッタリング装置によれば、磁界形成部３０が１つの磁石によって構成されるため、材料コストの削減を図ることができる。 - 特許庁

No wire material protrudes downward ahead from the nail being driven, and it is possible to prevent the downward wire from rupturing off from the nail and sputtering at the time of being driven.例文帳に追加

打ち込まれる釘から前方下向きに突出するワイヤがなく、打ち込み時に下向きのワイヤが釘から破断して飛散することを防止できる。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH PHASE CHANGE TYPE OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM FORMED THEREON BY USING THE TARGET例文帳に追加

相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁

The sputtering target for forming the film of the magnetic recording medium consists of a sintered compact having a structure in which C phases are dispersed in FePt alloy phase.例文帳に追加

磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、ＦｅＰｔ合金相中にＣ相が分散している組織を有した焼結体からなる。 - 特許庁

To excellently hold line balance between a forming machine and a sputtering device and to permit film forming corresponding to substrates having different film-forming conditions.例文帳に追加

成形機とスパッタ装置との間のラインバランスを良好に保持でき、且つ、成膜条件の相違する基板に対応した成膜を行うことを可能とする。 - 特許庁

This sputtering target is composed of a sintered body having a composition containing 10 to 30 mol% silicon dioxide, 0.5 to 10 mol% Cu, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、Ｃｕ：０．５〜１０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

A metal film 3 is deposited on the semiconductor wafer by sputtering (C).例文帳に追加

図２（Ｃ）はスパッタリング後の半導体ウェハを示しており、図２（Ｂ）の半導体ウェハに対して金属膜３をスパッタリングで堆積させて付着させた状態を示している。 - 特許庁

To provide a film deposition method where a thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of a gaseous starting material having weak surface adsorption power.例文帳に追加

表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

The thin-film magnetic disk is formed by sputtering the crystalline CrNi preseed layer on a substrate consisting of glass, etc., and in succession bonding an RuAl seed layer thereto.例文帳に追加

薄膜磁気ディスクにおいて、結晶質ＣｒＮｉプレシード層が、ガラスなどの基板上にスパッタリングされ、続いてＲｕＡｌシード層が付着される。 - 特許庁

To provide a sputtering target containing the combination of oxides which forms a recording layer of high definition and high recording density, and a recording material of a hard disk.例文帳に追加

高品位および高記録密度の記録層を形成する多重酸化物を含有するスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材を提供する。 - 特許庁

After an upper pole chip precursory layer 112a consisting of iron nitride is formed by sputtering, the surface of the upper pole chip precursory layer 112a is polished to be flattened.例文帳に追加

スパッタリングによって窒化鉄よりなる上部ポールチップ前駆層１１２ａを形成したのち、上部ポールチップ前駆層１１２ａの表面を研磨して平坦化する。 - 特許庁

ROLL-UP TYPE SPUTTERING SYSTEM OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM USING THE SAME例文帳に追加

ディスク型記憶媒体用フィルム基板の巻取り式スパッタリング装置及びこの装置を用いたディスク型記憶媒体用フィルム基板の製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a lanthanoid aluminate film using a sputtering method, which is excellent in electric insulating performance by suppressing deviation in composition of the film.例文帳に追加

膜の組成ズレを抑制することにより、電気的な絶縁性能に優れたスパッタリング法によるランタノイドアルミネート膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering source 3 has a first shield 41 encircling the target 35 and a second shield 45 arranged on the first shield 41.例文帳に追加

本願発明のスパッタ源３は、ターゲット３５を取り囲む第一のシールド４１と、第一のシールド４１上に配置された第二のシールド４５とを有している。 - 特許庁

In the power supply system for introducing electric power for sputtering electric discharge to the respective targets 30, the electric power to be supplied can be independently controlled.例文帳に追加

各ターゲット３０にスパッタ放電のための電力を導入する電力供給系は、供給する電力を各々独立して制御するものである。 - 特許庁

There is also provided the tantalum sputtering target having the crystal structure in which the orientation (222) is preferential toward the central plane of the target from the position of 10% of the target thickness.例文帳に追加

ターゲット厚さの１０％の位置からターゲットの中心面に向かって、（２２２）配向が優先的である結晶組織を備えているタンタルスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which enable pre-treatment such as pre-sputtering in a vacuum vessel to be performed without arranging complicated shutter mechanism.例文帳に追加

複雑なシャッター機構を設けることなく真空槽内のプリスパッタ等の前処理が可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁

GaSb PHASE CHANGE TYPE RECORDING FILM EXCELLENT IN SHELF STABILITY OF RECORDING MARK AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIS GaSb PHASE CHANGE TYPE RECORDING FILM例文帳に追加

記録マークの保存安定性に優れたＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus in which a magnetic field shape and a magnetic field strength on a target surface side can be easily changed and which allows the manufacturing cost thereof to be reduced as a result.例文帳に追加

容易にターゲット表面側の磁場形状や磁場強度を変更でき、装置の製造コストを低減できるマグネトロンスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

To achieve an sputtering apparatus that prevents a film, deposited therein and peeled off from the apparatus, from adhering to a substrate as foreign matter, and also to achieve a method for maintaining the same.例文帳に追加

装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。 - 特許庁

To provide a sputtering target composed of a In-Ga-Zn-based oxide sintered compact with which a uniform thin-film transistor panel with large area can be manufactured.例文帳に追加

大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a film, which can suppress the change of a refractive index with the elapse of time when an MgF_2 thin film is deposited by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するにあたり、経時変化による屈折率の変化を抑えることのできる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a film of a magnetic recording medium, has a further refined structure and also includes little contamination, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-based sputtering target material which has low specific resistance and high corrosion resistance, and from which a thin film having uniform component distribution can be produced.例文帳に追加

本発明は、低固有抵抗および高耐食性を有し、成分不均一の小さい薄膜を製造できるＣｕ系スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a cylinder-shaped sputtering target, with which a cylinder-shaped target material and a backing sleeve are securely joined to each other with a simple construction.例文帳に追加

円筒形ターゲット材とバッキングスリーブとを簡単な構成で確実に接合することができる円筒型スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can reduce the dispersion of an inorganic oxide particle such as a silica particle, and a manufacturing method of the same, and the like.例文帳に追加

シリカ粒子等の無機酸化物粒子の飛散を低減できるスパッタリングターゲット及びその製造方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁

The sliding mechanism is manufactured by the non-balancing type magnetron sputtering method, and a sliding material consisting of hard carbon with the hydrogen content of 20-25 at% is used.例文帳に追加

非平衡型マグネトロンスパッタリング法により製造され、水素含有量２０〜２５ａｔ％である硬質炭素からなる摺動材料を用いる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of enhancing the workability for leak check at a part where cooling water must be introduced such as a backing plate of a sputtering apparatus.例文帳に追加

スパッタリング装置のバッキングプレート等、冷却水の導入が必要な箇所におけるリークチェックの作業性を向上させた真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for a printed wiring board, capable of being formed without using a sputtering device, and a method for manufacturing the substrate for a printed wiring board.例文帳に追加

スパッタリング装置を用いずに形成することができるプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the amount of the sputtering particles made incident on the surface of the substrate 17 increases, and, they are vertically incident as well, a thin film having a high aspect ratio can be deposited.例文帳に追加

基板１７表面に入射するスパッタリング粒子の量が増し、しかも垂直に入射するので、高アスペクト比の薄膜を形成することができる。 - 特許庁

The sputtering apparatus has the deposition shield 6 of which the internal parts close to a stage 3 are formed so as to tilt toward the inside of a chamber 1.例文帳に追加

スパッタリング装置で、防着板６の内面側のステージ３の近傍側の個所を、チャンバ１の内側に向かって傾斜した構造に形成する。 - 特許庁

The sputtering target for optical media includes 45-90 mol% of TiO_2 and the remainder ZnO, and has a specific resistance of 0.001-1 Ωcm.例文帳に追加

４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a large ITO (indium-tin oxide) sintered compact which is useful as a target for sputtering for producing a transparent electrically conductive film in a short time.例文帳に追加

透明導電膜作製のためのスパッタリング用ターゲットとして有用な大型のITO焼結体を短時間で製造可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method by which film deposition by a sputtering process with a high resistor material as a target is possible in a low frequency of <1 MHz.例文帳に追加

１ＭＨｚ未満の低周波数において、高抵抗体材料をターゲットとするスパッタリング法による成膜が可能な成膜方法の提供。 - 特許庁

To ensure the start, to facilitate the transition from the glow discharge to the arc discharge, and to prevent a translucent ceramic discharge container from being blackened with sputtering.例文帳に追加

始動が確実で、しかもグロー放電からアーク放電への転移が容易で、スパッタリングによる透光性セラミックス放電容器の黒化を防止する。 - 特許庁

To perform excellent sputtering of object material on an inner circumferential surface or an outer circumferential surface of an extra-fine tube or a wire-like long shaft body.例文帳に追加

極細管もしくはワイヤ状の長軸体の内周面あるいは外周面に、目的とする材料のスパッタリングを良好に行なうことができるようにする。 - 特許庁

To provide a sputtering target manufacturing method capable of reducing unexpected generation of particles, and enhancing the film quality and the thin film manufacturing efficiency.例文帳に追加

突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

As the forming method, an Al film is formed with the sputtering process from aluminum (Al) as an electrode material and this film is changed to an electrode pattern with the dry etching process.例文帳に追加

形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for controlling the film thickness with high accuracy and excellent reproducibility in an optical multi-layered film deposition apparatus by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法による光学多層膜形成装置において、高精度で再現性に優れた膜厚制御を行う装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, a metal seed layer is formed on the surface of the aluminum substrate by sputtering or vacuum deposition, and then a metal film is formed by electroplating.例文帳に追加

その後、そのアルミニウム基板表面にスパッタリング法または蒸着法にて金属シード層を形成し、更に電気めっき法にて金属皮膜を形成する。 - 特許庁

After forming an initial PZT film 55a and an intermediate PZT film 55b, an amorphous ferroelectric film 55c is formed by a sputtering method.例文帳に追加

初期ＰＺＴ膜５５ａ及び中間ＰＺＴ膜５５ｂを形成した後には、アモルファス状の強誘電体膜５５ｃをスパッタリング法により形成する。 - 特許庁

To remove a damaged layer generated in a cut end face by sputtering- etching with a convereged ion beam, when preparing a thin sample piece for a transmission electron microscope.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによって切削端面に生じたダメージ層を除去する。 - 特許庁

Ag ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, Ag ALLOY REFLECTING FILM FOR DISPLAY DEVICE, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR Ag ALLOY FILM DEPOSITION例文帳に追加

表示装置用Ａｇ合金膜、表示装置用Ａｇ合金系反射膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁

The oxide target has conductivity, and sputtering is performed under an oxygen gas atmosphere or a mixed atmosphere of an oxygen gas and a rare gas such as argon.例文帳に追加

この酸化物ターゲットは導電性を有し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でスパッタリングを行う。 - 特許庁

Next a Cu seed layer 11 is formed by sputtering, and a Cu-plated film 12 is formed by electroplating to bury the contact hole 8 and wiring groove 9.例文帳に追加

次にスパッタ法でＣｕシード層１１を形成後、電解メッキ法によりＣｕメッキ膜１２を形成し、コンタクトホール８、配線溝９を埋め込む。 - 特許庁